專利名稱：D類功放噪聲抑制方法和裝置及抑制噪聲的d類功放的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及D類功放噪聲抑制方法和裝置，特別是涉及一種針對D 類功放的"POP"或者"CLICK"噪聲抑制方法和裝置，以及抑制噪聲的 D類功放。
背景技術(shù)：
D類放大器由于輸出級開關(guān)管工作在開關(guān)模式，減小了功率消耗，因 此與線性放大器，諸如A/B類放大器比較，D類音頻放大器的效率更高。 當前許多D類音頻放大器具有瞬態(tài)"POP"或者"CLICK"噪聲的問題， "POP"或者"CLICK"噪聲是指音頻器件在上電、斷電瞬間以及上電穩(wěn) 定后，各種操作帶來的瞬態(tài)沖擊所產(chǎn)生的爆破聲。這種噪聲往往是由對隔 直電容的充/放電直接造成的。如圖1所示， 一個音頻信號通過電容Q和 電阻R!連接到比較器CMP的反相輸入端。其中d是輸入隔直電容。CMP 的同相輸入端連接到電壓VDD/2，其中VDD是功率級的電源電壓。CMP 的兩個輸入端由積分電容CwT連接在一起。CMP的輸出信號通過控制及 門驅(qū)動電路驅(qū)動輸出級開關(guān)Qt和Q2。 的開關(guān)信號與CMP的輸出信號 保持同相，Q2的開關(guān)信號與Q,互補，同時在Qi和Q2導(dǎo)通狀態(tài)之間存在
一定的死區(qū)時間。Css是自舉電容，C(XJT是輸出隔直電容。在放大器電路
啟動時對這些電容的充電，以及在放大器關(guān)斷時對這些電容的放電決定了 電路所產(chǎn)生的開關(guān)機"POP"或者"CLICK"噪聲。
在開始正常工作之前，放大器系統(tǒng)必須先對隔直電容和自舉電容預(yù)充 電。圖2A和圖2B示出在這個時間里，可以從輸出連接的揚聲器上聽見 兩個開機"POP"或者"CLICK"噪聲，其中一個是由對隔直電容預(yù)充電 造成，另一個是由停止對隔直電容預(yù)充電以及對自舉電容預(yù)充電造成的。
對單端D類功率放大系統(tǒng)而言，必須對隔直電容d和CouT預(yù)充電至 電源電壓的一半，然后才能開始正常工作。這是為了保證輸出信號在正負 兩個方向都可以有較大的擺動而不至于被削頂。對輸入隔直電容的充電會
4引起比較器反相輸入端產(chǎn)生不必要的電壓波動。對輸出隔直電容的充電， 此充電電流必然流過負載揚聲器。當功率放大器使能時，此充電電流開始 給輸入輸出隔直電容充電，當隔直電容預(yù)充完成后此充電電流立刻關(guān)斷。 由于此階躍直流充電電流在開通和關(guān)斷時都包含一定的低頻分量，這些低
頻分量不能被低通濾波器濾除，流經(jīng)揚聲器就會產(chǎn)生噪聲，如圖2A所示， 在to時刻，放大器被上電使能，輸出和輸入隔直電容開始被預(yù)充電，此充 電電流會流經(jīng)輸出揚聲器引起啟動噪聲，直到h時刻放大器判斷輸出和輸 入隔直電容充電完全，放大器停止輸出此電流。同時，在啟動階段，自舉 電容在開關(guān)電路下管導(dǎo)通時被充電，這也會導(dǎo)致輸出端產(chǎn)生噪聲，波形如 圖2B所示。
當放大器停止工作時，會產(chǎn)生一個關(guān)斷"POP"或者"CLICK"噪聲。 但由于放電的速度與充電的速度相比較慢，因此噪聲也相對較不明顯。
一些現(xiàn)有的功率放大器采用專門的管腳來實現(xiàn)電容的充/放電，消除這種 充/放電對輸出信號的影響，或者使用斜坡電流代替階躍電流對電容充電。圖 3示出飛利浦公司生產(chǎn)的型號為TDA8931的D類功率放大器，該放大器使 用其他管腳(管腳HVP和管腳HVPI)對輸入電容和輸出電容進行預(yù)充電。 當該功率放大器處于待機狀態(tài)時，管腳HVPI用0.5秒對輸入端外部參考電 壓電容Q進行充電至電源電壓的一半。同時單端輸出隔直電容C15也會被管 腳HVP充電至電源電壓的一半。當ds的容值為1000uF時，對其的充電時 間也是0.5秒。當管腳HVP上的電壓達到0.5Vp時，它就將EN管腳釋放供 外部使用，該運算放大器才能被外部使能信號使能從而開始工作。當器件處 于工作狀態(tài)時，HVP管腳轉(zhuǎn)為懸空狀態(tài)與內(nèi)部充電電路脫開以減小功率耗 散。當電源電壓下降時，輸出隔直電容C15放電，運算放大器就會停止開關(guān) 工作以避免隨電源電壓下降而下降的開關(guān)頻率所引起的關(guān)斷"POP"或者 "CLICK"噪聲。這種方法增加了芯片管腳數(shù)目，并且對于不同的電路或者 芯片需要修改芯片管腳，致使其應(yīng)用具有一定的局限性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種D類功放的噪聲抑制方法和裝翼及抑制噪 音的D類功放，其可有效的抑制電容充放電產(chǎn)生的"POP"或者"CLICK"噪聲，同時無須增加或者修改芯片管腳。
