專利名稱：有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器與電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路，特別是有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路的旋轉(zhuǎn) 率控制電路。
背景技術(shù)：
一半導(dǎo)體裝置的輸出緩沖器通過(guò)一輸出端驅(qū)動(dòng)內(nèi)部的信號(hào)，輸出緩沖器 的旋轉(zhuǎn)率代表一輸出信號(hào)的準(zhǔn)位可以多快的速率從一數(shù)據(jù)狀態(tài)改變至另一狀 態(tài)，電壓改變的速率便定義為一輸出緩沖器的旋轉(zhuǎn)率。
一驅(qū)動(dòng)器的旋轉(zhuǎn)率通?？赏ㄟ^(guò)調(diào)整一前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制，該前級(jí)驅(qū)動(dòng) 電路為核心電路與一最終輸出緩沖器之間的電路并可以調(diào)整最終輸入輸出級(jí) 的時(shí)序以及驅(qū)動(dòng)能力，使得可以符合輸入/輸出的規(guī)格， 一快速的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電 路可以減少數(shù)據(jù)從該芯片核心到該輸出驅(qū)動(dòng)電路的傳遞時(shí)間但會(huì)產(chǎn)生一銳利 的電流突波，當(dāng)許多緩沖器同時(shí)進(jìn)行切換時(shí)，該電流突波會(huì)對(duì)一電源供應(yīng)注 入噪聲，因此，必需要在噪聲敏感度、旋轉(zhuǎn)率以及傳遞延遲之間取得平衡。
圖1A與圖1B所示分別為一傳統(tǒng)可具有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器的電 路圖以及該緩沖輸出器的切換特性的示意圖，于圖1A中，輸出緩沖器100包 括一上拉網(wǎng)絡(luò)NP以及一耦接至一輸出節(jié)點(diǎn)0的下拉網(wǎng)絡(luò)NN，該上拉網(wǎng)絡(luò)NP 包括耦接于一供應(yīng)電壓Vcc與該輸出節(jié)點(diǎn)0之間的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管MPI0h MPI02以及MPI03， P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MPIO,的柵極接收 一數(shù)據(jù)信號(hào)DP并通過(guò)一電容CP耦接至一接地端， 一第一電阻電容延遲器DPI 耦接于該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MPI0i與MPI02的柵極之間， 一第二電 阻電容延遲器DP2耦接于該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MPI02與MPI03的柵 極之間，該下拉網(wǎng)絡(luò)麗包括耦接于一接地端GND與該輸出節(jié)點(diǎn)0之間的N型
金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MNI0i、 ,102以及麗103， N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管麗10i的柵極接收一數(shù)據(jù)信號(hào)DN并通過(guò)一電容CN耦接至一接地端， 一第 三電阻電容延遲器DN1耦接于該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管麗I0:與麗102 的柵極之間， 一第四電阻電容延遲器DN2耦接于該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管麗102與麗103的柵極之間，如圖1B所示，由于該上拉與下拉網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)啟 與關(guān)閉是漸進(jìn)的，在N型與P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管都部份導(dǎo)通時(shí)會(huì)有 些重疊，圖1C所示為圖1A的傳統(tǒng)輸出緩沖器的詳細(xì)電路圖，于圖1C中，金 屬氧化物半導(dǎo)體組件被用作電容，而傳輸閘被用作電阻。
圖2所示為如何通過(guò)控制前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路輸出端的負(fù)載以調(diào)整旋轉(zhuǎn)率，于 圖2中， 一前級(jí)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)一驅(qū)動(dòng)器的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MP1與N 型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管麗l的柵極，多個(gè)電容可通過(guò)多個(gè)開(kāi)關(guān)被選擇性 地連接至P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MP1與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 MN1的柵極，前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路輸出端的負(fù)載可通過(guò)控制所述開(kāi)關(guān)進(jìn)行調(diào)整。
雖然圖1A圖1B與圖2所示的傳統(tǒng)輸出緩沖器的旋轉(zhuǎn)率可以被控制，但 由于需要被動(dòng)電阻與電容，因此需要大量的面積，于是，集成電路的芯片成 本亦隨之增加。

發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器包括一有一 數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)與一數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路以及一耦接至該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電 路的輸出節(jié)點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)電路，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括一耦接于該數(shù)據(jù)輸入與輸出 節(jié)點(diǎn)之間的緩沖器以及一耦接于該數(shù)據(jù)輸入與輸出節(jié)點(diǎn)之間并受一旋轉(zhuǎn)率控 制信號(hào)控制的三態(tài)緩沖器，該驅(qū)動(dòng)電路被該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的一輸出信號(hào)所驅(qū) 動(dòng)。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種旋轉(zhuǎn)率控制電路包括一有一上拉網(wǎng)絡(luò)與一 下拉網(wǎng)絡(luò)，該上拉網(wǎng)絡(luò)包括第一與第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第
一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管有一耦接至該旋轉(zhuǎn)率控制電路的一數(shù)據(jù)輸入 端的柵極、 一源極以及一漏極，該第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管有一通 過(guò)一第一旋轉(zhuǎn)率控制器耦接至該數(shù)據(jù)輸入端的柵極以及分別耦接至該第一 P 型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該源極與漏極的源極與漏極，該下拉網(wǎng)絡(luò)包括 第一與第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶
