專利名稱：聲波器件、諧振器及濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聲波器件、諧振器及濾波器，并且更具體地涉及一種具 有覆蓋梳狀電極的介電膜的聲波濾波器，以及使用該聲波濾波器的諧振 器及濾波器。
背景技術(shù)：
使用聲波的濾波器被用于諸如蜂窩電話的高頻無線電設(shè)備。示例性的聲波是表面聲波(SAW)。圖1A為SAW諧振器的平面圖，圖1B沿圖 1A所示的線A-A'的截面圖。為了簡明，圖1A示出的電極12的指少于 實際數(shù)量。在壓電基板10上形成電極12，該壓電基板10可以是鉭酸鋰 (LiTa03)基板或鈮酸鋰(LiNb03)基板。電極12可以用鋁合金、銅合 金或金形成。電極12包括一對梳狀電極IDT0和一對反射電極RO。該對 梳狀電極IDTO形成交指型晶體管。該反射電極RO包括光柵電極。該對 梳狀電極IDT0設(shè)置在反射電極RO之間。當(dāng)高頻信號施加到該對梳狀電 極IDTO其中之一時，在該壓電基板10的表面，表面聲波被激發(fā)。SAW 諧振的頻率取決于該對梳狀電極IDT0的電極指的周期A和SAW的傳播 速度。該諧振頻率的高頻信號在IDT0的另一梳狀電極產(chǎn)生。因此，圖 1A和IB所示的器件被用作諧振器。實踐中，SAW器件需要具有頻率溫度系數(shù)(經(jīng)常被簡寫為TCF)的 被減小的絕對值。TCF是頻率響應(yīng)于環(huán)境溫度的變化而改變的比率。在 該諧振器中，諧振頻率相對于1°C的環(huán)境溫度改變的變化以單位ppm/°C 來表示。TCF基本上取決于在壓電基板的表面上傳播的SAW的速度溫度 系數(shù)。對于LiTa03或LiNb03的壓電基板SAW器件的TCF惡劣到-80 -40ppm/°C，因此需要進行改進。下述文獻公開的技術(shù)關(guān)注改善SAW器件的TCF:國際公開第 W098/52279號(此后稱為Dl)，以及"Highly Piezoelectric Boundary Waves in Si/Si02/LiNb03 Structure" (Masatsune Yamaguchi， Takashi Yamashita， Ken-ya Hashimoto, Tatsuya Omori， Proceeding of 1998 IEEE International Frequency Control Symposium, IEEE, 1998, pp. 484-488)。參照圖2，電極 12覆蓋有第一介電膜14，其可由氧化硅制成并且厚度可為0.2入到0.4入。 被稱為Love波的聲波在圖2所示的聲波器件中被激發(fā)。該Love波在壓 電基板10和第一介電膜14中變化。參照圖3，在第一介電膜14上設(shè)置 第三介電膜16，該第三介電膜16可以由氧化鋁制成。圖3所示的聲波器 件具有被激發(fā)的、被稱為邊緣波的聲波，其在壓電基板10和第一介電膜 14中變化。在圖2和圖3所示的SAW器件中，聲波不僅在壓電基板10 中傳播，也在第一介電膜14中傳播。在第一介電膜14中傳播的聲波的 傳播速度的溫度系數(shù)被設(shè)計為具有與在壓電基板10中傳播的聲波的傳播 速度的溫度系數(shù)相反的符號。當(dāng)?shù)谝唤殡娔?4的厚度被最優(yōu)選擇時，聲 波的總傳播速度可基本被保持為恒定。即，通過最優(yōu)選擇第一介電膜14 的厚度，TCF可被減小。然而，圖2和圖3所示的聲波器件具有如下缺陷第一介電膜14的 機械諧振銳度Qm顯著小于壓電基板10的機械諧振銳度。因此，在第一 介電膜14中傳播的聲波會發(fā)生損耗，從而聲波器件具有較大損耗。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明針對上述情況，提供了一種聲波器件，該聲波器件改善了的 頻率溫度系數(shù)和損耗。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種聲波器件，該聲波器件包括壓 電基板；形成在所述壓電基板上的多個梳狀電極；以及設(shè)置為覆蓋所述 梳狀電極的第一介電膜，所述第一介電膜具有與所述梳狀電極的多個指 相關(guān)的多個空隙。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種使用上述聲波器件的諧振器和 濾波器。


