專利名稱：提高組件電壓耐受性的雙向控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種雙向(Bidirectional)控制裝置，尤指一種用來(lái)提高組件電 壓耐受性的雙向控制裝置。
背景技術(shù)：
在一般中小尺寸薄膜液晶顯示器的產(chǎn)品規(guī)格上，通常會(huì)存在有雙向驅(qū)動(dòng) 掃瞄的需求。這樣的需求如果采用低溫多晶硅(LTPS, Low Temperature Poly-Silicon)或非結(jié)晶硅(a-Si， amorphous Silicon)來(lái)當(dāng)作實(shí)施薄膜晶體管的 組件，并以將柵極驅(qū)動(dòng)電路直接放在薄膜液晶陣列上的技術(shù)來(lái)滿足時(shí)，必須 在柵極驅(qū)動(dòng)電路中加入雙向電路(Bidirectional circuit)以控制信號(hào)掃瞄方向。圖1是為一種一般用于柵極驅(qū)動(dòng)電路的雙向控制裝置的示意圖。雙向控 制裝置100是包含一第一柵極輸入信號(hào)源109、 一第二柵極輸入信號(hào)源110、 一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管101、 一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管102、 一第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管103、 一第四金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管104、 一第一輸入信號(hào)源105、 一第二輸入信號(hào)源106、 一第一輸出信號(hào)源107、與一第二輸出信號(hào)源108。在雙向控制裝置100中，第一柵極輸入信號(hào)源109與第二柵極輸入信號(hào) 源110是輸出極性互為相反的直流信號(hào)，在此是假設(shè)第一柵極輸入信號(hào)源109 是提供輸入信號(hào)XBi，并假設(shè)第二柵極輸入信號(hào)源110是提供輸入信號(hào)Bi。 當(dāng)?shù)诙艠O輸入源110的輸入信號(hào)Bi是為高位準(zhǔn)時(shí)，第一柵極輸入源109的 輸入信號(hào)XBi是為低位準(zhǔn)；此時(shí)，由于第一輸入信號(hào)源105的輸入信號(hào)是經(jīng) 由第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管101傳送到第一輸出信號(hào)源107，且第 二輸入信號(hào)源106的輸入信號(hào)是經(jīng)由第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管104傳送到第二輸出信號(hào)源108，因此上述雙向控制裝置100的運(yùn)作是可稱為順向 掃瞄。反之，當(dāng)?shù)诙艠O輸入信號(hào)源110的輸入信號(hào)Bi為低位準(zhǔn)時(shí)，第一柵 極輸入信號(hào)源109的輸入信號(hào)XBi是為高位準(zhǔn)；此時(shí)，由于第一輸入信號(hào)源 105的輸入信號(hào)經(jīng)由第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管102傳送到第二輸出 信號(hào)源108，且第二輸入信號(hào)源106的輸入信號(hào)經(jīng)由第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管103傳送到第一輸出信號(hào)源107，因此上述雙向控制裝置100的運(yùn) 作可稱為反向掃瞄。在雙向控制裝置100中，用來(lái)控制掃瞄方向的雙向控制信號(hào)，亦即第一 柵極輸入信號(hào)源109所提供的輸入信號(hào)XBi與第二柵極輸入信號(hào)源110所提 供的輸入信號(hào)Bi，都是一種直流信號(hào)，并直接施加于雙向控制裝置100的薄 膜晶體管的柵極。在一般的情況下，將雙向控制裝置100以低溫多晶硅組件 來(lái)實(shí)施并不會(huì)產(chǎn)生瑕疵，但是，當(dāng)雙向控制裝置100改以非結(jié)晶硅組件來(lái)實(shí) 施時(shí)，非結(jié)晶硅組件的臨界電壓(threshold voltage)飄移特性將會(huì)對(duì)雙向控 制裝置100的控制方式產(chǎn)生嚴(yán)重的干擾；這是因?yàn)榉墙Y(jié)晶硅的組件對(duì)于柵極 電壓應(yīng)力非常敏感，所以被施加?xùn)艠O電壓應(yīng)力的非結(jié)晶硅組件的臨界電壓極 易發(fā)生明顯的正偏移現(xiàn)象，也就是說(shuō)，臨界電壓會(huì)較預(yù)定的位準(zhǔn)來(lái)的高，因 此會(huì)降低組件導(dǎo)通電流，并影響雙向控制裝置100的正常運(yùn)作與邏輯輸出。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是提供一種雙向控制裝置，用以接收一第一輸入信號(hào)源與一第二 輸入信號(hào)源所提供的輸入信號(hào)，并用以提供二個(gè)輸出信號(hào)于一第一輸出信號(hào) 源與一第二輸出信號(hào)源。該雙向控制裝置包括一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、 一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、 一第三金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、及一第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組。該第 一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第一輸入信號(hào)源。該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦 接于該第一輸出信號(hào)源。該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是包含復(fù) 數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第一輸入信號(hào)源。該第二金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該第二輸出信號(hào)源。該第三金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第二輸入信號(hào) 源。該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該第一輸出 信號(hào)源。該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的車(chē)俞 入端是耦接于該第二輸入信號(hào)源。且該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 組的輸出端是耦接于該第二輸出信號(hào)源。該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組、該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、該第三金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、與該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組皆包含相同 數(shù)目的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明是提供一種用于移位緩存器的雙向控制裝置。該雙向控制裝置包 括一第一移位緩存器、 一第二移位緩存器、 一第三移位緩存器、 一第一金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、 一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、 一第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、及一第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管組。該第一移位緩存器、該第二移位緩存器、及該第三移位緩存器 是皆包含一第一輸入端、 一第二輸入端、及一輸出端。該第一金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第一移位緩存 器的輸出端。該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該 第三移位緩存器的第一輸入端。該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是 包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第一移位緩存器的輸出端。該第二金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該第三移位緩存器的第二 輸入端。該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸 入端是耦接于該第二移位緩存器的輸出端。