體管有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入端的柵極、 一源極以及一漏極，該第二 N型金屬
氧化物半導(dǎo)體晶體管有一通過(guò)一第二旋轉(zhuǎn)率控制器耦接至該數(shù)據(jù)輸入端的柵
極以及分別耦接至該第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管之該源極與漏極的源 極與漏極，可通過(guò)所述旋轉(zhuǎn)率控制器依據(jù)一旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)將所述第二 P型 與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管選擇性地關(guān)閉。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器包括一有一 數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)與一數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路以及一耦接至該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電 路的輸出節(jié)點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)電路，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)并聯(lián)的反相器，每一反 相器有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)的輸入端以及一耦接至該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)的輸 出端，其中至少一反相器可通過(guò)一旋轉(zhuǎn)率重器以一旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)將其選擇 性地關(guān)閉，該驅(qū)動(dòng)電路被該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的一輸出信號(hào)所驅(qū)動(dòng)。


圖1A與圖1B所示分別為一傳統(tǒng)可具有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器的電
路圖以及該緩沖輸出器的切換特性的示意圖。
圖1C所示為圖1A的傳統(tǒng)輸出緩沖器的詳細(xì)電路圖。 圖2所示為如何通過(guò)控制前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路輸出端的負(fù)載以調(diào)整旋轉(zhuǎn)率。 圖3A為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器的方塊圖。 圖3B與圖3C所示分別為一電壓模式驅(qū)動(dòng)器與一電流模式驅(qū)動(dòng)器的電路圖。 圖4所示為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器的詳細(xì)
方塊圖。
圖5A所示為圖4的前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的另一電路圖。
圖5B所示為產(chǎn)生互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0，m〉的信號(hào)產(chǎn)生器的示意圖。
圖5C所示為圖5A的前及驅(qū)動(dòng)單元的輸出波形的示意圖。 圖6所示為圖4的前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的另一電路圖。
圖7A與圖7B分別為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的或非門(mén)的 示意圖與電路圖。
圖7C所示為產(chǎn)生互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0，m〉的信號(hào)產(chǎn)生器的示意圖。
圖8A與圖8B分別為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的與非門(mén)的 示意圖與電路圖。
圖8C所示為產(chǎn)生互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0，m〉的信號(hào)產(chǎn)生器的示意圖。
符號(hào)說(shuō)明
100 輸出緩沖器；
NP 上拉網(wǎng)絡(luò)；
麗 下拉網(wǎng)絡(luò)；
0 輸出節(jié)點(diǎn)；
VCC 供應(yīng)電壓；
MPICd、 MPI02、 MPI03 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管； DP、 DN 數(shù)據(jù)信號(hào)；
CP、 CN 電容；
DP1 第一電阻電容延遲器；
DP2 第二電阻電容延遲器；
GND 接地端；
MNI(X、 MNI02、麗I03 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；
DN1 第三電阻電容延遲器； DN2 第四電阻電容延遲器；
MP1 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管； MN1 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管； 300 有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器； 310 前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路； 320 驅(qū)動(dòng)電路；
330 焊墊；
PSLEW〈0， m〉 上拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)； NSLEW〈0， m〉 下拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)； VDDIO 供應(yīng)電壓；
PAD 焊墊；
ZO—h 上拉網(wǎng)絡(luò)；
ZO)j 下拉網(wǎng)絡(luò)；
R 負(fù)載組件；
400 上拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元； 400' 下拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元； 401 數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)；
403 數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)；
DATA 輸入數(shù)據(jù)信號(hào)；
405 緩沖器；
407 三態(tài)緩沖器；
DATAb 輸出信號(hào)；
410 反相器；
TP、 TP1、 TP2 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管; TN、 TN1、 TN2 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管;
NUP 上拉網(wǎng)絡(luò)； NDN 下拉網(wǎng)絡(luò)；
Mpb、 Mp0、 Mpl、…、Mpm P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管； Mnb、 Mn0、 Mnl、…、Mnm N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管； SCpO、 SCpl、…、SCpm & SCnO、 SCnl、…、SCnm 旋轉(zhuǎn)率控制器； SL腦、SLEW1、…、SLEWm 旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)；
SLEWb〈0,m〉、 SLEW0b、 SLEWlb、…、SLEWmb 互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào);