參照下述附圖來說明本發(fā)明的實施方式，在附圖中 圖1A為使用傳統(tǒng)表面聲波器件的諧振器的平面圖； 圖1B為沿圖1A所示的線A-A'的截面圖； 圖2為使用邊緣聲波的傳統(tǒng)聲波器件的截面圖；圖3為使用Love波的傳統(tǒng)聲波器件的截面圖；圖4A為根據(jù)第一實施方式的聲波器件的平面圖；圖4B為沿圖4A所示的線A-A'的截面圖；圖5示出了第一比較示例的聲波器件的模擬中所使用的結(jié)構(gòu)；圖6示出了第一實施方式的聲波器件的模擬中所使用的結(jié)構(gòu)；圖7為作為空隙的高度ha的函數(shù)的、第一比較示例和第一實施方式 的插入損失的圖；圖8為根據(jù)第二實施方式的截面圖；圖9示出了第二實施方式的聲波器件的模擬中所使用的結(jié)構(gòu)；圖10為作為空隙的高度ha的函數(shù)的、第二實施方式的插入損失的圖；圖11為根據(jù)第三實施方式的聲波器件的截面圖；圖12示出了第三實施方式的聲波器件的模擬中所使用的結(jié)構(gòu)；圖13為作為空隙的高度ha的函數(shù)的、第三實施方式的插入損失的圖；圖14為根據(jù)第四實施方式的聲波器件的截面圖；圖15示出了第四實施方式的聲波器件的模擬中所使用的結(jié)構(gòu)；圖16A為作為空隙下的第一介電膜的厚度hd的函數(shù)的、第四實施方式的插入損耗的圖；圖16B為作為空隙的橫向偏移wd的函數(shù)的、第四實施方式的插入損耗的圖；圖17為作為空隙的高度ha的函數(shù)的、第一比較示例和第一實施方 式的TCF的圖；圖18為根據(jù)第五實施方式的聲波器件的截面圖；200710154066.6說明書第4/ll頁圖19示出了第五實施方式的聲波器件的模擬中所使用的結(jié)構(gòu)；圖20為作為第二介電膜的厚度hb的函數(shù)的、第二比較示例和第五 實施方式的插入損耗的圖；圖21為作為第二介電膜的厚度hb的函數(shù)的、第二比較示例和第五 實施方式的TCF的圖；圖22為根據(jù)第五實施方式的第一變型例的聲波器件的截面圖；圖23為根據(jù)第五實施方式的第二變型例的聲波器件的截面圖；圖24為根據(jù)第六實施方式的濾波器的電路圖；圖25為根據(jù)第七實施方式的濾波器的平面圖；圖26為根據(jù)第八實施方式的雙工器的電路圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細描述。 [第一實施方式]圖4A為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的聲波器件的平面圖，圖4B為沿 圖4A所示的線A-A'的截面圖。在壓電基板10的上方，更具體的是，在 壓電基板10上，設(shè)置電極12，該壓電基板10可例如由LiTa03或LiNb03 制成。該電極12可例如由銅制成。電極12包括一對梳狀電極IDTO和在 該對IDT0兩側(cè)沿聲波的傳播方向設(shè)置的一對反射電極RO。梳狀電極 IDT0具有多個電極指，并具有如圖4B所示的截面。由氧化硅制成的第 一介電膜14被設(shè)置成覆蓋電極12。由氧化鋁制成的第三介電膜16被設(shè) 置在第一介電膜14上。第一介電膜14具有與電極12相關(guān)的多個空隙20a。 第一介電膜14中的空隙20a被設(shè)置為與電極12的多個指的上表面相接 觸。在電極12的上方，更具體的是，在電極12上設(shè)置空隙20a。犧牲層 (sacrificing layer)用于形成空隙。本發(fā)明通過模擬來獲得根據(jù)第一實施方式的諧振器的插入損耗的量 值。圖5示出了用于第一比較示例的模擬中所使用的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中， 介電膜14在電極12上不具有任何空隙。在該模擬中，在包括聲波傳播 方向和基板深度方向的二維模型中，僅抽取了 0.5對梳狀電極并測量其頻 率響應(yīng)。