該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管組的輸出端是耦接于該第三移位緩存器的第一輸入端。該第四金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管。該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第二移 位緩存器的輸出端。該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦 接于該第三移位緩存器的第二輸入端。該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管組、該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、該第三金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、與該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組皆包含相同數(shù)目的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明上述所揭露的各種雙向控制裝置與應(yīng)用該種雙向控制裝置的移位 緩存器，可使先前技術(shù)中單一組件所承受的直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的組 件共同承受的交流信號(hào)，可避免直流信號(hào)產(chǎn)生的臨界電壓快速偏移現(xiàn)象，并提高組件電壓的耐受性以延長(zhǎng)組件的使用壽命。


圖1是為一種一般用于柵極驅(qū)動(dòng)電路的雙向控制裝置的示意圖。圖2為本發(fā)明以N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)施的雙向控制裝置的示意圖。圖3與圖4為第2圖所示的雙向控制裝置的信號(hào)控制時(shí)序示意圖。 圖5為圖3的示意圖加入延遲時(shí)間以后所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖。 圖6亦為圖4的示意圖加入延遲時(shí)間以后所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖。 圖7為本發(fā)明以P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)施的雙向控制裝置的示意圖。圖8與圖9為圖7所示的雙向控制裝置的信號(hào)控制時(shí)序示意圖。 圖IO是為圖8的示意圖加入延遲時(shí)間后所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖。 圖11是為圖9的示意圖加入延遲時(shí)間后所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖。 圖12為本發(fā)明所揭露將圖2所揭露的雙向控制裝置200應(yīng)用于移位緩存器的雙向控制裝置組的示意圖。圖13為將圖7所示的雙向控制裝置300應(yīng)用于移位緩存器的雙向控制裝置組的示意圖。附圖標(biāo)號(hào)100、 200、 300、 4001、 4002、 4003、 5001、 5002、 5003: 雙向控制裝置；101、 102、 103、 104: 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；105、 106、 205、 206、 305、 306、 450、 452、 550、 552: 輸入信號(hào)源；107、 108、 207、 208、 307、 308、 454、 456、 554、 556: 輸出信號(hào)源;2011、 2022、 2033、 2044、 4011、 4022、 4033、 4044: N型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；3011、 3022、 3033、 3044、 5011、 5022、 5033、 5044: P型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；400、 500:雙向控制裝置組；201、 202、 203、 204、 401、 402、 403、 404: N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管組；301、 302、 303、 304、 501、 502、 503、 504: P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管組；109、 110、 209、 210、 309、 310、 409、 410、 509、 510: 柵極信號(hào)源;411、 412、 413、 511、 512、 513: 移位緩存器;703、 704、 903、卯4: 區(qū)域。
具體實(shí)施方式
為了解決當(dāng)雙向控制裝置100包含的薄膜晶體管以非結(jié)晶硅實(shí)施時(shí)，雙 向控制裝置100受到非結(jié)晶硅的組件性質(zhì)所牽制而無(wú)法正確運(yùn)作的瑕疵，本發(fā)明是提供數(shù)種雙向控制裝置，以改進(jìn)上述先前技術(shù)中非結(jié)晶硅所實(shí)施的薄 膜晶體管導(dǎo)致的問(wèn)題。請(qǐng)參閱圖2，其為本發(fā)明以N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)施的 雙向控制裝置的示意圖。雙向控制裝置200是用以接收由一第一輸入信號(hào)、源 205與一第二輸入信號(hào)源206所提供的二個(gè)輸入信號(hào)，并各自提供一輸出信號(hào) 于一第一輸出信號(hào)源207與一第二輸出信號(hào)源208。雙向控制裝置200包括 一第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201、 一第二 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202、 一第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組 203、與一第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組204。第一N型金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011，且每一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的源 極是耦接于第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201的輸入端，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的漏極是耦接于第一 N型金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201的輸出端；請(qǐng)注意，在此實(shí)施例中，N型金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的源極是視為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管2011的第一端，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的漏極 是視為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的第二端；第一輸入信號(hào)源 205是耦接于第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201的輸入端，且 第一輸出信號(hào)源207是耦接于第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201 的輸出端。第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián) 的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022，且每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的源極是耦接于第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 組202的輸入端，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的漏極是耦 接于第二N型金氧半晶體組202的輸出端；請(qǐng)注意，在此實(shí)施例中，N型金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的源極是視為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管2022的第一端，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的漏 極是視為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的第二端；第一輸入信號(hào) 源205是耦接于第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202的輸入端， 且第二輸出信號(hào)源208是耦接于第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組 202的輸出端。