專利名稱：聲表面波諧振器及使用該聲表面波諧振器的聲表面波濾波器以及天線共用器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種聲表面波諧振器、及使用該聲表面波諧振器的聲表面 波濾波器、以及天線共用器。
背景技術(shù)：
目前，為了實(shí)現(xiàn)具有寬頻帶特性的聲表面波濾波器，例如使用鈮酸鋰
(LiNb03)襯底等機(jī)電耦合系數(shù)較大的壓電襯底。然而，使用此種襯底的 聲表面波濾波器， 一般來(lái)說(shuō)具有溫度特性差的缺點(diǎn)。為了改善溫度特性， 提出有如下結(jié)構(gòu)在LiNb03襯底上形成Si02薄膜層，并且將所述LiNb03 襯底的旋轉(zhuǎn)Y切割(Y-cut)的切割角設(shè)為-10度 +30度，將所述薄膜層的 膜厚尺寸設(shè)為H，將所述聲表面波的工作中心頻率的波長(zhǎng)設(shè)為X時(shí)，使H/X 值為0.115 0.31 (例如，專利文獻(xiàn)l)。
可通過(guò)梯形連接在這種襯底上形成的聲表面波諧振器，來(lái)構(gòu)成具有寬 頻帶特性的聲表面波濾波器。而且，在使用此種襯底的情況下，可能會(huì)產(chǎn) 生橫模寄生。 一般來(lái)說(shuō)，為了抑制此寄生而使用對(duì)梳狀電極進(jìn)行加權(quán)的方 法。
圖15A是表示現(xiàn)有的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖15B是圖15A 的15B-15B局部剖面圖。在壓電襯底1201上形成有梳狀電極1202與反射 器電極1203，并在梳狀電極1202與反射器電極1203上形成有Si02薄膜 1204。此處，為了抑制橫模寄生，而對(duì)梳狀電極1202實(shí)施變跡加權(quán)。
然而，此聲表面波諧振器中存在著如下問(wèn)題由聲表面波諧振器中的 音速引起的聲表面波的橫向泄漏，會(huì)使聲表面波諧振器的特性劣化。而 且，在使用此種聲表面波諧振器來(lái)構(gòu)成聲表面波濾波器時(shí)，也存在聲表面 波濾波器的插入損耗及衰減特性劣化的問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2003-209458號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有問(wèn)題，提供一種因改善聲表面波泄漏而特性優(yōu)良 的聲表面波諧振器。而且，提供一種使用這種聲表面波諧振器的聲表面波 濾波器、及天線共用器。本發(fā)明是具備由鈮酸鋰構(gòu)成的襯底、設(shè)置在所述 襯底的上表面的梳狀電極、及覆蓋所述梳狀電極的電介質(zhì)薄膜的聲表面波 諧振器。梳狀電極包含匯流條電極區(qū)域、虛設(shè)電極區(qū)域、及交叉區(qū)域，在 匯流條電極區(qū)域或虛設(shè)電極區(qū)域中的任一個(gè)區(qū)域的上部，所述電介質(zhì)薄膜 厚度小于所述交叉區(qū)域上部的電介質(zhì)薄膜厚度。本發(fā)明具有能夠?qū)崿F(xiàn)通過(guò) 此結(jié)構(gòu)，改善聲表面波橫向泄漏且特性優(yōu)良的聲表面波諧振器的效果。而 且，通過(guò)使用這種聲表面波諧振器，構(gòu)成聲表面波濾波器、天線共用器， 從而可實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良特性的聲表面波濾波器、天線共用器。


圖1A是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖1B是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的通過(guò)特性圖。
圖3A是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的其它結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖3B是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的其它結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖4是實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的通過(guò)特性圖。