為了達到上述目的，本發(fā)明為一種D類功放噪聲抑制方法，包括步驟 Sl，接收外部使能信號；步驟S2，在所述外部使能信號的狀態(tài)發(fā)生改變時， 根據(jù)所述外部使能信號產(chǎn)生所述D類功放的使能信號，同時根據(jù)所述外部使 能信號產(chǎn)生靜音信號用于控制所述D類功放的負載。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的噪聲抑制方法，在步驟S2中，將處于上升 沿的所述外部使能信號直接作為所述D類功放的使能信號，同時將處于上升 沿的所述外部使能信號進行延時并反相作為所述靜音信號；或?qū)⑻幱谙陆笛?的所述外部使能信號進行延時作為所述D類功放的使能信號，同時將處于下 降沿的所述外部使能信號反相作為所述靜音信號。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的噪聲抑制方法，根據(jù)所述靜音信號，將所述 D類功放的負載短接達到使其靜音的作用。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的噪聲抑制方法，所述的延時長度為大于或等 于所述D類功放的耦合電容充電或放電的時間。
為了達到上述目的，本發(fā)明另為一種D類功放噪聲抑制裝置，包括使能 信號產(chǎn)生模塊，靜音信號產(chǎn)生模塊以及負載控制模塊，其中所述使能信號產(chǎn) 生模塊以及所述靜音信號產(chǎn)生模塊同時接收外部使能信號，在所述外部使能 信號的狀態(tài)發(fā)生改變時，所述使能信號產(chǎn)生模塊通過所述外部使能信號產(chǎn)生 所述D類功放的使能信號，同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊通過所述外部使能信 號產(chǎn)生靜音信號，所述負載控制模塊根據(jù)所述靜音信號控制所述D類功放的 負載。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的噪聲抑制裝置，所述使能信號產(chǎn)生模塊將處 于上升沿的所述外部使能信號直接作為所述D類功放的使能信號，同時所述 靜音信號產(chǎn)生模塊將處于上升沿的所述外部使能信號進行延時并反相作為所 述靜音信號；或所述使能信號產(chǎn)生模塊將處于下降沿的所述外部使能信號進 行延時作為所述D類功放的使能信號，同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊將處于下 降沿的所述外部使能信號反相作為所述靜音信號。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的噪聲抑制裝置，所述第一和第二延時電路的 延時長度大于或等于耦合電容充電或時間。 、
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的噪聲抑制裝置，所述靜音信號產(chǎn)生模塊包括
6串聯(lián)的第一延時電路和反相電路,所述使能信號產(chǎn)生模塊包括第二延時電路， 所述負載控制模塊包括短接電路。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的噪聲抑制裝置，所述短接電路包括兩個
MOSFET，所述兩個MOSFET的柵極與所述反相器的輸出端連接，所述兩個 MOSFET的漏極串聯(lián)，所述兩個MOSFET的源極分別與所述負載的兩端連接。
