專(zhuān)利名稱(chēng)：放大器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種放大器電路。
背景技術(shù)：
圖9是示出一種數(shù)字功率放大器的配置例子的電路圖(見(jiàn)非專(zhuān)利文獻(xiàn) 1)。輸入信號(hào)端子IN經(jīng)由輸入阻抗匹配電路901與多個(gè)單元放大器 911、 912、…并聯(lián)連接。每個(gè)單元放大器911、 912、…具有晶體管902、 903以及輸出阻抗匹配電路904。 n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管902具有經(jīng)由輸入阻 抗匹配電路901連接到輸入信號(hào)端子IN的柵極，以及連接到參考電勢(shì)的 源極。n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管903具有連接到晶體管902的漏極的源極，以 及經(jīng)由輸出阻抗匹配電路904連接到輸出信號(hào)端子OUT的漏極。在第一 單元放大器911中，晶體管903的柵極連接到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1。在 第二單元放大器912中，晶體管903的柵極連接到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子 SW2。首先，第一單元放大器911的操作將被說(shuō)明。當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子 SW1被設(shè)為高電平時(shí)，晶體管903導(dǎo)通，并且晶體管902放大輸入到輸入 信號(hào)端子IN的輸入信號(hào)并且輸出放大的輸入信號(hào)到輸出信號(hào)端子OUT。 當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1被設(shè)為低電平時(shí)，晶體管903關(guān)斷并且晶體管 902不操作，因此沒(méi)有被放大的信號(hào)從輸出信號(hào)端子OUT輸出。下一步，第二單元放大器912的操作將被說(shuō)明。當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子 SW2被設(shè)為高電平時(shí)，晶體管903導(dǎo)通，并且晶體管902放大輸入到輸入 信號(hào)端子IN的輸入信號(hào)并且輸出放大的輸入信號(hào)到輸出信號(hào)端子OUT。 當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW2被設(shè)為低電平時(shí)，晶體管903關(guān)斷并且晶體管 902不操作，因此沒(méi)有被放大的信號(hào)從輸出信號(hào)端子OUT輸出。所述開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1和SW2的控制信號(hào)控制單元放大器的操作，由此，數(shù)字功率放大器的放大因數(shù)可被控制。附帶地，因?yàn)檩斎胄盘?hào)是高頻RF (射頻)信號(hào)，所以阻抗匹配電路901和904是必要的。為了控制輸出功率，數(shù)字功率放大器采用 一種根據(jù)在操作中的單元放 大器911、 912的數(shù)量，而不是根據(jù)輸入功率的方法。傳統(tǒng)的放大器存在 一種問(wèn)題，當(dāng)輸入信號(hào)弱時(shí)，用于保持放大器為操作狀態(tài)的DC (直流) 偏置功率的比率是高的，這導(dǎo)致了低功率效率。在數(shù)字功率放大器中，因 為所述控制根據(jù)操作中的單元放大器911、 912的數(shù)量而定，所以每個(gè)單 元放大器以飽和狀態(tài)操作，并且當(dāng)輸入信號(hào)為弱時(shí)，操作中的單元放大器 911、 912的數(shù)量被降低，從而降低了 DC偏置功率。也就是說(shuō)， 一種高效 的操作是可以完成的。[非專(zhuān)利文獻(xiàn)l] Jin-Han Yoon等人，"A 900 MHz CMOS RF Power Amplifier with Digitally Controllable Output Power" ， Proceedings of IEEE TENCON '02， 2002年，第1138-1141頁(yè)。圖9中的數(shù)字功率放大器具有兩個(gè)共源-共柵(cascode)連接的晶體 管902和903，因此要求高供電電壓用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)晶體管902和903，這 導(dǎo)致了 DC偏置功率的增加，其引起了功率效率降低的問(wèn)題。此外，因?yàn)?RF信號(hào)輸入到晶體管902，所以RF信號(hào)，盡管只是一丁點(diǎn)，泄漏到輸出 側(cè)。在數(shù)字功率放大器的分辨力增加的情形中，這泄漏功率具有一種相反 的效果。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種放大器電路，包括與輸入信號(hào)端子并聯(lián)連 接的多個(gè)單元放大器，其中每個(gè)單元放大器包括對(duì)從所述輸入信號(hào)端子 輸入的輸入信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)；具有經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)連接到所述輸入 信號(hào)端子的柵極并且放大所述輸入信號(hào)端子的輸入信號(hào)來(lái)輸出放大的輸入 信號(hào)的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管；與第一開(kāi)關(guān)并聯(lián)連接的并且在對(duì)第一開(kāi)關(guān)的切 換定時(shí)的互補(bǔ)定時(shí)對(duì)輸入信號(hào)端子的輸入信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的第二開(kāi)關(guān)；以及 經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)連接到輸入信號(hào)端子的電容器。