圖5A是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的其它結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖5B是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的其它結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6A是表示實(shí)施方式2的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖6B是表示實(shí)施方式2的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖7A是實(shí)施方式2的聲表面波諧振器的通過(guò)特性圖。
圖7B是實(shí)施方式2的聲表面波諧振器的通過(guò)特性圖。
圖8A是表示實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖8B是表示實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖9A是實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的通過(guò)特性圖。 圖9B是實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的通過(guò)特性圖。
圖10是表示實(shí)施方式3的聲表面波濾波器的電路圖。
圖11A是表示實(shí)施方式2的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。 圖11B是表示實(shí)施方式2的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖12A是表示實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯 視圖。
圖12B是表示實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的剖 面圖。
圖13是實(shí)施方式2的聲表面波諧振器的通過(guò)特性圖。
圖14是實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的聲表面波諧振器的通過(guò)特性圖。
圖15A是表示現(xiàn)有的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖15B是表示現(xiàn)有的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖16是現(xiàn)有的聲表面波諧振器的通過(guò)特性圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明101壓電襯底
102梳狀電極
103反射器電極
104&02薄膜
105匯流條電極區(qū)域
106虛設(shè)電極區(qū)域
107交叉區(qū)域
701壓電襯底
702梳狀電極
703反射器電極
704Si02薄膜
705匯流條電極區(qū)域
706虛設(shè)電極區(qū)域
707交叉區(qū)域
708虛設(shè)電極加權(quán)
腿橫模寄生
1101聲表面波諧振器
1102聲表面波諧振器
1103聲表面波諧振器
1104聲表面波諧振器
1105聲表面波諧振器
1106聲表面波諧振器
1201壓電襯底
1202梳狀電極
1203反射器電極
1204Si02薄膜
具體實(shí)施例方式
以下一面參見(jiàn)附圖一面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。 (實(shí)施方式l)
圖1A是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖1B是圖 1A的1B-1B剖面圖。在壓電襯底101上形成有梳狀電極102與反射器電極 103，在梳狀電極102與反射器電極103上形成有Si02薄膜104。梳狀電極 102包含匯流條電極區(qū)域105、虛設(shè)電極區(qū)域106及交叉區(qū)域107。為了抑 制橫模寄生而對(duì)梳狀電極102實(shí)施變跡加權(quán)。此處，虛設(shè)電極區(qū)域106表 示梳狀電極102中的虛設(shè)電極的最小長(zhǎng)度區(qū)域，交叉區(qū)域107表示梳狀電 極102進(jìn)行交叉的最大長(zhǎng)度區(qū)域。進(jìn)而，在梳狀電極102的匯流條電極區(qū) 域105的上部去除Si(V薄膜104后使電極露出。即，Si02薄膜104的厚度 為零。
