專利名稱：：具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷、工藝方法及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于材料科學(xué)領(lǐng)域，涉及無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)PZT壓電陶瓷材料與器件制備技術(shù)。
背景技術(shù)：
：PZT壓電陶瓷是一種重要的功能材料和智能材料，廣泛應(yīng)用于電子元件、微位移控制、微型超聲電機(jī)等領(lǐng)域。PZT陶瓷由于具有居里溫度高、壓電性強(qiáng)、易摻雜改性、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，目前在壓電陶瓷材料與器件領(lǐng)域依然占據(jù)主導(dǎo)地位。如PZT陶瓷濾波器和SAW濾波器構(gòu)成現(xiàn)代無(wú)線通信技術(shù)中關(guān)鍵元器件-—中、高頻及微波濾波器。低損耗、高介電常數(shù)陶瓷在RF和IF濾波器中的應(yīng)用，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)線設(shè)備的微型化。PZT陶瓷驅(qū)動(dòng)器，包括單片式和多層驅(qū)動(dòng)器，在微位移控制和超聲電機(jī)系統(tǒng)中業(yè)已得到廣泛應(yīng)用。PZT陶瓷粉體的致密化燒結(jié)技術(shù)對(duì)PZT制品質(zhì)量影響非常大。傳統(tǒng)的PZT壓電陶瓷無(wú)壓燒結(jié)通常在1200-1400T高溫進(jìn)行，由于鉛在高于800。C就開(kāi)始揮發(fā)，很難得到組分均勻的致密陶瓷片。燒結(jié)過(guò)程中鉛揮發(fā)導(dǎo)致組分偏離準(zhǔn)確的化學(xué)計(jì)量而使制品性能降低，同時(shí)由此導(dǎo)致的Zr/Ti波動(dòng)影響PZT制品性能的穩(wěn)定性。另外，較高的燒結(jié)溫度造成PZT顆粒粗化和團(tuán)聚，降低陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。如果在低于100(TC溫度燒結(jié)PZT壓電陶瓷制品，由于此時(shí)PbO的飽和蒸汽壓較低，只有不到1%的揮發(fā)，可以大大簡(jiǎn)化燒結(jié)設(shè)備和工藝，不必加入燒結(jié)PbO氣氛片和避免使用雙層坩堝技術(shù)，而采用單層坩堝加蓋密閉燒結(jié)即可得到高質(zhì)量PZT制品(參考文獻(xiàn)1,2)。為此人們進(jìn)行了多種努力來(lái)降低壓電陶瓷燒結(jié)溫度，如l)采用濕化學(xué)法或高能球磨制備納米尺度超微細(xì)粉體，提高粉體活性，從而降低燒結(jié)溫度，減少鉛揮發(fā)，保證準(zhǔn)確的化學(xué)計(jì)量；2)添加低熔點(diǎn)玻璃粉或形成低熔點(diǎn)共融物的化合物等燒結(jié)助劑進(jìn)行液相燒結(jié)。采用此種方法燒結(jié)溫度可降低到800T以下，但應(yīng)用范圍具有極大的限制，因?yàn)樘砑觿┰谧詈蟮臒Y(jié)體中形成非壓電性的第二相，降低最終陶瓷元件的壓電性能和機(jī)械性能；3)固溶反應(yīng)燒結(jié)，如0.05mol%Mn02(NbA)摻雜0.92Pb(ZrTi)03-0.05BiFe(V0.03Ba(Cua5W。5)03+0.08wt%CuO，粉體合成和致密燒結(jié)一步完成。為了達(dá)成降低PZT材料的燒結(jié)溫度，促進(jìn)燒結(jié)和提高電、機(jī)性能之間的平衡，人們?nèi)栽谔剿骱筒捎眯碌臒Y(jié)工藝，結(jié)合幾種方法的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化組合，最終朝制得性能優(yōu)良的壓電陶瓷材料與器件方向努力。降低PZT陶瓷粉料燒結(jié)溫度研究工作的一個(gè)重要?jiǎng)恿?lái)自于多層壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器的制備技術(shù)需求，低溫共燒(LTCC，燒結(jié)溫度低于1000。