610 反相器；
620 三態(tài)緩沖器；
611 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；
613 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；
621 上拉晶體管；
623 下拉晶體管；
625 與非門(mén)；
627 或非門(mén)；
631、 641 第一輸入端；
633、 643 第二輸入端；
635、 645 輸出端;
710、 810 上拉網(wǎng)絡(luò);
760、 860 下拉網(wǎng)絡(luò)；
Z 輸出節(jié)點(diǎn)；
720、 820 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群組； 740、 840 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管； 770、 870 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群組； 790、 890 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；
721、 821 第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；731、 831 第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；
771、 871 第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；
781、 881 第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；
A 數(shù)據(jù)輸入端；
723、 733、 823、 833 柵極；
725、 735、 825、 835 源極;
727、 737、 827、 837 漏極;
SC1 第一旋轉(zhuǎn)率控制器；
SC2 第二旋轉(zhuǎn)率控制器；
773、 783、 873、 883 柵極；
775、 785、 875、 885 源極;
777、 787、 877、 887 漏極。
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下
圖3A為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器的方塊圖， 于圖3A中，該有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器300包括一前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路310、 一驅(qū)動(dòng)電路320以及一焊墊330，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路310接收一輸入數(shù)據(jù)信號(hào)、 上拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)PSLEW〈0， m〉以及下拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)NSLEW〈0， m〉，該驅(qū) 動(dòng)電路320耦接至該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路310并被其一輸出信號(hào)所驅(qū)動(dòng)，該焊墊330 耦接至該驅(qū)動(dòng)電路320并被其一輸出信號(hào)所驅(qū)動(dòng)，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路310依據(jù) 所述上拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)PSLEW〈0， m〉與下拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)NSLEW〈0， m〉調(diào)整 該驅(qū)動(dòng)電路320的輸出信號(hào)的旋轉(zhuǎn)率，圖3B與圖3C所示分別為一電壓模式 驅(qū)動(dòng)器與一電流模式驅(qū)動(dòng)器的電路圖，于圖3B中，該電壓模式驅(qū)動(dòng)器包括一 連接于一供應(yīng)電壓VDDIO與一焊墊PAD之間的上拉網(wǎng)絡(luò)ZO—h以及一耦接于
該焊墊PAD與一接地端GND之間的下拉網(wǎng)絡(luò)ZO—1，該上拉網(wǎng)絡(luò)ZO_h包括多 個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，每一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管有一連 接至該供應(yīng)電壓VDDIO的源極與一連接至該焊墊PAD的漏極，該下拉網(wǎng)絡(luò) ZO—1包括多個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管有一連接至該接地端GND的源極與一連接至該焊墊PAD的漏極，P型與N 型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極為圖3A所示的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路所驅(qū)動(dòng)，于圖 3C中，該電流模式驅(qū)動(dòng)器包括一對(duì)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其具有共 同連接的源極、通過(guò)負(fù)載組件R耦接至一供應(yīng)電壓VDDIO的漏極以及為圖3A 所示的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路所驅(qū)動(dòng)的柵極，該電流模式驅(qū)動(dòng)器還包括一耦接于所述 源極與一接地端之間的電流源。
圖4所示為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器的詳細(xì) 方塊圖，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路310包括多個(gè)上拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400與下拉前級(jí)驅(qū) 動(dòng)單元400'，每一上拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400有一數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401以及一數(shù)據(jù) 輸出節(jié)點(diǎn)403，并接收一輸入數(shù)據(jù)信號(hào)DATA,此外，每一上拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元 400包括一緩沖器405與多個(gè)三態(tài)緩沖器407，其皆耦接于該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401 與該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)403之間，每一三態(tài)緩沖器407可由上拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào) PSLEW〈0，m〉(亦即SLEW0、 SLEW1、…SLEWm)之一選擇性地關(guān)閉，每一下拉前級(jí) 驅(qū)動(dòng)單元400'與上拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400有相同的組件，且差異僅在于下拉前 級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400'是接收下拉旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)NSLEW〈0， m〉而非上拉旋轉(zhuǎn)率控 