專利名稱：緩沖電路及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種緩沖電路以及其控制方法，該緩沖電路對(duì)應(yīng)于輸出控 制信號(hào)允許輸入信號(hào)通過或者禁止輸入信號(hào)通過。
背景技術(shù)：
正如日本未審專利公布62 (1987) -020423和日本未審專利公布2000-232350所公開的，已經(jīng)知道對(duì)應(yīng)于輸出控制信號(hào)允許輸入信號(hào)通過或者禁 止輸入信號(hào)通過的緩沖電路。日本未審專利公布62 (1987) -020423描述 了一種緩沖電路，其包含第一邏輯門電路，其中基準(zhǔn)電勢(shì)側(cè)上的驅(qū)動(dòng) MOSFET串聯(lián)放置以便接收輸出控制信號(hào)以及有待發(fā)送到外部終端的信 號(hào)；第二邏輯門電路，其中基準(zhǔn)電勢(shì)側(cè)上的驅(qū)動(dòng)MOSFET并聯(lián)放置以便接 收輸出控制信號(hào)以及有待發(fā)送到外部終端的信號(hào)；和輸出電路，其包含依 據(jù)第一和第二邏輯門電路或它們一起的輸出信號(hào)被互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)至關(guān)斷狀態(tài)的 P溝道MOSFET和N溝道MOSFET。根據(jù)第一邏輯門電路(其中基準(zhǔn)電勢(shì)側(cè)上的驅(qū)動(dòng)MOSFET串聯(lián)放置) 的邏輯閾值電壓和第二邏輯門電路(其中基準(zhǔn)電勢(shì)側(cè)上的驅(qū)動(dòng)MOSFET并 聯(lián)放置)的邏輯電壓之間的電勢(shì)差，通過利用時(shí)間差，上述緩沖電路防止 輸出電路的P溝道MOSFET和N溝道MOSFET同時(shí)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因 此，上述緩沖電路能夠防止電流在P溝道MOSFET和N溝道MOSFET中 流動(dòng)。日本未審專利公布2000-232350描述了一種緩沖電路，當(dāng)作為輸出控 制信號(hào)的使能信號(hào)控制該緩沖電路不從輸出電路輸出任何數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，該 緩沖電路將輸出控制電路向信號(hào)變換部分輸出的信號(hào)變換為低電平，而不 管數(shù)據(jù)信號(hào)的值如何。在上述的緩沖電路中，對(duì)應(yīng)于該低電平信號(hào)，信號(hào)變換部分向輸出電 路的P溝道MOS晶體管的柵極發(fā)送高電平信號(hào)并且還向N溝道MOS晶 體管的柵極發(fā)送低電平信號(hào)以便將兩個(gè)晶體管都變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，在上述的緩沖電路中，P溝道MOS晶體管和N溝道MOS晶體管不同時(shí)變?yōu)?導(dǎo)通狀態(tài)，從而防止貫通電流流向這兩個(gè)晶體管。圖6中所示的緩沖電路100包括柵極電壓控制電路120A、 120B，它 們用于控制P型溝道晶體管Ml和N型溝道晶體管M2每一個(gè)的柵極電 壓，所述晶體管從數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出有待輸入至使能控制輸入端 (IN2)的數(shù)據(jù)信號(hào)。在柵極電壓控制電路120A中，設(shè)定P型溝道晶體管 M3的電流驅(qū)動(dòng)能力大于N型溝道晶體管M4的電流驅(qū)動(dòng)能力。此外，在 柵極電壓控制電路120B中，設(shè)定N型溝道晶體管M6的電流驅(qū)動(dòng)能力大 于P型溝道晶體管M5的電流驅(qū)動(dòng)能力。當(dāng)對(duì)電路進(jìn)行控制使得從使能控制輸入端(IN2)輸入低電平的使能 信號(hào)并且將由數(shù)據(jù)輸入端(INI)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)從數(shù)據(jù)輸出端(OUT1) 輸出時(shí)，如果數(shù)據(jù)信號(hào)從低電平變?yōu)楦唠娖?，則上述緩沖電路100如下工 作。在上述的緩沖電路100中，如圖所示，當(dāng)在圖7中時(shí)間從0到tl的時(shí) 段中低電平的使能信號(hào)C從使能控制輸入端(IN2)輸入并且高電平的數(shù) 據(jù)信號(hào)A從數(shù)據(jù)輸入端(INI)輸入時(shí)，高電平信號(hào)和低電平信號(hào)被輸入 到與非門電路NAND。圖中的參考數(shù)字41、 43表示反相器。與非門電路 NAND向P型溝道晶體管M5和N型溝道晶體管M6的每個(gè)柵極輸出高電 平信號(hào)。因此，在電流驅(qū)動(dòng)能力大于P型溝道晶體管M5的N型溝道晶體 管M6變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)之后，P型溝道晶體管M5變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，N型 溝道晶體管M2的柵極電壓G2固定為低電平電壓以便在附圖所示的時(shí)間0 至tl的時(shí)段中將N型溝道晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。在上述的緩沖電路100中，在N型溝道晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之 后，P型溝道晶體管Ml通過下述工作變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。其中，參考數(shù)字42 代表反相器。如上文所述，如果低電平使能信號(hào)從使能控制輸入端 (IN2)輸入而高電平使能信號(hào)從數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入，則或非門電路 NOR向P型溝道晶體管M3和N型溝道晶體管M4的每個(gè)柵極輸出高電平 信號(hào)。因此，在電流驅(qū)動(dòng)能力大于N型溝道晶體管M4的P型溝道晶體管M3變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之后，N型溝道晶體管M4變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，P型溝 道晶體管Ml的柵極電壓Gl固定為低電平電壓以便在附圖所示的時(shí)間0 至tl的時(shí)段中將P型溝道晶體管Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。如上文所述，在緩沖電路100中，晶體管M1、 M2兩者不同時(shí)變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)，這是因?yàn)樵贜型溝道晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之后P型溝道晶體 管Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從而防止任何貫通電流流向晶體管Ml和M2兩 者。發(fā)明內(nèi)容當(dāng)從使能控制輸入端(IN2)輸入低電平的使能信號(hào)C時(shí)，如果從數(shù) 據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)A由高電平變?yōu)榈碗娖?，則上述的緩沖 電路100如下工作。在所有的輸入情況下，高電平信號(hào)輸入至緩沖電路100的與非門電路 NAND。與非門電路NAND向P型溝道晶體管M5和N型溝道晶體管M6 的每個(gè)柵極輸出低電平信號(hào)。在N型溝道晶體管M6變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之后， P型溝道晶體管M5變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，N型溝道晶體管M2的柵極電壓 G2固定為高電平電壓以便將N型溝道晶體管M2變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。這時(shí)， 電流經(jīng)由N型溝道晶體管M2的源極流向地。另一方面，或非門電路NOR向P型溝道晶體管M3和N型溝道晶體 管M4的每個(gè)柵極輸出低電平信號(hào)。在P型溝道晶體管M3變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài) 之后，N型溝道晶體管M4變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，P型溝道晶體管M1的柵 極電壓Gl固定為高電平電壓以便將P型溝道晶體管Ml轉(zhuǎn)變?yōu)殛P(guān)斷狀 態(tài)。在由數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)A從高電平變?yōu)榈碗娖讲⑶?由數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電平變?yōu)榈碗娖狡陂g，如果 由使能控制輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào)C從低電平變?yōu)楦唠娖揭员銓?數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)，則緩沖電路100如下工作。在緩沖電路100中，如果低電平使能信號(hào)C從使能控制端(IN2)輸
