專利名稱：微帶步進(jìn)衰減器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子及通信的微帶步進(jìn)衰減器，尤其涉及一種可用于各種高頻和微波電 路及系統(tǒng)的微帶步進(jìn)衰減器。背景技術(shù)：
在電子部件家族里，可變衰減器是電路和系統(tǒng)中常用的基本部件之一?？勺兯p器的存 在，使電路制作和系統(tǒng)的調(diào)試變得更加靈活，方便。在幾百M(fèi)Hz以下的電路和系統(tǒng)中，可變 衰減器已得到廣泛地應(yīng)用。如CATV系統(tǒng)和微波電路系統(tǒng)中，用于測(cè)試，調(diào)節(jié)電平，增加隔離 等等。可是當(dāng)使用頻率在較高頻帶時(shí)，現(xiàn)有結(jié)構(gòu)由接觸簧片，滑塊，絲桿等制成的立體結(jié)構(gòu) 的可變衰減器，其寄生參數(shù)大，高頻特性較差。
于是本申請(qǐng)人于2004年10月13日和2006年11月11日分別提交了關(guān)于可用于各種高 頻及微波電路的可變衰減器的專利申請(qǐng)，專利號(hào)分別為ZL200410051879. 9、 200610156824.3 和200710108328. 5;發(fā)明名稱分別為可變衰減器、微帶可變衰減器和微帶分段可變衰減器， 在該專利文獻(xiàn)中公開了一種可變衰減器，其可用于高頻及微波電路，其包括基板，其特征在 于其還包括位于該基板上的第一膜片電阻和連接到該第一膜片電阻兩端的輸入端和輸出端； 該第一膜片電阻的兩端還分別與第三膜片電阻的一端及第四膜片電阻的一端相電連接；第三 膜片電阻和第四膜片電阻的另一端分別與第二膜片電阻的一端相電連接，第二膜片電阻的另 一端與接地端相電連接；該可變衰減器還包括能分別與第一膜片電阻和第二膜片電阻相電接 觸并分別用來改變第一膜片電阻、第二膜片電阻的阻抗大小的第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片；該 可變衰減器還包括絕緣物，該第一導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片固定在絕緣物上。
然而上述的可變衰減器只能在給定的范圍內(nèi)對(duì)衰減器進(jìn)行連續(xù)調(diào)節(jié)，而在實(shí)際應(yīng)用的場(chǎng) 合中有時(shí)也會(huì)有只需使用幾個(gè)固定衰減器值的時(shí)候，而此時(shí)若采用上述的可變衰減器則調(diào)節(jié) 起來比較費(fèi)時(shí)，而且比較難控制得到所需的衰減器值。
現(xiàn)有的分段衰減器，它是采用將阻性材料推離主回路再短路的方式，即先開路，然后再 短路的方式，這樣作的問題是，將該分段衰減器接入主回路時(shí)，在推開阻性材料的一瞬間， 主回路處于開路狀態(tài)，衰減器的輸入射頻信號(hào)的反射系數(shù)會(huì)很大，理論上最壞時(shí)是全反射， 會(huì)對(duì)主回路造成很大的問題，將這樣的分段衰減器接入系統(tǒng)時(shí)，經(jīng)常會(huì)燒壞系統(tǒng)。
另外，本申請(qǐng)人申請(qǐng)的微帶分段可變衰減器，發(fā)明專利申請(qǐng)?zhí)?00710108328.5，它是 一個(gè)一個(gè)的完整衰減器相互連接，本發(fā)明與其基本構(gòu)造不同。另外，現(xiàn)有的步進(jìn)衰減器采用 的是腔體構(gòu)造，體積大，價(jià)格高，頻率范圍有限。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種具有良好寬頻帶特性，調(diào)節(jié)方便、適合高頻和 微波電路及系統(tǒng)中的微帶步進(jìn)衰減器。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是提供一種微帶步進(jìn)衰減器，其包括 基體、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、共同接地端、在該基體上由串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻組成的至 少一級(jí)衰減器，其特征在于在所述各串聯(lián)電阻的兩端并聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)，在所述各并聯(lián)電 阻的一端串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)。
所述開關(guān)是靠導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)作用的。
所述各級(jí)衰減器的所有開關(guān)固定在至少一個(gè)絕緣物上，或所述所有開關(guān)固定在至少一個(gè) 絕緣物上。
