專利名稱：電子電路、電光裝置及具備其的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及電子電路，電光裝置，及具備其的電子設(shè)備；尤其是，涉及采用薄膜多晶硅形成技術(shù)而形成于基板上的電路、采用了該電路的液晶顯示裝置、具備該液晶顯示裝置的設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，采用低溫多晶硅形成技術(shù)在玻璃基板上形成各種薄膜晶體管電路的，所謂SOG(System On Glass，玻璃上系統(tǒng))技術(shù)正在積極開發(fā)。例如在液晶顯示器的玻璃基板上內(nèi)裝驅(qū)動器電路的單片(monolithic)驅(qū)動器等。
作為玻璃上系統(tǒng)(SOG)技術(shù)的應(yīng)用之一而考慮把傳感器和其傳感電路形成于玻璃基板上的例子。例如若在構(gòu)成液晶顯示器的透明基板上內(nèi)裝光傳感器和傳感電路，并對外光的狀態(tài)進(jìn)行檢測而根據(jù)其結(jié)果來控制背光源的照度地進(jìn)行構(gòu)成，則能夠與環(huán)境無關(guān)，而使液晶的觀看狀態(tài)保持為最佳。此外，溫度傳感器、陀螺式(gyro)傳感器、傾角傳感器等，因形成于玻璃基板上而有優(yōu)點(diǎn)的傳感器很多。一般來說這些傳感器的輸出為模擬信號，需要以形成于玻璃基板上的數(shù)字邏輯電路對其進(jìn)行處理，并為了用于適當(dāng)?shù)目刂浦卸訟/D變換電路對信號進(jìn)行數(shù)字變換。
圖11為現(xiàn)有的電流器件的A/D變換電路的例。
電流器件(傳感器1)將一端連接于電源電位VD，將另一端(設(shè)該節(jié)點(diǎn)為Node-A，其電位為VA)連接于晶體管2的漏及柵電極。晶體管2的源電極連接于電源電位VS。另外，Node-A連接于比較器電路3。
電流器件為傳感器1，由于進(jìn)行辨感(sense)的對象的物理量及施加在電源電位VD和Node-A間的電壓(VD-VA)而流過電源電位VD和Node-A之間的電流量Isense發(fā)生變化。
因為晶體管2的柵、源間電位Vgs＝VA-VS，漏、源間電位Vds＝VA-VS所以Vds＝Vgs，故而若晶體管2的閾值Vth＞0則成為Vds＞Vgs-Vth，若該晶體管2為Vth＜VA-VS則晶體管2總是在飽和區(qū)域進(jìn)行工作。在飽和區(qū)域的一般性的MOS晶體管特性可由下(式1)表示。
Ids＝W/2L×μ×C0×(Vgs-Vth)2......(式1)在此，W、L、μ、C0分別表示晶體管的溝道寬度、溝道長度、遷移率、柵電容。因為根據(jù)基爾霍夫定律明顯Isense＝Ids，所以下(式2)成立。
Isense＝W/2L×μ×C0×(Vgs-Vth)2......(式2)將(式2)進(jìn)行變形而得到(式3)。
Vgs=Isense×2L/W×μ×C0+Vth]]>.....(式3)根據(jù)VA＝Vgs+VS，導(dǎo)出(式4)VA=Isense×2L/W×μ×C0+Vth+VS]]>......(式4)在此若假定電流量Isense與電位VA無關(guān)，則能夠容易地根據(jù)電位VA得到電流量Isense。
作為如此的假定成立的傳感器器件，例如可舉出采用了PN結(jié)二極管或者PIN結(jié)二極管的光傳感器器件。因為若對如此的器件加反向偏置，則成為只要電流量Isense在一定的范圍就流過正比于光照度的電流的定電流源，所以成為(式5)。
VA=2L×Isense/W×μ×C0+Vth+VS]]>......(式5)即，以下(式6)根據(jù)電位VA而求電流量Isense。
Isense＝(VA-Vth-VS)2×W×μ×C0/2L ......(式6)在此Node-A的電位VA輸入到比較器電路3。圖12為比較器電路3的電路構(gòu)成，為如下電路對輸入電位Vin和比較基準(zhǔn)電位Vref進(jìn)行比較，若Vin(＝VA)＞Vref則將高電位(VD)、若Vin(＝VA)＜Vref則將低電位(VS)，向輸出端子Out進(jìn)行輸出。故而，若向比較器電路3提供比較基準(zhǔn)電位Vref，參照輸出信號OUT的端子的數(shù)字輸出結(jié)果則可知電位VA比比較基準(zhǔn)電位Vref高還是低。此時，若要以256灰度等級進(jìn)行數(shù)字變換則并聯(lián)配置255個比較器電路3，并提供互不相同的比較基準(zhǔn)電位Vref即可?；蛘撸粝虮容^基準(zhǔn)電位Vref輸入255階(step)的階梯波，并存儲輸出結(jié)果則可以進(jìn)行同樣的變換。到底選擇哪種方案可由與電路面積、功耗、采樣率的關(guān)系所確定。并且，不用說當(dāng)然也可以采用二者的折衷方案。即，若分別將電平互不相同的16個15階階梯波輸入16個比較器則能夠進(jìn)行256灰度等級數(shù)字變換。
還有，優(yōu)選圖12的晶體管3a和晶體管3b，晶體管3c和晶體管3d為相互相同的尺寸的元件。例如晶體管3a、3b、3c、3d全為溝道寬度W＝10μm，溝道長度＝6μm即可。
因為如此進(jìn)行而在一定范圍求電位VA，所以若據(jù)此而使用(式6)則知道電流量Isense，從而知道所求的物理量，例如照度。即，能夠?qū)M(jìn)行了辨感(sense)的結(jié)果進(jìn)行A/D變換。
并且，即使是傳感器1的電流量Isense并不一定，而為(VD-VA)的函數(shù)的傳感器仍可以由相同的電子電路進(jìn)行A/D變換。例如若是具有通過測定量而確定的一定的阻抗Rsense的傳感器器件，則由以下式表示電流量Isense。
Isense＝(VD-VA)/Rsense......(式7)作為如此的器件的例可舉出采用了電阻的溫度傳感器，采用了可變電阻的陀螺式傳感器等。例如，考慮如下傳感器其阻抗Rsense由于溫度而如以下地進(jìn)行變化。