梳狀電極的電極指的周期入被設(shè)定為等于2.084 ym。即，該0.5 對的寬度是1.042 u m。壓電基板10由30° Y切割X傳播LiNb03制成并 且厚度為10.6 " m。電極12由銅制成并且厚度為0.2 y m。第一介電膜14 由氧化硅(Si02)制成并且厚度為丄05ym。第三介電膜16由氧化鋁 (A1203)制成并且厚度為2.0ym。氧化硅膜的機械諧振銳度Qm被設(shè)定 為等于50，并且其他材料的Qm被設(shè)定為等于1000。圖6示出了用于第一實施方式的模擬所使用的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中， 第一介電膜14具有空隙20a。第一實施方式與第一比較示例不同在于 第一介電膜14具有設(shè)置在電極12上方的、與電極12上表面接觸的空隙 20a?？障?0a具有的寬度等于電極12的各指的寬度，并且具有高度ha。圖7示出了在諧振點處第一實施方式的插入損耗[dB]的計算結(jié)果， 該結(jié)算結(jié)果為高度ha [nm]的函數(shù)。第一比較示例具有為0[nm]的高度ha。 圖7示出了該空隙20a的存在改善了插入損耗。另外，高度ha變得越高， 插入損耗被改善得越多。當(dāng)空隙20a的高度ha是100nm時，插入損耗被 減小到幾乎是第一比較示例的插入損耗的一半。空隙20a的存在使得電 極12的振動難于傳到第一介電膜。這減小了在具有較小Qm的第一介電 膜14中傳播的聲波的能量。[第二實施方式]第二實施方式具有這樣的示例性結(jié)構(gòu)，其中空隙不僅被設(shè)置在電極 的上表面而且沿電極的側(cè)表面設(shè)置該空隙。圖8為根據(jù)第二實施方式的 諧振器的截面圖。空隙20b被設(shè)置在電極12的上表面上并且沿電極12 的側(cè)表面設(shè)置該空隙20b。第二實施方式中的其他結(jié)構(gòu)與圖4B所示的第 一實施方式中的結(jié)構(gòu)相同。圖9示出了用于第二實施方式的模擬所使用 的結(jié)構(gòu)?？障?0b具有從電極12的上表面起算的40 nm的高度并且從電 極12側(cè)表面其測量具有30nm的寬度。圖10示出了作為高度ha [nm]的函數(shù)的、在諧振點處的第二實施方 式的插入損耗[dB]的計算結(jié)果。通過將空隙20b設(shè)置為不僅與電極12的 上表面接觸而且與電極的側(cè)表面接觸，可極大的改善諧振器的插入損耗。[第三實施方式] 第三實施方式具有這樣的示例性結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，空隙被設(shè)置在 電極12的各指之間。圖11為根據(jù)第三實施方式的諧振器的截面圖。如 圖11所示，空隙20c被連續(xù)設(shè)置在多個電極指之間，從而相鄰交織的電 極指的相對側(cè)面彼此相對。換句話說，空隙20c被設(shè)置為連接相鄰的電 極指。空隙20c對于電極指是連續(xù)的。第三實施方式中的其他結(jié)構(gòu)與圖 4B所示的第一實施方式中的結(jié)構(gòu)相同。圖12示出了用于第三實施方式 的模擬所使用的結(jié)構(gòu)。空隙20c具有0.2" m的高度，其等于電極12的 咼度°圖13示出了作為高度ha [nm]的函數(shù)的、在諧振點處的第三實施方 式的插入損耗[dB]的計算結(jié)果。將空隙20c連續(xù)地設(shè)置在電極12的電極 指之間進一步改善插入損耗。[第四實施方式]第四實施方式具有這樣的示例性結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，隔著部分第一 介電膜14，在電極12的上方設(shè)置空隙。圖14是依據(jù)第四實施方式的諧 振器的截面圖。參照圖4，空隙20d被設(shè)置在第一介電膜14中，使得空 隙20d位于電極12的電極指的上方，隔著部分第一介電膜14與所述電 極指相間隔。第四實施方式中的其他結(jié)構(gòu)與圖4B所示的第一實施方式中 的結(jié)構(gòu)相同。