入并且低電平數(shù)據(jù)信號(hào)A從數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入，則與非電路NAND 向P型溝道晶體管M5和N型溝道晶體管M6的每個(gè)柵極輸出低電平信 號(hào)。因此，在N型溝道晶體管M6變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之后，P型溝道晶體管 M5變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此在時(shí)間t3至t4的時(shí)段中，柵極電壓G2升高以便 將由數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖讲⑶襈型溝道晶 體管M2的柵極電壓G2固定為高電平電壓。其后，在時(shí)間t2時(shí)，如果從使能控制輸入端(IN2)輸入高電平的使 能信號(hào)C，則與非電路NAND向P型溝道晶體管M5和N型溝道晶體管 M6的每個(gè)柵極輸出高電平信號(hào)。這時(shí)，在N型溝道晶體管M6變?yōu)閷?dǎo)通 狀態(tài)之后，P型溝道晶體管M5變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，在時(shí)間t4-t5的時(shí)段 中，柵極電壓G2快速下降至低電平電壓(接地電勢(shì))以便將數(shù)據(jù)輸出端 (0UT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)并且N型溝道晶體管M2的柵極電壓G2固定為 低電平電壓。結(jié)果，處于導(dǎo)通狀態(tài)的N型溝道晶體管M2快速變?yōu)殛P(guān)斷狀 態(tài)。在這種情況下，N型溝道晶體管M2從導(dǎo)通狀態(tài)快速改變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài) 使得流向地的電流關(guān)斷，從而每單位時(shí)間流向地的電流的變化增加。這 時(shí)，可以認(rèn)為如圖8所示，由于受到緩沖電路100具有的接地線的寄生電感分量的影響，接地電勢(shì)以減幅振蕩形式改變；或者由于受到輸出線的寄 生電感分量的影響，從數(shù)據(jù)輸出端(OUTO輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平以減 幅振蕩形式改變。此外，在緩沖電路100中，除數(shù)據(jù)信號(hào)電平的減幅振蕩 形式的改變以外，還可以認(rèn)為由于受到電源線的寄生電感分量的影響，電 源線的電壓以減幅振蕩形式改變。如果發(fā)生接地電勢(shì)的改變或者電源線電 壓的改變，則擔(dān)心由數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平不能在緩 沖電路100和其他邏輯電路中被恰當(dāng)?shù)淖R(shí)別，從而緩沖電路100等可能誤 動(dòng)作(malfunction)?？紤]到上述情形完成了本發(fā)明且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種緩沖電 路及其控制方法，該緩沖電路能夠?qū)⒔拥仉妱?shì)和電源線之間的電勢(shì)差維持 在規(guī)定值以便防止緩沖電路誤動(dòng)作。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種緩沖電路，該緩沖電路對(duì)應(yīng)于輸 出控制信號(hào)允許輸入信號(hào)通過和禁止輸入信號(hào)通過，該電路包含輸出開 關(guān)器件；輸出開關(guān)器件控制部分，其具有用于控制該輸出開關(guān)器件進(jìn)入導(dǎo) 通狀態(tài)的第一開關(guān)電路和用于控制該輸出開關(guān)器件進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)的第二 開關(guān)電路，其中第一開關(guān)電路與第二開關(guān)電路之間的接點(diǎn)連接至該輸出開 關(guān)器件以便對(duì)應(yīng)于輸入信號(hào)和輸出控制信號(hào)控制該輸出開關(guān)器件進(jìn)入導(dǎo)通 狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)；以及驅(qū)動(dòng)能力改變部分，該驅(qū)動(dòng)能力改變部分與第二 開關(guān)電路串聯(lián)連接并且當(dāng)輸出控制信號(hào)處于禁止輸入信號(hào)通過的輸出禁止 狀態(tài)時(shí)限制輸出開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力。在本發(fā)明第一方面的緩沖電路中，在由于接收輸入信號(hào)的跳變從而通 過緩沖電路的輸入信號(hào)被改變的定時(shí)，輸出控制信號(hào)變?yōu)榻馆斎肟刂菩?號(hào)通過的輸出禁止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)能力改變部分限制輸出開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能 力時(shí)，輸出開關(guān)器件從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)，由此抑制每單位時(shí) 間流入輸出開關(guān)器件的電流的改變，而非輸出開關(guān)器件從導(dǎo)通狀態(tài)快速變 為非導(dǎo)通狀態(tài)。本發(fā)明第一方面的緩沖電路防止由于輸出開關(guān)器件從導(dǎo)通 狀態(tài)快速變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)引起的接地電勢(shì)或電源線電壓的改變，從而接地 電勢(shì)和電源線之間的電勢(shì)差可以維持在規(guī)定的值，由此防止緩沖電路誤動(dòng) 作。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種緩沖電路的控制方法，該緩沖電 路對(duì)應(yīng)于輸出控制信號(hào)允許輸入信號(hào)通過和禁止輸入信號(hào)通過，所述控制 方法包含輸出開關(guān)器件控制步驟，該步驟對(duì)應(yīng)于輸出信號(hào)和輸出控制信 號(hào)將輸出開關(guān)器件控制為導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)；和驅(qū)動(dòng)能力改變步驟， 該步驟在輸出控制信號(hào)處于禁止輸入信號(hào)通過的輸出禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)限制輸出 開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力。根據(jù)本發(fā)明第二方面的緩沖電路的控制方法，在由于接收輸入信號(hào)的 跳變而通過緩沖電路的輸入信號(hào)被改變的定時(shí)，輸出控制信號(hào)變?yōu)榻馆?出控制信號(hào)通過的輸出禁止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)能力改變步驟限制輸出開關(guān)器件 的驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，輸出開關(guān)器件從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢改變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)，由此抑 制每單位時(shí)間流入輸出開關(guān)器件的電流的改變，而非輸出開關(guān)器件從導(dǎo)通狀態(tài)快速變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。這時(shí)，本發(fā)明第二方面的緩沖電路的控制方法 防止由于輸出開關(guān)器件從導(dǎo)通狀態(tài)快速變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)引起的接地電勢(shì)和 電源線電壓發(fā)生改變，從而接地電勢(shì)和電源線之間的電勢(shì)差可以維持在規(guī) 定的值，由此防止緩沖電路誤動(dòng)作。當(dāng)結(jié)合附圖閱讀下面的詳細(xì)說明時(shí)，本發(fā)明的上述和其它的目標(biāo)和新 特征將更全面地呈現(xiàn)。然而，應(yīng)當(dāng)特別清楚的是，這些附圖僅僅是為了舉 例說明而并不意圖限制本發(fā)明。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器的電路符號(hào)圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的三態(tài)緩沖器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖3是用于說明該實(shí)施例的三態(tài)緩沖器的工作的信號(hào)波形圖；圖4是顯示該實(shí)施例的三態(tài)緩沖器中接地電勢(shì)的改變的示意波形圖；圖5是顯示該實(shí)施例的三態(tài)緩沖器中接地電流的改變的示意波形圖。圖6是常規(guī)三態(tài)緩沖器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖7是用于說明常規(guī)三態(tài)緩沖器的工作的信號(hào)波形圖；和 圖8是顯示常規(guī)三態(tài)緩沖器中接地電勢(shì)的改變的示意波形圖。
具體實(shí)施方式
將參照?qǐng)D1、 2描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。將以三態(tài)緩沖器IO為例描 述本發(fā)明的緩沖電路。圖l是三態(tài)緩沖器IO的電路符號(hào)圖。符號(hào)(IN1) 表示數(shù)據(jù)輸入端而符號(hào)(OUT1)表示數(shù)據(jù)輸出端。在三態(tài)緩沖器10中， 對(duì)應(yīng)于由使能控制輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào)的電平，從數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出的信號(hào)被控制為高電平或低電平并且數(shù)據(jù)輸出端(0UT1) 被控制為高阻抗?fàn)顟B(tài)。同時(shí)，使能信號(hào)對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的輸出控制信號(hào)而從 數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的輸入信號(hào)。圖2是三態(tài)緩沖器10的電路結(jié)構(gòu)圖。其中，向與圖l中相同的端子附 加相同的參考數(shù)字并且向與圖6中相同的器件附加相同的參考數(shù)字。三態(tài) 緩沖器10包含P型溝道晶體管Ml， N型溝道晶體管M2，柵極電壓控制 電路20A、 20B和電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30A、 30B。P型溝道晶體管M1的源極連接至電源電壓Vdd (電源線)。P型溝道 晶體管Ml的漏極連接至N型溝道晶體管M2的漏極。N型溝道晶體管 M2的源極接地。此外，P型溝道晶體管Ml的漏極和N型溝道晶體管M2 的漏極連接至數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)。設(shè)定P型溝道晶體管Ml和N型溝 道晶體管M2的L/W大小大于下文所述的每個(gè)晶體管M3-M10的L/W大 小。因此，晶體管M1、 M2的電流驅(qū)動(dòng)能力變得大于晶體管M3-M10的電 流驅(qū)動(dòng)能力。柵極電壓控制電路20A包括P型溝道晶體管M3和N型溝道晶體管 M4。 P型溝道晶體管M3的漏極連接至N型溝道晶體管M4的漏極。N型 溝道晶體管M4的源極接地。P型溝道晶體管M3的漏極與N型溝道晶體 管M4的漏極之間的接點(diǎn)連接至P型溝道晶體管Ml的柵極。柵極電壓控制電路20B包括P型溝道晶體管M5和N型溝道晶體管 M6。 P型溝道晶體管M5的源極連接至電源電壓Vdd (電源線)。P型溝 道晶體管M5的漏極連接至N型溝道晶體管M6的漏極。P型溝道晶體管 M5的漏極與N型溝道晶體管M6的漏極之間的接點(diǎn)連接至N型溝道晶體 管M2的柵極。電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30A包括P型溝道晶體管M7以及與晶體管 M7并聯(lián)連接的P型溝道晶體管M8。