C)技術(shù)的發(fā)展極大地促進(jìn)了驅(qū)動(dòng)器及以其為核心動(dòng)力裝置的超聲電機(jī)等器件與系統(tǒng)的設(shè)計(jì)發(fā)展(參考文獻(xiàn)3，4)。超聲電機(jī)是利用壓電陶瓷的電致伸縮效應(yīng)和超聲振動(dòng)，將定子的微觀形變通過(guò)共振放大和摩擦耦合轉(zhuǎn)換成轉(zhuǎn)子(旋轉(zhuǎn)型電機(jī))或動(dòng)子(直線型電機(jī))的宏觀運(yùn)動(dòng)的一種全固態(tài)電機(jī)。這種電機(jī)具有諸如響應(yīng)快、控制特性好、低速大扭矩、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊、設(shè)計(jì)靈活、低噪聲、無(wú)電磁干擾等特征，可用于航天器、航空器、汽車、機(jī)器人和精密儀器等系統(tǒng)。優(yōu)良的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器要求較大的機(jī)械位移(大于10微米)和較低的驅(qū)動(dòng)電壓(小于100伏)。把較薄的驅(qū)動(dòng)器堆垛成多層驅(qū)動(dòng)器是目前超聲電機(jī)驅(qū)動(dòng)器常采用的一種重要方式。目前，在高溫共燒(HTCC，燒結(jié)溫度高于1200。C)多層結(jié)構(gòu)壓電驅(qū)動(dòng)器件制作過(guò)程中，由于燒結(jié)溫度較高，內(nèi)電極材料Pd或Ag-Pd與PZT陶瓷間的相互作用導(dǎo)致較小的化學(xué)均勻性和晶粒尺寸，降低了PZT的化學(xué)配比，從而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器性能惡化(參考文獻(xiàn)5)。在LTCC制作多層壓電驅(qū)動(dòng)器件過(guò)程中，低熔點(diǎn)非鐵電性的玻璃相或化合物的加入，雖然降低了壓電陶瓷的燒結(jié)溫度，但同時(shí)也極大地降低了材料及其器件的壓電性能(參考文獻(xiàn)6)。值得指出的是，目前絕大部分針對(duì)多層驅(qū)動(dòng)器研究采用的是"軟"PZT壓電陶瓷。為進(jìn)一步提高電機(jī)使用功率、操作頻率以及降低運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的熱量等，由硬PZT壓電陶瓷構(gòu)成的LTCC多層驅(qū)動(dòng)器是當(dāng)前商業(yè)技術(shù)開(kāi)發(fā)的一個(gè)難點(diǎn)，相關(guān)研究報(bào)道較少(參考文獻(xiàn)2，4)。參考文獻(xiàn)1、Y.Ponomarev，Y.M.Kim，LowtemperaturefirablePZTcompositionsandpiezoelectricceramicdevicesusingthesame，美國(guó)專禾U6878307。http://www.freepatentsonline.com/6878307,html2、A.Sch6necker,H.-J.Gesemann,LSeffner,Low-SinteringPZT-CeramicsforAdvancedActuatorsInISAF'96.Proc.oftheTenthIEEEInternationalSymposiumonApplicationsofFerroelectrics，eds.B.M.Kulwicki,A丄AminandA.Safari,Vol.1，263-266(1996)3、K.Nakamura，Kurosawa,andS.Ueha,DesignofaHybridTransducerTypeUltrasonicMotor,IEEETrans.Ultrason.