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      Rf功率放大器的制作方法

      文檔序號(hào):7512521閱讀:337來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:Rf功率放大器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及RF功率放大器。
      背景技術(shù)
      多單元天線陣列如相控陣列的每個(gè)單元應(yīng)由相應(yīng)的功率單元、單 個(gè)功率放大器進(jìn)行激勵(lì)(drive),這是通常的要求,特別是對(duì)于航天 衛(wèi)星通信應(yīng)用。每個(gè)天線的放大的功率信號(hào)相對(duì)于其他天線單元在幅 度和相位方面應(yīng)當(dāng),皮準(zhǔn)確地控制。通常,為此目的采用固態(tài)功率放大 器(SSPA),但該放大器必須滿足有源天線陣列工作所需的嚴(yán)格線性、 效率和增益/相位跟蹤性能。
      通過(guò)仔細(xì)選擇偏置條件,可在給定RF輸出功率對(duì)放大器的增益 壓縮、效率和線性的程度進(jìn)行優(yōu)化。然而,當(dāng)放大器激勵(lì)減小時(shí),放 大器補(bǔ)償和增益變得壓縮較小,導(dǎo)致效率降級(jí)。線性改進(jìn)了,但在許 多情況下,這不是應(yīng)用要求。當(dāng)工作在有源天線陣列時(shí),會(huì)導(dǎo)致其中 一些或所有放大器以小于最優(yōu)效率運(yùn)行,該最優(yōu)效率取決于傳輸負(fù)載 和波束指向條件(其可將幅度"錐體"施加在陣列上,其中放大器在陣列 上具有逐漸減小的輸出幅度)。
      為了避免疑義,上面所用的術(shù)語(yǔ)具有如下含義
      增益壓縮:例如可定義為由放大器傳輸特性的非線性所引起的 "差分"或"斜率"增益的減小。當(dāng)放大器以最大放大接近其飽和特性 時(shí),增益壓縮可理解為偏離線性放大的程度。
      補(bǔ)償(back off):當(dāng)放大器工作點(diǎn)沿其工作特性遠(yuǎn)離高功率條 件向較低功率條件移動(dòng)時(shí),輸入功率和輸出功率減小的量。
      效率:用于傳輸?shù)腞F輸出功率與電源提供的DC輸入功率的比率。線性:如本文所描述,有各種線性量度,但通常的量度是載波互 調(diào)比(C/1比——多載波系統(tǒng)的主體信道中的功率與相鄰信道中的功率 "漏泄"之比)。
      在"Recent developments in solid state power amplifier technology and their applicability to third generation mobile space segment systems" (pages 264-268, Fourth International Conference on Satellite Systems for Mobile Communications and Navigation; October 1988)中,公開(kāi)了對(duì)于結(jié)合硅雙極晶體管的功率放大器,自動(dòng) 調(diào)整放大器偏置以用補(bǔ)償來(lái)最小化效率降級(jí)。這種技術(shù)是模擬技術(shù), 涉及調(diào)整雙極輸出晶體管的基極發(fā)射級(jí)電壓。這種技術(shù)不可能使之與 采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的放大器一起工作,并因此嚴(yán)重限制了當(dāng)前 使用的放大器。
      其他較復(fù)雜的技術(shù)是公知的——著名的Chireix異相(LINC)放大 器和Doherty放大器。這些布置要求將輸入信號(hào)分成兩個(gè)并聯(lián)放大路 徑,然后隨后組合放大的信號(hào)。這種技術(shù)建立起來(lái)是復(fù)雜的,并且主 要意于在給定補(bǔ)償使效率最大化,其中放大器必須顯示出非常高的線 性。