這種聲表面波諧振器的相對(duì)頻率的通過(guò)特性示于圖2。而且，為了加以 比較，圖15A、圖15B中所示現(xiàn)有的聲表面波諧振器的通過(guò)特性示于圖 16。此處，使用切割角為5度的旋轉(zhuǎn)Y切割LiNb03襯底來(lái)作為壓電襯底 101，而電極使用以Al為主成分的材料。而且，電極與Si02薄膜104的膜 厚以由波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)化的值表示，分別為8%、 20%。如圖2與圖16所示，本 發(fā)明的聲表面波諧振器的最大衰減量為-21dB，現(xiàn)有的聲表面波諧振器的最 大衰減量為-19dB。即，本發(fā)明的聲表面波諧振器的特性得到改善。而且， 關(guān)于反諧振點(diǎn)的Q值，本發(fā)明的聲表面波諧振器中Q值為230，而現(xiàn)有的 聲表面波諧振器中Q值為194。作為諧振器特性得到了改善?？烧J(rèn)為諧振
器特性能夠得到改善的原因在于，去除匯流條電極區(qū)域105上部的Si02薄 膜104而使電極露出，由此可使聲表面波諧振器的聲表面波的匯流條電極
區(qū)域105的音速大于交叉區(qū)域107的音速，因此可抑制聲表面波向橫向、
即向匯流條電極方向的泄漏，因此封閉性變佳。
如以上所說(shuō)明那樣，本發(fā)明的聲表面波諧振器可通過(guò)去除梳狀電極102 中的匯流條電極區(qū)域105上部的Si02薄膜104，來(lái)改善聲表面波諧振器的 特性，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的聲表面波諧振器。
作為去除Si02薄膜的方法，可在Si02薄膜成膜之后進(jìn)行蝕刻，另外還
可在Si02薄膜成膜之前，預(yù)先遮蔽梳狀電極102中的匯流條電極區(qū)域105
的上部，使Si02薄膜成為非形成狀態(tài)。
另外，本實(shí)施方式中，對(duì)梳狀電極102中去除匯流條電極區(qū)域105上 部的Si02薄膜104的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明，但也可成為如圖3A、圖3B所示的 結(jié)構(gòu)。圖3A是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的其它結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖 3B是圖3A的3B-B剖面圖。與圖1的結(jié)構(gòu)不同之處在于，去除了聲表面波 諧振器的梳狀電極102的虛設(shè)電極區(qū)域106上部的Si02薄膜104。這種聲 表面波諧振器的通過(guò)特性示于圖4。圖4中，最大衰減量進(jìn)一步改善為-23dB。而且，反諧振點(diǎn)的Q值為245，得到了提高。這樣，通過(guò)去除虛設(shè) 電極區(qū)域106的Si02薄膜104，可進(jìn)一步改善聲表面波諧振器的特性。
另外，本實(shí)施方式中，對(duì)完全去除梳狀電極102中的匯流條電極區(qū)域 105及虛設(shè)電極區(qū)域106上部的Si02薄膜104的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明，但并不 限于此結(jié)構(gòu)，可為所述結(jié)構(gòu)中的任一結(jié)構(gòu)。而且，也可以是如圖5A所示的 聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)。圖5A是表示實(shí)施方式1的聲表面波諧振器的其它 結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5B是圖5A的5B-5B剖面圖。這樣可以使&02薄膜104 被去除的區(qū)域到達(dá)梳狀電極102的虛設(shè)電極區(qū)域106和交叉區(qū)域107間的 間隙區(qū)域?yàn)橹?。此種情況下，優(yōu)選在作為聲表面波主要傳播路徑的交叉區(qū) 域107上部保留Si02薄膜104，如果去除交叉區(qū)域107上部的Si02薄膜 104可能會(huì)導(dǎo)致諧振器特性劣化。因此，優(yōu)選在最大交叉寬度處偏向虛設(shè)電 極區(qū)域106側(cè)去除Si02薄膜104。