圖15示出了第四實施方式的模擬所使用的結(jié)構(gòu)。隔著部分 第一介電膜14，在電極12的上方設(shè)置空隙20d。符號hd是電極12的 指與空隙20d之間的部分第一介電膜14的高度?？障?0d的高度ha為 100 nm，并且空隙20d的側(cè)表面比所述電極的指12的側(cè)表面向內(nèi)偏移了 寬度wd。圖16A和16B示出了在諧振點處第四實施方式的插入損耗。更具體 的是，圖16A示出了作為空隙下的第一介電膜的厚度hd的函數(shù)的、在諧 振點處的插入損；圖16B示出了作為偏移寬度wd的函數(shù)的、在諧振點 處的插入損耗。從圖16A可以看出，隨著空隙20d下的第一介電膜的厚 度hd的增加，插入損耗惡化。從圖16B可以看出，隨著圖15所示的偏 移寬度wd增加，插入損耗惡化。然而，應(yīng)注意到，圖16A和16B所示 的插入損耗小于以虛線示出的第一比較示例?？梢?，即使空隙20d不靠
近于電極12，也可以減小插入損耗。另外可以看出，即使空隙20d的側(cè) 表面比所述電極的指的側(cè)表面更靠內(nèi)，也可以減小插入損耗。由于在第一、第二和第四實施方式中，與電極12相接觸地，或者隔 著部分第一介電膜14地設(shè)置空隙，因而可以減小具有較小Qm的第一介 電膜14中傳播的聲波的能量。因此，可以改善諧振器的插入損耗。可進 行幾種變形。優(yōu)選地，為所有電極12的指設(shè)置空隙。在另一方式中，可 以僅對一些電極指設(shè)置空隙。部分地設(shè)置的空隙用以減小在第一介電膜 14中傳播的聲波的能量。空隙優(yōu)選地被設(shè)置在孔徑長度方向(指的長度 方向)的電極12的指的整個長度上。在另一方式中，空隙被設(shè)置在電極 指的整個長度的一部分上。部分地設(shè)置的空隙用以減小在第一介電膜14 中傳播的聲波的能量。優(yōu)選地，空隙具有在聲波傳播方向(電極指的寬 度方向)等于電極12的指的寬度。通過另一實施例，如第四實施方式中 的情況，空隙可窄于電極指。在第二實施方式的情況下，空隙優(yōu)選地設(shè)置在電極12的多個指之 間。利用該結(jié)構(gòu)，可進一步減小在第一介電膜14中傳播的聲波的能量以 實現(xiàn)諧振器的插入損耗的進一步減小。在第一和第二實施方式的情況下，空隙被形成為與電極12相接觸。 空隙可部分接觸于電極12。因此，可進一步減小在第一介電膜14中傳播 的聲波的能量并實現(xiàn)諧振器的插入損耗的進一步減小。更具體地，如在第一實施方式的情況下，優(yōu)選地是空隙20a接觸電 極12的上表面。更優(yōu)選地是，如在第二實施方式的情況下，空隙20b接 觸于電極12的上表面和側(cè)表面。由圖16A和16B可知，當(dāng)空隙接觸電 極12時，可進一步減小諧振器的插入損耗。在第二和第三實施方式的情況下，對至少部分電極12設(shè)置空隙，從 而在具有較小Qm的第一介電膜14中傳播的聲波的能量以及諧振器的插 入損耗可被改善。在第三實施方式的情況下，空隙被連續(xù)地設(shè)置在電極12的多個指之 間。由此可減小圖13所示的諧振器的插入損耗。當(dāng)空隙不接觸電極12時，空隙和電極12間的第一介電膜14的厚度hd在整個電極12上可不相等。例如，在該對梳狀電極上的第一介電膜的 厚度hd可不同于反射電極上的第一介電膜的厚度。也可使第一介電膜14在該對梳狀電極或反射電極上具有不同的厚度hd。圖17示出了作為第一實施方式中采用的作為空隙20a的高度ha的 函數(shù)的、在諧振頻率下的TCF的計算結(jié)果。點劃線表示未設(shè)置有第一介 電膜14和第三介電膜16的SAW器件的TCF。第一實施方式的諧振器的 TCF被認為不會下降-70ppmT C那么多，-70ppm/° C為裝備有該未設(shè)置 有第一介電膜14和第三介電膜16的SAW器件的諧振器的TCF。然而，第 一實施方式的諧振器具有比第一比較示例的諧振器的TCF差30ppm/° C到 40ppm/° C的TCF。與第一比較示例相比，為改善插入損耗而形成在第 一介電膜14中的空隙可能會降低TCF。