      上述技術(shù)都沒(méi)有解決工作在現(xiàn)代有源陣列天線中的放大器的要 求。這種放大器的基本前提是,它們必須在增益和傳輸相位上彼此跟 蹤,并在許多情況下,放大器工作在不同的激勵(lì)電平和溫度。
      在"L Band Power Amplifier Solutions for the INMARSAT
      Space Segment"(IEE Seminar on Microwave and RF Power Amplifiers, 7 December 2000, D. Seymour, pages 6/1 -6/6)中,公開(kāi)了這 樣一種系統(tǒng),用于控制固態(tài)功率放大器(SSPA)增益、增益斜率和相位, 使得這些特性準(zhǔn)確地保持恒定,并相對(duì)于大量SSPA的陣列中的其他 SSPA被跟蹤。該系統(tǒng)包含電子功率調(diào)節(jié)器(EPC),其是適合于用在航 天應(yīng)用中的電源??刂艫SIC接收放大器溫度信號(hào)和放大器輸入功率 信號(hào),并存取保存在EEPROM中的數(shù)字補(bǔ)償數(shù)據(jù),用于根據(jù)所接收 的信號(hào),提供用于控制放大器的增益、增益斜率和相位的適當(dāng)模擬控制信號(hào)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種可在寬動(dòng)態(tài)范圍顯著改進(jìn)放大器特性 的放大器系統(tǒng)。
      在第一方面,本發(fā)明提供一種用于驅(qū)動(dòng)(power)天線單元的放 大器系統(tǒng),該放大器系統(tǒng)包括
      RF放大器裝置,具有信號(hào)放大路徑,所述路徑至少包含功率輸
      出級(jí);
      電源裝置,用于提供至少驅(qū)動(dòng)所述RF放大器裝置的所述功率輸 出級(jí)的DC電壓可變值;
      控制裝置,用于接收所述RF放大器裝置的輸入功率信號(hào)作為控 制輸入,以響應(yīng)于所述控制輸入,向所述電源裝置提供電壓控制信號(hào), 來(lái)確定所述DC電壓值;
      并且所述控制裝置布置成到所述功率輸出級(jí)的所述DC電壓值 被改變,以便控制用于改變所述輸入功率值的所述RF放大裝置的增 益壓縮,以便調(diào)節(jié)所述RF放大器裝置的放大器線性、放大器效率和 熱耗散中的至少一項(xiàng)。
      在第二方面,本發(fā)明提供一種用于驅(qū)動(dòng)天線單元的放大器系統(tǒng), 所述放大器系統(tǒng)包括
      RF放大器裝置,具有信號(hào)放大路徑,所述路徑至少包含功率輸
      出級(jí);
      電源裝置,用于提供至少驅(qū)動(dòng)所述RF放大器裝置的所述功率輸 出級(jí)的DC電壓可變值;
      控制裝置,用于從所述RF放大器裝置接收輸入功率信號(hào)作為控 制輸入,以響應(yīng)于所述控制輸入,向所述電源裝置提供電壓控制信號(hào), 來(lái)確定所述DC電壓值;
      并且所述控制裝置包含存儲(chǔ)裝置,所述存儲(chǔ)裝置保存定義用于改 變所述輸入功率值的所述電壓控制信號(hào)輸出值的控制字集合,由此改
      8變所述DC電壓值,并因此控制所述RF放大裝置的預(yù)定參數(shù)。
      根據(jù)本發(fā)明的放大器系統(tǒng)可饋送單個(gè)單元天線,進(jìn)行基于航天、 航空或地面的傳輸。然而,該放大器系統(tǒng)特別適合于激勵(lì)用于航天器 的多單元天線或天線陣列的相應(yīng)單元。由此提供了多個(gè)這種放大器系 統(tǒng),來(lái)激勵(lì)例如便于布置為矩陣功率放大器(MPA)的相應(yīng)天線單元。