制信號(hào)PSLEW〈0，m〉，每一上拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400與下拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400， 提供一輸出信號(hào)DATAb，該驅(qū)動(dòng)電路320包括多個(gè)反相器410，每一反相器410 包括一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN 串聯(lián)于一供應(yīng)電壓VDDIO與一接地端GND之間，所述P型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管TP的每一柵極耦接至一對(duì)應(yīng)的上拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400的數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn) 403，且所述N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN的每一柵極耦接至一對(duì)應(yīng)的下 拉前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元400'的數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)，所述P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管
TP與所述N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN的漏極共同耦接至該焊墊330。
圖5A所示為圖4的前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的電路圖，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元包括一耦接 于供應(yīng)電壓VDDIO與該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)403之間的上拉網(wǎng)絡(luò)NUP以及耦接于該 數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)403與一接地端之間的下拉網(wǎng)絡(luò)NDN，上拉網(wǎng)絡(luò)NUP包括P型金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mpb、 MpO、 Mpl、…以及Mpm，每一 P型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管都有一連接至該供應(yīng)電壓VDDIO的源極以及一連接至該數(shù)據(jù)輸出 節(jié)點(diǎn)403的漏極，下拉網(wǎng)絡(luò)NDN包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mnb、 MnO、 Mnl、…以及Mnm，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管都有一連接至該接地端 GND的源極以及一連接至該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)403的漏極，P型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管Mpb與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mnb的柵極連接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié) 點(diǎn)401 ， P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MpO與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MnO 的柵極分別通過(guò)旋轉(zhuǎn)率控制器SCpO與SCnO耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401， P型 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mpl與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mnl的柵極分 別通過(guò)旋轉(zhuǎn)率控制器SCpl與SCnl耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401，并以此類推， 上拉網(wǎng)絡(luò)NUP的每一旋轉(zhuǎn)率控制器SCpO、 SCpl、…與SCpm包括一耦接于一對(duì) 應(yīng)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MpO、 Mpl、…Mpm)之柵極與一電源之間 的第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1以及耦接于該輸入節(jié)點(diǎn)401與該第 一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1的漏極之間的第二 P型金屬氧化物半導(dǎo) 體晶體管TP2，每一該第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1與第二 P型金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管TP2分別為互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEW0b、 SLEWlb、…、 SLEWmb)與旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEWO、 SLEW1、…、SLEWm)所控制，相似地，該 下拉網(wǎng)絡(luò)NDN的每一旋轉(zhuǎn)率控制器SCnO、 SCnl、…與SCnm包括一耦接于一對(duì) 應(yīng)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MnO、 Mnl、…Mnm)的柵極與一接地端GND 之間的第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN1以及耦接于該輸入節(jié)點(diǎn)401與 該第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN1的漏極之間的第二 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管TN2，每一該第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN1與第二 N型
金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN2分別為旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEWO、SLEWl、…、SLEWm) 與互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEWOb、 SLEWlb、…、SLEWmb)所控制，圖5B所示為 產(chǎn)生互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0，m〉的信號(hào)產(chǎn)生器的示意圖，更明確地說(shuō)， 該信號(hào)產(chǎn)生器為一反相器410，該反相器410接收該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào) SLEW〈0， m〉，并產(chǎn)生互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0， m>。