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的放大器電路(數(shù)字功率放大器) 的配置例子的電路圖；圖2是示出圖1中輸出阻抗匹配電路的配置例子的電路圖；圖3是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子為高電平時(shí)沒(méi)有偽電容器(dummy capacitor)的放大器電路的史密斯圓圖；圖4是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子為低電平時(shí)沒(méi)有偽電容器的放大器電路的 史密斯圓圖；圖5是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子為高電平時(shí)圖1中具有偽電容器的放大器 電路的史密斯圓圖；圖6是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子為低電平時(shí)圖1中具有偽電容器的放大器 的史密斯圓圖；圖7是示出頻率和信號(hào)透過(guò)率(signal transmission) [dB]之間關(guān)系的 曲線圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的放大器電路(數(shù)字功率放大器) 的配置例子的電路圖；以及圖9是示出數(shù)字功率放大器的配置例子的電路圖。
具體實(shí)施方式
-第一實(shí)施例-圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的放大器電路(數(shù)字功率放大器) 的配置例子的電路圖。輸入信號(hào)端子IN經(jīng)由輸入阻抗匹配電路101與多 個(gè)單元放大器111、 112、…并聯(lián)連接。每個(gè)單元放大器111、 112、…具 有晶體管102a、 102b、 103a、 103b和輸出阻抗匹配電路104。 n溝道場(chǎng)效 應(yīng)晶體管102a具有經(jīng)由輸入阻抗匹配電路101連接到輸入信號(hào)端子IN的 漏極。n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管103a具有連接到晶體管102a的源極的柵極， 經(jīng)由輸出阻抗匹配電路104連接到輸出信號(hào)端子OUT的漏極，以及連接 到參考電勢(shì)(地電勢(shì))的源極。p溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管102b并聯(lián)到晶體管 102a并且具有經(jīng)由輸入阻抗匹配電路101連接到輸入信號(hào)端子IN的源極。n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管103b具有連接到晶體管102b漏極的柵極，以及 連接到參考電勢(shì)的源極和漏極。晶體管103b是晶體管102b和參考電勢(shì)之 間連接的偽電容器。晶體管103a和103b大小相同。因此，偽電容器103b 具有與晶體管103a的柵電容相等的電容。附帶地，偽電容器103b可以由 具有與晶體管103a的柵電容(輸入電容)相等的電容的MIM (金屬-絕緣 體-金屬)電容器構(gòu)成。在第一單元放大器111中，開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1連接到晶體管 102a和102b的柵極。在第二單元放大器112中，開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW2 連接到晶體管102a和102b的柵極。n溝道晶體管102a是切換從輸入信號(hào) 端子IN輸入的輸入信號(hào)的第一開(kāi)關(guān)。p溝道晶體管102b是并聯(lián)連接到n 溝道晶體管(第一開(kāi)關(guān))102a的并且在對(duì)晶體管102a的切換定時(shí)的互補(bǔ) 定時(shí)切換輸入信號(hào)端子IN的輸入信號(hào)的第二開(kāi)關(guān)。當(dāng)晶體管102a導(dǎo)通 時(shí)，晶體管102b關(guān)斷，并且當(dāng)晶體管102a關(guān)斷時(shí)，晶體管102b導(dǎo)通。n 溝道晶體管102a和p溝道晶體管102b極性相反。所有單元放大器111、 112等等的輸出信號(hào)終端OUT的輸出信號(hào)被合成。圖2是示出圖1中輸出阻抗匹配電路104的配置例子的電路圖。電感 L連接在供電電壓VDD和晶體管103a漏極之間。電容器C連接在輸出信 號(hào)端子OUT和晶體管103a的漏極之間。輸入阻抗匹配電路101還具有與 輸出阻抗匹配電路104相同的配置。阻抗匹配電路101和104的阻抗匹配 防止信號(hào)反射。下一步，第一單元放大器111的操作將被說(shuō)明。當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子 SW1被設(shè)為高電平時(shí)，n溝道晶體管102a導(dǎo)通并且p溝道晶體管102b關(guān) 斷。輸入信號(hào)端子IN的輸入信號(hào)經(jīng)由晶體管102a輸出到晶體管103a的柵 極。