Rsense＝R0×exp(B/T) ......(式8)在此T為絕對溫度(K)，R0和B為溫度傳感器固有的常數(shù)根據(jù)(式4)、(式7)得到以下的方程式。
VA=2L×(VD-VA)/Rsense×W×μ×C0+Vth+VS]]>......(式9)若解此方程，則成為Rsense＝2L×(VD-VA)/W×μ×C0×(VA-Vth-VS)2......(式10)
根據(jù)電位VA而求阻抗Rsense。通過將此代入到(式8)而求溫度T。
但是，一般地多晶硅薄膜晶體管相比較于形成于單晶硅基板上的MOS晶體管而特性差，尤其是飽和特性差。因此，具有可以進(jìn)行A/D變換的動態(tài)范圍顯著地變窄的問題點(diǎn)。
圖13是表示晶體管的輸出特性的圖，曲線(A)是形成于單晶硅器件上的MOS器件的輸出特性曲線，曲線(B)是多晶硅薄膜晶體管器件的輸出特性曲線。
在曲線(A)、曲線(B)上成為大致水平的部分為按照(式1)的飽和區(qū)域，是Vgs＞Vth且Vgs-Vth＜Vds＜Vkink的范圍。在此Vkink為開始發(fā)生扭結(jié)(kink)現(xiàn)象的電壓。在Vds＞Vkink的區(qū)域不按照(式1)。在形成于單晶硅器件上的MOS器件中Vkink高，(式1)在比較寬范圍成立。(曲線上，成為水平的部分寬)。因此，能以(式6)導(dǎo)出的電流量Isense的范圍也變得相對地大。
例如若為Vkink＝10V的器件則需要Vds＝VA-VS＜10V，假設(shè)W＝10μm、L＝6μm、遷移率1300cm2/V/S、柵氧化膜厚度＝100nm，則根據(jù)(式4)為Isense＜3mA程度。在此下限雖然理論上為Vgs→Vth(Va→Vth-Vs)而Ids→0，但是實際上因為總會流過微小漏泄電流Ileak，所以即使Vgs→Vth也為Ids→Ileak，在某程度以下的區(qū)域中變得看不出變化。并且，若設(shè)現(xiàn)實中Vth的制造偏差最大范圍為ΔVth，則需要VA＝ΔVth-VS程度以上。若將此考慮進(jìn)來，則為現(xiàn)實性的Isense＞1nA程度，若是形成于單晶硅器件上的MOS器件則以圖11的構(gòu)成可以進(jìn)行Isense＝1nA～3mA的范圍的A/D變換。即，測定動態(tài)范圍為3000000倍程度。還有，為了使范圍移到低電流側(cè)只要使晶體管2的溝道寬度W變窄(或者使溝道長度L變長)即可，而為了移到高電流側(cè)則只要使晶體管2的溝道寬度W變寬(或者使溝道長度L變短)即可。該情況下動態(tài)范圍也不發(fā)生變化。
但是，在多晶硅薄膜晶體管中，尤其是在以600℃以下的低溫工序所形成的所謂的LTPS(Low Temprature Poly Silicon，低溫多晶硅)薄膜晶體管中，遷移率為100cm2/V/S左右、Kink電壓變低，在Vkink＝6V程度開始發(fā)生Kink現(xiàn)象。并且，截止漏泄電流變高，在Vds＝Vgs＝Vth的Ileak在W＝10μm、L＝6μm的情況下成為10nA程度。并且前述的ΔVth也變高為幾10mV～200mV程度，若進(jìn)行與剛才同樣的計算，則可以測定的電流范圍為電流量Isense為10nA～80μA，動態(tài)范圍變成8000倍程度，相比較于MOS晶體管非常窄。
如以上地，采用了多晶硅薄膜晶體管的A/D變換電路相比較于采用單晶硅器件上的MOS晶體管的情況，具有得不到足夠的A/D變換動態(tài)范圍的問題點(diǎn)。
專利文獻(xiàn)1特開平6-245152號公報發(fā)明內(nèi)容由本發(fā)明提出的電路鑒于上述的問題點(diǎn)，而提出了適合于多晶硅薄膜晶體管的A/D變換電路，其是采用了多晶硅薄膜晶體管的A/D變換電路，可以得到足夠的A/D變換動態(tài)范圍。
本發(fā)明的電子電路，具備在基板上將薄膜多晶硅用于有源層的晶體管，其特征在于，具備將測定量變換為電流量的傳感器，變換為相應(yīng)于前述電流量的電壓的電流電壓變換電路，和對以前述電流電壓變換電路所變換的前述電壓進(jìn)行檢測，將預(yù)定的信號輸出的電壓檢測電路；前述電流電壓變換電路，具備對電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換的范圍轉(zhuǎn)換電路。
若依照于此，則本發(fā)明的電子電路，是具備在基板上將薄膜多晶硅用于有源層的晶體管的電子電路，通過傳感器所檢測出的測定量被變換為電流量，該所變換的電流量，通過電流電壓變換電路而變換為相應(yīng)于該電流量的電壓。對通過電流電壓變換電路所變換的電壓進(jìn)行檢測，并通過電壓檢測電路對預(yù)定的信號進(jìn)行輸出。此時，因為通過電流電壓變換電路所具備的范圍轉(zhuǎn)換電路，可對電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換，所以能夠確保足夠的A/D變換動態(tài)范圍。
在本發(fā)明的電子電路中，特征在于，前述電流電壓變換電路，具備由在基板上將薄膜多晶硅用于有源層的場效應(yīng)型晶體管構(gòu)成的、并聯(lián)地連接的第1晶體管和第2晶體管；和連接于前述第2晶體管，對在該第2晶體管流通的電流進(jìn)行控制的控制電路；前述范圍轉(zhuǎn)換電路，由前述第2晶體管和控制電路構(gòu)成，通過范圍轉(zhuǎn)換信號而對在前述第2晶體管流通的電流進(jìn)行控制，由此對前述電流電壓變換電路的前述電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
若依照于此，則因為可通過范圍轉(zhuǎn)換信號而對電流電壓變換電路的電流電壓變換范圍(測定范圍)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，所以即使是采用了將薄膜多晶硅用于有源層的場效應(yīng)型晶體管的電路也能夠確保足夠的A/D變換動態(tài)范圍。