      該放大器系統(tǒng)優(yōu)選為適合于航天應(yīng)用的固態(tài)功率放大器 (SSPA),其包含RF放大器、電子功率調(diào)節(jié)器和控制部分??刂撇糠?可與RF放大器部件安裝在同一電路板上,或與之集成。RF放大器具 有放大路徑,該路徑通常包含前置放大器、激勵(lì)放大器和功率放大器 或功率輸出級(jí)。根據(jù)需要,功率輸出級(jí)可包括布置在串聯(lián)/并聯(lián)陣列中 的多個(gè)放大器單元。
      輸出級(jí)可包含一個(gè)或多個(gè)功率晶體管。如用當(dāng)前技術(shù)所優(yōu)選的, 功率晶體管是FET,但它們可以是雙極晶體管,或在通常商業(yè)使用中 尚未用過(guò)的晶體管。存在各種類型的晶體管,都被看作FET,例如 HFET、 PHEMT。功率晶體管是高質(zhì)量GaAs或GaN或者諸如Si、 SiGe、 SiC、金剛石、塑料等其他材料。不排除熱離子器件,諸如TWTA。
      放大器系統(tǒng)的電源裝置包括電子功率調(diào)節(jié)器(EPC),其適合于用 在航天應(yīng)用中,并從航天器電源總線接受功率,并且提供受控的DC 供電電壓(主次電壓),用于驅(qū)動(dòng)RF放大器裝置和控制裝置。對(duì)于具 有FET的放大器,DC電壓表示FET漏極電壓。根據(jù)本發(fā)明,提供 給RF放大器輸出級(jí)的DC供電電壓的大小根據(jù)從控制裝置到電源的 控制輸入進(jìn)行控制。優(yōu)選的是,提供給RF放大器激勵(lì)級(jí)的DC供電 電壓的大小同樣地進(jìn)行控制。
      在釆用SSPA的情況下,控制裝置可以是與RF放大器安裝在統(tǒng) 一電路板上的集成電路;備選地,它可以與放大器分開(kāi)形成。這種控 制裝置從放大器接受控制輸入,主要是輸入功率和溫度,并提供控制 輸出以控制所選擇的放大器參數(shù),例如增益、傳輸相位和增益斜率(通 過(guò)調(diào)整前置放大器特性)。根據(jù)本發(fā)明,控制裝置向電源裝置提供控制 輸出,以便改變到功率放大器輸出功率級(jí)的DC供電電壓,從而控制
      9所選擇的放大器參數(shù)。用于控制的主要參數(shù)是線性和效率。然而,也
      可以控制其他參數(shù),例如熱耗散。如上所述,線性的重要量度是C/1 比——然而,也可以采用其他量度,諸如噪聲功率比(NPR)或相鄰信 道功率比(ACPR)。 C/I比通常用于多載波系統(tǒng),但是ACPR可用于單 載波系統(tǒng),其中單載波旁瓣中的功率可相對(duì)于主瓣中的功率來(lái)確定。
      期望的控制方法是保持線性(載波互調(diào)比(C/I))恒定,或在期望的 限度內(nèi),同時(shí)將效率保持在可接受的限度內(nèi),以便在RF功率輸出值 的期望范圍改變放大器輸入值。備選地,熱耗散或效率也可以保持恒 定。為了做到這點(diǎn),本發(fā)明控制增益壓縮,以便通過(guò)改變到RF放大 器功率輸出級(jí)的DC供電電壓來(lái)改變輸入功率電平。
      對(duì)于控制,至少部分通過(guò)數(shù)字和模擬電路并通過(guò)遙控指令信號(hào)來(lái) 提供上述控制方法,是有可能的。可以任何方便的形式來(lái)提供控制裝 置的電路,例如,發(fā)現(xiàn)ASIC是方便的。優(yōu)選的是,根據(jù)本發(fā)明,提 供EEPROM或其他非易失性存儲(chǔ)裝置,其以控制字陣列形式保存數(shù) 據(jù),這些控制字定義控制輸出值,以便實(shí)現(xiàn)期望的放大器輸出條件。 由此,如果期望在期望范圍上保持線性恒定,以便改變RF輸入功率 值,則控制字將包括表示用于改變RF輸入功率的DC功率電壓的陣 列。在提供了諸如溫度等其他輸入和諸如RF輸出功率和相位等其他 輸出的情況下,會(huì)相應(yīng)地增加陣列的維數(shù)和控制字部分的數(shù)量。