晶體管(放大器)103a放大輸入到輸入信號(hào)端子IN的輸入信號(hào)來(lái)輸 出放大的輸入信號(hào)到輸出信號(hào)端子OUT。此時(shí)，因?yàn)榫w管102b被關(guān) 斷，所以偽電容器103b從輸入信號(hào)端子IN是不可見(jiàn)的。當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1被設(shè)為低電平時(shí)，n溝道晶體管102a關(guān)斷 并且p溝道晶體管102b導(dǎo)通。晶體管103a不操作，因此，沒(méi)有放大信號(hào) 從輸出信號(hào)端子OUT輸出。輸入信號(hào)端子IN的輸入信號(hào)經(jīng)由晶體管102b6被輸出到晶體管(偽電容器)103b的柵極。當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1是高電平時(shí)，輸入信號(hào)端子IN的負(fù)載是晶 體管103a的柵電容。當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1是低電平時(shí)，輸入信號(hào)端 子IN的負(fù)載是晶體管(偽電容器)103b的柵電容。晶體管103a和103b 的柵電容相等。因此，不管開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1是高電平還是低電 平，輸入信號(hào)端子IN的負(fù)載電容是常數(shù)，所以能夠在這兩個(gè)電平保持阻 抗匹配，從而防止信號(hào)反射。結(jié)果，高信號(hào)傳輸效率可被維持。下一步，第二單元放大器112的操作將被說(shuō)明。第二單元放大器112 中具有開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW2，其代替第一單元放大器111的開(kāi)關(guān)控制信 號(hào)端子SW1。第二單元放大器112的操作與第一單元放大器111的操作相 同。下一步，具有偽電容器103b的放大器電路和沒(méi)有偽電容器103b的放 大器電路將被比較。圖3和圖4是沒(méi)有偽電容器103b的放大器電路的史密 斯圓圖(Smith chart)。圖5和圖6是圖1中具有偽電容器103b的放大器 電路的史密斯圓圖。在每個(gè)史密斯圓圖的圓的右端，反射系數(shù)的相位角是0° ，并且在每 個(gè)史密斯圓圖的圓的左端，反射系數(shù)的相位角是180° 。反時(shí)針?lè)较虮硎?正相位角并且順時(shí)針?lè)较虮硎矩?fù)相位角。此外，距史密斯圓圖的圓的中心 的距離是反射系數(shù)的絕對(duì)值。在圓的中心點(diǎn)，反射系數(shù)的絕對(duì)值是0，并 且在圓上，反射系數(shù)的絕對(duì)值是1。每個(gè)特征曲線FR表示當(dāng)輸入信號(hào)端 子IN的輸入信號(hào)的頻率變化時(shí)的特征曲線。點(diǎn)ml表示各曲線FR上相同 給定頻率的反射系數(shù)。圖3是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1為高電平時(shí)沒(méi)有偽電容器103b的放 大器電路的史密斯圓圖。在點(diǎn)ml處的反射系數(shù)呈現(xiàn)0.753的絕對(duì)值和 -52.57°的相位角。圖4是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1為低電平時(shí)沒(méi)有偽電容器103b的放 大器電路的史密斯圓圖。在點(diǎn)ml處的反射系數(shù)呈現(xiàn)0.997的絕對(duì)值和 -5.087°的相位角。沒(méi)有偽電容器103b，則反射系數(shù)依據(jù)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1是在高電平(圖3)還是在低電平(圖4)顯著地改變，這導(dǎo)致阻抗失配。結(jié) 果，信號(hào)反射發(fā)生，導(dǎo)致放大效率惡化。圖5是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1為高電平時(shí)具有偽電容器103b的放 大器電路的史密斯圓圖。在點(diǎn)ml處的反射系數(shù)呈現(xiàn)0.759的絕對(duì)值和 -56.60°的相位角。圖6是當(dāng)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1為低電平時(shí)具有偽電容器103b的放 大器電路的史密斯圓圖。在點(diǎn)ml處的反射系數(shù)呈現(xiàn)0.800的絕對(duì)值和 -54.89°的相位角。具有偽電容器103b，則不管開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1是高電平(圖 5)還是低電平(圖6)反射系數(shù)實(shí)質(zhì)上是相同的，并且阻抗匹配可被維 持。結(jié)果，信號(hào)反射沒(méi)有出現(xiàn)，導(dǎo)致放大效率提高。圖7是示出頻率和信號(hào)透過(guò)率[dB]之間關(guān)系的曲線圖。曲線701表示 當(dāng)在圖1中的放大器電路中開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1設(shè)為低電平時(shí)的特征 曲線。曲線702表示當(dāng)在圖9中的放大器電路中開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1設(shè) 為低電平時(shí)的特征曲線。如果開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1被設(shè)置為低電平， 則輸出信號(hào)理論上應(yīng)該是零(0)。然而實(shí)際上，輸入信號(hào)端子IN的高頻 信號(hào)泄漏到輸出信號(hào)端子OUT。