，F(xiàn)erroelect.,Freq.Contr.40(4),395—401(1993)4、K.Yao,B.Koc，andK.Uchino,Longitudinal-BendingModeMicromotorUsingMultilayerPiezoelectricActuator,IEEETrans.Ultrason.,Ferroelect.,Freq.Contr.,vol.48，no.4,pp.1066-1071，(2001)5、K.kibitz,H.Bodinger,AndC.Schuh，InteractionBetweenElectrodesAndCeramicsInMultilayerPZT,ISAF986、LT.Li,N.X.Zhang,C.Y.Bai，X.C.Chu，andZ.L.Gui,Multilayerpiezoelectricceramictransformerwithlowtemperaturesintering,J.Mater.Sci.41，155-161(2006)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷；提供采用具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷粉料做助燒劑，通過(guò)瞬態(tài)液相燒結(jié)、固溶反應(yīng)等綜合低溫?zé)Y(jié)機(jī)制，實(shí)現(xiàn)PZT商用陶瓷粉料的無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)；有別于傳統(tǒng)的添加非鐵電性、低熔點(diǎn)玻璃相或形成低熔點(diǎn)共融物化合物的PZT壓電陶瓷低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，提供制作高性能"硬"PZT壓電陶瓷多層驅(qū)動(dòng)器、變壓器、換能器等器件的新型低溫共燒材料與器件技術(shù)。為達(dá)到以上目的，本發(fā)明所采用的解決方案是一種具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷，其化學(xué)成分為(1—x-y)BiCr03-xBiFe03—yPbTi03，其中x=0.3~0.6,y=0.2~0.4。進(jìn)一步，該鐵電陶瓷作為無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)PbZivxTix03&=0.02~1.0)商用壓電陶瓷的燒結(jié)助劑。該鐵電陶瓷作為燒結(jié)助劑的添加量為1.0~15.0mol%。該制得的商用壓電陶瓷PbZrvxTix03-BiCr03-BiFe03-PbTi03是單相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。該商用壓電陶瓷PbZrhTixO3-BiCr03-BiFeO3-PbTiO3的制備工藝為傳統(tǒng)固相陶瓷制備工藝a、Bi203-CrA-Fe203-PbO-Ti02粉體濕法混合；b、將Bi203-Cr203-FeA-PbO-Ti02混合粉體與PZT商用粉料濕法混合；c、造粒，粘結(jié)劑為200ml去離子水-2gPVA-lml甘油-30ml乙醇，200~250MPa壓力壓片；d、生坯片在950105(TC保溫210小時(shí)。由于采用了上述方案，本發(fā)明具有以下特點(diǎn)(1)具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷；(2)采用該低溫?zé)Y(jié)特性鐵電陶瓷氧化物原料粉作為傳統(tǒng)商用PZT壓電陶瓷粉料的無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)助劑，使PZT商用陶瓷粉料成型燒結(jié)溫度降低到1000°C，同時(shí)"硬化"了PZT陶瓷的壓電性能；(3)PZT商用陶瓷粉料的成型燒結(jié)溫度降低20(TC以上，能與Ag-Pd合金等賤金屬電極材料共燒，適用于低溫共燒多層壓電陶瓷器件；(4)PbZr卜xTix03-BiCr03-BiFe03-PbTi03壓電陶瓷是單相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，具有比相應(yīng)PbZrhTiA商用粉料、傳統(tǒng)燒結(jié)工藝制備的陶瓷片"硬"化的壓電特性；(5)采用傳統(tǒng)電子陶瓷制備工藝，工藝簡(jiǎn)單，極大地降低了Pb的揮發(fā)、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低環(huán)境污染、改善工作環(huán)境，大幅降低PZT壓電陶瓷工業(yè)能耗和成本。