另外，本實(shí)施方式中，對(duì)完全去除梳狀電極102中的匯流條電極區(qū)域 105、或虛設(shè)電極區(qū)域106上部的Si02薄膜104的結(jié)構(gòu)，即Si02薄膜104 的厚度為零進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此結(jié)構(gòu)。還可以是匯流條電極區(qū)域105
上部的Si02薄膜104比交叉區(qū)域107上部的Si02薄膜104薄的結(jié)構(gòu)。也可
以是如下結(jié)構(gòu)改變聲表面波諧振器的交叉區(qū)域107上部和匯流條電極區(qū)
域105或虛設(shè)電極區(qū)域106上部的結(jié)構(gòu)，能夠使聲表面波諧振器中的聲表 面波的匯流條電極區(qū)域105的音速大于交叉區(qū)域107的音速。
并且，雖然梳狀電極102中的匯流條電極區(qū)域105或虛設(shè)電極區(qū)域106 中的所有區(qū)域上部的Si02薄膜104被去除，但也可在至少一部分區(qū)域中去 除此SK)2薄膜104。 g卩，將梳狀電極102中的匯流條電極區(qū)域105或虛設(shè) 電極區(qū)域106的一部分區(qū)域的Si02薄膜104去除，或者使Si02薄膜104變 薄，則可獲得與本發(fā)明相同的效果。
而且，本實(shí)施方式中，對(duì)如下情況進(jìn)行了說(shuō)明將切割角為5度的旋 轉(zhuǎn)Y切割LiNb03襯底作為壓電襯底101，且電極和Si02薄膜104的膜厚以 由波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)化的值分別表示為8%、 20%,但并不限于此，而且，只要 LiNbO3襯底的切割角為-10 +30度左右的范圍內(nèi)，則通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明結(jié) 構(gòu)，便可實(shí)現(xiàn)寬頻帶且溫度特性優(yōu)良的特性優(yōu)良的聲表面波諧振器。
而且，就電極的材料來(lái)說(shuō)，使用以Al為主成分的材料，但并不限于 此，還可使用Cu或Au及其它材料。
而且，對(duì)使用SiCb薄膜104作為電介質(zhì)薄膜的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明，但也 可使用其它電介質(zhì)材料、或其它多層結(jié)構(gòu)。
而且，反射器電極103的結(jié)構(gòu)并不限于本實(shí)施方式。而且，也可以在 反射器電極103中，將與梳狀電極102的匯流條電極區(qū)域105、虛設(shè)電極區(qū) 域106相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上部的Si02薄膜104去除，或者使Si02薄膜104變 薄。此種情況下，可減少反射器中聲表面波的橫向泄漏。
而且，在本實(shí)施方式中，梳狀電極102經(jīng)變跡加權(quán)處理，但并不限于 此結(jié)構(gòu)。
而且，本實(shí)施方式中，對(duì)具備反射器電極的聲表面波諧振器進(jìn)行了說(shuō) 明，而本發(fā)明也適用于梳狀電極，即便在無(wú)反射器電極的情況下也可獲得 效果。
(實(shí)施方式2)
圖6A是表示實(shí)施方式2的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖6B是圖 6A的6B-6B剖面圖。在壓電襯底701上形成有梳狀電極702與反射器電極 703，在所述梳狀電極702與反射器電極703上形成有SiO2薄膜704。梳狀
電極702包含匯流條電極區(qū)域705、虛設(shè)電極區(qū)域706及交叉區(qū)域707，且 是未實(shí)施變跡加權(quán)的標(biāo)準(zhǔn)化梳狀電極。此處，虛設(shè)電極區(qū)域706表示梳狀 電極702中的虛設(shè)電極的最小長(zhǎng)度區(qū)域，交叉區(qū)域707表示梳狀電極交叉 的最大長(zhǎng)度區(qū)域。而且，虛設(shè)電極區(qū)域706被實(shí)施了經(jīng)金屬噴涂的虛設(shè)電 極加權(quán)708，金屬噴涂區(qū)域從中心部向外惻增大，虛設(shè)電極的長(zhǎng)度則逐漸變 短。進(jìn)而，梳狀電極702的匯流條電極區(qū)域705、虛設(shè)電極區(qū)域706及其上 部，SiO2薄膜704被去除。