在這個(gè)實(shí)施例中，設(shè)定P型溝道晶體 管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力大于P型溝道晶體管M8的電流驅(qū)動(dòng)能力。P型溝 道晶體管M7的源極和P型溝道晶體管M8的源極連接至電源電壓Vdd (電源線)。P型溝道晶體管M7的柵極接地。此外，P型溝道晶體管M7 的漏極和P型溝道晶體管M8的漏極與設(shè)在柵極電壓控制電路20A上的P 型溝道晶體管M3的源極串聯(lián)連接。電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30B包括N型溝道晶體管M9和與晶體管M9 并聯(lián)連接的N型溝道晶體管MIO。在這個(gè)實(shí)施例中，設(shè)定N型溝道晶體 管M9的電流驅(qū)動(dòng)能力大于N型溝道晶體管M10的電流驅(qū)動(dòng)能力。N型溝 道晶體管M9的源極和N型溝道晶體管M10的源極接地。N型溝道晶體管 M9的柵極連接至電源電壓Vdd (電源線)。此外，N型溝道晶體管M9 的漏極和N型溝道晶體管M10的漏極與設(shè)在柵極電壓控制電路20B上的N型溝道晶體管M6的源極串聯(lián)連接。在這個(gè)實(shí)施例中，設(shè)定每個(gè)晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力以滿足下述的數(shù)量 關(guān)系。這里，用作為晶體管的符號(hào)Ml的一部分的1表示P型溝道晶體管 Ml的電流驅(qū)動(dòng)能力，并用作為每個(gè)晶體管符號(hào)的一部分的數(shù)字表示其它 晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力。l'2 〉 3'6'10 〉 4'5 > 7'9使能控制輸入端(IN2)連接至反相器41的輸入。反相器41的輸出 連接至反相器42的輸入、與非門電路NAND的第二輸入以及電流驅(qū)動(dòng)能 力改變電路30B的N型溝道晶體管M10的柵極。反相器42的輸出連接至 電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30A的P型溝道晶體管M8的柵極以及或非門電路 NOR的第二輸入。數(shù)據(jù)輸入端(IN1)連接至反相器43的輸入。反相器43的輸出連接 至或非門電路NOR的第一輸入以及與非門電路NAND的第一輸入?；蚍?門電路NOR的輸出與柵極電壓控制電路20A中的P型溝道晶體管M3的 柵極和N型溝道晶體管M4的柵極相連。與非門電路NAND的輸出與柵 極電壓控制電路20B中的P型溝道晶體管M5的柵極和N型溝道晶體管 M6的柵極相連。接下來，將描述這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的工作。如果三態(tài)緩沖 器IO被控制為從數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入高電平數(shù)據(jù)信號(hào)并從使能控制輸 入端(IN2)輸入低電平使能信號(hào)，以及從數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出高電 平數(shù)據(jù)信號(hào)，則其如下工作。其中，將與圖6中所述的緩沖電路100相同的工作的描述簡(jiǎn)化。在三態(tài)緩沖器10中，當(dāng)反相器41的輸出被提供至N型溝道晶體管 M10的柵極時(shí)，N型溝道晶體管M10的柵極被固定為高電平電壓使得N 型溝道晶體管M10變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此外，N型溝道晶體管M9的柵極被電 源電壓Vdd固定為高電平電壓使得N型溝道晶體管M9變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。類似于上述的緩沖電路100，在三態(tài)緩沖器10中，在電流驅(qū)動(dòng)能力大 于P型溝道晶體管M5的N型溝道晶體管M6變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)之后，P型溝
道晶體管M5變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，N型溝道晶體管M9和N型溝道晶體 管M10保持在導(dǎo)通狀態(tài)并且此外N型溝道晶體管M6變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從而 形成至N型溝道晶體管M2的下拉電流(sink current)通路。因此，N型 溝道晶體管M2的柵極被固定至低電平電壓，使得N型溝道晶體管M2變 為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)N型溝道晶體管M6變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，其將N型溝道晶體 管M2的柵極固定為低電平電壓從而使晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此， N型溝道晶體管M6對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第二開關(guān)電路。在N型溝道晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之后，如下所述P型溝道晶體管 Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。類似于上述的緩沖電路100，在電流驅(qū)動(dòng)能力大于N 型溝道晶體管M4的P型溝道晶體管M3變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之后，N型溝道晶 體管M4變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，形成至P型溝道晶體管Ml的下拉電流通 路并且P型溝道晶體管Ml的柵極被固定至低電平電壓，使得P型溝道晶 體管Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)并且電流12流過。N型溝道晶體管M4對(duì)應(yīng)于本發(fā) 明的第一開關(guān)電路，這是因?yàn)楫?dāng)其變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)其將P型溝道晶體管 Ml的柵極固定至低電平電壓，從而使晶體管Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。三態(tài)緩 沖器10將P型溝道晶體管Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)并且還如上所述將N型溝道 晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，使得從數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出高電平數(shù)據(jù)信 號(hào)。其中，P型溝道晶體管Ml和N型溝道晶體管M2對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的輸 出開關(guān)器件。當(dāng)P型溝道晶體管Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，反相器42的輸出被提供至P 型溝道晶體管M8的柵極，這時(shí)P型溝道晶體管M8的柵極被固定至低電 平電壓，使得P型溝道晶體管M8變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此外，P型溝道晶體管 M7的柵極接地，P型溝道晶體管M7的柵極被固定至低電平電壓從而P型 溝道晶體管M7變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此后，如果該實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10被控制為在使能輸入端(IN2) 輸入低電平使能信號(hào)的情況下將由數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)從 高電平改變?yōu)榈碗娖?，并由?shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出低電平數(shù)據(jù)信號(hào)， 則其如下工作。在三態(tài)緩沖器10中，如上文所述，N型溝道晶體管M10的柵極被固
定至高電平電壓，N型溝道晶體管M10變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，N型溝道晶體管M9的柵極被固定至高電平電壓從而N型溝道晶體管M9變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。類似于上述的緩沖電路100，在三態(tài)緩沖器10中，在電流驅(qū)動(dòng)能力大 于P型溝道晶體管M5的N型溝道晶體管M6變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)之后，P型溝 道晶體管M5變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，形成至N型溝道晶體管M2的上拉電 流(source current)通路，N型溝道晶體管M2的柵極被固定至高電平電 壓，而N型溝道晶體管M2變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從而電流I1流向地。P型溝道 晶體管M5對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第一開關(guān)電路，這是因?yàn)楫?dāng)其變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí) N型溝道晶體管M2被固定至高電平電壓從而晶體管M2變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。另外，如上文所述，通過反相器42的輸出，P型溝道晶體管M8的柵 極被固定至低電平電壓，從而P型溝道晶體管M8變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，P型溝 道晶體管M7的柵極被固定至低電平電壓從而P型溝道晶體管M7變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)。類似于上述的緩沖電路100，在電流驅(qū)動(dòng)能力大于N型溝道晶體管 M4的P型溝道晶體管M3變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)之后，N型溝道晶體管M4變?yōu)殛P(guān) 斷狀態(tài)。因此，P型溝道晶體管M7和P型溝道晶體管M8變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài) 并且此外P型溝道晶體管M3變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從而形成至P型溝道晶體管 Ml的上拉電流通路。