      為了提供控制字,執(zhí)行放大器系統(tǒng)的初始特征化過(guò)程,其中放大 器的期望參數(shù)諸如線性通過(guò)測(cè)試設(shè)備以數(shù)字方式操控到恒定值,同時(shí) 在工作要求的整個(gè)范圍上改變輸入功率。以數(shù)字方式操控DC供電電 壓,將放大器輸出級(jí)的增益壓縮保持在所需值,以便保持線性恒定。 記錄控制字,該控制字表示輸入功率值的DC供電電壓的適當(dāng)值???存儲(chǔ)控制字的限制集合(方位基點(diǎn)),并且可執(zhí)行內(nèi)插過(guò)程,以定義中 間輸入/輸出值的控制字。
      由此,本發(fā)明至少以其優(yōu)選形式集成在板上、自主和/或可遙控 指令的控制技術(shù),其中通過(guò)耦合到含有數(shù)據(jù)(從地面測(cè)試獲得)的電子 存儲(chǔ)器的混合模擬和數(shù)字電子電路, 線性,以及
      功率增加的效率
      與固態(tài)功率放大器的任何或所有參數(shù)一起 增益
      增益vs.頻率響應(yīng) 傳輸相位
      同時(shí)自動(dòng)保持在(接近)恒定水平,并高于預(yù)定閾值,而放大器在輸出 功率電平的寬范圍上被激勵(lì),并經(jīng)受溫度方面的改變。
      本發(fā)明可包括集成在板上的控制技術(shù),其中通過(guò)控制放大器的增 益壓縮程度,可在輸出功率電平的寬范圍上顯示出放大器效率方面的 顯著改進(jìn)。達(dá)到這一點(diǎn)的能力對(duì)于不同放大器類型和應(yīng)用具有各種含 義,并且本發(fā)明的功能可擴(kuò)展到同時(shí)控制放大器的其他參數(shù),如果需 要的話。在用于航天器的情況下,在有效負(fù)荷水平,本發(fā)明是實(shí)現(xiàn)靈 活地面覆蓋的高性能有源天線陣列的啟動(dòng)因子,并提供了消除有損和 昂貴輸出網(wǎng)絡(luò)的潛力。
      本發(fā)明提供了獨(dú)一無(wú)二的放大器靈活度,因?yàn)榕c放大器增益存在 可能有問(wèn)題的交互作用,對(duì)于任何實(shí)際應(yīng)用,這都將是不可接受的, 并且通過(guò)模擬方式實(shí)現(xiàn)起來(lái)極其困難/不切實(shí)際。這在將針對(duì)溫度工作 的典型要求考慮進(jìn)去的時(shí)候,被進(jìn)一步加重了。
      在本發(fā)明的備選形式中,實(shí)現(xiàn)放大器增益壓縮和效率控制的方法 是通過(guò)遙控指令。在這種情況下,放大器會(huì)顯示出所需的增益壓縮和 效率,但僅僅在離散、遙控指令的輸出功率設(shè)置方面。


      現(xiàn)在將參照附圖來(lái)描迷本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,其中
      圖l是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中采用的示范控制裝置的示意圖2是本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的示意框圖3是本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的示意框圖4是例示現(xiàn)有技術(shù)SSPA的性能特性的圖表;圖5是例示用本發(fā)明預(yù)期的性能特性的圖表;
      圖6是例示對(duì)于在輸出級(jí)中采用GaN功率晶體管的多載波系統(tǒng), 用本發(fā)明預(yù)期的性能特性的圖表;
      圖7是例示對(duì)于在輸出級(jí)中采用GaN功率晶體管的單載波系統(tǒng), 用本發(fā)明預(yù)期的性能特性的圖表;
      圖8是本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的示意框圖9是圖l控制裝置的更詳細(xì)視圖;以及
      圖IO是本發(fā)明放大器系統(tǒng)的概念框圖,示例為SSPA。
      具體實(shí)施例方式