[第五實施方式]參照圖18，第五實施方式具有這樣的示例性結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，由 氧化硅膜形成的第二介電膜18a被設(shè)置在電極12的下方。由此，電極12 被設(shè)置在壓電基板10的上方。第五實施方式中的其他結(jié)構(gòu)與圖4B所示 的第一實施方式中的結(jié)構(gòu)相同。圖19示出了用于第五實施方式的模擬所 使用的結(jié)構(gòu)。第一介電膜14具有形成在電極12上方且高度為40nm的空 隙20a。第二介電膜18a被設(shè)置在電極12和壓電基板IO之間并且由氧化 硅制成，該氧化硅也用于形成第一介電膜14。第二介電膜18a具有厚度 hb。進行了針對第二比較示例的模擬，該第二比較示例具有設(shè)置在第一 比較示例的電極12下方的第二介電膜18a。圖20是作為第二介電膜18a的厚度hb [nm]的函數(shù)的、第二比較示 例和第五實施方式的諧振器在諧振頻率下的插入損耗[dB]的圖。0 [nm] 的hb的第五實施方式對應(yīng)于第一實施方式，并且O[nm]的hp的第二比 較示例對應(yīng)于第一比較示例。在第五實施方式和第二比較示例中，第二 介電膜18a的厚度hb越大，插入損耗越優(yōu)。圖21示出了作為第二介電膜18a的厚度hb [nm]的函數(shù)的、第二比 較示例和第五實施方式的諧振器在諧振頻率下的TCF[ppm/。C]的圖。在第 五實施方式和第二比較示例中，第二介電膜18a的厚度hb越大，TCF越 大。在第五實施方式中，第二介電膜18a的厚度hb越大，TCF越接近于 0。由圖20和21可知，在第五實施方式中，通過增加第二介電膜18a的 厚度hb，可以減小插入損耗以及TCF的絕對值。參照圖22，圖22示出了根據(jù)第五實施方式的第一變型例的諧振器。 由例如氧化鋁制成的第二介電膜18b被設(shè)置在電極12和壓電基板10之 間。應(yīng)注意到，第二介電膜18b未被設(shè)置在電極12的相鄰指之間。由此， 第一介電膜14與電極12的多個指之間的壓電基板10相接觸。參照圖23， 其示出了根據(jù)第五實施方式的第二變型例的諧振器。由例如氧化鋁制成 的第二介電膜18c被設(shè)置在電極12和壓電基板10之間。應(yīng)注意到，第 二介電膜18c被連續(xù)設(shè)置，即使在電極12的相鄰指之間也是如此。第五實施方式及其第一和第二變型例在壓電基板10和電極12之間 被裝備有第二介電膜18a、 18b和18c。如圖21和22所示，其可減小插 入損耗和TCF。在第五實施方式的情況下，第二介電膜18a可由與第一介電膜14相 同的材料制成。在第五實施方式的第一和第二變型例中，第二介電膜18b 和18c可由不同于第一介電膜14的材料制成。具有這樣的情況第二介 電膜18的介電常數(shù)大大小于壓電基板10的介電常數(shù)。在這種情況下， 第二介電膜18可減小該對梳狀電極IDTO的靜電容量。電極對IDTO的靜 電容量的減小可導(dǎo)致聲波器件的阻抗失配。為了最小化阻抗失配，優(yōu)選 的是使第二介電膜18具有較大介電常數(shù)。由此優(yōu)選的是由具有比第一介 電膜14的介電常數(shù)大的介電常數(shù)的材料來制成第二介電膜18。優(yōu)選地，第二介電膜18為氧化鋁膜。由此可減小第二介電膜18的 電機耦合常數(shù)的厚度依賴。由此可抑制由第二介電膜18的厚度差異導(dǎo)致 的聲波器件的性能差異。另外，可提高對第二介電膜18的干刻或濕刻的 阻抗并由此更易于制造聲波器件。第五實施方式使用了第二介電膜18，該第二介電膜18施加到第一 實施方式的聲波器件。第二介電膜18可被施加到第二至第四實施方式的 任何聲波器件。具有第二介電膜18的聲波器件提供的優(yōu)點類似于第五實 施方式。