第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組203是包含復(fù)數(shù) 個(gè)并聯(lián)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033，且每一 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033的源極是耦接于第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管組203的輸入端，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033的漏 極是耦接于第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組203的輸出端；請(qǐng)注 意，在此實(shí)施例中，N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033的源極是視為 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033的第一端，且N型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033的漏極是視為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033 的第二端；第一輸出信號(hào)源207是耦接于第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管組203的輸出端，且第二輸入信號(hào)源206是耦接于第三N型金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組203的輸入端。第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管組204是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2044， 且每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2044的源極是耦接于第四N型 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組204的輸入端，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2044的漏極是耦接于第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管組204的輸出端；請(qǐng)注意，在此實(shí)施例中，N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管2044的源極是視為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2044的第一 端，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2044的漏極是視為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2044的第二端；第二輸出信號(hào)源208是耦接于第四 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端，且第二輸入信號(hào)源206是 耦接于第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管204的輸入端。請(qǐng)注意，第 一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組203、與第 四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組204是包含相同數(shù)目的N型金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。請(qǐng)注意，在圖2所示的實(shí)施例中，第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組201包含的每一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的柵極是以 一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系耦接于第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組204包含 的每一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2044的柵極，并各自耦接于一第 一柵極信號(hào)源210所包含的復(fù)數(shù)個(gè)信號(hào)輸出端Bi(1)、 Bi(2)、 ...、 Bi(n)，在此 是假設(shè)第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201與第四N型金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組204皆包含n個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 且n是為一正整數(shù)。同理，第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管203組 包含的每一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033的柵極是以一一對(duì)應(yīng)的 關(guān)系耦接于第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202包含的每一 N型 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的柵極，并各自耦接于一第二柵極信號(hào) 源209所包含的復(fù)數(shù)個(gè)信號(hào)輸出端XBi(1)、 XBi(2)、 ...、 XBi(n)，其中第二N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202與第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管組203亦皆包含n個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3與圖4，其為圖2所示的雙向控制裝置200的信號(hào)控制時(shí)序 示意圖。如圖3與圖4所示，第一柵極信號(hào)源210所包含的各信號(hào)輸出端 Bi(l)、 ...、 Bi(n)的準(zhǔn)位是與第二柵極信號(hào)源209所包含的各信號(hào)輸出端XBi(l).....XBi(n)的準(zhǔn)位是為互斥。由圖3可知，在同一周期內(nèi)，當(dāng)?shù)谝籒型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201所包含的一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的柵極是處于高準(zhǔn)位時(shí)，第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管組201所包含的其它N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的柵 極是處于低準(zhǔn)位。換言之，在同一周期內(nèi)，第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管組201僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于高準(zhǔn)位的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管2011。同理，在相同周期內(nèi)，第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管組204僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于高準(zhǔn)位的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管2044。另外，由圖4可知，在同一周期內(nèi)，第二N型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于高準(zhǔn)位的N型金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022。同理，在相同周期內(nèi)，第三N型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組203僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于高準(zhǔn)位的N型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2033。