因此，P型溝道晶體管Ml的柵極被固定至高電平電 壓從而P型溝道晶體管Ml變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。P型溝道晶體管M3對(duì)應(yīng)于本 發(fā)明的第二開關(guān)電路，這是因?yàn)楫?dāng)其變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)其將P型溝道晶體管 Ml的柵極固定至高電平電壓，從而使晶體管Ml變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。三態(tài)緩 沖器10將P型溝道晶體管Ml變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)并且還如上所述將N型溝道 晶體管M2變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，使得從數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出低電平數(shù)據(jù)信 號(hào)。此外，如果該實(shí)施例的三態(tài)緩沖器IO在從數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入低 電平數(shù)據(jù)信號(hào)的情況下將由使能控制輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào)從低 電平改變?yōu)楦唠娖揭员銓?shù)據(jù)輸出端(OUT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)，則其如 下工作以阻止接地電勢(shì)發(fā)生大的變化。當(dāng)提供反相器41的輸出至N型溝道晶體管M10的柵極時(shí)，N型溝道晶體管M10的柵極被固定至低電平電壓，從而將N型溝道晶體管M10變 為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)N型溝道晶體管MIO變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)時(shí)，N型溝道晶體管M9的柵極 被電源電壓Vdd固定至高電平電壓，從而N型溝道晶體管M9變?yōu)閷?dǎo)通狀 態(tài)。類似于上述的緩沖電路100，在N型溝道晶體管M6變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)之 后，三態(tài)緩沖器10將P型溝道晶體管M5變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，P型溝道 晶體管M5變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)并且此外N型溝道晶體管M6和N型溝道晶體管 M9變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從而如圖2所示，形成至N型溝道晶體管M2的下拉 電流通路R1。這時(shí)，N型溝道晶體管M2的柵極被固定至低電平電壓并且 處于導(dǎo)通狀態(tài)的N型溝道晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)形成下拉電流通路Rl時(shí)，N型溝道晶體管MIO處于關(guān)斷狀態(tài)并且 在三態(tài)緩沖器10中不形成由將N型溝道晶體管M6的源極連接至N型溝 道晶體管MIO的源極形成的至地的下拉電流通路，這不同于其中低電平數(shù) 據(jù)信號(hào)由使能控制輸入端(IN2)輸入的上述情形。因此，與形成由晶體 管M6經(jīng)由晶體管MIO至地的下拉電流通路以及下拉電流通路Rl的情形 相比，至N型溝道晶體管M2的下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小并且用 于將N型溝道晶體管M2的柵極由高電平電壓改變成低電平電壓的下拉電 流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小。其中，至N型溝道晶體管M2的下拉電流通 路的電流驅(qū)動(dòng)能力的減小意味著至晶體管M2的下拉電流通路的合成電阻 值的增加。如上文所述，N型溝道晶體管M10對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第一開關(guān)器件，這 是因?yàn)楫?dāng)通過高電平使能信號(hào)使數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài) 時(shí)，該晶體管變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。N型溝道晶體管M9對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第二開 關(guān)裝置，這是因?yàn)槠渑cN型溝道晶體管MIO并聯(lián)連接并且當(dāng)通過高電平 使能信號(hào)使數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)，該N型溝道晶體管 M9處于導(dǎo)通狀態(tài)。在這個(gè)實(shí)施例中，位于下拉電流通路Rl上的N型溝道晶體管M9的 電流驅(qū)動(dòng)能力被設(shè)定為小于與晶體管M9并聯(lián)連接的N型溝道晶體管MIO 的電流驅(qū)動(dòng)能力。在這個(gè)實(shí)施例中，與其中設(shè)定N型溝道晶體管M9的電流驅(qū)動(dòng)能力等于N型溝道晶體管M10的電流驅(qū)動(dòng)能力的情形相比，通過 將N型溝道晶體管M9置于下拉電流通路Rl上，用于將N型溝道晶體管 M2的柵極從高電平電壓改變?yōu)榈碗娖诫妷旱南吕娏魍稲l的電流驅(qū)動(dòng) 能力減小。與通過將晶體管M2的柵極從高電平電壓快速改變?yōu)榈碗娖诫妷簛黻P(guān) 斷電流II的常規(guī)情形相比，如果下拉電流通路Rl的電流驅(qū)動(dòng)能力減小， 則N型溝道晶體管M2的柵極從高電平電壓變?yōu)榈碗娖诫妷旱臅r(shí)間段可能 延長(zhǎng)并且可能抑制電流II每單位時(shí)間的變化。因此，電流II每單位時(shí)間 的變化決不會(huì)增加，從而阻止接地電勢(shì)和由數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出的 數(shù)據(jù)信號(hào)的電平由于受到三態(tài)緩沖器10的接地線或輸出線的各個(gè)寄生電 感分量的影響而發(fā)生大的變化。另一方面，如上文所述，如果由使能控制輸入端(IN2)輸入的信號(hào) 從低電平改變?yōu)楦唠娖讲⒕哂袕臄?shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的低電平信號(hào)， 則反相器42的輸出被提供至P型溝道晶體管M8的柵極，使得P型溝道晶 體管M8的柵極固定至高電平電壓以便將P型溝道晶體管M8變?yōu)殛P(guān)斷狀 態(tài)。如上文所述，當(dāng)P型溝道晶體管M8變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)時(shí)，P型溝道晶體 管M7的柵極被固定至低電平電壓從而P型溝道晶體管M7保持在導(dǎo)通狀 態(tài)。此外，在將或非門電路NOR的輸出提供至P型溝道晶體管M3的柵 極和N型溝道晶體管M4的柵極使得P型溝道晶體管M3變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)之 后，N型溝道晶體管M4變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，P型溝道晶體管M3和P型 溝道晶體管M7保持在導(dǎo)通狀態(tài)并且此外N型溝道晶體管M4變?yōu)殛P(guān)斷狀 態(tài)，從而形成如圖2所示的上拉電流通路R2。這時(shí)，P型溝道晶體管M1 的柵極被固定至高電平電壓并且處于導(dǎo)通狀態(tài)的P型溝道晶體管Ml變?yōu)?關(guān)斷狀態(tài)。三態(tài)緩沖器10將P型溝道晶體管M1變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)并還如上文 所述將N型溝道晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，從而數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)變 為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
在由數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電平改變?yōu)榈碗娖讲⑶?由數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電平改變?yōu)榈碗娖狡陂g，如果該實(shí)施例的三態(tài)緩沖器IO將由使能控制輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào) 從低電平改變?yōu)楦唠娖揭员銓?shù)據(jù)輸出端(0UT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)，則 其如下工作以便防止電源電壓Vdd值發(fā)生大的變化。將與上述三態(tài)緩沖器 10的工作重復(fù)的說明部分簡(jiǎn)化。在三態(tài)緩沖器10中，當(dāng)反相器42的輸出被提供至P型溝道晶體管 M8的柵極時(shí)，P型溝道晶體管M8的柵極被固定至高電平電壓以便將P型 溝道晶體管M8變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。P型溝道晶體管M7的柵極被固定至低電 平電壓以便將P型溝道晶體管M7保持在導(dǎo)通狀態(tài)。如上文所述，P型溝道晶體管M3和P型溝道晶體管M7保持在導(dǎo)通 狀態(tài)并且此外N型溝道晶體管M4變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，從而形成上拉電流通路 R2并且處于導(dǎo)通狀態(tài)的P型溝道晶體管Ml變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)形成上拉電流通路R2時(shí)，P型溝道晶體管M8處于關(guān)斷狀態(tài)并且在 三態(tài)緩沖器10中不形成由電源電壓Vdd經(jīng)由P型溝道晶體管M8通向P 型溝道晶體管M3的上拉電流通路，這不同于從使能控制輸入端(IN2)輸 入低電平數(shù)據(jù)信號(hào)的情形。因此，在這個(gè)實(shí)施例中，與形成由電源電壓 Vdd經(jīng)由晶體管M8通向晶體管M3的上拉電流通路以及上拉電流通路R2 的情形相比，至P型溝道晶體管M1的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小并 且用于將P型溝道晶體管Ml從低電平電壓改變?yōu)楦唠娖诫妷旱纳侠娏?