為了達到上述目的，本發(fā)明還為一種抑制噪聲的D類功放，包括輸入部 分，功放部分，輸出部分，負載部分，并且進一步包括如本發(fā)明優(yōu)選實施例 所述的D類功放噪聲抑制裝置，其中所述輸入部分向所述使能信號產(chǎn)生模塊 和所述靜音信號產(chǎn)生模塊發(fā)送外部使能信號，所述負載控制模塊根據(jù)所述靜 音信號控制所述負載部分。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的D類功放，所述使能信號產(chǎn)生模塊將處于上 升沿的所述外部使能信號直接作為所述D類功放的使能信號，同時所述靜音 信號產(chǎn)生模塊將處于上升沿的所述外部使能信號進行延時并反相作為所述靜 音信號；或所述使能信號產(chǎn)生模塊將處于下降沿的所述外部使能信號進行延 時作為所述D類功放的使能信號，同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊將處于下降沿 的所述外部使能信號反相作為所述靜音信號。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的D類功放，所述短接電路包括兩個 MOSFET，所述兩個MOSFET的柵極與所述反相器的輸出端連接，所述兩個 MOSFET的漏極串聯(lián)，所述兩個MOSFET的源極分別與所述負載部分的兩 端連接。
如本發(fā)明優(yōu)選實施例所述的D類功放，其特征在于，所述第一延時電路 的延遲時間大于或等于耦合電容充電時間，所述第二延時電路的延遲時間大 于或等于耦合電容放電時間。
本發(fā)明能夠有效的抑制電容充放電產(chǎn)生的"POP"或者"CLICK"噪 聲，同時無須增加或者修改芯片管腳。


圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中單端D類音頻放大電路。 「 圖2A示出圖1電路中由于對耦合電容預(yù)充電而產(chǎn)生的第一個啟動"POP"或者"CLICK"噪聲的波形。
圖2B示出圖l電路中由于對耦合電容預(yù)充電而產(chǎn)生的第二個啟動"POP" 或者"CLICK"噪聲的波形。
圖3示出現(xiàn)有技術(shù)的具有"POP"或者"CLICK"噪聲抑制功能的D類 功率放大器系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)。
圖4A示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的"POP"或者"CLICK"噪
聲抑制電路模塊圖。
圖4B示出根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例的"POP"或者"CLICK"噪 聲抑制電路模塊圖。
圖5示出圖4的"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路電路圖。
圖6示出圖4的具有"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路的D類音頻 放大系統(tǒng)的信號時序。
圖7示出本發(fā)明的一種將"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路應(yīng)用于 一D類放大器系統(tǒng)的電路。
圖8A和圖8B示出圖7的具有"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路的 D類音頻放大系統(tǒng)的啟動波形。
圖9A和圖9B示出圖7的具有"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路的 D類音頻放大系統(tǒng)的關(guān)斷波形。
具體實施例方式
"POP"或者"CLICK"噪聲是由單端D類功率放大器的輸入級和輸出 級的直流基準電壓造成的。為了把這種"POP"或者"CLICK"噪聲減到最 小，需要采用特殊的控制方法、時序或外部"POP"或者"CLICK"噪聲抑
制電路來實現(xiàn)。