所述電阻與所述開關(guān)在該基體的同一層或不同層。 該微帶步進(jìn)衰減器可直接制作在同軸連接器內(nèi)。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的另一技術(shù)方案是 一種微帶步進(jìn)衰減器，其包括 基體、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、共同接地端、在該基體上由串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻組成的至 少一級(jí)T型衰減器，其特征在于在所述各級(jí)T型衰減器的信號(hào)輸入輸出端并聯(lián)接入一個(gè)開 關(guān)，在所述各并聯(lián)電阻的一端串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)。
所述開關(guān)是靠導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)作用的。
所述每一級(jí)(各級(jí))衰減器的所有開關(guān)固定在至少一個(gè)絕緣物上，或所述所有開關(guān)固定 在至少一個(gè)絕緣物上。
該微帶步進(jìn)衰減器可直接制作在同軸連接器內(nèi)。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的另一技術(shù)方案是提供一種微帶步進(jìn)衰減器，其 包括基體、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、共同接地端、在該基體上由串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻組 成的至少兩級(jí)衰減器，其特征在于至少在一個(gè)所述串聯(lián)電阻的兩端并聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)、至 少在一個(gè)所述并聯(lián)電阻上串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)。
所述開關(guān)是靠導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)作用的。
所述每一級(jí)衰減器的所有開關(guān)固定在至少一個(gè)絕緣物上，或所述所有開關(guān)固定在至少一 個(gè)絕緣物上。
本發(fā)明的有益效果是可以更精確地設(shè)定衰減量和射頻參數(shù)，制作更簡單、制造成本低、 調(diào)節(jié)更方便、同時(shí)避免了摩擦對(duì)衰減量精度的影響。用分離器件電阻或印刷膜片電阻都可以 制作可變衰減器。
因此本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
a.使用頻率范圍極廣。可以在高頻及微波頻帶廣范圍實(shí)現(xiàn)信號(hào)的可變衰減；
4b.本發(fā)明的體積小，調(diào)節(jié)方便，適用各種小型化電路及通信電路中； C.本發(fā)明構(gòu)造簡單，制作成本低；
d. 適用于各種均衡電路；
e. 適用于各種隔離電路；
f. 適用于各種調(diào)整電路，控制及安定電路中，以及耦合量的調(diào)節(jié)用電路；
g. 適用于要求衰減精度高，而實(shí)際電路系統(tǒng)偏差大，有時(shí)需要各個(gè)環(huán)節(jié)調(diào)整用以滿足全 體電路特性的情況；
h. 插入損耗小；
i. 可作為試驗(yàn)室的研究開發(fā)用的調(diào)整，測(cè)試設(shè)備。

圖1-1是第一實(shí)施例的基本電路圖。
圖1-2是第一實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1-3是第一實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1-4是第一實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1-5是第一實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2-1是第二實(shí)施例的基本電路圖。
圖2-2是第二實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2-3是第二實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2-4是第二實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2-5是第二實(shí)施例的第一組合結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2-6是第二實(shí)施例的第二組合結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是在第二實(shí)施例的基礎(chǔ)上加了一個(gè)固定衰減器的電路圖。
圖4-1是第三實(shí)施例的基本電路圖。 '