觀察圖2與圖3可知，當(dāng)?shù)谝?N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201 所包含的任一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的柵極準(zhǔn)位為高準(zhǔn)位 時(shí)，第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202所包含的所有N型金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的柵極準(zhǔn)位皆為低準(zhǔn)位。同理，觀察圖2與 圖4可知，當(dāng)?shù)诙?N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202所包含的任一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022的柵極準(zhǔn)位為高準(zhǔn)位時(shí)，第一 N型 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組201所包含的所有N型金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011的柵極準(zhǔn)位皆為低準(zhǔn)位。相同地，第三N型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組203與第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組204 的間運(yùn)作亦如上述。請(qǐng)參閱圖5與圖6，其中圖5為圖3的示意圖加入延遲時(shí)間(delay time) 以后所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖，圖6亦為圖4的示意圖加入延遲時(shí)間以 后所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖。由于在實(shí)際的電路中信號(hào)的傳遞會(huì)有延滯 時(shí)間，為了電路的穩(wěn)定，在本發(fā)明某些較佳實(shí)施例中是允許于二連續(xù)周期間 存在有一準(zhǔn)位交替時(shí)間差。如圖5所示，由于電路延遲時(shí)間的影響，信號(hào)輸出端Bi(l)與Bi(2)在高準(zhǔn)位時(shí)會(huì)存在有如區(qū)域703所標(biāo)示的準(zhǔn)位交替時(shí)間差， 且于該準(zhǔn)位交替時(shí)間差內(nèi)，上述在同一周期內(nèi)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管組201或204僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于高準(zhǔn)位的N型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2011或2044的條件將暫時(shí)不成立，以配合電路運(yùn)作在實(shí)際 狀況下存在有延遲時(shí)間的條件。同理，在圖6中，區(qū)域704亦標(biāo)示一準(zhǔn)位交 替時(shí)間差，且在同一周期內(nèi)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組202或203 僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于高準(zhǔn)位的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2022 或2033的條件將暫時(shí)不成立。賴田閨2、閨3、閨4、閨3、閨()尸/r還的從問(wèn)父館投制力瓦，元目u技術(shù)中原本單一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管承受的直流信號(hào)將會(huì)轉(zhuǎn)換為復(fù)數(shù) 個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管共同承受的交流信號(hào)，且如此一來(lái)， 每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管將不會(huì)被直流電壓應(yīng)力所影響而使臨界 電壓快速偏移，并延長(zhǎng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用壽命。請(qǐng)參閱圖7，其為本發(fā)明以P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)施雙向 控制裝置的示意圖。雙向控制裝置300是包含一第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組301、 一第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組302、 一 第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組303、與一第四P型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組304。第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組301 是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3011。第二 P型金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組302是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的P型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3022。第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組303是 包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3033。第四P型金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組304是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的P型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044。第一輸入信號(hào)源305是耦接于第一 P型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組301與第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組302 的輸入端。第二輸入信號(hào)源306是耦接于第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組303與第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組304的輸入端。 第一輸出信號(hào)源307是耦接于第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組301 與第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組303的輸出端。第二輸出信號(hào) 源308是耦接于第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組302與第四P型 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組304的輸出端。第一柵極信號(hào)源310是包含復(fù)數(shù)個(gè)信號(hào)輸出端Bi(l)、 Bi(2).....Bi(n)，且第二柵極信號(hào)源309是包含復(fù)數(shù)個(gè)信號(hào)輸出端XBi(l)、 XBi(2)、…、XBi(n)。請(qǐng)注意，在此實(shí)施例中，P 型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3011、 3022、 3033、 3044的漏極是各自視 為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3011、 3022、 3033、 3044的第一端， 且P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3011、 3022、 3033、 3044的源極是視 為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3011、 3022、 3033、 3044的第二端； 圖7與圖2所示的實(shí)施例的差異僅在于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種 類(lèi)，且組件及相關(guān)耦接方式皆與圖2所示的雙向控制裝置200相同，故不再 加以贅述。請(qǐng)參閱圖8與圖9，其為圖7所示的雙向控制裝置300的信號(hào)控制時(shí)序示 意圖。