通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小。其中，至P型溝道晶體管Ml的上拉電流通路 的電流驅(qū)動(dòng)能力的減小意味著至晶體管Ml的上拉電流通路的合成電阻值 的增加。如上文所述，P型溝道晶體管M8對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第一開關(guān)器件，這 是因?yàn)楫?dāng)通過高電平使能信號(hào)使數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài) 時(shí)，該晶體管變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。P型溝道晶體管M7對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第二開 關(guān)器件，這是因?yàn)槠渑cP型溝道晶體管M8并聯(lián)連接并且當(dāng)通過高電平使 能信號(hào)使數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)，該P(yáng)型溝道晶體管M7 保持在導(dǎo)通狀態(tài)。 在這個(gè)實(shí)施例中，位于上拉電流通路R2上的P型溝道晶體管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力被設(shè)定為小于與晶體管M7并聯(lián)連接的P型溝道晶體管M8 的電流驅(qū)動(dòng)能力。因此，與其中設(shè)定P型溝道晶體管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力 等于P型溝道晶體管M8的電流驅(qū)動(dòng)能力的情形相比，通過將P型溝道晶 體管M7置于上拉電流通路R2上，將P型溝道晶體管M1的柵極從低電平 電壓改變?yōu)楦唠娖诫妷旱纳侠娏魍稲2的電流驅(qū)動(dòng)能力可能減小。與通過將晶體管Ml的柵極從低電平電壓快速改變?yōu)楦唠娖诫妷簛黻P(guān) 斷電流12的常規(guī)情形相比，如果上拉電流通路R2的電流驅(qū)動(dòng)能力減小， 則P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓變?yōu)楦唠娖诫妷旱臅r(shí)間段可能 延長(zhǎng)并且可能抑制電流12每單位時(shí)間的變化。因此，電流12每單位時(shí)間 的變化決不會(huì)增加，從而阻止電源電壓Vdd和由數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸 出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平由于受到三態(tài)緩沖器10的電源線或輸出線的各個(gè)寄 生電感分量的影響而發(fā)生大的變化。另一方面，如圖3所示，在由數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)A 從高電平變?yōu)榈碗娖讲⑶矣蓴?shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電 平改變?yōu)榈碗娖狡陂g，如果在時(shí)間tl由使能控制輸入端(IN2)輸入的使 能信號(hào)C從高電平改變?yōu)榈碗娖?，則三態(tài)緩沖器10如下工作。這里，將 與圖6中所示的緩沖電路100相同的工作的描述簡(jiǎn)化。在三態(tài)緩沖器10 中，反相器41的輸出被提供至N型溝道晶體管M10的柵極，使得N型溝 道晶體管M10的柵極被固定至低電平電壓從而將N型溝道晶體管M10變 為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)N型溝道晶體管M10變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)時(shí)，N型溝道晶體管 M9的柵極被電源電壓Vdd固定至高電平電壓從而N型溝道晶體管M9保 持在導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在如上文所述的tl-t2的時(shí)間段中，在N型溝道晶體管M6變?yōu)?關(guān)斷狀態(tài)之后P型溝道晶體管M5變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。其后，N型溝道晶體管 M2的柵極電壓G2在如上文所述的t3-t4時(shí)間段中升高。隨后，如果在N型溝道晶體管M6變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)之后，在如上文所述 的時(shí)間t2時(shí)從使能控制輸入端(IN2)輸入高電平使能信號(hào)C，則P型溝 道晶體管M5變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，在t4-t6時(shí)間段中，N型溝道晶體管M9保持在導(dǎo)通狀態(tài)，形成如圖2所示的下拉電流通路Rl，并且柵極電壓 G2下降至低電平電壓(接地電勢(shì))。因此，N型溝道晶體管M2變?yōu)殛P(guān)斷 狀態(tài)。三態(tài)緩沖器10將N型溝道晶體管M2維持在關(guān)斷狀態(tài)并還如上文 所述將P型溝道晶體管Ml變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。因此，數(shù)據(jù)輸出端(0UT1) 變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)。在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，與形成由晶體管M6經(jīng)由晶體管 M10至地的下拉電流通路以及下拉電流通路Rl的情形相比，至N型溝道 晶體管M2的下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小。因此，可以使柵極電壓 G2降低至低電平電壓(接地電勢(shì))為止的t4-t6時(shí)間段長(zhǎng)于常規(guī)緩沖電路 100將柵極電壓G2降至低電平電壓(接地電勢(shì))為止的t4-t5時(shí)間段(參 見圖7)。結(jié)果，與常規(guī)的緩沖電路100相比，這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器 IO可以防止N型溝道晶體管M2從導(dǎo)通狀態(tài)快速改變至關(guān)斷狀態(tài)。這時(shí)， 與常規(guī)緩沖電路100中N型溝道晶體管M2快速從導(dǎo)通狀態(tài)改變至關(guān)斷狀 態(tài)的情形(圖中的虛線)相比，可以抑制電流II (圖中的實(shí)線)每單位時(shí) 間的改變。因此，與圖4所示的常規(guī)緩沖電路100的接地電勢(shì)(圖中的虛 線)改變的情形相比，可以防止這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的接地電勢(shì) (圖中的實(shí)線)由于受到接地線的寄生電感分量的影響而發(fā)生變化。另 外，在這個(gè)實(shí)施例中，可以阻止從數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào) 的電平由于受到三態(tài)緩沖器10的輸出線的寄生電感的影響而發(fā)生大的變 化。在這個(gè)實(shí)施例中，通過其中輸入數(shù)據(jù)信號(hào)和使能信號(hào)的或非門電路的 輸出，將設(shè)在柵極電壓控制電路20A上的P型溝道晶體管M3和N型溝道 晶體管M4控制為導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)，以便形成至P型溝道晶體管Ml的下拉 電流通路和上拉電流通路，并且柵極電壓控制電路20A將P型溝道晶體管 Ml的柵極固定在高電平電壓或低電平電壓以便將晶體管Ml變?yōu)閷?dǎo)通狀 態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。因此，柵極電壓控制電路20A對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的輸出開關(guān)器 件控制部分。此外，在這個(gè)實(shí)施例中，通過其中輸入數(shù)據(jù)信號(hào)和使能信號(hào) 的與非門電路NAND的輸出，將設(shè)在柵極控制電路20B上的P型溝道晶 體管M5和N型溝道晶體管M6控制在導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)，以便形成至N型溝 道晶體管M2的下拉電流通路和上拉電流通路，并且這時(shí)柵極電壓控制電路20B將N型溝道晶體管M2的柵極固定在高電平電壓或低電平電壓以便 將晶體管M2變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。因此，柵極電壓控制電路20B對(duì) 應(yīng)于本發(fā)明的輸出開關(guān)器件控制部分。如上文所述，柵極電壓控制電路20A將P型溝道晶體管Ml的柵極固 定在高電平電壓或低電平電壓以便將晶體管Ml變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)或?qū)顟B(tài) 以及柵極電壓控制電路20B將N型溝道晶體管M2的柵極固定在高電平電 壓或低電平電壓以便將晶體管M2變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，這對(duì)應(yīng)于本 發(fā)明的輸出開關(guān)器件控制步驟。在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)被高電平使能信號(hào)變?yōu)楦?阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，安裝在電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30A上的P型溝道晶體管M8 變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)從而減小用于將P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓改 變至高電平電壓的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力。因此，電流驅(qū)動(dòng)能力改 變電路30A對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)能力改變部分。此外，在這個(gè)實(shí)施例中， 當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)被高電平使能信號(hào)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)，安裝在電 流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30B上的N型溝道晶體管M10變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)以便電 流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30B減小用于將N型溝道晶體管M2的柵極從高電平 電壓改變?yōu)榈碗娖降碾妷合吕娏魍返碾娏黩?qū)動(dòng)能力。