圖4-2是第三實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4-3是第三實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4-4是第三實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5-1是第四實(shí)施例的基本電路圖。
圖5-2是第四實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5-3是第四實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5-4是第四實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5-5是第四實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6-1是第五實(shí)施例的基本電路圖。圖6-2是第五實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖6-3是第五實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖6-4是第五實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7-1是第六實(shí)施例的基體電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7-2是第六實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7-3是第六實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8-1是第七實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8-2是第七實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8-3是第七實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8-4是第七實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。 圖9-1是第八實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖9-2是第八實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖9-3是第八實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖9-4是第八實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。 圖10-1是第九實(shí)施例的基本電路圖。 圖10-2是第九實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖10-3是第九實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖10-4是第九實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖10-5是第九實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。 圖11-1是第十實(shí)施例的基本電路圖。 圖11-2是第十實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖11-3是第十實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。 圖11 4是第十實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖11-5是第十實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。 圖12是金屬殼封裝的外觀結(jié)構(gòu)示意圖。 圖13是旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)式同軸連接器型外觀示意圖。 圖14是撥動(dòng)開關(guān)的同軸連接器型外觀示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖l-l，它是本發(fā)明的微帶步進(jìn)衰減器的第一實(shí)施例的基本電路圖。它是在一個(gè)用 電阻組成的典型的"型衰減器電路上，在串聯(lián)電阻41上并聯(lián)有一個(gè)開關(guān)14，在并聯(lián)電阻51與 共同接地端7之間串聯(lián)接入了一個(gè)開關(guān)15a，在并聯(lián)電阻52與共同接地端7間串聯(lián)接入有一個(gè)開 關(guān)15b的電路圖。對(duì)于一個(gè)衰減器來講，為了理解方便， 一般把串聯(lián)于信號(hào)輸入輸出回路上的電阻稱為串聯(lián)電阻，把并聯(lián)于信號(hào)輸入輸出回路與共同接地端之間的電阻稱為并聯(lián)電阻。