第一至第五實施方式的聲波器件使用邊緣聲波并且具有設(shè)置在第一介電膜14上的第三介電膜16。圖2所示的使用Love波而不具有第三介 電膜16的聲波器件可被變形，從而如在第一至第五實施方式中的情況那 樣，空隙被設(shè)置在第一介電膜14中。這些變型例可具有類似于第一至第 五實施方式的優(yōu)點。優(yōu)選地，在第三介電膜16中的聲波的傳播速度大于第一介電膜14 中的聲波的傳播速度。由此可將聲波限制在第一介電膜14中。優(yōu)選地，第三介電膜16可以是氧化鋁膜，從而可易于形成該膜16。 在第一至第五實施方式中，壓電基板10可包括鈮酸鋰或鉭酸鋰，從而較大的機電耦合系數(shù)可被增大并且插入損耗可被減小。優(yōu)選地，電極12包括諸如銅的重元素。電極12由密度大于第一介電膜14的密度的元素制成。利用該結(jié)構(gòu)，可通過電極12獲得滿意的聲波反射。[第六實施方式]第六實施方式為一種示例性階梯濾波器，其具有依據(jù)第一至第五實 施方式配置的聲波器件。參照圖24，其在輸入端Tin和輸出端Tout之間 設(shè)置串聯(lián)的諧振器Sl到S4。并聯(lián)諧振器Pl被連接到串聯(lián)的諧振器SI 和S2之間的節(jié)點與接地點之間。類似地，并聯(lián)諧振器P2被連接到串聯(lián) 的諧振器S3和S4之間的節(jié)點與接地點之間。使用第一至第五實施方式 中的任一實施方式所設(shè)置的諧振器的階梯濾波器具有較小的插入損耗和 較小的TCF。[第七實施方式]第七實施方式為一種示例性多模式濾波器，其使用第一至第五實施 方式中任一實施方式所設(shè)置的諧振器。參照圖25，梳狀電極的輸入對 IDT1被連接到輸入端Tin，并且兩個梳狀電極輸出對IDT2被連接到輸出 端Tout。兩個梳狀電極輸出對IDT2沿聲波傳播方向被設(shè)置在梳狀電極的 輸入對IDT1的兩側(cè)。兩個反射電極R0被設(shè)置為比所述兩個輸出對IDT2 更靠外。使用第一至第五實施方式中任一實施方式所設(shè)置的諧振器的該 多模式濾波器具有較小的插入損耗和較小的TCF。第八實施方式為一種示例性雙工器，其使用第一至第五實施方式中 任一實施方式所設(shè)置的諧振器。參照圖26，發(fā)送濾波器31被設(shè)置在公共端Ant和發(fā)送端Tx之間。接收濾波器32被設(shè)置在公共端Ant和接收端 Rx之間。匹配電路30被連接在公共端Ant和接收濾波器32之間。發(fā)送 濾波器31是具有串聯(lián)諧振器Sll至S14以及并聯(lián)諧振器Pll和P12的階 梯濾波器。接收濾波器32是具有串聯(lián)諧振器S21至S24以及并聯(lián)諧振器 P21至P23的階梯濾波器。使用第一至第五實施方式中任一實施方式所設(shè) 置的諧振器的雙工器具有較小的插入損耗和較小的TCF。如以上結(jié)合第六至第八實施方式中所描述的，階梯濾波器和多模式 濾波器可被設(shè)置為使用第一至第五實施方式中任一實施方式所設(shè)置的聲 波器件。另外，雙工器可被設(shè)置為使用這樣的濾波器，該濾波器使用第 一至第五實施方式中任一實施方式的聲波器件。本發(fā)明不限于上述具體描述的實施方式，而包括不背離本發(fā)明范圍 的其他實施方式和變形。本發(fā)明基于2006年9月13日提交的日本專利申請第2006-248030 號，在此通過引用并入其全部公開。
權(quán)利要求
1、 一種聲波器件，該聲波器件包括-壓電基板；形成在所述壓電基板上的梳狀電極；以及設(shè)置為覆蓋所述梳狀電極的第一介電膜，所述第一介電膜具有與所述梳狀電極的多個指相關(guān)的空隙。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，形成在所述第一 介電膜中的所述空隙設(shè)置在所述梳狀電極的指的上方。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，形成在所述第一 介電膜中的所述空隙位于所述梳狀電極的兩個相鄰指之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，形成在所述第一 介電膜中的所述空隙還位于所述梳狀電極的兩個相鄰指之間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，形成在所述第一 介電膜中的空隙位于所述梳狀電極的兩個相鄰指之間，以連接所述兩個 相鄰指。