因此，電流驅(qū)動(dòng) 能力改變電路30B對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)能力改變部分。如上文所述，電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30A減小上拉電流通路的電流驅(qū) 動(dòng)能力以便將P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓改變?yōu)楦唠娖诫妷?以及電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30B減小下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力以便將 N型溝道晶體管M2的柵極從高電平電壓改變?yōu)榈碗娖诫妷?，這對(duì)應(yīng)于本 發(fā)明的驅(qū)動(dòng)能力改變步驟。如果在從數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入低電平數(shù)據(jù)信號(hào)的情況下由使能控 制輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào)從低電平改變?yōu)楦唠娖?，或者如果在?數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電平改變?yōu)榈碗娖讲⑶矣蓴?shù)據(jù)輸 出端(0UT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電平改變?yōu)榈碗娖狡陂g由使能控制輸 入端(IN2)輸入的使能信號(hào)從低電平改變?yōu)楦唠娖剑瑒t本發(fā)明的三態(tài)緩
沖器10產(chǎn)生下列效果。在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器中，如果電流驅(qū)動(dòng)能 力改變電路30A減小上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力，該上拉電流通路將P型溝道晶體管Ml的柵極固定至高電平電壓，則到P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓變?yōu)楦唠娖诫妷簽橹沟臅r(shí)間段延長(zhǎng)使得p型溝道晶體管Ml從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，由此抑制流入P型溝道晶體管Ml的 電流12每單位時(shí)間的改變。此外，在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，如 果電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30B減小下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力，該下拉 電流通路將N型溝道晶體管M2的柵極固定至低電平電壓，則到N型溝道 晶體管M2的柵極從高電平電壓變?yōu)榈碗娖诫妷簽橹沟臅r(shí)間段延長(zhǎng)使得N 型溝道晶體管M2從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，由此抑制流入N型溝道 晶體管M2的電流II每單位時(shí)間的改變。在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10 中，電流II每單位時(shí)間的改變決不會(huì)增加從而阻止接地電勢(shì)和由數(shù)據(jù)輸出 端(OUT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平由于受到三態(tài)緩沖器10的接地線和輸 出線的各個(gè)寄生電感分量的影響而發(fā)生大的改變。此外，電流I2每單位時(shí) 間的改變決不會(huì)增加從而阻止電源電壓值Vdd和由數(shù)據(jù)輸出端(0UT1) 輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平由于受到三態(tài)緩沖器10的電源線和輸出線的各個(gè) 電感分量的影響而發(fā)生大的改變。因此，接地電勢(shì)和電源線之間的電勢(shì)差 可以維持在規(guī)定值的范圍內(nèi)，由此阻止三態(tài)緩沖器IO誤動(dòng)作。此外，由于在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，如上文所述，阻止由 數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平發(fā)生大的改變，因此與該三 態(tài)緩沖器10連接的邏輯電路能夠正確地識(shí)別數(shù)據(jù)信號(hào)的電平，從而阻止 邏輯電路誤動(dòng)作。如果在從數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入低電平數(shù)據(jù)信號(hào)的情況下由使能控 制輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào)從低電平改變?yōu)楦唠娖剑蛘呷绻谟?數(shù)據(jù)輸入端(IN1)輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電平改變?yōu)榈碗娖讲⑶矣蓴?shù)據(jù)輸 出端(OUT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)從高電平改變?yōu)榈碗娖狡陂g，由使能控制 輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào)從低電平改變?yōu)楦唠娖剑瑒t這個(gè)實(shí)施例的 三態(tài)緩沖器10的控制方法產(chǎn)生下列效果。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器 10的控制方法，如果將P型溝道晶體管Ml的柵極固定至高電平電壓的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力被由電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30A執(zhí)行的驅(qū)動(dòng)能 力改變步驟減小，則到P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓變?yōu)楦唠?平電壓為止的時(shí)間段延長(zhǎng)，使得P型溝道晶體管Ml可以從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，從而抑制流入P型溝道晶體管Ml的電流12每單位時(shí)間的 改變。此外，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的控制方法，如果將N型 溝道晶體管M2的柵極固定至低電平電壓的下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力 被由電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路30B執(zhí)行的驅(qū)動(dòng)能力改變步驟減小，則到N型 溝道晶體管M2的柵極從高電平電壓變?yōu)榈碗娖诫妷簽橹沟臅r(shí)間段延長(zhǎng)， 使得N型溝道晶體管M2可以從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，從而抑制流 入N型溝道晶體管M2的電流II每單位時(shí)間的改變。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三 態(tài)緩沖器10的控制方法，電流II每單位時(shí)間的改變決不會(huì)增加從而阻止 接地電勢(shì)和由數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平由于受到三態(tài) 緩沖器10的接地線和輸出線的各個(gè)寄生電感分量的影響而發(fā)生大的改 變。此外，電流I2每單位時(shí)間的改變決不會(huì)增加從而阻止電源電壓值Vdd 和由數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平由于受到三態(tài)緩沖器10 的電源線和輸出線的各個(gè)電感分量的影響而發(fā)生大的改變。因此，接地電 勢(shì)和電源線之間的電勢(shì)差可以維持在規(guī)定值的范圍內(nèi)，由此阻止三態(tài)緩沖 器IO誤動(dòng)作。由于依照這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的控制方法，如上文所述，阻 止由數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平發(fā)生大的改變，因此與 該三態(tài)緩沖器10連接的邏輯電路能夠正確地識(shí)別數(shù)據(jù)信號(hào)的電平，從而 阻止邏輯電路誤動(dòng)作。在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)被高電平 使能信號(hào)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)，P型溝道晶體管M8和N型溝道晶體管M10 變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)而分別與晶體管M8、 M10并聯(lián)連接的P型溝道晶體管M7 和N型溝道晶體管M9變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，以便形成上拉電流通路R2和下拉 電流通路Rl。在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端 (OUT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)，形成下拉電流通路Rl和上拉電流通路R2 以便發(fā)揮各晶體管M9、 M7的電流驅(qū)動(dòng)能力。在該情形中，通過將N型 溝道晶體管M10和N型溝道晶體管M8變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，與形成其中設(shè)置晶體管M10的下拉電流通路和其中設(shè)置晶體管M8的上拉電流通路以及下拉 電流通路Rl和上拉電流通路R2的情形相比，至P型溝道晶體管Ml的上 拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力以及至N型溝道晶體管M2的下拉電流通路的 電流驅(qū)動(dòng)能力減小。