當(dāng) 開關(guān)14斷開(OFF)時(shí)，開關(guān)15a、 15b閉合(0N)，這時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器是一個(gè):i型衰減 器，按衰減器的設(shè)計(jì)要求，可得到一個(gè)所需要的衰減量；當(dāng)開關(guān)14閉合(0N)時(shí)，開關(guān)15a， 15b斷開(0FF)，這時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量為OdB。以此可以完成衰減量的可變。盡 管衰減量為0dB時(shí)，并聯(lián)電阻51、 52相當(dāng)于懸掛在輸入輸出回路(主信號(hào)回路)上，但對(duì)于射 頻電路來講，它們顯高阻抗?fàn)顟B(tài)，對(duì)主信號(hào)回路的影響可忽略。
請(qǐng)參閱圖l-2，它是本發(fā)明的微帶步進(jìn)衰減器的第一實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意 圖?；w1是一個(gè)射頻的四層PCB板1，選用四層PCB板是為了調(diào)節(jié)的方便、射頻回路易于布線 和宜于射頻信號(hào)傳輸。但基體l不限于四層，也可以是單層、雙層或多層。該四層PCB板1的第 一層是表層，該表層上有信號(hào)輸入端2、信號(hào)輸出端3、信號(hào)微帶線IO、串聯(lián)電阻41的兩端子 61、 62、并聯(lián)電阻51的端子511、并聯(lián)電阻52的端子521、共同接地端7;中間的兩層是金屬接 地層，該金屬接地層通過接地過孔8與表層和底層的共同接地端7相連接；信號(hào)輸入端2通過信 號(hào)微帶線10與端子61相連接、端子61通過信號(hào)過孔11與底層的端子61相連接；信號(hào)輸出端3 通過信號(hào)微帶線10與端子62相連接、端子62通過信號(hào)信號(hào)過孔11與底層的端子62相連接；端 子511、 521通過各自的信號(hào)過孔11與底層的各自端子511、 521相連接。信號(hào)過孔ll不與中間 的金屬接地層相連接。串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻都安裝在底層。
請(qǐng)參閱圖l-3，它是第一實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。在該基體l的底層有一個(gè) 串聯(lián)電阻41，該串聯(lián)電阻41的兩端分別連接在底層的端子61和62上；該底層還有兩個(gè)并聯(lián)電 阻51和52，該并聯(lián)電阻51的一端與端子61相連接，另一端與端子511相連接；該并聯(lián)電阻52 的一端與端子62相連接，另一端與端子521相連接。另外，為了防止自動(dòng)焊接時(shí)，焊錫或焊油 滲透信號(hào)過孔11或接地過孔8對(duì)表層的端子造成高低不平的影響，在底層的過孔上有意用阻焊 漆將過孔覆蓋。這里要說明的是，對(duì)于四層PCB的制作來講，它的每層的圖都是從表層向下看 的俯視圖，即底層的圖是從表層向下看，不是從底層相上看。
請(qǐng)參閱圖1-4，它是第一實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的開關(guān) 是一個(gè)撥動(dòng)型開關(guān)，該開關(guān)是用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)的。該導(dǎo)電片制作在同一個(gè)絕緣物上，這樣可 完成串聯(lián)電阻的開關(guān)和并聯(lián)電阻的開關(guān)的同時(shí)動(dòng)作。當(dāng)然，各開關(guān)也可以制作在不同絕緣物 上。本實(shí)施例中的絕緣物13是一個(gè)單層PCB板13，但絕緣物不限于PCB，也可以是塑膠等。該 單層PCB13上有三個(gè)導(dǎo)電片，導(dǎo)電片14的作用是用來作為串聯(lián)電阻41的開關(guān)的，導(dǎo)電片15a、 15b分別作為并聯(lián)電阻51、 52的開關(guān)的。移位孔16是用來移動(dòng)該P(yáng)CB板時(shí)用的。
請(qǐng)參閱圖l-5，它是第一實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖1-4的PCB板設(shè)置在基 體l上的組合示意圖。該P(yáng)CB板13上有金屬導(dǎo)電片的那一面與基體1的表層相接觸，即圖中的虛 線是圖1-4反轉(zhuǎn)了180度的圖。該圖的狀態(tài)是串聯(lián)電阻41被導(dǎo)電片14短路，即相當(dāng)于串聯(lián)電