當PWM (Pulse Width Modulation,脈沖寬度調(diào)制)啟動或者停止時都可 能造成噪聲。在PWM的啟動階段，輸出信號的頻域不同于正常運行狀態(tài)。 頻率范圍在開關(guān)頻率及其鏡像頻率附近有延伸，其中一些頻率范圍的信號低 于濾波器的截止頻率而不能被低通濾波器濾去，因此產(chǎn)生了可被人耳聽見的 "POP"或者"CLICK"噪聲。根據(jù)本發(fā)明，解決這個問題的最好辦法就是 在D類放大器進入正常工作狀態(tài)之前先將揚聲器完全靜音一段時間。在這段時間內(nèi)使D類放大器完成其正常工作前的啟動準備工作(對其耦合電容的充 電過程，啟動PWM等)。理想的啟動/關(guān)斷波形如圖6所示。本發(fā)明采用的 方法是在放大器的PWM開始工作和結(jié)束工作時，"POP"或者"CLICK"噪 聲抑制電路迅速將放大器的輸出端接地，使負載(如揚聲器)靜音；而當放 大器進入正常工作狀態(tài)時再把放大器輸出端釋放，使負載(如揚聲器)正常 輸出音頻信號。無論放大器采用什么樣的控制方法和啟動時序，都可以用這 種方式來抑制"POP"或者"CLICK"噪聲。同時，為了達到最好的啟動和 關(guān)斷表現(xiàn)，D類放大器系統(tǒng)應(yīng)該在使能前開始上電，在停止工作后再掉電。 本發(fā)明的基本原理在于提供一種D類功放噪聲抑制方法，包括步驟Sl， 接收外部使能信號；步驟S2，在所述外部使能信號的狀態(tài)發(fā)生改變時，根據(jù) 所述外部使能信號產(chǎn)生所述D類功放的使能信號，同時根據(jù)所述外部使能信 號產(chǎn)生靜音信號用于控制所述D類功放的負載靜音。根據(jù)該噪聲抑制方法， 本發(fā)明還提供一種D類功放噪聲抑制裝置，包括使能信號產(chǎn)生模塊，靜音信 號產(chǎn)生模塊以及負載控制模塊，其中所述使能信號產(chǎn)生模塊以及所述靜音信 號產(chǎn)生模塊同時接收外部使能信號，在所述外部使能信號的狀態(tài)發(fā)生改變時， 所述使能信號產(chǎn)生模塊通過所述外部使能信號產(chǎn)生所述D類功放的使能信 號，同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊通過所述外部使能信號產(chǎn)生靜音信號，所述 負載控制信號根據(jù)所述靜音信號控制所述D類功放的負載靜音。基于本發(fā)明 的該噪聲抑制裝置，本發(fā)明還提供一種具有噪聲抑制功能的D類功放，包括 輸入部分，功放部分，輸出部分，負載部分，并且進一步包括上述的D類功 放噪聲抑制裝置，其中所述輸入部分向所述使能信號產(chǎn)生模塊和所述靜音信 號產(chǎn)生模塊發(fā)送外部使能信號，所述負載控制模塊根據(jù)所述靜音信號控制所 述負載部分。
圖4A和圖4B是"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路的實施方式的模 塊圖。如圖4A所示，原先用于使能D類放大器的外部使能信號"EXT—EN" 被作為"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路的輸入信號而輸入"POP"或 者"CLICK"噪聲抑制電路，這個信號被送到兩個延時電路，其中第一延時 電路將外部使能信號"EXT_EN"的上升沿延遲一個預(yù)設(shè)的時間段，第二延 時電路將外部使能信號"EXT一EN"的下降沿延遲一個預(yù)設(shè)的時向段，輸出 使能信號"EN"信號。第一延時電路的輸出信號輸入反相器01后被翻轉(zhuǎn)180°，輸出靜音信號"mute"。外部使能信號"ext—en"，靜音信號"mute"和 使能信號"en"信號的時序如圖6所示。如圖4b所示也可以先被反相器反 相，所得反相信號再被延時電路進行預(yù)先設(shè)定時間的延遲。最終得到的理想 信號時序均如圖6所示。
圖5是圖4a的"pop"或者"click"噪聲抑制電路的具體結(jié)構(gòu)圖。 該電路的主要目的是在耦合電容充電或放電完成之前使靜音信號"mute" 有效，從而使這段時間內(nèi)沒有電流流經(jīng)揚聲器。設(shè)計參數(shù)會由于d類放大器 的不同而具有差異，但須保證第一延時電路的延遲時間大于電容充電時間， 且第二延時電路的延遲時間大于電容放電時間。
如圖5所示，二極管Ds、 二極管D7、電阻R26以及電容C30構(gòu)成第一延 時電路，實現(xiàn)上升沿延遲，其中電阻R26的阻值和電容C30的容值控制設(shè)定第
一延時電路的延遲時間；二極管D9、電阻R27以及電容CM構(gòu)成第二延時電
路，實現(xiàn)下降沿延遲，其中電阻&7的阻值和電容<:31的容值控制設(shè)定第二延