圖5C所示為圖5A的前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的輸出波形的示意圖，當(dāng)旋轉(zhuǎn)率控制 信號(hào)SLEW〈0，m〉全被設(shè)為0，亦即〈0，0'…，0〉共m+l個(gè)位時(shí)，所有的旋轉(zhuǎn)率 控制器皆關(guān)閉，所有的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mpb、 MpO、 Mpl、…與 Mpm以及N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mnb、 MnO、 Mnl、…與Mnm為一對(duì)該數(shù) 據(jù)輸入信號(hào)DATA反應(yīng)的反相器，此設(shè)定會(huì)產(chǎn)生最高的旋轉(zhuǎn)率，因?yàn)樗械腜 型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管被用來(lái)拉往供應(yīng)電壓VDDIO，而所有的N型金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管被用來(lái)拉往該接地端GND，相反地，當(dāng)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào) SLEW〈0，m〉全被設(shè)為1，亦即〈1，1，…，1〉共m+l個(gè)位時(shí)，所有的旋轉(zhuǎn)率控制 器皆開(kāi)啟，只有P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mpb與N型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管Mnb分別被用來(lái)拉往供應(yīng)電壓VDDIO與接地端GND，此外關(guān)閉的P型金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MpO、 Mpl、…與Mpm以及N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管MnO、 Mnl、…與Mnm可被用來(lái)當(dāng)作額外的負(fù)載，而旋轉(zhuǎn)率也就因此降低。
圖6所示為圖4的前級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的另一電路圖，其包括一反相器610與 多個(gè)三態(tài)緩沖器620，其皆耦接于該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401與該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)403 之間，該反相器包括串聯(lián)于一供應(yīng)電壓VDDIO與接地端之間的P型金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管611與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管613， P型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管611與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管613的柵極與漏極分別連接 至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401與該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)403，每一三態(tài)緩沖器620包括一具 有上拉晶體管621與下拉晶體管623的反相器、 一與非門(mén)625以及一或非門(mén) 627，上拉晶體管621與下拉晶體管623的漏極連接至該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)403， 該與非門(mén)625有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401的第一輸入端631、 一第二輸入
端633以及一耦接至該上拉晶體管621的柵極的輸出端635，該或非門(mén)627有 一耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401的第一輸入端641、 一第二輸入端643以及一耦 接至該下拉晶體管623的柵極的輸出端645，該或非門(mén)627的該第二輸入端 643接收旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEW〈0， m〉之一，且一反相器耦接于該或非門(mén)627與 該與非門(mén)625的所述第二輸入端之間。
圖7A與圖7B分別為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的或非門(mén)的 示意圖與電路圖，該有可控制旋轉(zhuǎn)率的或非門(mén)包括一上拉網(wǎng)絡(luò)710以及一下 拉網(wǎng)絡(luò)760，該上拉網(wǎng)絡(luò)710包括串聯(lián)于一供應(yīng)電壓VDDIO與一輸出節(jié)點(diǎn)Z之 間的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群組720與P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 740，該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群組720包括一第一 P型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管721以及一第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管731，該第一 P型金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管721有一耦接至一數(shù)據(jù)輸入端A的柵極723、 一耦接至 該供應(yīng)電壓VDDIO的源極725以及一漏極727，該第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管731有一通過(guò)一第一旋轉(zhuǎn)率控制器SC1耦接至該數(shù)據(jù)輸入端A的柵極 733以及分別耦接至該第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管721的源極725與漏 極727的源極735與漏極737，每一第一旋轉(zhuǎn)率控制器SCI包括一耦接于該第 二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管731的柵極與一第一電源VDDIO之間的P型 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1以及耦接于該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401與該第一 P型 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1的漏極之間的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 TP2，每一該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1與P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管TP2分別為互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEWOb、 SLEWlb、…、SLEWmb)與旋轉(zhuǎn)率 控制信號(hào)(SLEWO、 SLEW1、…、SLEWm)所控制，相似地，該下拉網(wǎng)絡(luò)760包括 并聯(lián)于一接地端GND與一輸出節(jié)點(diǎn)Z之間的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群 組770與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管790，該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 群組770包括一第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管771以及一第二 N型金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管781，該第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管771有一耦接