      首先參考圖10,本發(fā)明的放大器系統(tǒng)以一種示范形式實(shí)現(xiàn)為固 態(tài)功率放大器(SSPA),其中電源部分包括電子功率調(diào)節(jié)器(EPC) 10, RF放大器部分12具有放大路徑,該路徑包含前置放大器14、激勵(lì)放 大器16(激勵(lì)級(jí))和功率放大器18(輸出級(jí))??刂撇糠职〝?shù)字控制方 案(DCS)20,其向前置放大器14和EPC10提供控制輸出。具體地, DCS20在線22上向EPC IO提供模擬控制信號(hào),在線24上向前置放 大器14中的相位控制26提供數(shù)字信號(hào)(備選地,也可使用模擬相位控 制),在線28上向增益斜率控制30提供模擬控制信號(hào),并在線32上 向前置放大器14中的增益控制34提供模擬控制信號(hào)。EPC 10向輸 出級(jí)18和激勵(lì)級(jí)16提供可變DC供電電壓36(漏極電壓或漏源電壓)。
      參考圖1和圖9, DCS 20由混合模擬/數(shù)字信號(hào)控制ASIC 40和 電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM) 42組成。控制ASIC具有兩個(gè)^^擬輸 入?yún)⒖级丝?44、 46和三個(gè)模擬(22、 28、 32)加上一個(gè)串聯(lián)數(shù)字(24)輸 出控制端口供用戶使用。實(shí)質(zhì)上,輸入?yún)⒖?4、 46(正常是溫度和放 大器輸入功率)在A/D轉(zhuǎn)換器48中進(jìn)行數(shù)字化,并且操控控制ASIC 的數(shù)字處理單元49讀取保存在EEPROM中的有關(guān)控制字。方便的是, 控制字50可存儲(chǔ)成矩陣形式,圖示為行用于功率輸入,而列用于溫 度輸入。所存取的控制字接著由ASIC進(jìn)行處理,并在D/A轉(zhuǎn)換器52 中進(jìn)行數(shù)字化,以在其輸出端口 22-32提供控制信號(hào)??刂艫SIC 40具有I2C編程接口 54(也可采用其他標(biāo)準(zhǔn)接口),由此可在放大器建立 或特征化過(guò)程中尋址、加載和讀取EEPROM 42。
      對(duì)于本文描述的所有實(shí)施例,DCS20的工作原理是,作為部分 生產(chǎn)過(guò)程,放大器在其工作要求——具體是輸入功率范圍和溫度的整 個(gè)范圍進(jìn)行特征化。在此特征化過(guò)程期間,需要被控制的那些參數(shù)通 過(guò)與DCS對(duì)接的軟件和測(cè)試設(shè)備,以數(shù)字方式操控到所記錄的期望 值和由此導(dǎo)出的數(shù)字"控制字"。這樣,收集了數(shù)字控制字50或"方位 基點(diǎn)"的陣列。軟件可內(nèi)插在方位基點(diǎn)之間,以到達(dá)加載在EEPROM 42中的整個(gè)"校正陣列"。備選地,只有方位基點(diǎn)存儲(chǔ)在EEPROM 42 中,其中內(nèi)插由ASIC 40實(shí)時(shí)進(jìn)行。在這兩種方案中,結(jié)果是, EEPROM數(shù)據(jù)通過(guò)ASIC中的電路用于激勵(lì)放大器設(shè)計(jì)中包含的校 正單元,來(lái)實(shí)現(xiàn)必要的性能。
      圖2例示本發(fā)明的第一實(shí)施例,圖1、 9和10的類似部分用相同 附圖標(biāo)記表示(并用于所有隨后的附圖)。在這種情況下,DCS20提供 有來(lái)自RF放大器12的單個(gè)輸入?yún)⒖?6,其是與其輸入功率相關(guān)的 電壓。DCS模擬輸出中只有一個(gè)輸出22被使用了,并且其與EPC10 對(duì)接,以控制到激勵(lì)FET 16和輸出FET漏極18的主電壓供給36。 在特征化過(guò)程中,放大器在其整個(gè)輸入功率動(dòng)態(tài)范圍上并通過(guò)上面提 到的軟件和測(cè)試設(shè)備進(jìn)行訓(xùn)練,EPC主輸出電壓36以數(shù)字方式進(jìn)行 操控,將RF放大器激勵(lì)級(jí)16和輸出級(jí)18保持在所需的增益壓縮, 以便保持恒定的C/I比。