7阻41上的并聯(lián)用開關(guān)14處于閉合(ON)的狀態(tài)，此時(shí)，導(dǎo)電片15a， 15b沒有與端子511、 521 相接觸，相當(dāng)于并聯(lián)電阻51、 52上的串聯(lián)用開關(guān)15a、 15b處于斷開(OFF)的狀態(tài)；此時(shí)，該 微帶步進(jìn)衰減器的衰減量為OdB;從左向右撥動(dòng)該P(yáng)CB板13，使導(dǎo)電片14離開串聯(lián)電阻的端子 61，相當(dāng)于串聯(lián)電阻41上的并聯(lián)用開關(guān)14處于斷開(OFF)的狀態(tài)，同時(shí)使導(dǎo)電片15a將端子 511與共同接地端7連接，相當(dāng)于并聯(lián)電阻51上的串聯(lián)用開關(guān)15a處于閉合(0N)的狀態(tài)，同時(shí) 導(dǎo)電片15b將端子521與共同接地端7連接，相當(dāng)于并聯(lián)電阻52上的串聯(lián)用開關(guān)15b處于閉合 (0N)的狀態(tài)，此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量為MdB,即完成衰減量從零到有的變化。這 個(gè)變化是可逆的。
這里給出一個(gè)具體設(shè)計(jì)例設(shè)計(jì)一個(gè)衰減量從0dB,變?yōu)?dB的微帶步進(jìn)衰減器。按:t型 衰減器的設(shè)計(jì)方法，串聯(lián)電阻41的阻值為18歐姆、并聯(lián)電阻51的阻值與并聯(lián)電阻52的阻值相 同為294歐姆。根據(jù)本實(shí)施例，可得到一個(gè)由0dB，變?yōu)?dB的微帶步進(jìn)衰減器。該電阻可以是 貼片電阻、厚膜或薄膜電阻。
將多個(gè)這樣的n型衰減器相串聯(lián)，可得到一個(gè)多級(jí)的n型衰減器，并且每級(jí)的步進(jìn)量可 自由地設(shè)定。其各級(jí)間的開關(guān)可以是相互獨(dú)立的，也可以將所有開關(guān)制作在至少一個(gè)絕緣物 (PCB板)上。但每一級(jí)的串聯(lián)電阻上的并聯(lián)用開關(guān)和并聯(lián)電阻上的串聯(lián)用開關(guān)最好制作在同 一個(gè)絕緣物上。
請(qǐng)參閱圖2-1，它是第二實(shí)施例的基本電路圖。它是將三個(gè)^型衰減器相串聯(lián)后，制成 微帶步進(jìn)衰減器(三級(jí))的基本電路圖。其特點(diǎn)是每一級(jí)可相互獨(dú)立、衰減量可自由設(shè)定、 也可以按同一個(gè)固定的步進(jìn)量來設(shè)計(jì)，且所有開關(guān)也可制作在同一個(gè)絕緣物(比如PCB板)上。 當(dāng)然各級(jí)的開關(guān)也可以制作在不同的絕緣物上,。
請(qǐng)參閱圖2-2，它是第二實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖?；wl是一個(gè)射頻的四層 PCB板，選用四層PCB板是為了調(diào)節(jié)的方便、射頻回路易于布線和宜于射頻信號(hào)傳輸。但基體l 不限于四層，也可以是單層、雙層和多層。該四層PCB板1的第一層是表層，該表層上有信號(hào) 的輸入端輸出端、串聯(lián)電阻的端子、并聯(lián)電阻的端子、共同接地端；中間的兩層是金屬接地 層，該接地層通過接地過孔與表層和底層的共同接地端相連，是為了宜于射頻信號(hào)的傳輸； 底層是主回路層，串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻都安裝在此層，它們通過各自的信號(hào)過孔與表層的相 應(yīng)端子相連接。信號(hào)過孔ll不與中間的接地層相連。該基體1的表層有信號(hào)輸入端2通過信號(hào) 微帶線10經(jīng)信號(hào)過孔11分別與底層的輸入端相連接，信號(hào)輸出端3通過信號(hào)微帶線10經(jīng)信號(hào)過 孔ll與底層的輸出端相連接；該表層有第一級(jí)的串聯(lián)電阻42的兩端子611和621、有第一級(jí)的 并聯(lián)電阻52的端子511和521;有第二級(jí)的串聯(lián)電阻41(n)的端子61(II)和62(n)，有第二級(jí) 的并聯(lián)電阻51(II)和52(II);有第三級(jí)的串聯(lián)電阻41(III)的端子61(ni)和62(ni),有第三級(jí) 的并聯(lián)電阻51 (III)和52 (III);這些端子通過各自的信號(hào)過孔ll與底層的各自的端子相連接；該表層還有共同接地端7，它通過接地過孔8與中間層的金屬接地層以及底層的共同接地端7 相連接。在該表層中，共同接地端7與短路端子611、 621、端子521沒有連接，它們之間是沒 有銅箔的介質(zhì)板12;該基體1的中心部還有一個(gè)定位孔9。共同接地端7選擇大面積的銅箔是為 了更好地射頻接地。表層上還有一個(gè)位移標(biāo)示18。