如圖7與圖8所示，第一柵極信號(hào)源310所包含的復(fù)數(shù)個(gè)信號(hào)輸出端Bi(l)、 Bi(2).....Bi(n)的準(zhǔn)位是與第二柵極信號(hào)源309包含的復(fù)數(shù)個(gè)信號(hào)輸出端XBi(l)、 XBi(2)、…、XBi(n)的準(zhǔn)位互斥。觀察圖8可知，在同一周期內(nèi)，第一柵極信號(hào)源310所包含的復(fù)數(shù)個(gè)信 號(hào)輸出端Bi(l)、 Bi(2)、 ...、 Bi(n)中只有一個(gè)信號(hào)輸出端為低準(zhǔn)位，且其它輸 出端是為高準(zhǔn)位。再者，當(dāng)?shù)谝粬艠O信號(hào)源310包含的任一信號(hào)輸出端的準(zhǔn) 位為低準(zhǔn)位時(shí)，第二柵極信號(hào)源309所包含的所有信號(hào)輸出端的準(zhǔn)位皆為高 準(zhǔn)位。同理，由圖7與圖9可知，當(dāng)?shù)诙艠O信號(hào)源309所包含的任一信號(hào) 輸出端為低準(zhǔn)位，則第一柵極信號(hào)源310所包含的所有信號(hào)輸出端的準(zhǔn)位皆 為高準(zhǔn)位。請(qǐng)一同參閱圖7與圖IO，其中圖10是為圖8的示意圖加入延遲時(shí)間后所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖。與前述相同，由于必須考慮實(shí)際電路運(yùn)作時(shí)信 號(hào)的傳遞會(huì)有延遲時(shí)間，因此在本發(fā)明某些較佳實(shí)施例中會(huì)使二連續(xù)周期間 是允許存在有一準(zhǔn)位交替時(shí)間差。如圖10所示，由于電路延遲時(shí)間的影響，信號(hào)輸出端Bi(l)與Bi(2)在低準(zhǔn)位時(shí)會(huì)存在有如區(qū)域903所標(biāo)示的準(zhǔn)位交替時(shí) 間差，且于該準(zhǔn)位交替時(shí)間差內(nèi)，上述在同一周期內(nèi)P型金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組301或304僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于低準(zhǔn)位的P型金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3011或3044的條件將暫時(shí)不成立，以配合電路運(yùn)作 在實(shí)際狀況下存在有延遲時(shí)間的條件。圖11是為圖9的示意圖加入延遲時(shí)間 候所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)序控制示意圖。同理，在圖11中，區(qū)域904亦標(biāo)示一準(zhǔn)位 交替時(shí)間差，且在同一周期內(nèi)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組302或 303僅會(huì)包含有一個(gè)柵極處于低準(zhǔn)位的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3022或3033的條件將暫時(shí)不成立。與之前所述相同，藉由上述的雙向控制信號(hào)，可將先前技術(shù)中單一金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管所使用的直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管所使用的交流信號(hào)，且如此一來(lái)可以避免臨界電壓快 速偏移的現(xiàn)象，以延長(zhǎng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用壽命。請(qǐng)參閱圖12，其為本發(fā)明所揭露將圖2所揭露的雙向控制裝置200應(yīng)用 于移位緩存器的雙向控制裝置組400的示意圖。雙向控制裝置組400是包含 復(fù)數(shù)個(gè)雙向控制裝置，并以矩陣的方式排列于顯示器，且雙向控制裝置組400 所包含的每一雙向控制裝置即為圖2所揭露的雙向控制裝置200。為了簡(jiǎn)化本 發(fā)明所揭露應(yīng)用于移位緩存器的實(shí)施例的敘述，圖12中僅圖示出三個(gè)雙向控 制裝置4001、 4002、 4003，且僅描述雙向控制裝置4001的結(jié)構(gòu)，因?yàn)殡p向控 制裝置4002與4003的操作皆與雙向控制裝置4001相同，彼此之間的差別僅 在于所應(yīng)用的移位緩存器的不同而已。換言之，將圖12所揭露的雙向控制裝 置組400所包含的雙向控制裝置的數(shù)量上作更動(dòng)所形成的不同實(shí)施例仍應(yīng)為 本發(fā)明的實(shí)施例。雙向控制裝置4001是用來(lái)藉由一第一信號(hào)輸入源450與一第二信號(hào)輸入源452來(lái)接收由 一第一移位緩存器411與一第二移位緩存器412 所提供的二輸入信號(hào)，并藉由一第一信號(hào)輸出源454與一第二信號(hào)輸出源456 來(lái)提供二個(gè)輸出信號(hào)于一第三移位緩存器413，其中移位緩存器411、 412、 413皆包含一第一輸入端、 一第二輸入端、及一輸出端。雙向控制裝置4001 是包括一第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401 、 一第二 N型金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組402、 一第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組403、及一第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404。第一 N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的N型金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4011,且每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4011的源極是耦接于第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401的輸入 端，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4011的漏極是耦接于第一 N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401的輸出端；第一N型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401的輸入端是藉由第一輸入信號(hào)源450耦接于第一移 位緩存器411的輸出端，且第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401 的輸出端是藉由第一輸出信號(hào)源454耦接于第三移位緩存器413的第一輸入 端。第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組402是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4022，且每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管4022的源極是耦接于第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組 402的輸入端，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4022的漏極是耦接 于第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組402的輸出端；第二 N型金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組402的輸入端是藉由第一輸入信號(hào)源450耦接 于第一移位緩存器411的輸出端，且第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管組402的輸出端是藉由第二輸出信號(hào)源456耦接于第三移位緩存器413的 第二輸入端。第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組403是包含復(fù)數(shù)個(gè) 并聯(lián)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4033 ，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4033的源極是耦接于第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組403的輸入端，且每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4033的漏極 是耦接于第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組403的輸出端；第三N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組403的輸入端是藉由第二輸入信號(hào)源452 耦接于第二移位緩存器412的輸出端，且第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管組403的輸出端是藉由第一輸出信號(hào)源454耦接于第三移位緩存器413 的第一輸入端。