      圖2的實(shí)施例是最低限度配置。實(shí)際上,當(dāng)調(diào)整到激勵(lì)FET和 輸出FET的漏極供給時(shí),可改變放大器增益,并且會(huì)存在可能不得 不處理的溫度效應(yīng)。圖3中所示的第二實(shí)施例因此例示實(shí)際使用的本 發(fā)明的配置,其中DCS 20還用于在工作動(dòng)態(tài)范圍和溫度上將放大器 的總增益保持在恒定水平。第二參考輸入44現(xiàn)在從安裝在放大器板 上的溫度傳感器60提供給DCS 22,并且第二模擬輸出32用于激勵(lì) RF鏈中的可變衰減器34(或者其他數(shù)字或模擬可變?cè)鲆?損耗器件)。 現(xiàn)在特征化過(guò)程在其整個(gè)輸入功率動(dòng)態(tài)范圍和工作溫度范圍訓(xùn)練放大器。這樣,收集數(shù)據(jù)不僅用輸入激勵(lì)調(diào)整增益壓縮,而且使增益壓 縮中的任何不需要的變化清零,并用溫度調(diào)整絕對(duì)增益。
      圖4和圖5中給出了對(duì)于特定輸出功率要求而優(yōu)化的固定類A/B 偏置放大器的性能與用本發(fā)明預(yù)期的性能之間的比較。該放大器采用 GaAs激勵(lì)FET和輸出FET,并且包含前置放大器部分來(lái)放大增益。 圖4例示固定偏置情況,其中偏置條件,特別是漏極電壓供給,在這 種情況下已被調(diào)整和固定了 ,以在正常工作點(diǎn)(NOP),在這種情況下 剛好在12.0dBW以下,實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。可以看到,在20dB的相關(guān)聯(lián) 三音載波與互調(diào)比(C/1)處實(shí)現(xiàn)了 31%的峰值效率;對(duì)于移動(dòng)功率放大 器,這個(gè)值是典型的品質(zhì)因數(shù)。然而,當(dāng)放大器被補(bǔ)償時(shí),效率降級(jí) 得相當(dāng)迅速;在C/I方面有所改進(jìn),但這通常不是系統(tǒng)要求。因?yàn)檫@ 個(gè)放大器配備有配置為在動(dòng)態(tài)范圍控制總放大器增益的DCS,所以掩 蓋了放大器在NOP被2dB增益壓縮的事實(shí)。
      圖5例示結(jié)合到圖3實(shí)施例中的相同放大器的增強(qiáng)性能。在這種 情況下,DCS 20的功能擴(kuò)展為在剛好在3dB以上的輸出功率動(dòng)態(tài)范 圍自動(dòng)將放大器C/I保持在20dB的水平。控制增益壓縮以實(shí)現(xiàn)這一 點(diǎn)被同時(shí)還控制總放大器增益的DCS掩蓋了。將會(huì)立即看到,對(duì)于 固定偏置情況,盡管峰值效率不太高,但是補(bǔ)償?shù)男蕵O大改進(jìn)了, 在輸出功率范圍10.5W到22W優(yōu)于30%。能夠?qū)崿F(xiàn)這種性能的動(dòng)態(tài) 范圍取決于所需的最小可接受線性(C/1),但是最終受激勵(lì)FET和輸出 FET的可接受電壓限度的限制。
      應(yīng)該注意,本發(fā)明同樣可適用于在給定動(dòng)態(tài)范圍實(shí)現(xiàn)恒定的效 率,乃至恒定的耗散特性。
      本發(fā)明可適用于結(jié)合了氮化鎵(GaN)寬帶隙技術(shù)的FET,并且能 實(shí)現(xiàn)更寬的動(dòng)態(tài)范圍,因?yàn)橛眠@些部分允許更大的漏極電壓范圍。
      圖6示出在多載波工作中單個(gè)GaN輸出級(jí)的預(yù)期性能,并且本 發(fā)明適用于將C/I保持恒定在20dB。在這種情況下,在接近4dB (63W 到26W)的輸出功率動(dòng)態(tài)范圍保持優(yōu)于45%的效率。
      圖7例示在單栽波工作中相同GaN輸出級(jí)的預(yù)期性能,其中在
      14這種情況下,增益壓縮已被控制為恒定2dB。可以看到,在126W到 52W的輸出功率范圍保持優(yōu)于56%的效率。