進(jìn)而，在本發(fā)明的電子電路中，特征在于前述傳感器，為將與前述第1晶體管和前述第2晶體管的有源層是同一層的薄膜多晶硅作為了有源層的PIN結(jié)二極管或PN結(jié)二極管；前述測定量為光照度。
通過如此的構(gòu)成，不會使成本提高而能夠?qū)φ丈溆诨宓墓獾恼斩冗M(jìn)行測定，例如能夠在應(yīng)用于顯示裝置中時相應(yīng)于外光而將顯示質(zhì)量保持為最佳。
進(jìn)而，在本發(fā)明的電子電路中，特征在于前述傳感器，為采用了與前述薄膜晶體管的有源層是同一層的薄膜多晶硅的電阻器；前述測定量為溫度。
通過如此的構(gòu)成，不會使成本提高而能夠?qū)宓臏囟冗M(jìn)行測定，例如能夠在應(yīng)用于顯示裝置中時相應(yīng)于溫度而將顯示質(zhì)量保持為最佳地對灰度等級進(jìn)行最優(yōu)控制。
進(jìn)而，在本發(fā)明的電子電路中，特征在于前述電壓檢測電路，是具有相互相同的電路構(gòu)成的多個比較器電路，被提供不相同的比較基準(zhǔn)電位。
通過如此的構(gòu)成，能夠在短時間對從電流電壓變換電路所輸出的電壓進(jìn)行多值判定，對傳感器的測定量進(jìn)行A/D變換。
進(jìn)而，在本發(fā)明的電子電路中，特征在于前述電壓檢測單元，為多個CMOS倒相器或CMOS時鐘控制式倒相器，N溝道型晶體管的溝道寬度和P溝道型晶體管的溝道寬度之比互不相同。
通過如此的構(gòu)成，能夠以極少的元件數(shù)對從電流電壓變換電路所輸出的電壓進(jìn)行A/D變換。
進(jìn)而，在本發(fā)明的電子電路中，特征在于前述電壓檢測電路，是比較器電路，按順序被提供不相同的比較基準(zhǔn)電位。
通過如此的構(gòu)成，能夠以少的元件數(shù)對從電流電壓變換電路所輸出的電壓進(jìn)行多值判定，對傳感器的測定量進(jìn)行A/D變換。
進(jìn)而，在本發(fā)明的電光裝置中，特征在于具備本發(fā)明的電子電路。
通過如此的構(gòu)成，因為能夠在玻璃基板上以與有源矩陣同一制造工序而制造A/D變換電路，所以能夠以廉價制造內(nèi)裝有傳感器的電光裝置。
進(jìn)而，在本發(fā)明的電子設(shè)備中，特征在于至少具備本發(fā)明的電光裝置，和對顯示于該電光裝置的顯示信息進(jìn)行處理的顯示信息處理電路。
若依照于此，則通過將電光裝置和對顯示于該電光裝置的顯示信息進(jìn)行處理的顯示信息處理電路組裝于電子設(shè)備中，能夠以更低成本而制造顯示質(zhì)量優(yōu)良而多功能的電子設(shè)備。另外，因為傳感器的配置自由度提高，所以還具有能夠制造能夠使外形變小、設(shè)計性優(yōu)良的電子設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是表示本發(fā)明的實施例1中的傳感器1及A/D變換電路100a的電路圖。
圖2是本發(fā)明的實施例1中的比較器電路31～38的詳細(xì)電路圖。
圖3是表示本發(fā)明的實施例1中的比較器電路31～38的其他的方式的詳細(xì)電路圖。
圖4是本發(fā)明的實施例中的液晶顯示裝置的有源矩陣基板101的構(gòu)成圖。
圖5是本發(fā)明的實施例中的液晶顯示裝置的立體圖。
圖6是表示本發(fā)明的實施例中的背光源控制單元930的背光源控制算法的一例的流程圖。
圖7是表示本發(fā)明的實施例中的查找表的一例的圖。
圖8是本發(fā)明的實施例中的電子設(shè)備的框圖。
圖9是表示本發(fā)明的實施例2中的傳感器1及A/D變換電路100b的電路圖。
圖10是表示本發(fā)明的實施例3中的傳感器1及A/D變換電路100c的電路圖。
圖11是表示現(xiàn)有的傳感器及A/D變換電路的電路圖。
圖12是現(xiàn)有的比較器電路的詳細(xì)電路圖。
圖13是對現(xiàn)有的薄膜晶體管的輸出特性進(jìn)行說明的圖。
符號說明1...傳感器，2、4、5、7、8、15、16...晶體管，6N1～6N8...N溝道型晶體管，6P1～6P8...P溝道型晶體管，31～38...比較器電路，91～98...CMOS傳輸門，21～29...電阻，100a、100b、100c...A/D變換電路，101...有源矩陣基板，A1～A480...掃描線，B1～B1920...數(shù)據(jù)線，C1～C480...電容線，301...掃描線驅(qū)動電路，302...數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，303...數(shù)據(jù)線預(yù)充電電路，304...對向?qū)ú浚?01(An、Bm)...像素開關(guān)元件，402(An、Bm)像素電極，601...信號輸入端子，601...共用電位輸入端子，603...輸出端子，780...顯示信息處理電路，781...中央運(yùn)算電路，782...外部I/F電路，783...輸入輸出設(shè)備，784...電源電路，910...作為電光裝置的液晶顯示裝置，912...對向基板，922...液晶材料，923...密封材料，924...上偏振板，925...下偏振板，926...背光源單元，926a...連接器，927...伸出部，928a...FPC，928c...連接器，929...外部驅(qū)動IC，930...背光源控制單元。
具體實施例方式
以下，關(guān)于本發(fā)明中的液晶顯示裝置的實施例參照附圖而進(jìn)行說明。
實施例1圖1是表示了實現(xiàn)本發(fā)明的電子電路的實施例1的傳感器1及A/D變換電路100a(電子電路)的構(gòu)成例的圖，在與圖11的現(xiàn)有的構(gòu)成相同的部位，附加相同的符號，將說明進(jìn)行省略。