(6)本發(fā)明不僅適用于傳統(tǒng)片式PZT壓電陶瓷工業(yè)，而且，相對(duì)于傳統(tǒng)的添加非鐵電性的、低熔點(diǎn)玻璃相或形成低熔點(diǎn)共融物化合物作為低溫共燒助劑，本發(fā)明對(duì)開(kāi)發(fā)高性能多層壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器、變壓器、換能器、陶瓷濾波器、SAW濾波器等器件具有特別重要意義。圖1為不同添加量、不同燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間PZT壓電陶瓷片收縮率。圖2為IOO(TC保溫10小時(shí)無(wú)壓燒結(jié)壓電陶瓷片的X射線衍射譜。圖3為3%添加量、IOO(TC保溫10小時(shí)無(wú)壓燒結(jié)壓電陶瓷片的SEM形貌。圖4為5%添加量、1000°C保溫10小時(shí)無(wú)壓燒結(jié)壓電陶瓷片的SEM形貌。圖5為3%和5%添加量、1000X保溫10小時(shí)燒結(jié)陶瓷片的介電性質(zhì)。圖6為3%和5%添加量、IOO(TC保溫10小時(shí)燒結(jié)陶瓷片的室溫P-E電滯迴線。圖7為3%和5%添加量、IOO(TC保溫10小時(shí)燒結(jié)陶瓷片的電容-頻率關(guān)系。圖8為不同添加量、不同燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間PbTi03壓電陶瓷片收縮率。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖所示實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。1、0.25BiCrO廠0.30BiFeO廠0.45PbTi03(BCFPT)鐵電陶瓷制備將Bi20"CrA，F(xiàn)e203，PbO和Ti02氧化物粉末按化學(xué)配比稱量,加無(wú)水乙醇在瑪瑙研缽研磨2小時(shí)；單軸應(yīng)力成型，成型壓力250MPa，生坯直徑lOram;生坯片在1000。C保溫5小時(shí)燒結(jié)。燒結(jié)陶瓷片收縮率大于10%，阿基米德法測(cè)量密度為7.7g/cm3。X射線衍射測(cè)量BCF-PT為贗立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)圖2。2、PZT陶瓷成型燒結(jié)本實(shí)施例采用的PZT陶瓷粉料為上海硅酸鹽研究所(SIC)提供，BCFPT為實(shí)施例1所用混合生料；按(卜z)PZT-z(BCFPT)配比稱量，z=3mol%，5mol%，7.5mol%，10mol%,12.5moiy。和15mol%;加無(wú)水乙醇在瑪瑙研缽研磨2小時(shí)；單軸應(yīng)力成型，成型壓力250MPa,生坯直徑10mm;生坯片在950°C，975°C，100(TC保溫5小時(shí)，在98(TC，IOO(TC保溫10小時(shí)燒結(jié)。具體應(yīng)用時(shí)只需選擇一種保溫，保溫溫度的選擇依據(jù)是根據(jù)與金屬電極低溫共燒的工藝要求確定。時(shí)間選擇根據(jù)燒結(jié)陶瓷片的收縮率來(lái)確定相應(yīng)保溫溫度的最短時(shí)間。燒結(jié)陶瓷片收縮率實(shí)驗(yàn)測(cè)量見(jiàn)圖1。作為對(duì)比，PZT粉料直接單軸應(yīng)力成型，成型壓力250MPa，生坯直徑lOmm;生坯片1000。C保溫5小時(shí)燒結(jié)。收縮率為4.8%，測(cè)量結(jié)果見(jiàn)圖1虛線所示。圖1結(jié)果表明BCF-PT的加入對(duì)降低PZT商用陶瓷粉料的燒結(jié)溫度作用是非常明顯的。本實(shí)施例在IOO(TC保溫10小時(shí)燒結(jié)(1-z)PZT-z(BCFPT)陶瓷片的X射線衍射分析結(jié)果見(jiàn)圖2。(1-z)PZT-z(BCFPT)陶瓷為單相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。對(duì)z二3moiy。和5moiy。兩塊樣品的典型掃描電鏡測(cè)量結(jié)果見(jiàn)圖3、圖4。除了少數(shù)橋型空洞外，陶瓷片是致密的，阿基米德法測(cè)量添加3mol9()陶瓷片密度為7.5g/cm3。