至一數(shù)據(jù)輸入端A的柵極773、 一耦接至該接地端GND的源極775以及一漏極 777，該第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管781有一通過(guò)一第二旋轉(zhuǎn)率控制器 SC2耦接至該數(shù)據(jù)輸入端A的柵極783以及分別耦接至該第一 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管771的源極775與漏極777的源極785與漏極787，每一旋轉(zhuǎn)率 控制器SC2包括一耦接于該第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管783的柵極與 一接地端GND之間的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN1以及耦接于該輸入節(jié) 點(diǎn)401與該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TNI的漏極之間的N型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管TN2，每一該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TNI與N型金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管TN2分別為旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEW0、 SLEW1、…、SLEWm)與互 補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEWOb、 SLEWlb、…、SLEWmb)所控制，圖7C所示為產(chǎn)生 互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0，m〉的信號(hào)產(chǎn)生器的示意圖，更明確地說(shuō)，該信 號(hào)產(chǎn)生器為一反相器750，該反相器750接收該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEW〈0， m>， 并產(chǎn)生互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0， m>。
圖8A與圖8B分別為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有可控制旋轉(zhuǎn)率的與非門(mén)的 示意圖與電路圖，該有可控制旋轉(zhuǎn)率的與非門(mén)包括一上拉網(wǎng)絡(luò)810以及一下 拉網(wǎng)絡(luò)860，該上拉網(wǎng)絡(luò)810包括并聯(lián)于一供應(yīng)電壓VDDIO與一輸出節(jié)點(diǎn)Z之 間的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群組820與P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 840，該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群組820包括一第一 P型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管821以及一第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管831，該第一 P型金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管821有一耦接至一數(shù)據(jù)輸入端A的柵極823、 一耦接至 該供應(yīng)電壓VDDIO的源極825以及一漏極827，該第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管831有一通過(guò)一第一旋轉(zhuǎn)率控制器SC1耦接至該數(shù)據(jù)輸入端A的柵極 833以及分別耦接至該第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管821的源極825與漏 極827的源極835與漏極837，每一第一旋轉(zhuǎn)率控制器SCI包括一耦接于該第 二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管831的柵極與一第一電源VDDIO之間的P型 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1以及耦接于該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)401與該第一 P型
金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1的漏極之間的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管
TP2，每一該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TP1與P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管TP2分別為互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEWOb、 SLEWlb、…、SLEWmb)與旋轉(zhuǎn)率 控制信號(hào)(SLEWO、 SLEW1、…、SLEWm)所控制，相似地，該下拉網(wǎng)絡(luò)860包括 串聯(lián)于一接地端GND與一輸出節(jié)點(diǎn)Z之間的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管群 組870與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管890，該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 群組870包括一第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管871以及一第二 N型金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管881，該第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管871有一耦接 至一數(shù)據(jù)輸入端A的柵極873、 一耦接至該接地端GND的源極875以及一漏極 877，該第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管881有一通過(guò)一第二旋轉(zhuǎn)率控制器 SC2耦接至該數(shù)據(jù)輸入端A的柵極883以及分別耦接至該第一 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管871的源極875與漏極877的源極885與漏極887，每一旋轉(zhuǎn)率 控制器SC2包括一耦接于該第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管883的柵極與 一接地端GND之間的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN1以及耦接于該輸入節(jié) 點(diǎn)401與該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TN1的漏極之間的N型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管TN2，每一該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管TNI與N型金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管TN2分別為旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEW0、 SLEW1、…、SLEWm)與互 補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)(SLEWOb、 SLEWlb、…、SLEWmb)所控制，圖8C所示為產(chǎn)生 互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0，m〉的信號(hào)產(chǎn)生器的示意圖，更明確地說(shuō)，該信 號(hào)產(chǎn)生器為一反相器850，該反相器850接收該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEW<0， m〉， 并產(chǎn)生互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)SLEWb〈0， m>。