在圖1中，晶體管2(第1晶體管)，晶體管4(第2晶體管)，晶體管5(控制電路)，構(gòu)成比較器電路31～38的各晶體管，通過將形成于玻璃基板上(基板)的薄膜多晶硅用于有源層的場效應(yīng)型晶體管所構(gòu)成。
晶體管2、晶體管4及晶體管5，構(gòu)成變換為相應(yīng)于電流量的電壓的電流電壓變換電路；而晶體管4及晶體管5，則構(gòu)成對該電流電壓變換電路的電流電壓變換范圍(測定范圍)進(jìn)行轉(zhuǎn)換范圍的范圍轉(zhuǎn)換電路。
如示于圖1中地晶體管2和晶體管4，并聯(lián)地連接于Node-A和電源電位VS間，相對晶體管4，用于對流過該晶體管4的電流進(jìn)行控制的晶體管5(控制電路)則與其串聯(lián)地連接于Node-A和漏電極間。在晶體管5的柵電極，連接用于對電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換范圍的范圍轉(zhuǎn)換信號V1。
在本實施例中，傳感器1為對外光的狀態(tài)進(jìn)行測定的光電二極管傳感器。該光電二極管傳感器是以通過與構(gòu)成晶體管2、4、5的有源層的薄膜多晶硅相同的制造工序所構(gòu)成的同一層或相同膜厚的薄膜多晶硅作為了有源層的橫向型PIN光電二極管，在此將負(fù)電極連接于電源電位VD，并將正電極連接于Node-A，而總是在反向偏置狀態(tài)下進(jìn)行使用。在適當(dāng)?shù)钠秒妷悍秶娏髁縄sense正比于外光的照度，與施加偏置電壓(VD-VA)無關(guān)。
晶體管4與晶體管2相比，具有99倍的大小的溝道寬度W，晶體管5為與晶體管4相同的溝道寬度W。并且，溝道長度L全都為相同。在此晶體管2的W＝10μm，晶體管4及晶體管5的W＝990μm，晶體管2、4、5的L＝6μm。
從外部所提供的電源電位VD、VS，例如為VD＝8V，VS＝0V。比較基準(zhǔn)電位Vref1～Vref8是從外部所提供的基準(zhǔn)電位，為Vref1＝1.5V，Vref2＝2.0V，Vref3＝2.5V，Vref4＝3.0V，Vref5＝3.5V，Vref6＝4.0V，Vref7＝4.5V，Vref8＝5.0V。
在此，V1為范圍轉(zhuǎn)換信號，為與電源電位VD或電源電位VS同電位。當(dāng)V1＝VS之時，因為晶體管5截止所以流過晶體管4的漏、源間電流I20，進(jìn)行與圖11的現(xiàn)有例相同的工作。即，若Isense＝I1、而晶體管2及晶體管4的遷移率為100cm2/V/S，扭結(jié)Vkink＝6V，柵絕緣膜的膜厚為100nm，以在晶體管2的Vds＝Vgs＝Vth的Ileak為10nA，則在I1＝Isense＝10nA～80μA的范圍(式6)成立。
其次，當(dāng)V1＝VD之時，因為晶體管2、4都在相同的柵電壓(Vgs＝VA-VS)下任何一個都進(jìn)行飽和區(qū)域工作，所以I2＝I1×99。即，因為Isense＝I1+I2，所以Isense＝I1×100。I1因為以剛才的計算在從10nA到80μA的范圍(式6)成立，所以能夠在Isense＝1μA～8mA的范圍進(jìn)行測定，若使V1＝VD之時和V1＝VS之時合并則可以在Isense＝10nA～8mA的范圍進(jìn)行測定，而具有約800000倍的測定動態(tài)范圍。在此，范圍轉(zhuǎn)換信號V1的轉(zhuǎn)換既可以按每次掃描以V1＝VD和V1＝VS進(jìn)行測定對結(jié)果進(jìn)行合成而進(jìn)行輸出，也可以為先以V1＝VS進(jìn)行測定若結(jié)果(輸出信號OUT)全為高、則以V1＝VD再次進(jìn)行測定的邏輯構(gòu)成。或者，也可以并聯(lián)而另外具備范圍測定用的傳感器1及A/D變換電路，按其結(jié)果對范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
如此一來，電流量Isense作為Node-A的電位VA所變換，以具有相互相同的電路構(gòu)成的多個比較器電路31～38對此進(jìn)行判定。在此，比較基準(zhǔn)電位，使得成為VS＜Vref1＜Vref2...＜Vref8＜VD地對比較基準(zhǔn)電位Vref1～Vref8進(jìn)行設(shè)定。于是，例如在輸出信號OUT1～OUT3輸出低(VS)電位，而輸出信號OUT4～OUT8輸出高(VS)電位的情況下，就能夠判斷為Vref3＜VA＜Vref4。如此地，通過讀取輸出信號OUT1～OUT8的輸出，而能夠?qū)﹄娢籚A以9個等級進(jìn)行判定，據(jù)此采用(式6)對電流量Isense仍然以9個等級進(jìn)行計算，可以容易地將此變換為照度。
還有，比較器電路31～38既可以為與圖12的現(xiàn)有例相同的構(gòu)成，也可以為如示于圖2、圖3中的構(gòu)成。
圖2的構(gòu)成是相對于圖12而TFT的N溝道和P溝道相反的構(gòu)成。比較基準(zhǔn)電位Vref更接近于電源電位VS的情況下圖12的構(gòu)成適合，而在比較基準(zhǔn)電位Vref更接近于電源電位VD的情況下則圖2的構(gòu)成適合。另一方面，圖3的構(gòu)成雖然元件數(shù)多而電路面積變大，但是通過圖12或者圖2的構(gòu)成進(jìn)行工作的比較基準(zhǔn)電位Vref的范圍寬。并且，在這些之外還可以考慮通過在圖12、圖2的構(gòu)成中，將定電流源(采用將偏置電壓施加在柵的晶體管等)串聯(lián)地連接于電源電位VD或電源電位VS而謀求工作裕量的擴(kuò)大的構(gòu)成等。
在以上之中，不管采用哪種比較器只要以面積、工作裕量等的折衷而選擇了最合適的即可。