因此在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，通過將P型 溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓變?yōu)楦唠娖诫妷海糜趯型溝道晶 體管Ml從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小， 從而抑制流入P型溝道晶體管Ml的電流12每單位時(shí)間的改變。另外，這 個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10可以通過將N型溝道晶體管M2的柵極從高電 平電壓改變?yōu)榈碗娖诫妷海糜趯型溝道晶體管M2從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān) 斷狀態(tài)的下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小，從而抑制流入N型溝道晶體 管M2的電流II每單位時(shí)間的改變。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的控制方法，當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端 (0UT1)被高電平使能信號(hào)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)并且與分別與晶體管M8、 M10并聯(lián)連接的P型溝道晶體管M7和N型溝道晶體管M9變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài) 時(shí)，P型溝道晶體管M8和N型溝道晶體管M10被驅(qū)動(dòng)能力改變步驟變?yōu)?關(guān)斷狀態(tài)，以便形成上拉電流通路R2和下拉電流通路Rl。根據(jù)這個(gè)實(shí)施 例的三態(tài)緩沖器10的控制方法，當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端(OUT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài) 時(shí)，形成下拉電流通路Rl和上拉電流通路R2以便發(fā)揮晶體管M9、 M7 的電流驅(qū)動(dòng)能力。在該情形中，通過將N型溝道晶體管M10和N型溝道 晶體管M8變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，與形成其中設(shè)置晶體管M10的下拉電流通路和 其中設(shè)置晶體管M8的上拉電流通路以及下拉電流通路Rl和上拉電流通 路R2的情形相比，至P型溝道晶體管Ml的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能 力和至N型溝道晶體管M2的下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小。因此， 根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的控制方法，通過將P型溝道晶體管Ml 的柵極從低電平電壓改變?yōu)楦唠娖诫妷海糜趯型溝道晶體管Ml從導(dǎo) 通狀態(tài)改變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小，由此抑制流 入P型溝道晶體管M1的電流I2每單位時(shí)間的改變。另外，根據(jù)這個(gè)實(shí)施 例的三態(tài)緩沖器10的控制方法，通過將N型溝道晶體管M2的柵極從高 電平電壓改變?yōu)榈碗娖诫妷?，用于將N型溝道晶體管M2從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)?關(guān)斷狀態(tài)的下拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力減小，從而抑制流入N型溝道晶體管M2的電流II每單位時(shí)間的改變。在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，設(shè)定置于下拉電流通路Rl中的N 型溝道晶體管M9的電流驅(qū)動(dòng)能力小于同晶體管M9并聯(lián)連接的N型溝道 晶體管M10的電流驅(qū)動(dòng)能力，并且設(shè)定置于上拉電流通路R2中的P型溝 道晶體管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力小于同晶體管M7并聯(lián)連接的P型溝道晶體 管M8的電流驅(qū)動(dòng)能力。在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器IO中，與當(dāng)數(shù)據(jù)輸出 端(OUT1)被高電平使能信號(hào)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)通過將N型溝道晶體管 M9置于下拉電流通路Rl上設(shè)定N型溝道晶體管M9的電流驅(qū)動(dòng)能力等于 N型溝道晶體管M10的電流驅(qū)動(dòng)能力的情形相比，通過將N型溝道晶體 管M2的柵極從高電平電壓變?yōu)榈碗娖诫妷海瑢型溝道晶體管M2從導(dǎo) 通狀態(tài)改變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的下拉電流通路Rl的電流驅(qū)動(dòng)能力可能減小。另 外，在這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10中，與當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)被高電 平使能信號(hào)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)通過將P型溝道晶體管M7置于上拉電流通 路R2上設(shè)定P型溝道晶體管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力等于P型溝道晶體管M8 的電流驅(qū)動(dòng)能力的情形相比，通過將P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平 電壓變?yōu)楦唠娖诫妷?，將P型溝道晶體管Ml從導(dǎo)通狀態(tài)改變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài) 的上拉電流通路R2的電流驅(qū)動(dòng)能力可能減小。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的控制方法，設(shè)定置于下拉電流通 路Rl中的N型溝道晶體管M9的電流驅(qū)動(dòng)能力小于同晶體管M9并聯(lián)連 接的N型溝道晶體管M10的電流驅(qū)動(dòng)能力，并且設(shè)定置于上拉電流通路 R2中的P型溝道晶體管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力小于同晶體管M7并聯(lián)連接的 P型溝道晶體管M8的電流驅(qū)動(dòng)能力。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的 控制方法，與當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)被高電平使能信號(hào)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài) 時(shí)通過將N型溝道晶體管M9置于下拉電流通路Rl上設(shè)定N型溝道晶體 管M9的電流驅(qū)動(dòng)能力等于N型溝道晶體管M10的電流驅(qū)動(dòng)能力的情形相 比，用于通過將N型溝道晶體管M2的柵極從高電平電壓改變?yōu)榈碗娖诫?壓從而將N型溝道晶體管M2從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的下拉電流通路 Rl的電流驅(qū)動(dòng)能力可能減小。另外，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的 控制方法，與當(dāng)數(shù)據(jù)輸出端(0UT1)被高電平使能信號(hào)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)通過將P型溝道晶體管M7置于上拉電流通路R2上設(shè)定P型溝道晶體 管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力等于P型溝道晶體管M8的電流驅(qū)動(dòng)能力的情形相 比，通過將P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓變?yōu)楦唠娖诫妷簭亩?將P型溝道晶體管Ml從導(dǎo)通狀態(tài)改變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的上拉電流通路R2的 電流驅(qū)動(dòng)能力可能減小。上述實(shí)施例的三態(tài)緩沖器10的構(gòu)成如下。(1) 根據(jù)本發(fā)明第一技術(shù)方案或第二技術(shù)方案的緩沖電路，其中輸 出開關(guān)器件是第一 N型溝道晶體管，其中允許輸入信號(hào)通過的輸出端與該 晶體管的漏極相連而其源極接地；第一開關(guān)電路是源極連接至電源線的第一 P型溝道晶體管，而第二開 關(guān)電路是第二N型溝道晶體管；第一 N型溝道晶體管的柵極與第一 P型溝道晶體管的漏極和第二 N型 溝道晶體管的漏極之間的接點(diǎn)相連，并且輸入信號(hào)與輸出控制信號(hào)的邏輯 乘積反相信號(hào)被輸入至第一 P型溝道晶體管的柵極和第二 N型溝道晶體管 的柵極；第一開關(guān)器件是第三N型溝道晶體管而第二開關(guān)器件是電流驅(qū)動(dòng)能力 小于第三N型溝道晶體管的第四N型溝道晶體管；輸出控制信號(hào)被輸入至第三N型溝道晶體管的柵極，第三N型溝道晶 體管的源極接地，而第三N型溝道晶體管的漏極與第四N型溝道晶體管的 漏極之間的接點(diǎn)與第二N型溝道晶體管的源極相連；且第四N型溝道晶體管的柵極連接至電源線而第四N型溝道晶體管的源極接地。(2) 根據(jù)本發(fā)明第一技術(shù)方案或第二技術(shù)方案的緩沖電路，其中輸 出開關(guān)器件是第二 P型溝道晶體管，其中允許輸入信號(hào)通過的輸出端與該 晶體管的漏極相連而其源極連接至電源線；第一開關(guān)電路是源極接地的第五N型溝道晶體管，而第二開關(guān)電路是 第三P型溝道晶體管； 第二 P型溝道晶體管的柵極與第五N型溝道晶體管的漏極和第三P型 溝道晶體管的漏極之間的接點(diǎn)相連，并且輸入信號(hào)與輸出控制信號(hào)的邏輯 加法反相信號(hào)被輸入至第五N型溝道晶體管的柵極和第三P型溝道晶體管 的柵極；第一開關(guān)器件是第四P型溝道晶體管而第二開關(guān)器件是電流驅(qū)動(dòng)能力 小于第四P型溝道晶體管的第五P型溝道晶體管；輸出控制信號(hào)被輸入至第四p型溝道晶體管的柵極，第四p型溝道晶 體管的源極連接至電源線，而第四p型溝道晶體管的漏極與第五p型溝道晶體管的漏極之間的接點(diǎn)與第三P型溝道晶體管的源極相連；且第五P型溝道晶體管的柵極接地而第五P型溝道晶體管的源極連接至 電源線。