權(quán)利要求
1.一種有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，該輸出緩沖器包括一前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路有一數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)與一數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括一耦接于該數(shù)據(jù)輸入與輸出節(jié)點(diǎn)之間的緩沖器以及一耦接于該數(shù)據(jù)輸入與輸出節(jié)點(diǎn)之間并受一旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)控制的三態(tài)緩沖器；以及一驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路耦接至該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)，該驅(qū)動(dòng)電路被該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的一輸出信號(hào)所驅(qū)動(dòng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該驅(qū)動(dòng)電路 為一電壓模式驅(qū)動(dòng)器。
3. 如權(quán)利要求1所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該驅(qū)動(dòng)電路 為一電流模式驅(qū)動(dòng)器。
4. 如權(quán)利要求1所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該三態(tài)緩沖 器包括一可被該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)關(guān)閉的反相器。
5. 如權(quán)利要求4所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該三態(tài)緩沖器更包括一耦接于該反相器與一電源之間的第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、 一耦接于該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)與該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極之間的第 二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該第一與第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的 柵極分別為該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)與一互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)所控制。
6. 如權(quán)利要求1所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該三態(tài)緩沖 器包括一通過(guò)一組合邏輯電路可被該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)關(guān)閉的反相器。
7. 如權(quán)利要求6所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該組合邏輯 電路包括一與非門(mén)以及一或非門(mén)，該與非門(mén)有一耦接至該輸入節(jié)點(diǎn)的第一輸 入端、 一第二輸入端以及一耦接至該反相器的一上拉網(wǎng)絡(luò)的一輸入端的輸出 端，該或非門(mén)有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)的第一輸入端， 一第二輸入端以及 耦接至該反相器的下拉網(wǎng)絡(luò)的一輸入端的輸出端，其中該或非門(mén)與與非門(mén)的 所述第二輸入端分別接收該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)與互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)。
8. —種有可控制旋轉(zhuǎn)率的電路，該電路包括一上拉網(wǎng)絡(luò)，包括一第一 p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，有一耦接至一數(shù)據(jù)輸入端的柵極、一源極以及一漏極；以及一第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，有一通過(guò)一第一旋轉(zhuǎn)率控制器耦 接至該數(shù)據(jù)輸入端的柵極以及分別耦接至該第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管的源極與漏極的源極與漏極；一下拉網(wǎng)絡(luò)，包括一第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入端的柵極、 一源極以及一漏極；以及一第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，有一通過(guò)一第二旋轉(zhuǎn)率控制器耦 接至該數(shù)據(jù)輸入端的柵極以及分別耦接至該第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管的源極與漏極的源極與漏極；其中，該第二 P型與N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管分別可夠過(guò)該第一與 第二旋轉(zhuǎn)率控制器依據(jù)一旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)將其選擇性地關(guān)閉。
9. 如權(quán)利要求8所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的電路，其中該第一旋轉(zhuǎn)率控制 器包括一第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管與一第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管， 該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管耦接于該第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 的柵極與一第一電源之間，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管耦接于該數(shù)據(jù)輸 入節(jié)點(diǎn)與該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極之間，其中該第一與第二金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極分別為該互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)與旋轉(zhuǎn)率控制信 號(hào)所控制。