圖4為本實施例的有源矩陣基板101。圖4(a)為用于實現(xiàn)本發(fā)明的電光裝置的實施例1的透射型VGA分辨率液晶顯示裝置的有源矩陣基板101的構(gòu)成圖。在有源矩陣基板101上，相正交地形成480條掃描線A1～A480和1920條數(shù)據(jù)線B1～B1920，與掃描線A1～A480相并行且交替地配置480條電容線C1～C480。電容線C1～C480相互短路而連接于共用電位輸入端子602。并且對向?qū)ú?04也連接于共用電位輸入端子602。并且，在圖1中表示的傳感器1及A/D變換電路100a也仍然形成于有源矩陣基板101上，其輸出信號OUT1～OUT8連接于輸出端子603，進(jìn)行相應(yīng)于外光的照度的輸出。
圖4(b)為圖4(a)的虛線310部分的放大圖。在掃描線An(n，為1≤n≤480的整數(shù))和數(shù)據(jù)線Bm(m，為1≤m≤1920的整數(shù))的各交點(diǎn)處形成由N溝道型場效應(yīng)多晶硅薄膜晶體管構(gòu)成的像素開關(guān)元件401(An、Bm)，其柵電極連接于掃描線An，而源、漏電極則分別連接于數(shù)據(jù)線Bm和像素電極402(An、Bm)。像素電極402(An、Bm)與電容線Cn形成輔助電容電容器，并在作為液晶顯示裝置所組裝時夾持液晶元件而也與對向基板電極(共用電極)形成電容器。在此以同一工序制造晶體管2、晶體管4、晶體管5、構(gòu)成比較器電路31～38的各晶體管和像素開關(guān)元件401(An、Bm)。
掃描線A1～A480連接于掃描線驅(qū)動電路301而被提供驅(qū)動信號。并且，數(shù)據(jù)線B1～B1920連接于數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路302及數(shù)據(jù)線預(yù)充電電路303而被提供圖像信號及預(yù)充電電位。掃描線驅(qū)動電路301、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路302及數(shù)據(jù)線預(yù)充電電路303連接于信號輸入端子601，被提供必要的各種信號及電源電位。掃描線驅(qū)動電路301、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路302、數(shù)據(jù)線預(yù)充電電路303通過在有源矩陣基板上將多晶硅薄膜晶體管集成所形成，以與像素開關(guān)元件401(An、Bm)相同工序所制造，成為所謂的驅(qū)動電路內(nèi)裝型的液晶顯示裝置。
圖5為采用了圖4的有源矩陣基板的實施例1中的透射型VGA分辨率液晶裝置的立體構(gòu)成圖(部分剖面圖)。液晶顯示裝置910，以有源矩陣基板101(第1基板)和對向基板912(第2基板)對呈向列相的液晶材料922進(jìn)行夾持，并以密封材料923使有源矩陣基板101和對向基板912相貼合而將液晶材料922封入。在有源矩陣基板101的像素電極上，涂敷未進(jìn)行圖示的由聚酰亞胺等構(gòu)成的取向材料而形成進(jìn)行過摩擦處理的取向膜。并且，對向基板912，形成未進(jìn)行圖示的對應(yīng)于像素的濾色器，用于防止光泄漏、使對比度提高的黑矩陣，以及以供給共用電位的ITO膜構(gòu)成的對向電極，在與液晶材料922相接觸的面涂敷由聚酰亞胺等構(gòu)成的取向材料，在與有源矩陣基板101的取向膜的摩擦處理的方向相正交的方向上進(jìn)行摩擦處理。
進(jìn)而，分別在對向基板912外側(cè)、有源矩陣基板101的外側(cè)，配設(shè)上偏振板924、下偏振板925，并配設(shè)為相互的偏振方向相正交(十字尼科耳狀)。進(jìn)而在下偏振板925下，配設(shè)成為面光源的背光源單元926。背光源單元926，既可以是對冷陰極管、LED安裝了導(dǎo)光板、散射板的單元，也可以為通過EL元件而進(jìn)行整面發(fā)光的單元。背光源單元926，通過連接器926a與電子設(shè)備主體相連接，被供給電源。雖然未進(jìn)行圖示，但是進(jìn)而按照需要，既可以由外殼覆蓋周圍，或者也可以在上偏振板924之上安裝保護(hù)用的玻璃、丙烯酸板，還可以為了進(jìn)行視場角改善而貼附光學(xué)補(bǔ)償膜。
并且，有源矩陣基板101，設(shè)置有從對向基板912突出的伸出部927，在位于該伸出部927的信號輸入端子601(參照圖4(a))、共用電位輸入端子602(參照圖4(a))、和輸出端子603(參照圖4(a))，安裝作為柔性基板的FPC928a及外部驅(qū)動IC929，與有源矩陣基板101上的多個信號輸入端子電連接。雖然在圖1中，外部驅(qū)動IC929以2個IC所構(gòu)成，但是也可以用1個或3個以上。FPC928a，連接于具有電源IC、信號控制IC、電容器、電阻、ROM、背光源控制單元930等的控制基板921，向有源矩陣基板101供給基準(zhǔn)電位、控制信號、圖像數(shù)據(jù)。并且，控制基板921通過連接器928c還連接于背光源單元926，通過控制基板921上的背光源控制單元930而背光源單元926可以進(jìn)行其開、關(guān)、輝度調(diào)整。
控制基板921通過FPC928a而被輸入從輸出端子603所輸出的傳感器1及A/D變換電路100a的信號(輸出信號OUT1～OUT8)。并且，同樣地控制基板921通過FPC928a對于傳感器1及A/D變換電路100a而輸出范圍轉(zhuǎn)換信號V1，由此能夠?qū)鞲衅?及A/D變換電路100a的測定范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換。因為輸出信號OUT1～OUT8相應(yīng)于外部的照度而發(fā)生變化，所以基于該信號、控制基板921上的背光源控制單元930通過對背光源單元926的輝度進(jìn)行調(diào)整或者進(jìn)行開/關(guān)，而能夠相應(yīng)于外光將背光源單元926保持為觀看性最佳的狀態(tài)。