對(duì)z:3moW和5moP/。兩塊樣品，將制得的陶瓷片兩面拋光，被銀、燒銀后進(jìn)行介電性能、鐵電性能和壓電性能測(cè)試。圖5給出3%和5%添加量、在1000°C保溫IO小時(shí)燒結(jié)壓電陶瓷片的高溫介電性質(zhì)。對(duì)于3moiy。添加的樣品，居里溫度TC=347。C，1kHz頻率室溫相對(duì)介電常數(shù)1350，損耗因子1.8%。對(duì)于5mol。/。添加樣品，Te=336°C，1kHz頻率相對(duì)介電常數(shù)1110(極化前)、1256(極化后)，損耗因子2.5%。圖6給出3%和5%添加量、在100CTC保溫10小時(shí)燒結(jié)壓電陶瓷片的室溫P-E電滯迴線。對(duì)于3moW添加的樣品，室溫剩余極化為24.lpC/cm2、矯頑場(chǎng)強(qiáng)為1.6kV/mm。對(duì)于5moiy。添加樣品，剩余極化為22.7pC/cm2、矯頑場(chǎng)強(qiáng)為1.8kV/mm。而對(duì)于PbQ.95Sr。.。5(Zr。.53Ti。.47)03+1.5mol%CaFe05/2"硬"壓電陶瓷，室溫剩余極化為20|iC/cm2、矯頑場(chǎng)強(qiáng)為1.3kV/rran。對(duì)于Pb().95Sr。.。5(Zr。.53Ti。.47)O3+0.4mol%Fe203+0.1mol%Bi203+0.2mol%Mn02"硬"壓電陶瓷，室溫剩余極化為20pC/cm2、矯頑場(chǎng)強(qiáng)為1.2kV/ram。由圖5和圖6可見(jiàn)，BCFPT的加入降低了PZT的介電常數(shù)，增加了PZT壓電陶瓷的矯頑場(chǎng)強(qiáng)，使PZT的壓電性能變得更"硬"。圖7給出3%和5%添加量、1000°0保溫10小時(shí)燒結(jié)陶瓷片的電容-頻率關(guān)系。對(duì)于該兩端電容器結(jié)構(gòu)的濾波器，并聯(lián)諧振頻率如圖中箭頭所示。fr=245kHz(3%)，fr=230kHz(5%)，其中陶瓷片直徑分別為9.06和9.20mm,厚度為0.625,和0.525mrn。本發(fā)明壓電陶瓷的性能測(cè)試參數(shù)列于表l。從表1可見(jiàn)，本發(fā)明添加3mol呢陶瓷片性能相當(dāng)于美國(guó)EDO公司的商用PZT壓電陶瓷EC-65(密度7.5g/cm3，居里溫度Tc=350oC,1kHz頻率相對(duì)介電常數(shù)1725，損耗因子2.0%)，日本FDK公司的商用PZT壓電陶瓷P-15(密度7.893g/cm3，居里溫度T。=351°C,相對(duì)介電常數(shù)1399，損耗因子2.8%);日本富士陶瓷公司的商用PZT壓電陶瓷C-64(密度7.7g/cm3，居里溫度TC=3450C，相對(duì)介電常數(shù)1850，損耗因子1.5%)和C-203(密度7.7g/cm3，居里溫度Te=350°C，相對(duì)介電常數(shù)1450，損耗因子0.3%)。表l本發(fā)明壓電陶瓷片與所使用原料(SIC)傳統(tǒng)工藝燒結(jié)以及其它商用壓電陶瓷性能比較<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>3、PbTi03陶瓷成型燒結(jié)本實(shí)施例采用的PbTi03陶瓷粉料為PbO+Ti02混合粉料在1000°C固相反應(yīng)5小時(shí)制備，BCFPT為實(shí)施例1所用混合生料；按(1-z)PZT-z(BCFPT)配比稱量，z二2.5mol%，3mol%，5mol%;加無(wú)水乙醇在瑪瑙研缽研磨2小時(shí)；單軸應(yīng)力成型，成型壓力250MPa，生坯直徑10mm;生坯片在1000'C-110CrC保溫2-10小時(shí)燒結(jié)。燒結(jié)陶瓷片收縮率實(shí)驗(yàn)測(cè)量見(jiàn)圖8。圖8結(jié)果表明BCFPT的加入對(duì)降低PbTi03陶瓷粉料的燒結(jié)溫度作用是明顯的，比傳統(tǒng)PbTi03陶瓷燒結(jié)溫度降低200。C左右，在1050°(:就可得到致密陶瓷片，SEM觀測(cè)具有均勻的晶粒微觀結(jié)構(gòu)。上述對(duì)實(shí)施例的描述是為便于該