這種聲表面波諧振器的通過(guò)特性示于圖7A、圖7B中。圖7A、圖7B 為相同的聲表面波諧振器的通過(guò)特性，圖7B是將圖7A的縱軸放大后的 圖。而且，為了進(jìn)行比較，圖8A、圖8B中所示的聲表面波諧振器的通過(guò) 特性示于圖9A、圖9B中。圖8A是表示實(shí)施方式2的用來(lái)進(jìn)行比較的聲表 面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖8B表示圖8A的8B-8B剖面。圖9B是將圖 9A的縱軸放大后的圖。此處，使用切割角為5度的旋轉(zhuǎn)Y切割LiNb03襯 底來(lái)作為壓電襯底，電極使用以Al為主成分的材料。而且，電極與Si02薄 膜的膜厚以由波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)化的值表示，分別為8%、 20%。本實(shí)施方式中圖 6A、圖6B的聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)中，去除了包含經(jīng)金屬噴涂的虛設(shè)電 極加權(quán)708的虛設(shè)電極區(qū)域706上的SiO2薄膜704。另一方面，圖8A、圖 8B中用來(lái)進(jìn)行比較的聲表面波諧振器具有包含虛設(shè)電極加權(quán)708的虛設(shè)電 極區(qū)域706上的Si02薄膜704。圖9A、圖9B中，出現(xiàn)了橫模寄生1001。 另一方面，圖7A、圖7B中，因抑制此寄生而獲得優(yōu)良的諧振器特性。而 且，如圖7A所示，本發(fā)明的聲表面波諧振器的最大衰減量為-20dB。而 且，如圖9A所示，用以比較的聲表面波諧振器的最大衰減量為-18dB。這 樣，利用本發(fā)明結(jié)構(gòu)，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)聲表面波諧振器的特性改善。其原因在 于，通過(guò)去除虛設(shè)電極區(qū)域706上部的Si02薄膜704，可使聲表面波諧振 器中的聲表面波的虛設(shè)電極區(qū)域706的音速大于交叉區(qū)域707的音速，從 而抑制聲表面波向橫向、即向虛設(shè)電極區(qū)域706方向泄漏，使得封閉性變 佳。
因此，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)使實(shí)施了經(jīng)金屬噴涂處理的虛設(shè)電極加 權(quán)708的虛設(shè)電極區(qū)域上部的Si02薄膜成為非形成狀態(tài)，不僅獲得可抑制 橫模寄生1001的效果，還可獲得改善諧振器特性的效果。
而且，如本實(shí)施方式所示，無(wú)需實(shí)施變跡加權(quán)，而以標(biāo)準(zhǔn)化梳狀電極
結(jié)構(gòu)便可抑制橫模寄生，能夠防止由變跡加權(quán)引起的Q值等諧振器特性降 低，從而在實(shí)現(xiàn)聲表面波諧振器方面有利于其特性。進(jìn)而，作為聲表面波 諧振器，在實(shí)現(xiàn)相同靜電電容的情況下，本發(fā)明的聲表面波諧振器即便不 實(shí)施變跡加權(quán)也可抑制橫模寄生，因此可以使諧振器的尺寸小于現(xiàn)有的經(jīng) 變跡加權(quán)的聲表面波諧振器的尺寸，所以也具有可使聲表面波諧振器小型 化的效果。
如以上說(shuō)明那樣，本發(fā)明的聲表面波諧振器中，對(duì)梳狀電極702中的 虛設(shè)電極區(qū)域706實(shí)施加權(quán)，進(jìn)而去除其上部的Si02薄膜704，由此可改 善聲表面波諧振器的特性，實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的聲表面波諧振器。
另外，本實(shí)施方式中，對(duì)將梳狀電極702中的虛設(shè)電極區(qū)域706上部 的Si02薄膜704去除的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以去除虛設(shè)電極區(qū)域706 和匯流條電極區(qū)域705這兩個(gè)區(qū)域上部的Si02薄膜704。
而且，對(duì)完全去除Si02薄膜704進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此結(jié)構(gòu)，還 可以使虛設(shè)電極區(qū)域706上部的Si02薄膜比交叉區(qū)域707上部的Si02薄膜 薄。也可以改變聲表面波諧振器的交叉區(qū)域707上部和虛設(shè)電極區(qū)域706 上部的結(jié)構(gòu)，從而使聲表面波諧振器中聲表面波的虛設(shè)電極區(qū)域706的音 速大于交叉區(qū)域707的音速。