請(qǐng)參閱圖2-3，它是第二實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該基體l的底層有信號(hào)輸 入端2和信號(hào)輸出端3的延伸；信號(hào)輸入端2通過信號(hào)微帶線10與第一級(jí)的端子61相連接；串聯(lián) 電阻41的一端與端子61相連接，串聯(lián)電阻41的另一端子與端子62相連接；并聯(lián)電阻51的一端 與端子61相連，另一端與端子511相連接；并聯(lián)電阻52的一端與端子62相連接，另一端與端子 521相連接；第二級(jí)、第三級(jí)的電路結(jié)構(gòu)與第一級(jí)完全相同。端子62(m)經(jīng)信號(hào)過孔ll通過信 號(hào)微帶線10與輸出端3相連接。信號(hào)微帶線、各端子與共同接地端間是沒有銅箔的介質(zhì)板12。
請(qǐng)參閱圖2-4,它是第二實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。該開關(guān)是用導(dǎo)電片 來實(shí)現(xiàn)的。該導(dǎo)電片制作在絕緣物13上。本例中的絕緣物13是一個(gè)單面圓形PCB板，其上設(shè)計(jì) 有三個(gè)作為串聯(lián)電阻開關(guān)的導(dǎo)電片14、 14(11)， 14(111),該導(dǎo)電片的寬度與信號(hào)微帶線10的寬 度相同，其長度可連接串聯(lián)電阻的兩端子；該P(yáng)CB板13上還有一個(gè)導(dǎo)電片15，它是一個(gè)環(huán)帶狀， 它是作為并聯(lián)電阻的開關(guān)的導(dǎo)電片，用于連接并聯(lián)電阻端子與共同接地端7，其形狀盡可能地 作的大一點(diǎn)。該P(yáng)CB板13有導(dǎo)電片的那一面與基體1的表層相接觸；該P(yáng)CB板13的中心有一個(gè)定 位孔9，它與基體l上的定位孔是同直徑、同位置的孔，其目的是定位導(dǎo)電片位置的。該P(yáng)CB 的背面還印有位移標(biāo)示181、 182、 183和184，它與基體1表層的標(biāo)示18相配合，顯示該P(yáng)CB板 轉(zhuǎn)動(dòng)的角度是否到位。該P(yáng)CB板還有兩個(gè)用來轉(zhuǎn)動(dòng)該P(yáng)CB的移位孔16，其功能有兩個(gè) 一個(gè)是 用于旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板，從而改變開關(guān)14、 15位置的功能，另一個(gè)是防止裝反導(dǎo)電片的功能。該P(yáng)CB 板13的一個(gè)特點(diǎn)是只用一個(gè)PCB板就可以完成所有開關(guān)的作用。雖然本實(shí)施例是通過旋轉(zhuǎn)導(dǎo) 電片來完成開關(guān)作用的，但也可以用撥動(dòng)方式，每一級(jí)的撥動(dòng)開關(guān)可相互獨(dú)立，同樣可以達(dá) 到開關(guān)的作用。導(dǎo)電片不限于PCB上，也可以是安裝在塑膠上的金屬片等。
請(qǐng)參閱圖2-5，它是第二實(shí)施例的第一組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖2-4的PCB板13 設(shè)置在基體1的表層上的示意圖。該P(yáng)CB板13上有導(dǎo)電片的那一面與該表層相接觸，從該圖 上看，圖2-4正好反轉(zhuǎn)了 180度。該圖中，導(dǎo)電片14將端子61與端子62短路，相當(dāng)于第一 級(jí)的串聯(lián)電阻41的開關(guān)14處于閉合(ON)狀態(tài)，即將串聯(lián)電阻41短路了；導(dǎo)電片14(11) 將端子61(II)和62(II)短路，相當(dāng)于第二級(jí)的串聯(lián)電阻的開關(guān)14處于閉合(0N)狀態(tài)，即
將第二級(jí)的串聯(lián)電阻4i短路了；導(dǎo)電片i4(ni)將端子6i(ni)和62an)短路，相當(dāng)于第三級(jí)
的串聯(lián)電阻的開關(guān)14處于閉合(0N)狀態(tài)，即將第三級(jí)的串聯(lián)電阻41短路了；此狀態(tài)下， 導(dǎo)電片15沒有與任何并聯(lián)電阻的端子相連接，相當(dāng)于三級(jí)的所有并聯(lián)電阻的開關(guān)15a、 15b 處于斷開(OFF)狀態(tài)；此時(shí)微帶步進(jìn)衰減器(三級(jí))的衰減量為0dB。此時(shí)該P(yáng)CB板13上的位移標(biāo)示181與基體1上的位移標(biāo)示18相對(duì)齊。
請(qǐng)參閱圖2-5，它是第二實(shí)施例的第二組合結(jié)構(gòu)示意圖。通過順時(shí)針旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板13， 使位移標(biāo)示182與基體1上的位移標(biāo)示18相對(duì)齊。