10. 如權(quán)利要求9所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的電路，其中該第二旋轉(zhuǎn)率控 制器包括一第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管與第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管， 該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管耦接于該第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 的柵極與該第一電源之間，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管耦接于該數(shù)據(jù)輸 入節(jié)點(diǎn)與該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極之間，其中該第三與第四金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極分別為該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)與互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信 號(hào)所控制。
11. 如權(quán)利要求9所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的電路，其中該有可控制旋轉(zhuǎn)率的電路為一與非門(mén)。
12. 如權(quán)利要求9所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的電路，其中該有可控制旋轉(zhuǎn) 率的電路為一或非門(mén)。
13. —電子系統(tǒng)包括如權(quán)利要求8所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的電路。
14. 一種有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，該輸出緩沖器包括 一前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路有一數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)與一數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)并聯(lián)的反相器，每一反相器有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入 節(jié)點(diǎn)的輸入端以及一耦接至該數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)的輸出端，其中至少一反相器可 通過(guò)一旋轉(zhuǎn)率重器以一旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)將其選擇性地關(guān)閉；以及一驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路耦接至該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)電路， 該驅(qū)動(dòng)電路被該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的一輸出信號(hào)所驅(qū)動(dòng)。
15. 如權(quán)利要求14所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該驅(qū)動(dòng)電 路為一電壓模式驅(qū)動(dòng)器。
16. 如權(quán)利要求14所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該驅(qū)動(dòng)電路為一電流模式驅(qū)動(dòng)器。
17. 如權(quán)利要求14所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該旋轉(zhuǎn)率 控制器包括一第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管與一第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管耦接于其內(nèi)的一反相器之一輸入與一電 源之間，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管耦接于該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)與該第一金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極之間，其中該第一與第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管的柵極分別為該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)與互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)所控制。
18. 如權(quán)利要求14所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該旋轉(zhuǎn)率 控制器包括一組合邏輯電路。
19. 如權(quán)利要求18所述的有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，其中該組合邏 輯電路包括一與非門(mén)以及一或非門(mén)，該該與非門(mén)有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn) 的第一輸入端、 一第二輸入端以及一耦接至該反相器的一上拉網(wǎng)絡(luò)的一輸入 端的輸出端，該或非門(mén)有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)的第一輸入端， 一第二輸 入端以及耦接至該反相器的下拉網(wǎng)絡(luò)的一輸入端的輸出端，其中該或非門(mén)與 與非門(mén)的所述第二輸入端分別接收該旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)與互補(bǔ)旋轉(zhuǎn)率控制信 號(hào)。
20. —電子系統(tǒng)包括如權(quán)利要求14所述的可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器。
全文摘要
本發(fā)明提供一有可控制旋轉(zhuǎn)率的輸出緩沖器，該旋轉(zhuǎn)率控制的輸出緩沖器包括一有一數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)與一數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路以及一耦接至該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)電路，該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)并聯(lián)的反相器，每一反相器有一耦接至該數(shù)據(jù)輸入節(jié)點(diǎn)的輸入端以及一耦接至該輸出節(jié)點(diǎn)的輸出端，其中至少一反相器可通過(guò)一旋轉(zhuǎn)率重器以一旋轉(zhuǎn)率控制信號(hào)將其選擇性地關(guān)閉，該驅(qū)動(dòng)電路被該前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的一輸出信號(hào)所驅(qū)動(dòng)。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK101174829SQ20071016804
公開(kāi)日2008年5月7日 申請(qǐng)日期2007年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月3日
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