而且，結(jié)構(gòu)中去除了虛設(shè)電極區(qū)域706中所有區(qū)域上部的Si02薄膜 704，但也可以使至少一部分區(qū)域中去除Si02薄膜704。也就是說(shuō)，只要去 除虛設(shè)電極區(qū)域706中一部分區(qū)域的Si02薄膜704，或者使Si02薄膜704 變薄，則可獲得與本發(fā)明相同的效果。
而且，也可以對(duì)應(yīng)著虛設(shè)電極區(qū)域706，去除梳狀電極702中匯流條電 極區(qū)域705的部分區(qū)域的Si02薄膜704，或者使Si02薄膜變薄。
而且，從中心部向外側(cè)對(duì)虛擬加權(quán)的形狀進(jìn)行金屬噴涂，使虛設(shè)電極 的長(zhǎng)度逐漸縮短，但并不限于此結(jié)構(gòu)，如果對(duì)虛設(shè)電極區(qū)域?qū)嵤┠撤N加 權(quán)，且去除Si02薄膜704、或者使Si02薄膜704變薄，則可獲得與本發(fā)明 相同的效果。
而且，本實(shí)施方式中，對(duì)如下情況進(jìn)行了說(shuō)明使壓電襯底為切割角 為5度的旋轉(zhuǎn)Y切割LiNb03襯底，梳狀電極702中的電極與Si02薄膜704 的膜厚以由波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)化的值表示，分別為8%、 20%，但并不限于此，而 且，只要LiNbO3襯底的切割角為-10 +30度左右的范圍內(nèi)，則可通過(guò)應(yīng)用
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)寬頻帶且溫度特性優(yōu)良的特性優(yōu)良的聲表面波諧振 器。
而且，電極材料以A1為主成分，但不限于此，還可使用Cu、 Au及其 它材料。
而且，對(duì)使用Si02薄膜704作為電介質(zhì)薄膜的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明，但其 也可為其它材料或多層結(jié)構(gòu)。
而且，反射器電極703的結(jié)構(gòu)也不限于此，而且，也可以去除與反身寸 器電極703中的匯流條電極區(qū)域705、虛設(shè)電極區(qū)域706相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上部 的Si02薄膜704，或者使Si02薄膜704變薄。在此種情況下，可預(yù)期減少 反射器聲表面波向橫向泄漏。
而且，在本實(shí)施方式中，梳狀電極702為標(biāo)準(zhǔn)化電極結(jié)構(gòu)，但也可與 變跡加權(quán)組合使用。此情況下，可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)抑制寄生的效果。
而且，在本實(shí)施方式中，對(duì)具備反射器電極的聲表面波諧振器進(jìn)行了 說(shuō)明，而本發(fā)明適用于梳狀電極，即便無(wú)反射器電極也可獲得效果。
接著，對(duì)電介質(zhì)薄膜非形成狀態(tài)區(qū)域進(jìn)行說(shuō)明。圖IIA是表示聲表面 波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖IIB是圖IIA的11B-11B剖面圖。圖12A是表 示用以與圖11A進(jìn)行比較的聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖12B是圖 12A的12B-12B剖面圖。對(duì)于如圖IIA、圖IIB所示，電介質(zhì)薄膜的非形 成狀態(tài)區(qū)域僅為虛擬區(qū)域之上與匯流條區(qū)域之上的情況，和如圖12A、圖 12B所示，電介質(zhì)薄膜的非形成狀態(tài)區(qū)域包含交叉區(qū)域的一部分的情況進(jìn) 行比較。此處，交叉寬度為25pm，圖12A、圖12B中，在交叉區(qū)域的l拜 內(nèi)側(cè)形成有電介質(zhì)薄膜的非形成狀態(tài)區(qū)域。而且，作為聲表面波諧振器的 結(jié)構(gòu)，以標(biāo)準(zhǔn)化電極結(jié)構(gòu)且未經(jīng)虛設(shè)電極加權(quán)處理的狀態(tài)進(jìn)行比較。圖 IIA、圖IIB的聲表面波諧振器的特性示于圖13中。圖12A、圖12B的聲 表面波諧振器的特性示于圖14中。與圖IIA、圖IIB的聲表面波諧振器的 諧振器特性相比，圖12A、圖12B的聲表面波諧振器的諧振器特性中寄生 較大，聲表面波諧振器特性劣化。因此，關(guān)于交叉區(qū)域，優(yōu)選電介質(zhì)薄膜 為形成狀態(tài)。