此狀態(tài)下，導(dǎo)電片14離開端子61移動(dòng)到 先前導(dǎo)電片14(11)的位置，導(dǎo)電片14(11)移動(dòng)到先前14(111)的位置，導(dǎo)電片14(III)離開端 子62(m),即相當(dāng)于第一級(jí)的串聯(lián)電阻41的開關(guān)14處于斷開(OFF)狀態(tài)，第二級(jí)的串聯(lián)電 阻41上的開關(guān)14處于閉合(0N)狀態(tài)，第三級(jí)的串聯(lián)電阻41上的開關(guān)14也處于閉合(0N) 狀態(tài)；此時(shí)，導(dǎo)電片15將第一級(jí)的并聯(lián)電阻51的端子511和并聯(lián)電阻52的端子521與共同 接地端7相連接，即第一級(jí)的并聯(lián)電阻51的開關(guān)15a處于閉合狀態(tài)，第一級(jí)的并聯(lián)電阻52 的開關(guān)15b處于閉合(0N)狀態(tài)；第二級(jí)、第三級(jí)的并聯(lián)電阻上的開關(guān)狀態(tài)不變。此時(shí)該微 帶步進(jìn)衰減器(三級(jí))的衰減量為第一級(jí)的衰減量MldB，第二級(jí)、第三級(jí)的衰減量繼續(xù)為0dB。 同理，繼續(xù)順時(shí)針旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板13，使位移標(biāo)示183與位移標(biāo)示18相對(duì)齊，可使第二級(jí)的 衰減量從零到有(M2dB)，第三級(jí)的衰減量還保持為0dB;繼續(xù)旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板13，使位移標(biāo)示 184與位移標(biāo)示18對(duì)齊，可使第三級(jí)的衰減量從零到有(M3dB),此時(shí)，導(dǎo)電片14， 14(II)， 14(III) 全部離開串聯(lián)電阻的端子，即所有串聯(lián)電阻上的開關(guān)處于斷開(OFF)狀態(tài)；此時(shí)，導(dǎo)電片 15將所有并聯(lián)電阻的端子與共同接地端7相連接，即所有并聯(lián)電阻的開關(guān)處于閉合(0N)狀 態(tài)，此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器(三級(jí))的總衰減量為Ml+M2+M3。即該微帶步進(jìn)衰減器的衰 減量按0犯，MldB, (Ml+M2) dB， (Ml+M2+M3) dB變化，此變化是可逆的。若M^M2-M3二M，則該衰 減量的變化就是0dB， MdB， 2MdB， 3MdB。若MdB設(shè)計(jì)為6dB，則該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量 的變化為0dB， 6dB, 12dB, 18dB。
請(qǐng)參閱圖3，它是在第二實(shí)施例的基礎(chǔ)上加了一個(gè)固定衰減器的電路圖。微帶步進(jìn)衰減器 經(jīng)常用于系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)，0dB使會(huì)對(duì)系統(tǒng)影響太大，在該微帶步進(jìn)衰減器的前端、后端或前 后兩端可加一個(gè)固定衰減。也可以在各級(jí)之間加入固定衰減器。
請(qǐng)參閱圖4-1,它是第三實(shí)施例的基本電路圖。它與圖2-l不同的是，并聯(lián)電阻的開關(guān)15a、 15b不是設(shè)置在并聯(lián)電阻與共同接地端7之間，而是設(shè)置在并聯(lián)電阻的另一端，同樣可以改變 衰減器的衰減量。
請(qǐng)參閱圖4-2,它是第三實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖。該基體l本實(shí)施例是一個(gè)雙 層PCB板作為基體的例子，串聯(lián)電阻41的兩端子61和62用信號(hào)微帶線10分別與信號(hào)輸入端2、 信號(hào)輸出端3相連接；并聯(lián)電阻51的一端直接與共同接地端7相連接，其另一端512通過串聯(lián)接 入一個(gè)開關(guān)15a與端子61相連接；并聯(lián)電阻52的一端與共同接地端7直接相連接，其另一端522 通過串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)15b與端子62相連接。
請(qǐng)參閱圖4-3，它是第三實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的開關(guān) 是一個(gè)撥動(dòng)型開關(guān)，該開關(guān)是用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)的。與圖l-4的方法基本相同。該導(dǎo)電片制作在
10絕緣物13上。本例中的絕緣物13是一個(gè)單層PCB板13，但不限于PCB，也可以是塑膠與金屬片 等。該單層PCB上有三個(gè)導(dǎo)電片，導(dǎo)電片14的作用是用來作為串聯(lián)電阻41的開關(guān)的，導(dǎo)電片15a、 15b分別作為并聯(lián)電阻51、 52的開關(guān)的。移位孔16是用來移動(dòng)該P(yáng)CB板時(shí)用的。由于電阻與端 子都制作在表層，因此在該P(yáng)CB板上還開有一個(gè)槽17，它可以避免PCB板與電阻的碰撞。