將具體的由背光源控制單元930進(jìn)行的背光源控制算法示于圖6中。在此從背光源控制單元930傳送給背光源單元926的輝度控制信號為0～255的1字節(jié)數(shù)據(jù)，當(dāng)控制信號為255時輝度最大，當(dāng)控制信號為0時背光源關(guān)斷。背光源控制單元930首先使V1＝VS而讀入輸出信號OUT1～OUT8的數(shù)據(jù)。此時，若輸出信號OUT1～OUT8全都為低(VD)則轉(zhuǎn)換為V1＝VD，再次進(jìn)行讀入。轉(zhuǎn)換后，若輸出信號OUT1～OUT8全都為低(VS)則再次轉(zhuǎn)換為V1＝VS。如此地進(jìn)行而一邊對范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換一邊讀入輸出信號OUT1～OUT8，參照如圖7的查找表而根據(jù)輸出信號OUT1～OUT8及V1的狀態(tài)讀入設(shè)定值，設(shè)定為讀入了背光源照度的設(shè)定值。成為每隔0.1秒就重復(fù)如此的工作的算法。圖7的查找表，在照度為傳感器1的極限檢測靈敏度程度的非常暗時以不耀眼的某程度的照度點(diǎn)亮背光源，隨著變亮而增加照度防止通過外光而變得難以觀看。因為V1＝VD時的范圍的下限和V1＝VD時的范圍的上限相重疊，所以設(shè)定值也相重疊。雖然因為在本實施例中為透射型液晶顯示裝置，所以為背光源照度相對于外光單調(diào)地增加的設(shè)定，但是半透射型液晶顯示裝置的情況下，在外光某種程度變亮、成為僅以反射模式觀看性足夠好的程度的外光照度時，則將背光源關(guān)斷(設(shè)定＝0)即可。
還有，雖然在本實施例中舉了通過傳感器1對外光照度進(jìn)行計測，對背光源輝度進(jìn)行自動調(diào)整的構(gòu)成作為例，但是在內(nèi)裝溫度傳感器而對液晶、背光源的溫度依存性進(jìn)行調(diào)整而得到總是最佳的顯示特性的構(gòu)成等的，將各種各樣的傳感器1內(nèi)裝于基板上時也可以進(jìn)行應(yīng)用。例如，若內(nèi)裝阻抗如(式8)地由于溫度而發(fā)生變化的溫度傳感器，則采用(式10)代替(式6)根據(jù)電位VA而計算阻抗Rsense，將此代入到(式8)而求溫度?；谠摻Y(jié)果也對背光源單元926進(jìn)行調(diào)光，或者通過外部驅(qū)動IC929而將灰度系數(shù)特性保持為總是最佳地進(jìn)行調(diào)整等，本發(fā)明的應(yīng)用通過上述多種途徑實現(xiàn)。
還有，雖然在用(式6)、(式10)時需要Vth及μ，但是也可以在Vth及μ因制品而存在偏差的情況下事先進(jìn)行校正，將基于(式6)、(式10)的電位VA-電流量Isense(或VA-Rsense)變換表以EPROM等分別寫入模塊內(nèi)，當(dāng)進(jìn)行變換時參照該表等。
圖8，表示本發(fā)明中的電子設(shè)備的一個實施方式。示于此處的電子設(shè)備，由以圖5進(jìn)行說明的作為電光裝置的液晶顯示裝置910，對其進(jìn)行控制的顯示信息處理電路780，中央運(yùn)算電路781，外部I/F電路782，輸入輸出設(shè)備783，電源電路784構(gòu)成。顯示信息處理電路780，基于來自中央運(yùn)算電路781的指令，將存儲于RAM(Random Access Memory，隨機(jī)存取存儲器)中的圖像數(shù)據(jù)適當(dāng)進(jìn)行重寫，與定時信號一起向液晶顯示裝置910供給圖像信號。中央運(yùn)算電路781，基于來自外部I/F電路782的輸入進(jìn)行各種各樣的運(yùn)算，基于該結(jié)果向顯示信息處理電路780及外部I/F電路782輸出指令。外部I/F電路782，將來自輸入輸出設(shè)備783的信息送向中央運(yùn)算電路781，并基于來自中央運(yùn)算電路781的指令對輸入輸出設(shè)備783進(jìn)行控制。所謂輸入輸出設(shè)備783，為開關(guān)，鍵盤，硬盤，閃速存儲器單元等。并且，電源電路784，向上述的各構(gòu)成要件供給預(yù)定的電源電壓。
在此所謂電子設(shè)備，具體地為監(jiān)視器，電視機(jī)，筆記本個人計算機(jī)，PDA，數(shù)字相機(jī)，攝像機(jī)，便攜電話機(jī)，照片瀏覽器，視頻播放器，DVD播放器，音頻播放器等。
如以上地，通過將如圖1的構(gòu)成的傳感器1及A/D變換電路100a形成于有源矩陣基板101上，并用此而構(gòu)成電光裝置，能夠制作內(nèi)裝有傳感器1的高附加價值的面板，并且通過將該電光裝置應(yīng)用于電子設(shè)備中而能夠?qū)崿F(xiàn)具有高質(zhì)量的顯示質(zhì)量的電子設(shè)備。
實施例2圖9是表示傳感器及A/D變換電路的實施例2的，傳感器1及A/D變換電路100b的電路構(gòu)成圖。
在圖9中，晶體管2、晶體管4、晶體管15及晶體管16，構(gòu)成變換為相應(yīng)于電流量的電壓的電流電壓變換電路；而晶體管4、晶體管15及晶體管16，則構(gòu)成對該電流電壓變換電路的電流電壓變換范圍的范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換的范圍轉(zhuǎn)換電路。
晶體管4，與晶體管2相并聯(lián)地漏電極連接于Node-A，源電極連接于電源電位VS。晶體管4的柵電極，通過晶體管15連接于Node-A，并且，通過晶體管16連接于電源電位VS。在晶體管15的柵電極，輸入范圍轉(zhuǎn)換信號V1，在晶體管16的柵電極，連接信號XV1。
信號XV1是范圍轉(zhuǎn)換信號V1的反極性信號(即，當(dāng)范圍轉(zhuǎn)換信號V1為電源電位VD時信號XV1為電源電位VS，而當(dāng)范圍轉(zhuǎn)換信號V1為電源電位VS時則信號XV1變成電源電位VD)。還有，設(shè)晶體管2的溝道寬度為W＝10μm，晶體管4的溝道寬度為W＝990μm，晶體管15、晶體管16的溝道寬度為W＝50μm，晶體管2、4、15、16的溝道長度為L＝6μm。