      圖8例示本發(fā)明的第三實(shí)施例,其中DCS20被擴(kuò)展到其整個(gè)能 力,適用于工作在移動(dòng)衛(wèi)星傳輸相控陣列天線的^L大器。這里,放大 器都需要在溫度上在增益和傳輸相位方面彼此跟蹤,同時(shí)工作在不同 的RF激勵(lì)電平。由此,相比圖3的第二實(shí)施例,提供了控制相位26 和增益斜率30的控制線24、 28。 DCS現(xiàn)在用于實(shí)現(xiàn)圖5到7中所示 的性能,同時(shí)在所需的動(dòng)態(tài)范圍和溫度上控制放大器。
      總增益
      傳輸相位
      幅度vs.頻率響應(yīng)
      在本發(fā)明的變型中,實(shí)現(xiàn)放大器增益壓縮和效率控制的方法是通 過(guò)遙控指令。在這種情況下,放大器顯示出所需的增益壓縮和效率, 但僅僅在離散、遙控指令的輸出功率設(shè)置方面。響應(yīng)于到EPC 10的 遙控指令輸入,EPC 10將到RF放大器12的漏極供電電壓36改為預(yù) 定值??梢灾噶顜讉€(gè)這樣的值。這會(huì)給出近似的控制形式,其在某些 情形下可能是可接受的。
      實(shí)際上,在指令的漏極電壓改變時(shí),放大器增益會(huì)改變,并且這
      可能必須進(jìn)行補(bǔ)償。而且,可能需要增益的溫度補(bǔ)償。因此,這種遙 控指令備選方案最好可包含DCS 20,該DCS 20包含用于補(bǔ)償增益改 變的EEPROM 42。如果需要放大器顯示出工作在相控陣列所需的恒 定增益和相位性能,那么可使用類似于圖8中的DCS,對(duì)于每個(gè)遙控 指令的電平,存儲(chǔ)EEPROM數(shù)據(jù)校正矩陣。
      權(quán)利要求
      1. 一種用于驅(qū)動(dòng)天線單元的放大器系統(tǒng),所述放大器系統(tǒng)包括RF放大器裝置,具有信號(hào)放大路徑,所述路徑至少包含功率輸出級(jí);電源裝置,用于提供至少驅(qū)動(dòng)所述RF放大器裝置的所述功率輸出級(jí)的DC電壓可變值;控制裝置,用于接收所述RF放大器裝置的輸入功率信號(hào)作為控制輸入,以響應(yīng)于所述控制輸入,向所述電源裝置提供電壓控制信號(hào),來(lái)確定所述DC電壓值;并且所述控制裝置布置成到所述功率輸出級(jí)的所述DC電壓值被改變,以便控制用于改變所述輸入功率值的所述RF放大裝置的增益壓縮,從而調(diào)節(jié)所述RF放大器裝置的放大器線性、放大器效率和熱耗散中的至少一項(xiàng)。
      全文摘要
      一種用于驅(qū)動(dòng)多單元天線的單個(gè)單元的固態(tài)功率放大器(SSPA),該SSPA包括RF放大器,具有信號(hào)放大路徑,該路徑包含前置放大器、激勵(lì)放大器(16)和功率輸出級(jí)(18);電子功率調(diào)節(jié)器(EPC),用于提供驅(qū)動(dòng)RF放大器的功率輸出級(jí)(18)的DC電壓可變值;控制ASIC(40),用于接收向EPC提供電壓控制信號(hào)以確定DC電壓值的RF放大器的輸入功率信號(hào)(46),該控制ASIC尋址EEPROM(42),該EEPROM(42)保存定義用于改變所述輸入功率值的控制輸出信號(hào)輸出值的控制字集合,使得到功率輸出級(jí)(18)的DC電壓(36)的值被改變,以便控制用于改變輸入功率值的RF放大器的增益壓縮,從而保持恒定的放大器線性。
      文檔編號(hào)H03F1/32GK101485081SQ200780021757
      公開(kāi)日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2007年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月5日
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