縱軸上的信號(hào)透過(guò)率[dB]表示輸出信號(hào)泄 漏功率與輸入信號(hào)功率的比率。由特征曲線701呈現(xiàn)的泄漏功率比由特征 曲線702呈現(xiàn)的泄漏功率小30dB或更多。在圖1的放大器電路中，輸入 RF信號(hào)到輸出信號(hào)端子OUT的泄漏小于圖9的放大器電路中的此泄漏， 并且信號(hào)屏蔽級(jí)別高于圖9的放大器電路中的信號(hào)屏蔽級(jí)別。因此，本實(shí) 施例的數(shù)字功率放大器可阻止泄漏功率的不利效果，尤其當(dāng)分辨力被提高 時(shí)。在圖9的放大器電路中，因?yàn)閮蓚€(gè)晶體管902和903是共源-共柵連接 的，所以用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)晶體管902和903的高供電電壓是必要的，并且因 此DC偏置功率被增加，導(dǎo)致了功率效率惡化。另一方面，在本實(shí)施例的 放大器電路(圖1)中，因?yàn)橐粋€(gè)晶體管103a連接在供電電壓VDD和參 考電勢(shì)之間，所以，足夠驅(qū)動(dòng)一個(gè)晶體管103a的低供電電壓能被使用，其 降低DC偏置功率，致使了改善的功率效率。在本實(shí)施例的放大器電路中，大約是圖9的放大器電路中供電電壓的1/2的低供電電壓能被使用。 -第二實(shí)施例-圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的放大器電路(數(shù)字功率放大器)的配置例子的電路圖。本實(shí)施例(圖8)被配置以便在第一實(shí)施例(圖 1)中，設(shè)置n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管802b代替p溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管102b，并 增加反相器801。在下文中，本實(shí)施例不同于第一實(shí)施例的地方將被說(shuō) 明。本實(shí)施例在其它方面與第一實(shí)施例相同。在單元放大器111中，n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管802b具有經(jīng)由反相器801 連接到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1的柵極，經(jīng)由輸入阻抗匹配電路101連接 到輸入信號(hào)端子IN的漏極，以及連接到晶體管(偽電容器)103b的柵極 的源極。在單元放大器112中，n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管802b具有經(jīng)由反相器801 連接到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW2的柵極，經(jīng)由輸入阻抗匹配電路101連接 到輸入信號(hào)端子IN的漏極，以及連接到晶體管(偽電容器)103b的柵極 的源極。反相器801通過(guò)反轉(zhuǎn)其邏輯輸出開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1或者SW2的 信號(hào)。因此，如同第一實(shí)施例中，晶體管(開(kāi)關(guān))802b在對(duì)晶體管102a 的切換定時(shí)的互補(bǔ)定時(shí)切換輸入信號(hào)端子IN的輸入信號(hào)。當(dāng)晶體管102a 導(dǎo)通時(shí)，晶體管802b關(guān)斷，并且當(dāng)晶體管102a關(guān)斷時(shí)，晶體管802b導(dǎo) 通。n溝道晶體管102a和802b極性相同。本實(shí)施例的操作與第一實(shí)施例 的操作相同。如上所述，第一和第二實(shí)施例的每個(gè)放大器電路具有多個(gè)并聯(lián)連接到 輸入信號(hào)端子IN的單元放大器111、 112、…。每個(gè)單元放大器具有切 換從輸入信號(hào)端子IN輸入的輸入信號(hào)的第一開(kāi)關(guān)102a;具有經(jīng)由第一開(kāi) 關(guān)102a連接到輸入信號(hào)端子IN的柵極并且放大輸入信號(hào)端子IN的輸入 信號(hào)來(lái)輸出放大的輸入信號(hào)的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管103a;與第一開(kāi)關(guān)102a 并聯(lián)連接的，并且在對(duì)晶體管102a的切換定時(shí)的互補(bǔ)定時(shí)切換輸入信號(hào)端 子IN的輸入信號(hào)的第二開(kāi)關(guān)102b或者802b;以及經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)102b或 者802b連接到輸入信號(hào)端子IN的電容器103b。在圖9的放大器電路中，晶體管902和903是共源-共柵連接的，但是 在本實(shí)施例中，另一方面，因?yàn)榫w管103a沒(méi)有共源-共柵連接，所以提 供給晶體管103a的供電電壓VDD可以較低。因此，DC偏置被降低，使 得功率效率改善。進(jìn)一步地，與圖9的放大器電路相反，本實(shí)施例可阻止 從高頻輸入信號(hào)到輸出信號(hào)端子的泄漏功率。進(jìn)一步地，設(shè)置偽電容器 103b使得能夠阻止輸入RF信號(hào)由于開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端子SW1或者SW2的 電平變化而被反射。因?yàn)榈谝粓?chǎng)效應(yīng)晶體管不是共源-共柵連接的，所以，提供給第一場(chǎng)效 應(yīng)晶體管的供電電壓可以較低。因此DC偏置被降低，使得功率效率改 善。