第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404是包含復(fù)數(shù) 個(gè)并聯(lián)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4044，且每一 N型金氧半第晶 體4044的源極是耦接于第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404的輸 入端，每一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4044的漏極是耦接于第四N 型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404的輸出端；第四N型金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404的輸入端是藉由第二輸入信號(hào)源452耦接于第二移 位緩存器412的輸出端，且第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404 的輸出端是藉由第二輸出信號(hào)原456耦接于第三移位緩存器413的第二輸入 端。請(qǐng)注意，第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401、第二N型金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組402、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組403、與第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404皆包含相同 數(shù)目的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在圖12所述的實(shí)施例中，第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組401包 含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4011的柵極是以一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系耦 接于第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組404包含的每一 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4044的柵極與第一柵極信號(hào)源410所包含的每一信號(hào)輸 出端Bi(l) Bi(n)。同理，第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管403組包含的 每一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4033的柵極是以一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系耦 接于第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組402包含的每一 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4022的柵極與第二柵極信號(hào)源409所包含的每一信號(hào)輸 出端XBi(l) XBi(EO。由于雙向控制裝置4001即為圖2所揭露的雙向控制裝置200，因此雙向 控制裝置4001的操作亦與圖3、圖4、圖5、圖6所揭露的示意圖與相關(guān)敘述 相同，故此處不再加以贅述。請(qǐng)參閱圖13，其為將圖7所示的雙向控制裝置300應(yīng)用于移位緩存器的 雙向控制裝置組500的示意圖。圖13與圖12類(lèi)似，亦應(yīng)用于包含有大量移 位緩存器的顯示器矩陣，亦包含復(fù)數(shù)個(gè)雙向控制單元，只是這些雙向控制單 元是使用P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，換言之，雙向控制裝置組500 所包含的每一雙向控制裝置即為圖7所示的雙向控制裝置300。再者，雙向控 制裝置組500與圖12所揭露的雙向控制裝置組400的差異也僅在雙向控制裝 置所使用的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管不同而已。故以下僅就包含的組 件加以揭露，而不就重復(fù)的耦合方式與操作等加以贅述。雙向控制裝置組500 是包含雙向控制裝置5001、 5002、 5003，其中雙向控制裝置5001是包含一第 一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組501、一第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組502、 一第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組503、及 一第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組504。第一 P型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組501是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管5011。第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組502是包含復(fù)數(shù)個(gè)并 聯(lián)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管5022。第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組503是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管5033。第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組504是包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián) 的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044。雙向控制裝置5001是用來(lái)藉由 一第一信號(hào)輸入源550、 一第二信號(hào)輸入源552、 一第一信號(hào)輸出源554、 一 第二信號(hào)輸出源556對(duì)第一移位緩存器511、第二移位緩存器512、第三移位 緩存器513進(jìn)行控制，且控制方式與圖8、圖9、圖10、圖ll的敘述相同， 故此處不再加以贅述。藉由本發(fā)明上述所揭露的各種雙向控制裝置與應(yīng)用該種雙向控制裝置的移位緩存器，可使先前技術(shù)中單一組件所承受的直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián) 的組件共同承受的交流信號(hào)，因此可避免直流信號(hào)產(chǎn)生的臨界電壓快速偏移 現(xiàn)象，并提高組件電壓的耐受性以延長(zhǎng)組件的使用壽命。換言之，即便使用 非結(jié)晶硅來(lái)實(shí)施薄膜晶體管，只要使用本發(fā)明所揭露的雙向控制裝置，仍可 正常的運(yùn)作雙向控制機(jī)制。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均 等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種雙向控制裝置，其特征在于，該雙向控制裝置用以接收一第一輸入信號(hào)源與一第二輸入信號(hào)源所提供的輸入信號(hào)，并用以提供二個(gè)輸出信號(hào)于一第一輸出信號(hào)源與一第二輸出信號(hào)源，該雙向控制裝置包括一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第一輸入信號(hào)源，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該第一輸出信號(hào)源；一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第一輸入信號(hào)源，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該第二輸出信號(hào)源；一第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第二輸入信號(hào)源，且該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該第一輸出信號(hào)源；及一第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端是耦接于該第二輸入信號(hào)源，且該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端是耦接于該第二輸出信號(hào)源；其中該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、與該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組皆包含相同數(shù)目的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的復(fù)數(shù)個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極 是以一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系耦接于該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的 復(fù)數(shù)個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。
3. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第二金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的復(fù)數(shù)個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極 是以一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系耦接于該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的 復(fù)數(shù)個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。
4. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，每一金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是皆為N型金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
5. 如權(quán)利要求4所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第一金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極是 耦接于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第一金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏 極是耦接于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
6. 如權(quán)利要求4所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極是 耦接于該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第二金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏 極是耦接于該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
7. 如權(quán)利要求4所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第三金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極是 耦接于該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第三金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏 極是耦接于該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
8. 如權(quán)利要求4所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極是 耦接于該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第四金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏 極是耦接于該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
9. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，每一金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是皆為P型金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
10. 如權(quán)利要求9所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第一金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極是 耦接于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第一金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源 極是耦接于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
11. 如權(quán)利要求9所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第二金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極是 耦接于該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第二金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源 極是耦接于該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
12. 如權(quán)利要求9所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第三金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極是 耦接于該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第三金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源 極是耦接于該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
13. 如權(quán)利要求9所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第四金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極是 耦接于該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端，且該第四金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組包含的每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極是耦接于該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸出端。
14. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，當(dāng)該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極處于高準(zhǔn)位時(shí)，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的所有金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極是處于低準(zhǔn)位。
15. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，當(dāng)該第二金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極 處于高準(zhǔn)位時(shí)，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的所有金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極是處于低準(zhǔn)位。
16. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，當(dāng)該第四金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極 處于高準(zhǔn)位時(shí)，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的所有金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極是處于低準(zhǔn)位。
17. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，當(dāng)該第三金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極 處于高準(zhǔn)位時(shí)，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的所有金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極是處于低準(zhǔn)位。
18. 如權(quán)利要求l所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第一金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的任一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極 的準(zhǔn)位與該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的其它金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位在同一周期內(nèi)是為互斥。
19. 如權(quán)利要求18所述的雙向控制裝置，其特征在于，于二連續(xù)周期間 是存在有該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的任一金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 組所包含的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位的準(zhǔn)位交替時(shí) 間差，且于該準(zhǔn)位交替時(shí)間差內(nèi)，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的任一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第一金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的 準(zhǔn)位是相同。
20. 如權(quán)利要求l所述的雙向控制裝置，其特征在于，該第四金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的任一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極 的準(zhǔn)位與該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的其它金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位在同一周期內(nèi)是為互斥。
21. 如權(quán)利要求20所述的雙向控制裝置，其特征在于，于二連續(xù)周期間 是存在有該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的任一金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 組所包含的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位的準(zhǔn)位交替時(shí) 間差，且于該準(zhǔn)位交替時(shí)間差內(nèi)，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組 所包含的任一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第四金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的 準(zhǔn)位是相同。
22. 如權(quán)利要求l所述的雙向控制裝置，其特征在于，于二連續(xù)周期間是 存在有該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的任一金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組 所包含的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位之間的準(zhǔn)位交替 時(shí)間差，且于該準(zhǔn)位交替時(shí)間差內(nèi)，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 組所包含的任一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第二金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的柵極的準(zhǔn)位是相同。
23. 如權(quán)利要求1所述的雙向控制裝置，其特征在于，于二連續(xù)周期間是 存在有該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的任一金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位之間的準(zhǔn)位交替 時(shí)間差，且于該準(zhǔn)位交替時(shí)間差內(nèi)，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 組所包含的任一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的準(zhǔn)位與該第三金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組所包含的其它金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的柵極的準(zhǔn)位是相同。
24. —種用于移位緩存器的雙向控制裝置，其特征在于，該雙向控制裝置 包括一第一移位緩存器、 一第二移位緩存器、及一第三移位緩存器，該三移 位緩存器皆包含一第一輸入端、 一第二輸入端、及一輸出端；一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端 是耦接于該第一移位緩存器的輸出端，且該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組的輸出端是耦接于該第三移位緩存器的第一輸入端；一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端 是耦接于該第一移位緩存器的輸出端，且該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組的輸出端是耦接于該第三移位緩存器的第二輸入端；一第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端 是耦接于該第二移位緩存器的輸出端，且該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組的輸出端是耦接于該第三移位緩存器的第一輸入端；及一第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組，包含復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組的輸入端 是耦接于該第二移位緩存器的輸出端，且該第四金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管組的輸出端是耦接于該第三移位緩存器的第二輸入端；其中該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、該第三金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組、與該第四金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組皆包含相同數(shù)目的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管。
全文摘要
一種提高組件電壓耐受性的雙向控制裝置，該裝置是藉由控制復(fù)數(shù)個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組以接收由一第一輸入信號(hào)源與一第二輸入信號(hào)源所提供的二個(gè)輸入信號(hào)，并提供二個(gè)輸出信號(hào)于一第一輸出信號(hào)源與一第二輸出信號(hào)源。復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管將直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為交流信號(hào)，解決每一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的臨界電壓快速偏移問(wèn)題，延長(zhǎng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用壽命，穩(wěn)定雙向控制裝置正常運(yùn)作與邏輯輸出。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK101237232SQ20081007409
公開(kāi)日2008年8月6日 申請(qǐng)日期2008年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月25日
發(fā)明者劉匡祥, 劉圣超, 陳振銘 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司