當(dāng)V1＝VS電位、XV1＝VD電位之時，因為晶體管15截止，而晶體管16導(dǎo)通，所以流過晶體管4的漏、源間電流I20，即，Isense＝I1，若晶體管2及晶體管4的遷移率為100cm2/V/S，扭結(jié)電壓Vkink＝6V，柵氧化膜厚度為100nm，以在晶體管2的Vds＝Vgs＝Vth時的Ileak為10nA，則在I1＝10nA～80μA的范圍(式6)成立。
其次，當(dāng)V1＝VD電位、XV1＝VS電位之時，因為晶體管15導(dǎo)通，而晶體管16截止，所以I2＝I1×99，即，Isense＝I1+I2＝100×I1，在Isense＝1μA～8mA的范圍(式6)成立。從而，與實施例1同樣地在Isense＝10nA～8mA的范圍可以進(jìn)行測定，而具有約800000倍的測定動態(tài)范圍。本實施例的電路構(gòu)成雖然元件數(shù)比實施例1多，信號數(shù)也增加，但是施加在晶體管2和晶體管4的漏、源間電壓總是為一定，具有能夠在更寬范圍高精度地進(jìn)行工作的優(yōu)點(diǎn)。
并且，在該構(gòu)成例中，代替在實施例1的比較器電路31～38而配置8個由柵電極連接于Node-A的N溝道型晶體管6N1～6N8及P溝道型晶體管6P1～6P8構(gòu)成的CMOS倒相器，分別連接于輸出信號OUT1～OUT8的端子。
在此，各倒相器的N和P的W比互不相同，設(shè)定為具有不相同的工作點(diǎn)。在此所謂工作點(diǎn)為來自倒相器的輸出進(jìn)行反相的輸入電位。即例如，為N溝道型晶體管6N1的溝道寬度W＝150μm，P溝道型晶體管6P1的溝道寬度W＝5μm；N溝道型晶體管6N2的溝道寬度W＝50μm，P溝道型晶體管6P2的溝道寬度W＝5μm；N溝道型晶體管6N3的溝道寬度W＝20μm，P溝道型晶體管6P3的溝道寬度W＝5μm；N溝道型晶體管6N4的溝道寬度W＝20μm，P溝道型晶體管6P4的溝道寬度W＝10μm；N溝道型晶體管6N5的溝道寬度W＝10μm，P溝道型晶體管6P5的溝道寬度W＝10μm；N溝道型晶體管6N6的溝道寬度W＝10μm，P溝道型晶體管6P6的溝道寬度W＝20μm；N溝道型晶體管6N7的溝道寬度W＝5μm，P溝道型晶體管6P7的溝道寬度W＝20μm；N溝道型晶體管6N8的溝道寬度W＝5μm，P溝道型晶體管6P8的溝道寬度W＝50μm等。
若如此地進(jìn)行設(shè)定則連接于輸出信號OUTn的倒相器的工作點(diǎn)變得比連接于輸出信號OUTn+1的倒相器低。如此地通過參照輸出信號OUT1～OUT8的輸出結(jié)果而能夠知道Node-A的電位VA，與實施例1相同。本方式相比較于圖1的構(gòu)成，因為各倒相器的工作點(diǎn)電壓與晶體管的Vth相關(guān)而存在偏差，所以精度不高。但是，在若不需要比較基準(zhǔn)電位Vref、構(gòu)成元件數(shù)也少就可得到粗略的值而達(dá)到預(yù)定的目的的情況下，則比圖1的構(gòu)成適合。
還有，采用了本電子電路的有源矩陣基板、電光裝置、電子設(shè)備因為與實施例1完全相同所以對說明進(jìn)行省略。另外，也可以由CMOS時鐘控制式倒相器構(gòu)成前述CMOS倒相器。
實施例3圖10是表示傳感器及A/D變換電路的實施例3的，傳感器1及A/D變換電路100c的電路構(gòu)成圖。
在圖10中，晶體管2、晶體管4、晶體管8、晶體管5及晶體管7，構(gòu)成變換為相應(yīng)于電流量的電壓的電流電壓變換電路；而晶體管4、晶體管8、晶體管5及晶體管7，則構(gòu)成對該電流電壓變換電路的電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換范圍的范圍轉(zhuǎn)換電路。
晶體管2、4、8的各柵電極連接于Node-A，并且，各源電極連接于電源電位VS。晶體管4的漏電極通過晶體管5連接于Node-A，晶體管8的漏電極通過晶體管7連接于Node-A。在晶體管15的柵電極，輸入范圍轉(zhuǎn)換信號V1，在晶體管7的柵電極，連接第2范圍轉(zhuǎn)換信號V2。還有，設(shè)晶體管2的溝道寬度為W＝10μm，晶體管4及晶體管5的溝道寬度為W＝990μm，晶體管7及晶體管8的溝道寬度為W＝4000μm，晶體管2、4、5、7、8的溝道長度為L＝6μm。
在此，當(dāng)V2＝VS、V1＝VS電位之時因為晶體管5及晶體管7截止，所以流過晶體管4的漏、源間的電流I20，流過晶體管8的漏、源間的電流I30，若設(shè)晶體管2、晶體管4及晶體管8的遷移率為100cm2/V/S，扭結(jié)電壓Vkink＝6V，柵氧化膜厚度＝100nm，則在Isense＝I1＝10nA～80μA的范圍(式6)成立。其次，當(dāng)V1＝VD、V2＝VD之時，因為晶體管2、4、8都在相同的柵電壓(Vgs＝VA-VS)下任何一個都進(jìn)行飽和區(qū)域工作，所以根據(jù)W比而I3＝I1×400，I2＝I1×99。即，根據(jù)Isense＝I1+I2+I3，Isense＝I1×500。從而因為在Isense＝5μA～40mA的范圍(式4)成立，所以通過范圍轉(zhuǎn)換信號V1、第2范圍轉(zhuǎn)換信號V2的轉(zhuǎn)換而在Isense＝10nA～40mA的范圍、電流量Isense可以進(jìn)行測定。即，測定動態(tài)范圍為4000000倍。
因為在范圍的轉(zhuǎn)換附近，即Isense＝5～80μA附近精度下降，所以在該區(qū)域中優(yōu)選使用V2＝VD、V1＝VS或者V2＝VS、V1＝VD的設(shè)定。