時電路的延遲時間。直流電源Vcc、三極管Qs、電阻11115以及電阻11116構(gòu)成 反相器。mos管Q6和mos管Q7漏極相連，源極輸出，門極共同連接于反 相器的輸出，構(gòu)成"pop"或者"click"噪聲抑制電路的輸出級。但是本 領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認識到，這里的開關(guān)器件不僅限于mos管，并且開關(guān) 管的數(shù)量可以不僅限于兩個，可以其他偶數(shù)個相連。外部使能信號"ext一en" 經(jīng)過第二延時電路被送至d類放大器的使能端。外部使能信號"ext一en" 經(jīng)過第一延時電路后被送到反相器，得到靜音信號"mute"。靜音信號 "mute"控制開關(guān)器件Q6和Q7的導(dǎo)通狀態(tài)。當靜音信號"mute"為高
電平時，開關(guān)器件Q6和Q7被同時導(dǎo)通，輸出端"out/'和"omy'，即d 類放大器的負載兩端被短接。當輸出端"oinv'和"out2"由于靜音信號
"mute"有效而被內(nèi)部接地時，d類放大器輸出的啟動"pop"或者"click" 噪聲被消除了。當所有耦合電容都充電完成后，靜音信號"mute"變?yōu)榈?br> 電平時，開關(guān)器件Q6和Q7被同時截止，而且由于開關(guān)器件Q6和Q7漏極相 連，分別源極輸出，使得開關(guān)器件Q6和Q7被同時截止時，其內(nèi)部寄生二極
管互為反相，保證輸出端"out,和"out2"，即d類放大器的負載兩端被 釋放，而使其負載開始正常輸出音頻信號。當外部使能信號"ext一en"由 高電平變?yōu)榈碗娖綍r，第二延時電路對外部使能信號"ext一en"進行預(yù)設(shè)
10時間延時，使得D類放大器延遲關(guān)斷。即當D類放大器的PWM結(jié)束前，D 類放大器的輸出端又被"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路內(nèi)部接地，因 此耦合電容的放電不會影響到負載，從而抑制了 D類放大器關(guān)機時的"POP" 或者"CLICK"噪聲。
圖7為將"POP"或者"CLICK"噪聲抑制電路應(yīng)用于一個D類音頻放 大器的電路。如圖7所示，由二極管D9、電阻Rr、電容C^組成的第二延 時電路連接在放大器的EN使能端，由開關(guān)管Q6、開關(guān)管Q7組成的"POP" 噪聲抑制電路的輸出級連接于放大器的負載兩端。而放大器的其他部分保持 原來的電氣連接不變。
圖8A和圖8B示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的具有"POP"或者"CLICK"噪 聲抑制電路在D類功率放大器應(yīng)用中外部使能信號由低變高，即系統(tǒng)啟動時 各個節(jié)點的波形。
如圖8A所示，在to時刻，外部輸入的使能信號Vext，由低変高。VEXT.EN 經(jīng)過二極管Ds、電阻&6、電容C30，實現(xiàn)一定的上升沿延時，再經(jīng)過由直流
電源Vcc、電阻11115、電阻Ru6、三極管Q5組成的反相器部分進行相位反相， 得到延遲的由高變低的靜音信號"MUTE"。同時，vext.孤經(jīng)過二極管D9、
電容C^得到V^信號送至放大器EN端，使放大器開始上電使能。在to至 tj寸間內(nèi)，放大器系統(tǒng)對輸入隔直電容d、輸出隔直電容CouT和自舉電容 CBs進行充電。此時因為靜音信號"MUTE"為高電平，放大器輸出負載被短 接靜音，因此由各電容充電造成的"POP"或者"CLICK"噪聲被消除了。 ti時刻，各電容充電完畢，放大器整個系統(tǒng)開始正常工作。而由圖8A可以看 到，此時靜音信號"MUTE"依舊為高電平，放大器的輸出負載依舊被短接 靜音。直至靜音信號"MUTE"由高變低后，"POP"噪聲抑制電路對放大器 輸出負載進行釋放，從而使負載能正常輸出音頻信號。放大器被"POP"噪 聲抑制電路釋放后的工作過程如下給比較器的正相輸入端Pjn提供一個等 于1/2Vcc的偏壓，輸入的音頻信號"AUDIOINPUT"經(jīng)由輸入隔直電容C1， 電阻R1接至比較器反相輸入端N:n。比較器的同相端PIN和反相端NIN之 間連接有積分電容qnt。