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，形成在所述第一 介電膜中的所述空隙包括與所述電極指中的相應(yīng)電極指相接觸的空隙。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，形成在所述第一介 電膜中的空隙包括與所述電極指中的相應(yīng)電極指的上表面相接觸的空隙。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，形成在所述第一 介電膜中的空隙包括與所述電極指中的相應(yīng)電極指的上表面和側(cè)表面相 接觸的空隙。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，所述聲波器件還 包括設(shè)置在所述壓電基板和所述梳狀電極之間的第二介電膜。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲波器件，其特征在于，所述第二介電 膜包括的材料與所述第一介電膜所包括的材料相同。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲波器件，其特征在于，所述第二介電 膜包括的材料與所述第一介電膜相比具有較高的介電常數(shù)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲波器件，其特征在于，所述第二介電 膜包括氧化鋁膜。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲波器件，其特征在于，所述第一介電膜與所述梳狀電極的相鄰指間的壓電膜相接觸。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，所述聲波器件 還包括設(shè)置在所述第一介電膜上的第三介電膜。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的聲波器件，其特征在于，所述第三介電 膜所具有的聲波傳播速度高于所述第一介電膜中的聲波傳播速度。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的聲波器件，其特征在于，所述第三介電 膜包括氧化鋁膜。
17、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，所述壓電基板 包括鈮酸鋰和鉅酸鋰兩者中的一種。
18、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，其特征在于，所述梳狀電極 包括銅。
19、 一種諧振器，該諧振器包括 壓電基板；形成在所述壓電基板上的梳狀電極；反射電極，在所述反射電極之間設(shè)置所述梳狀電極；以及 設(shè)置為覆蓋所述梳狀電極和所述反射電極的第一介電膜， 所述第一介電膜具有與所述梳狀電極和所述反射電極的指相關(guān)的多 個空隙。
20、 一種濾波器，包括多個諧振器，所述多個諧振器中的一個諧振 器包括壓電基板；形成在所述壓電基板上的梳狀電極；反射電極，在所述反射電極之間設(shè)置所述梳狀電極；以及 設(shè)置為覆蓋所述梳狀電極和所述反射電極的第一介電膜， 所述第一介電膜具有與所述梳狀電極和所述反射電極的指相關(guān)的多 個空隙。
全文摘要
本發(fā)明涉及聲波器件、諧振器和濾波器。該聲波器件包括壓電基板；形成在所述壓電基板上的梳狀電極；以及設(shè)置為覆蓋所述梳狀電極的第一介電膜，所述第一介電膜具有與所述梳狀電極的多個指相關(guān)的多個空隙。
文檔編號H03H9/25GK101145768SQ20071015406
公開日2008年3月19日 申請日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月13日
發(fā)明者三浦道雄, 上田政則, 井上將吾, 保田浩善, 松田聰, 松田隆志, 水戶部整一 申請人:富士通媒體部品株式會社;富士通株式會社