在本實施例中，在對Node-A的電位VA進(jìn)行檢測時僅使用比較器電路3。在比較器電路3的比較基準(zhǔn)電位Vref連接9個CMOS傳輸門91～98，在CMOS傳輸門91～98的相反的端分別連接通過電阻21～29所形成的電源電位VD、VS的梯形電阻的輸出，被提供不相同的電位。通過選擇信號SEL1～SEL8及其反極性信號XSEL1～XSEL8而CMOS傳輸門91～98之中的僅一個導(dǎo)通，對比較器電路3作為比較基準(zhǔn)電位Vref而供給某個電位。從而，通過按順序轉(zhuǎn)換選擇信號SEL1～SEL8及其反極性信號XSEL1～XSEL8，觀察此時的輸出信號OUT的電位而能夠計算出電位VA。
例如，若電阻21～29全部具有相同的電阻值R1＝1MΩ，則分別供給CMOS傳輸門91、92、...、98的電位為(VD+VS)÷9，(VD+VS)×2÷9，...(VD+VS)×8÷9。在對選擇信號SEL1～SEL8及其反極性信號XSEL1～XSEL8按順序進(jìn)行選擇(在選擇時使選擇信號SELn為電源電位VD，使反極性信號XSELn為電源電位VS，在非選擇時則相反)而觀察了輸出信號OUT的端子的電位時，若當(dāng)選擇了選擇信號SEL1～SEL3及反極性信號XSEL1～XSEL3時輸出信號OUT的端子的輸出為低(VS)，而當(dāng)選擇了選擇信號SEL4～SEL8及反極性信號XSEL4～XSEL8時輸出信號OUT的端子的輸出為高(VD)，則電位VA為(VD+VS)×3÷9～(VD+VS)×4÷9之間。若將此代入到(式6)則求電流量Isense的范圍，從而照度的范圍可容易地求出。
本發(fā)明并非限定于實施例的方式，不僅光傳感器、溫度傳感器，只要是將測定量變換為電流量的傳感器1就可以應(yīng)用于任何傳感器1中。并且，作為電光裝置不僅是液晶顯示裝置，即使應(yīng)用于有機(jī)EL顯示器等中也可以。作為基板也可以不采用玻璃基板，而采用石英基板、塑料基板。
另外，不用說當(dāng)然也可以使各實施例的構(gòu)成要件組合起來。即，既可以在實施例1代替比較器電路31～38而使由實施例2的N溝道型晶體管6N1～6N8、P溝道型晶體管6P1～6P8構(gòu)成的倒相器組合起來，也可以反之在實施例2代替倒相器而采用實施例1的比較器電路31～38。在實施例3中也同樣。
另外，范圍轉(zhuǎn)換信號不僅1～2個既可以進(jìn)一步增加，也可以使比較器、倒相器、傳輸門的數(shù)目增加而能夠以更多灰度等級進(jìn)行A/D變換。
權(quán)利要求
1.一種具備在基板上將薄膜多晶硅用于有源層的晶體管的電子電路，其特征在于，具備將測定量變換為電流量的傳感器，變換為相應(yīng)于前述電流量的電壓的電流電壓變換電路，和對以前述電流電壓變換電路所變換的前述電壓進(jìn)行檢測，將預(yù)定的信號輸出的電壓檢測電路；前述電流電壓變換電路，具備對電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換的范圍轉(zhuǎn)換電路。
2.按照權(quán)利要求1所述的電子電路，其特征在于，前述電流電壓變換電路，具備由在基板上將薄膜多晶硅用于有源層的場效應(yīng)型晶體管構(gòu)成的，并聯(lián)地連接的第1晶體管和第2晶體管；和控制電路，其連接于前述第2晶體管，對在該第2晶體管流通的電流進(jìn)行控制；前述范圍轉(zhuǎn)換電路，由前述第2晶體管和控制電路構(gòu)成，通過范圍轉(zhuǎn)換信號而對在前述第2晶體管流通的電流進(jìn)行控制，由此對前述電流電壓變換電路的前述電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的電子電路，其特征在于前述傳感器，為PIN結(jié)二極管或PN結(jié)二極管，其將與前述第1晶體管和前述第2晶體管的有源層為同一層的薄膜多晶硅作為有源層；前述測定量為光照度。
4.按照權(quán)利要求1或2所述的電子電路，其特征在于前述傳感器，為電阻器，其采用了與前述第1晶體管和前述第2晶體管的有源層為同一層的薄膜多晶硅；前述測定量為溫度。
5.按照權(quán)利要求1～4中的任何一項所述的電子電路，其特征在于前述電壓檢測電路，是具有相互相同的電路構(gòu)成的多個比較器電路，被提供不相同的比較基準(zhǔn)電位。
6.按照權(quán)利要求1～5中的任何一項所述的電子電路，其特征在于前述電壓檢測電路，為多個CMOS倒相器或CMOS時鐘控制式倒相器，N溝道型晶體管的溝道寬度和P溝道型晶體管的溝道寬度之比互不相同。
7.按照權(quán)利要求1～6中的任何一項所述的電子電路，其特征在于前述電壓檢測電路，是比較器電路，被按順序提供不相同的比較基準(zhǔn)電位。
8.一種電光裝置，其特征在于具備權(quán)利要求1～7中的任何一項所述的前述電子電路。
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，至少具備權(quán)利要求8中所述的前述電光裝置，和顯示信息處理電路，其對顯示于該電光裝置的顯示信息進(jìn)行處理。
全文摘要
本發(fā)明提供適合于多晶硅薄膜晶體管的A/D變換電路。在采用了多晶硅薄膜晶體管的A/D變換電路中，可以取得足夠的A/D變換動態(tài)范圍。具備在有源矩陣基板(101)上薄膜多晶硅用于有源層的場效應(yīng)型晶體管的A/D變換電路(100a、100b、100c)，具備將測定量變換為電流量的傳感器(1)，變換為相應(yīng)于前述電流量的電壓的電流電壓變換電路(晶體管2、4、5)，和對前述所變換的電壓進(jìn)行檢測、將預(yù)定的信號輸出的電壓檢測電路(比較器電路31～38)；電流電壓變換電路，具備對電流電壓變換范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)換的范圍轉(zhuǎn)換電路(晶體管4、5)。
文檔編號H03M1/12GK101064082SQ20071010471
公開日2007年10月31日 申請日期2007年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者小橋裕 申請人:愛普生映像元器件有限公司