進(jìn)一步地，從高頻輸入信號(hào)到輸出信號(hào)端子的泄漏功率可被阻止。當(dāng)前實(shí)施例在所有方面應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性和非限制性的，因此在權(quán)利 要求的等效意義和范圍之內(nèi)的所有改變意欲被包含在本發(fā)明中。本發(fā)明可 被實(shí)現(xiàn)為其他具體形式而不會(huì)脫離其精神或本質(zhì)特征。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)基于并且主張2007年2月20日遞交的在先日本專(zhuān)利申請(qǐng) No.2007-039674的優(yōu)先權(quán)，該日本專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用被結(jié)合于 此。
權(quán)利要求
1.一種放大器電路，包括與輸入信號(hào)端子并聯(lián)連接的多個(gè)單元放大器，其中每個(gè)所述單元放大器包括第一開(kāi)關(guān)，對(duì)從所述輸入信號(hào)端子輸入的輸入信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)；第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其柵極經(jīng)由所述第一開(kāi)關(guān)連接到所述輸入信號(hào)端子，并且放大所述輸入信號(hào)端子的輸入信號(hào)來(lái)輸出放大的輸入信號(hào)；第二開(kāi)關(guān)，與所述第一開(kāi)關(guān)并聯(lián)連接并且以對(duì)所述第一開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)定時(shí)的互補(bǔ)定時(shí)對(duì)所述輸入信號(hào)端子的輸入信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)；以及電容器，經(jīng)由所述第二開(kāi)關(guān)連接到所述輸入信號(hào)端子。
2. 如權(quán)利要求1所述的放大器電路，其中所述電容器是第二場(chǎng)效應(yīng)晶 體管，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極經(jīng)由所述第二開(kāi)關(guān)連接到所述輸入信 號(hào)端子。
3. 如權(quán)利要求2所述的放大器電路，其中所述第一和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體 管大小相同。
4. 如權(quán)利要求2所述的放大器電路，其中所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源 極和漏極連接到參考電勢(shì)。
5. 如權(quán)利要求1所述的放大器電路，其中所述電容器所具有的電容等 于所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電容。
6. 如權(quán)利要求1所述的放大器電路，其中所述電容器連接在所述第二 開(kāi)關(guān)和參考電勢(shì)之間。
7. 如權(quán)利要求2所述的放大器電路，其中所述第一開(kāi)關(guān)是第三場(chǎng)效應(yīng) 晶體管，并且所述第二開(kāi)關(guān)是第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
8. 如權(quán)利要求7所述的放大器電路，其中所述第三和第四場(chǎng)效應(yīng)晶體 管彼此極性相反。
9. 如權(quán)利要求7所述的放大器電路，其中所述第三和第四場(chǎng)效應(yīng)晶體 管彼此極性相同。
10. 如權(quán)利要求1所述的放大器電路，其中所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的 漏極經(jīng)由阻抗匹配電路連接到輸出信號(hào)端子。
全文摘要
提供了一種放大器電路，包括與輸入信號(hào)端子并聯(lián)連接的多個(gè)單元放大器，其中每個(gè)單元放大器包括對(duì)從輸入信號(hào)端子輸入的輸入信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)；具有經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)連接到所述輸入信號(hào)端子的柵極并且放大所述輸入信號(hào)端子的輸入信號(hào)來(lái)輸出放大的輸入信號(hào)的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管；與第一開(kāi)關(guān)并聯(lián)連接的并且在對(duì)第一開(kāi)關(guān)的切換定時(shí)的互補(bǔ)定時(shí)對(duì)輸入信號(hào)端子的輸入信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的第二開(kāi)關(guān)；以及經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)連接到輸入信號(hào)端子的電容器。
文檔編號(hào)H03F3/34GK101252343SQ200710307118
公開(kāi)日2008年8月27日 申請(qǐng)日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月20日
發(fā)明者鈴木俊秀 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社