(實(shí)施方式3)
圖10是表示本發(fā)明實(shí)施方式3的聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的附圖。圖10 中，1101、 1102、 1103、 1104是串聯(lián)臂聲表面波諧振器，1105、 1106是并
聯(lián)臂聲表面波諧振器。此處，聲表面波諧振器1101、 1102、 1103、 1104、 1105、 1106構(gòu)成為使用實(shí)施方式1或者實(shí)施方式2中所示的聲表面波諧振 器。利用以上結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良特性的梯形聲表面波濾波器。
在本實(shí)施方式中，對(duì)使用六個(gè)聲表面波諧振器1101、 1102、 1103、 1104、 1105、 1106的梯形聲表面波濾波器進(jìn)行了說(shuō)明，但聲表面波諧振器 的個(gè)數(shù)或結(jié)構(gòu)并不限于此，只要將實(shí)施方式1或者實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)的聲 表面波諧振器用于構(gòu)成聲表面波濾波器的聲表面波諧振器中的至少一個(gè)， 則可獲得改善效果。
而且，在本發(fā)明中，如果應(yīng)用實(shí)施方式1或者實(shí)施方式2中的梳狀電 極102、 702的結(jié)構(gòu)，則不僅對(duì)于由在梳狀電極102、 702兩側(cè)配置有反射 器電極103、 703的聲表面波諧振器構(gòu)成的梯形聲表面波濾波器，而且對(duì)于 鄰近配置有多個(gè)梳狀電極102、 702而構(gòu)成的縱模式型濾波器來(lái)說(shuō)，均可獲 得縱模式型聲表面波濾波器的特性改善效果。
而且，本發(fā)明不僅適用于聲表面波濾波器，還可適用于由發(fā)送濾波器 與接收濾波器構(gòu)成的天線共用器，通過(guò)在發(fā)送濾波器或接收濾波器中的任 一個(gè)中使用本發(fā)明的聲表面波諧振器或聲表面波濾波器，可實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良 特性的天線共用器。
工業(yè)利用可能性
本發(fā)明的聲表面波諧振器具有改善聲表面波的橫向泄漏，從而可實(shí)現(xiàn) 特性優(yōu)良的聲表面波諧振器的效果。而且，具有如下效果通過(guò)使用這種 聲表面波諧振器構(gòu)成聲表面波濾波器、天線共用器，可實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良特性 的聲表面波濾波器、天線共用器。
權(quán)利要求
1、一種聲表面波諧振器，其具備由鈮酸鋰構(gòu)成的襯底、設(shè)置在所述襯底的上表面的梳狀電極、及覆蓋所述梳狀電極的電介質(zhì)薄膜，其中所述梳狀電極包含匯流條電極區(qū)域、虛設(shè)電極區(qū)域及交叉區(qū)域，在所述匯流條電極區(qū)域及所述虛設(shè)電極區(qū)域中的至少一個(gè)區(qū)域的上部，所述電介質(zhì)薄膜的厚度小于所述交叉區(qū)域上部的所述電介質(zhì)薄膜的厚度，或者為零。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波諧振器，其中-其結(jié)構(gòu)是所述匯流條電極區(qū)域或所述虛設(shè)電極區(qū)域中的至少一個(gè)區(qū)域 從所述電介質(zhì)薄膜中露出。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的聲表面波諧振器，其中 所述梳狀電極被實(shí)施變跡加權(quán)處理。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的聲表面波諧振器，其中所述襯底為切割角為-10 +30度的旋轉(zhuǎn)Y切割型。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波諧振器，其中 所述電介質(zhì)薄膜為Si02薄膜。