本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，而且可以通過在一定范圍內(nèi)適當(dāng)改變其 部分構(gòu)成來實(shí)施本發(fā)明而不脫離本發(fā)明的精神。例如，不同于上述的實(shí)施 例，三態(tài)緩沖器可以包含具有兩個(gè)或更多P型溝道晶體管M8和一個(gè)P型 溝道晶體管M7的電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路，以及具有兩個(gè)或更多N型溝道 晶體管M10和一個(gè)N型溝道晶體管M9的電流驅(qū)動(dòng)能力改變電路。當(dāng)由使 能控制輸入端(IN2)輸入的使能信號(hào)從低電平變?yōu)楦唠娖揭员銓?shù)據(jù)輸 出端(0UT1)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)，在所述兩個(gè)或更多P型溝道晶體管M8 中的至少一個(gè)以及所述兩個(gè)或更多N型溝道晶體管M10中的至少一個(gè)變 為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，P型溝道晶體管M7和N型溝道晶體管M9可以變?yōu)閷?dǎo)通 狀態(tài)。當(dāng)由使能控制端(IN2)輸入高電平信號(hào)時(shí)，通過將至少一個(gè)P型溝 道晶體管M8和P型溝道晶體管M7變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，與所有晶體管M8和 晶體管M7處于導(dǎo)通狀態(tài)的情形相比，這個(gè)三態(tài)緩沖器能夠減小至P型溝 道晶體管Ml的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力，使得P型溝道晶體管Ml 的柵極從低電平電壓改變?yōu)楦唠娖诫妷海詼p小用于將P型溝道晶體管 Ml從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的上拉電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力。這時(shí)，通 過延長(zhǎng)直到P型溝道晶體管Ml的柵極從低電平電壓改變?yōu)楦唠娖诫妷簽?止的時(shí)間段，P型溝道晶體管Ml可以從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢移動(dòng)至關(guān)斷狀態(tài)，
從而可以抑制電流12每單位時(shí)間的變化。另外，當(dāng)由使能控制端(IN2)輸入高電平信號(hào)時(shí)，通過將至少一個(gè)N型溝道晶體管M10和N型晶體管 M9變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，與所有晶體管M10和晶體管M9處于導(dǎo)通狀態(tài)的情形 相比，上述的三態(tài)緩沖器能夠減小至N型溝道晶體管M2的下拉電流通路 的電流驅(qū)動(dòng)能力，使得N型溝道晶體管M2的柵極從高電平電壓改變?yōu)榈?電平電壓，以減小用于將N型溝道晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的下拉 電流通路的電流驅(qū)動(dòng)能力。這時(shí)，通過延長(zhǎng)直到N型溝道晶體管M2的柵 極從高電平電壓改變?yōu)榈碗娖诫妷簽橹沟臅r(shí)間段，N型溝道晶體管M2可 以從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢移動(dòng)至關(guān)斷狀態(tài)，從而可以抑制電流II每單位時(shí)間的變 化。根據(jù)本發(fā)明的緩沖電路及其控制方法，在通過緩沖電路的輸入信號(hào)由 于接收到輸入信號(hào)的跳變而被改變時(shí)，輸出控制信號(hào)變?yōu)榻馆斎胄盘?hào)通 過的輸出禁止?fàn)顟B(tài)。如果限制輸出開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力，則該輸出開關(guān)器 件可以從導(dǎo)通狀態(tài)緩慢移動(dòng)至非導(dǎo)通狀態(tài)，使得該輸出開關(guān)器件決不會(huì)從 導(dǎo)通狀態(tài)快速變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從而抑制通過該輸出開關(guān)器件的電流每單位 時(shí)間的改變。因此根據(jù)本發(fā)明的緩沖電路及其控制方法，可以抑制由輸出 開關(guān)器件從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)引起的接地電勢(shì)和電源線電壓的改 變，使得接地電勢(shì)和電源線之間的電勢(shì)差可以維持在規(guī)定值，從而防止緩 沖電路誤動(dòng)作。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)是基于2006年9月29日提交的在先日本專利申請(qǐng)2006-266312并要求其優(yōu)先權(quán)，這里通過引用將該專利的全部?jī)?nèi)容并入本文。
權(quán)利要求
1.一種緩沖電路，該緩沖電路對(duì)應(yīng)于輸出控制信號(hào)而允許輸入信號(hào)通過和禁止輸入信號(hào)通過，該緩沖電路包含輸出開關(guān)器件；輸出開關(guān)器件控制部分，其具有用于控制所述輸出開關(guān)器件進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)電路和用于控制所述輸出開關(guān)器件進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)電路，其中第一開關(guān)電路與第二開關(guān)電路之間的接點(diǎn)連接至所述輸出開關(guān)器件以便對(duì)應(yīng)于所述輸入信號(hào)和輸出控制信號(hào)控制該輸出開關(guān)器件進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)；以及驅(qū)動(dòng)能力改變部分，該驅(qū)動(dòng)能力改變部分與所述第二開關(guān)電路串聯(lián)連接，并且當(dāng)所述輸出控制信號(hào)處于禁止所述輸入信號(hào)通過的輸出禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)限制所述輸出開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的緩沖電路，其中所述驅(qū)動(dòng)能力改變部分包括第 一開關(guān)器件，當(dāng)所述輸出控制信號(hào)處于所述輸出禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)該第一開關(guān)器 件變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)；和第二開關(guān)器件，該第二開關(guān)器件與所述第一開關(guān)器 件并聯(lián)連接從而其處于導(dǎo)通狀態(tài)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的緩沖電路，其中所述第二開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力小于所述第一開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力。
4. 一種緩沖電路的控制方法，該緩沖電路對(duì)應(yīng)于輸出控制信號(hào)而允許輸入信號(hào)通過和禁止輸入信號(hào)通過，所述控制方法包含輸出開關(guān)器件控制步驟，該步驟對(duì)應(yīng)于所述輸入信號(hào)和輸出控制信號(hào)將輸出開關(guān)器件控制為導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)；和驅(qū)動(dòng)能力改變步驟，該步驟在所述輸出控制信號(hào)處于禁止所述輸入信 號(hào)通過的輸出禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)限制所述輸出開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的緩沖電路控制方法，其中所述驅(qū)動(dòng)能力改變步驟 當(dāng)所述輸出控制信號(hào)處于所述輸出禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)將至少一個(gè)開關(guān)器件變?yōu)榉?導(dǎo)通狀態(tài)，并將與所述非導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)器件并聯(lián)連接的開關(guān)器件變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的緩沖電路控制方法，其中所述導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力小于至少一個(gè)開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)能力。
全文摘要
緩沖電路包括輸出開關(guān)器件(M1、M2)，用于控制輸出開關(guān)器件(M1、M2)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)電路(M4、M5)，和用于控制輸出開關(guān)器件進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)電路(M3、M6)，還包括輸出開關(guān)器件控制部分(20A、20B)，其中第一開關(guān)電路(M4、M5)與第二開關(guān)電路(M3、M6)之間的接點(diǎn)與輸出開關(guān)器件(M1、M2)相連并且對(duì)應(yīng)于輸入和輸出控制信號(hào)控制輸出開關(guān)器件(M1、M2)進(jìn)入導(dǎo)通或非導(dǎo)通狀態(tài)，以及驅(qū)動(dòng)能力改變部分(30A、30B)，所述驅(qū)動(dòng)能力改變部分與第二開關(guān)電路(M3、M6)串聯(lián)連接并且當(dāng)輸出控制信號(hào)處于禁止輸入信號(hào)通過的輸出禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)限制輸出開關(guān)器件(M1、M2)的驅(qū)動(dòng)能力。
文檔編號(hào)H03K19/0175GK101154942SQ200710151739
公開日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者富田光明, 永谷修一, 鈴木禮樹 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社