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員能理解和應(yīng)用本發(fā)明。熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的人員顯然可以容易地對(duì)這些實(shí)施例做出各種修改，并把在此說(shuō)明的一般原理應(yīng)用到其他實(shí)施例中而不必經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性的勞動(dòng)。因此，本發(fā)明不限于這里的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的揭示，對(duì)于本發(fā)明做出的改進(jìn)和修改都應(yīng)該在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷，其特征在于其成分為(1-x-y)BiCrO3-xBiFeO3-yPbTiO3x＝0.3～0.6，y＝0.2～0.4。2、一種無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)工藝，其特征在于采用權(quán)利要求1所述的鐵電陶瓷氧化物原料混合粉為商業(yè)應(yīng)用的摻雜鋯鈦酸鉛壓電陶瓷粉料的低溫?zé)Y(jié)助劑。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)工藝，其特征在于適用于商業(yè)應(yīng)用的摻雜PbZr,-JiA壓電陶瓷，其中x=0.02~1.0，簡(jiǎn)稱PZT商用粉料。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)工藝，其特征在于該工藝為傳統(tǒng)固相陶瓷制備工藝，原料為PZT商用粉料85.0-99.0mole%Bi203-Cr203-Fe203-PbO-Ti(V混合粉體1.0~15.0mole%。5、使用權(quán)利要求3所述的工藝制備致密鈣鈦礦結(jié)構(gòu)壓電陶瓷片的方法，包括a、Bi203-Cr203-Fe203-PbO-Ti02粉體濕法混合；b、將Bi203-Cr203_Fe203-PbO-Ti(V混合粉體與PZT商用粉料濕法混合；c、造粒，200250MPa壓力壓片；d、生坯片在9501050。C保溫210小時(shí)。6、根據(jù)權(quán)利要求3所述工藝制得的PbZivxTix03-BiCr03-BiFe03-PbTi03壓電陶瓷片是單相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。7、使用權(quán)利要求6所述壓電陶瓷制作的陶瓷濾波器、SAW濾波器。8、使用權(quán)利要求6所述壓電陶瓷和Ag-Pd內(nèi)電極低溫共燒制作的多層驅(qū)動(dòng)器、變壓器和換能器。全文摘要本發(fā)明涉及一種具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷，采用具有低溫?zé)Y(jié)特性的鐵電陶瓷原料為燒結(jié)助劑，采用傳統(tǒng)固相陶瓷工藝，實(shí)現(xiàn)了商業(yè)應(yīng)用鋯鈦酸鉛壓電陶瓷1000℃無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)和壓電性能改性。PbZr_1-xTi_xO₃-BiCrO₃-BiFeO₃-PbTiO₃無(wú)壓低溫?zé)Y(jié)壓電陶瓷片是單相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，具有比相應(yīng)商用壓電陶瓷粉料、傳統(tǒng)燒結(jié)工藝制備的陶瓷片“硬化”的壓電特性。本發(fā)明特別適用于發(fā)射型壓電陶瓷器件、低溫共燒多層壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器、變壓器、換能器等功能器件的制作。文檔編號(hào)H03H9/54GK101265081SQ20081003570公開(kāi)日2008年9月17日申請(qǐng)日期2008年4月8日優(yōu)先權(quán)日2008年4月8日發(fā)明者劍于申請(qǐng)人:同濟(jì)大學(xué)