比較器有內(nèi)部滯環(huán)。比較器在反相端NIN的電壓與 1/2 Vcc±dV進行比較而輸出PWM波，其中dV代表比較器，后電壓。比較 器的輸出PWM波經(jīng)過柵極驅(qū)動電路控制晶體管Qj卩Q2交rf導(dǎo)通，晶體管Qi的源極連接到節(jié)點SW，而晶體管Q2的源極接地。晶體管Ql的漏極連接 到電源Vcc，而晶體管Q2的漏極連接到節(jié)點SW。晶體管Qi和Q2起著開關(guān) 的作用，它們構(gòu)成D類功率放大器電路的輸出級的一部分，以便當在開關(guān)模 式下使用輸出級時，在節(jié)點SW產(chǎn)生方波輸出。節(jié)點SW處的波形Switch經(jīng)
LF和CF濾波之后恢復(fù)成被放大的音頻信號輸送到負載(如揚聲器)。同時 Switch信號通過電阻Rf向電容積分電容CjNT充/放電，從而得到控制信號。
而連接于比較器反相端NIN和輸出端的電容Cra起相位補償作用。
圖9A和圖9B示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的具有"POP"或者"CLICK"噪
聲抑制電路在D類功率放大器應(yīng)用中外部使能信號由高變低，即系統(tǒng)關(guān)斷時 各個節(jié)點的波形。
如圖9A所示，在t2時刻，外部輸入的使能信號VEXT-EW由高變低，對放
大器進行去使能。而由電阻R"和電容C^組成的"POP"噪聲抑制電路的第
二延時電路對VEXT.EW進行下降沿延時，使得真正施加到放大器系統(tǒng)的去使能 信號V麗延時作用。直至t3時刻，VEN足夠低使得放大器關(guān)斷，放大器系統(tǒng)
中的輸入隔直電容、輸出隔直電容、自舉電容開始放電，而此時靜音信號
"MUTE"已經(jīng)由低電平變?yōu)楦唠娖?，對放大器的輸出負載進行了短接靜音， 因此此時由放大器系統(tǒng)中各電容放大造成的"POP"或者"CLICK"噪聲被消除。
從圖8B和圖9B示出的具有"POP"或者"CLICK"噪聲抑制功能的電 路在D類功率放大器啟動和關(guān)斷時的示波器波形可以看出，當D類放大器的
PWM開始時(to至tj寸間內(nèi))或結(jié)束時(t2至t3時間內(nèi))，沒有任何電流流
經(jīng)揚聲器，因此聽不見"POP"或者"CLICK"噪聲。當外加的開關(guān)器件Q6 和Q7導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，會有很小的尖脈沖電流流經(jīng)揚聲器，波形如圖8B 和圖9B所示。這是由MOSFET的寄生電容和揚聲器的寄生電感等寄生參數(shù) 引起的。但由于這種噪聲比先前的啟動/關(guān)斷"POP"或者"CLICK"噪聲要 輕微得多，幾乎不會被聽見。
需要聲明的是，上述發(fā)明內(nèi)容及具體實施方式
意在證明本發(fā)明所提供技 術(shù)方案的實際應(yīng)用，不應(yīng)解釋為對本發(fā)明保護范圍的限定。本領(lǐng)*術(shù)人員 在本發(fā)明的精神和原理內(nèi)，當可作各種修改、等同替換、或改進。本發(fā)明的 保護范圍以所附權(quán)利要求書為準。
1權(quán)利要求
1、一種D類功放噪聲抑制方法，其特征在于，所述噪聲抑制方法包括步驟S1，接收外部使能信號；步驟S2，在所述外部使能信號的狀態(tài)發(fā)生改變時，根據(jù)所述外部使能信號產(chǎn)生所述D類功放的使能信號，同時根據(jù)所述外部使能信號產(chǎn)生靜音信號用于控制所述D類功放的負載。
2、 如權(quán)利要求1所述的噪聲抑制方法，其特征在于，在步驟S2中， 將處于上升沿的所述外部使能信號直接作為所述D類功放的使能信號，同時 將處于上升沿的所述外部使能信號進行延時并反相作為所述靜音信號；或?qū)?處于下降沿的所述外部使能信號進行延時作為所述D類功放的使能信號，同 時將處于下降沿的所述外部使能信號反相作為所述靜音信號。
3、 如權(quán)利要求2所述的噪聲抑制方法，其特征在于，根據(jù)所述靜音信 號，將所述D類功放的負載短接達到使其靜音的作用。
4、 如權(quán)利要求2所述的噪聲抑制方法，其特征在于，所述的延時長度 為大于或等于所述D類功放的耦合電容充電或放電的時間。