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的聲表面波諧振器，其中 所述虛設(shè)電極區(qū)域被實(shí)施了經(jīng)金屬噴涂的虛設(shè)電極加權(quán)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲表面波諧振器，其中 其結(jié)構(gòu)是所述虛設(shè)電極區(qū)域從所述電介質(zhì)薄膜露出。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲表面波諧振器，其中 所述梳狀電極是標(biāo)準(zhǔn)化梳狀電極結(jié)構(gòu)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲表面波諧振器，其中所述襯底是切割角為-10 +30度的旋轉(zhuǎn)Y切割型。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲表面波諧振器，其中 所述電介質(zhì)薄膜為Si02薄膜。
11、 一種聲表面波濾波器，其具有多個(gè)聲表面波諧振器，其中所述聲表面波諧振器中的至少一個(gè)是權(quán)利要求1或6所述的聲表面波諧振器。
12、 一種天線共用器，其具有發(fā)送濾波器與接收濾波器，其中 使用根據(jù)權(quán)利要求11所述的聲表面波濾波器來(lái)作為所述發(fā)送濾波器或 接收濾波器。
13、 一種聲表面波諧振器，其具備由鈮酸鋰構(gòu)成的襯底、設(shè)置在所述 襯底的上表面上的梳狀電極、及覆蓋所述梳狀電極的電介質(zhì)薄膜，其中所述梳狀電極包含匯流條電極區(qū)域、虛設(shè)電極區(qū)域及交叉區(qū)域，且所 述匯流條電極區(qū)域或所述虛設(shè)電極區(qū)域中的至少任一個(gè)區(qū)域中的聲表面波 的音速大于所述交叉區(qū)域中的聲表面波的音速。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的聲表面波諧振器，其中所述虛設(shè)電極區(qū)域中的聲表面波的音速大于所述交叉區(qū)域中的聲表面 波的音速，所述虛設(shè)電極區(qū)域具有經(jīng)金屬噴涂的虛設(shè)電極加權(quán)部。
15、 一種聲表面波濾波器，其具有多個(gè)聲表面波諧振器，其中 所述聲表面波諧振器中的至少一個(gè)是權(quán)利要求13所述的聲表面波諧振器°
16、 一種天線共用器，其具有發(fā)送濾波器與接收濾波器，其中 使用權(quán)利要求15所述的聲表面波濾波器來(lái)作為所述發(fā)送濾波器及接收濾波器中的至少任一個(gè)。
17、 一種聲表面波諧振器，其具備由鈮酸鋰構(gòu)成的襯底、設(shè)置在所述襯底的上表面上的梳狀電極、及覆蓋所述梳狀電極的電介質(zhì)薄膜，其中所述梳狀電極包含匯流條電極區(qū)域、虛設(shè)電極區(qū)域及交叉區(qū)域，且在 所述匯流條電極區(qū)域及所述虛設(shè)電極區(qū)域中的至少任一個(gè)區(qū)域的上部，所 述電介質(zhì)薄膜為非形成狀態(tài)。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的聲表面波諧振器，其中 所述虛設(shè)電極區(qū)域被實(shí)施了經(jīng)金屬噴涂的虛設(shè)電極加權(quán)。
19、 一種聲表面波濾波器，其具有多個(gè)聲表面波諧振器，其中 所述聲表面波諧振器中的至少一個(gè)是權(quán)利要求17所述的聲表面波諧振器。
20、 一種天線共用器，其具有發(fā)送濾波器與接收濾波器，其中使用權(quán)利要求19所述的聲表面波濾波器來(lái)作為所述發(fā)送濾波器或接收濾波器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種因改善聲表面波的橫向泄漏，而寄生小且特性優(yōu)良的聲表面波諧振器。本發(fā)明的聲表面波濾波器在壓電襯底上形成有梳狀電極與反射器電極，且在梳狀電極與反射器電極上形成有SiO₂薄膜。梳狀電極包含匯流條電極區(qū)域、虛設(shè)電極區(qū)域及交叉區(qū)域，而且梳狀電極的匯流條電極區(qū)域上部成為SiO₂薄膜被除去的狀態(tài)。
文檔編號(hào)H03H9/145GK101379699SQ20078000460
公開日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日
發(fā)明者中村弘幸, 中西秀和, 巖崎行緒, 松波賢, 鶴成哲也 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社