5、 一種D類功放噪聲抑制裝置，其特征在于，所述噪聲抑制裝置包 括使能信號產(chǎn)生模塊，靜音信號產(chǎn)生模塊以及負載控制模塊，其中所述使能 信號產(chǎn)生模塊以及所述靜音信號產(chǎn)生模塊同時接收外部使能信號，在所述外 部使能信號的狀態(tài)發(fā)生改變時，所述使能信號產(chǎn)生模塊通過所述外部使能信 號產(chǎn)生所述D類功放的使能信號，同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊通過所述外部 使能信號產(chǎn)生靜音信號，所述負載控制模塊根據(jù)所述靜音信號控制所述D類 功放的負載。
6、 如權(quán)利要求5所述的噪聲抑制裝置，其特征在于，所述使能信號產(chǎn) 生模塊將處于上升沿的所述外部使能信號直接作為所述D類功放的使能信 號，同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊將處于上升沿的所述外部使能信號進行延時 并反相作為所述靜音信號；或所述使能信號產(chǎn)生模塊將處于下降沿的所述外 部使能信號進行延時作為所述D類功放的使能信號，同時所述靜音信號產(chǎn)生 模塊將處于下降沿的所述外部使能信號反相作為所述靜音信號。
7、 如權(quán)利要求6所述的噪聲抑制裝置，其特征在于，所述第一和第二 延時電路的延時長度大于或等于耦合電容充電或時間。
8、 如權(quán)利要求6所述的噪聲抑制裝置，其特征在于，所述靜音信號產(chǎn)生模塊包括串聯(lián)的第一延時電路和反相電路，所述使能信號產(chǎn)生模塊包括第 二延時電路，所述負載控制模塊包括短接電路。
9、 如權(quán)利要求8所述的噪聲抑制裝置，其特征在于，所述短接電路包 括兩個MOSFET，所述兩個MOSFET的柵極與所述反相器的輸出端連接， 所述兩個MOSFET的漏極串聯(lián)，所述兩個MOSFET的源極分別與所述負載 的兩端連接。
10、 一種抑制噪聲的D類功放，包括輸入部分，功放部分，輸出部分， 負載部分，其特征在于，進一步包括如權(quán)利要求4所述的D類功放噪聲抑制 裝置，其中所述輸入部分向所述使能信號產(chǎn)生模塊和所述靜音信號產(chǎn)生模塊 發(fā)送外部使能信號，所述負載控制模塊根據(jù)所述靜音信號控制所述負載部分。
11、 如權(quán)利要求10所述的D類功放，其特征在于，所述使能信號產(chǎn)生 模塊將處于上升沿的所述外部使能信號直接作為所述D類功放的使能信號， 同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊將處于上升沿的所述外部使能信號進行延時并反 相作為所述靜音信號；或所述使能信號產(chǎn)生模塊將處于下降沿的所述外部使 能信號進行延時作為所述D類功放的使能信號，同時所述靜音信號產(chǎn)生模塊 將處于下降沿的所述外部使能信號反相作為所述靜音信號。
12、 如權(quán)利要求11所述的D類功放，其特征在于，所述短接電路包括 兩個MOSFET，所述兩個MOSFET的柵極與所述反相器的輸出端連接，所 述兩個MOSFET的漏極串聯(lián)，所述兩個MOSFET的源極分別與所述負載部 分的兩端連接。
13、 如權(quán)利要求10所述的D類功放，其特征在于，所述第一延時電路 的延遲時間大于或等于耦合電容充電時間，所述第二延時電路的延遲時間大 于或等于耦合電容放電時間。
全文摘要
本發(fā)明為一種D類功放的噪聲抑制方法，包括步驟S1，接收外部使能信號；步驟S2，在所述外部使能信號的狀態(tài)發(fā)生改變時，根據(jù)所述外部使能信號產(chǎn)生所述D類功放的使能信號，同時根據(jù)所述外部使能信號產(chǎn)生靜音信號用于控制所述D類功放的負載。本發(fā)明能夠有效的抑制電容充放電產(chǎn)生的“POP”或者“CLICK”噪聲，同時無須增加或者修改芯片管腳。
文檔編號H03F1/26GK101465619SQ200710199380
公開日2009年6月24日 申請日期2007年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月20日
發(fā)明者任遠程, 張軍明, 郎蕓萍 申請人:杭州茂力半導(dǎo)體技術(shù)有限公司