請(qǐng)參閱圖4-4，它是第三實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖4-3的PCB板13設(shè)置在基 體l表層上的組合示意圖。該P(yáng)CB板13上有導(dǎo)電片的那一面與該表層相接觸，在圖形上該圖4-3 相當(dāng)于反轉(zhuǎn)了180度。當(dāng)撥動(dòng)該P(yáng)CB板，同樣可以完成衰減量的可變，即衰減量從OdB變化一個(gè) 步進(jìn)量。
將多個(gè)這樣的衰減器相串聯(lián)，可得到一個(gè)微帶步進(jìn)衰減器(多級(jí))，其各級(jí)的衰減量可 自由設(shè)定。其各級(jí)間的開關(guān)可以是相互獨(dú)立的，也可以將所有開關(guān)制作在至少一個(gè)絕緣物(PCB 板)上，其方法與第二實(shí)施例相似。
請(qǐng)參閱圖5-1，它是第四實(shí)施例的基本電路圖。它是在一個(gè)用電阻組成的典型的T型衰減 器電路上，在串聯(lián)電阻41a的兩端61與61a上并聯(lián)接入了一個(gè)開關(guān)14a，在串聯(lián)電阻41b的兩端 上并聯(lián)接入了一個(gè)開關(guān)14b，在并聯(lián)電阻51的端子511與共同接地端7間串聯(lián)接入有一個(gè)開關(guān)15 的電路圖。開關(guān)15也可以串聯(lián)接入在并聯(lián)電阻51的另一端。
請(qǐng)參閱圖5-2，它是第四實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖?；w1是一個(gè)射頻的四層PCB 板l，但不限于四層，也可以是單層、雙層和多層。該四層PCB板的第一層是表層，該表層上 信號(hào)輸入端2通過信號(hào)微帶線10與端子61相連接，信號(hào)輸出端3通過信號(hào)微帶線10與端子62相 連接；還有串聯(lián)電阻41a的兩端子61和61a、串聯(lián)電阻41b的兩端子61a和62、并聯(lián)電阻51的端 子511、共同接地端7。端子61、 61a、 62、 511分別通過各自的信號(hào)過孔ll與底層的各自的端 子相連接，共同接地端7通過接地過孔8與底層的共同接地端以及中間兩層的金屬接地層相連 接。
請(qǐng)參閱圖5-3，它是第四實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。在該基體l的底層有兩個(gè) 串聯(lián)電阻41a和41b、該串聯(lián)電阻41a的一端與端子61相連接，另一端與61a相連接；串聯(lián)電阻 41b的一端與端子61a相連接，另一端與端子62相連接；并聯(lián)電阻51的一端與端子61a相連接， 并聯(lián)電阻的另一端與端子511相連接；底層還有共同接地端7。
請(qǐng)參閱圖5-4，它是第四實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的開關(guān) 是一個(gè)撥動(dòng)型開關(guān)，該開關(guān)是用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)的。該導(dǎo)電片制作在絕緣物13上。本例中的絕 緣物13是一個(gè)單層PCB板，但不限于PCB，也可以是塑膠與金屬片等。該單層PCB上有三個(gè)導(dǎo)電 片，導(dǎo)電片14a的作用是用來作為串聯(lián)電阻41a的并聯(lián)用開關(guān)，導(dǎo)電片14b的作用是用來作為串 聯(lián)電阻41b的并聯(lián)用開關(guān)，導(dǎo)電片15作為并聯(lián)電阻51的串聯(lián)用開關(guān)。移位孔16是用來移動(dòng)該P(yáng)CB 板時(shí)用的。導(dǎo)電片14a、 14b的寬度最好設(shè)計(jì)的與信號(hào)微帶線的寬度相同。其長度要能短路各自的串聯(lián)電阻。
請(qǐng)參閱圖5-5，它是第四實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖5-4的PCB板13設(shè)置在 基體l上的組合示意圖。該P(yáng)CB板13上有金屬導(dǎo)電片的那一面與基體1的表層接觸，即圖中的虛 線是圖5-4反轉(zhuǎn)了180度的圖。該圖的狀態(tài)是導(dǎo)電片14a將端子61與61a短路，即相當(dāng)于串聯(lián) 電阻41a上的并聯(lián)用開關(guān)處于閉合(ON)的狀態(tài)，導(dǎo)電片14b將端子61a與62短路，相當(dāng)于串聯(lián) 電阻41b上的并聯(lián)用開關(guān)處于閉合(ON)的狀態(tài)，此時(shí)，導(dǎo)電片15沒有與端子511相接觸，相 當(dāng)于并聯(lián)電阻51的串聯(lián)用開關(guān)15處于斷開(OFF)的狀態(tài)；此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量 為0dB;從左向右撥動(dòng)該P(yáng)CB板13，使導(dǎo)電片14a離開端子61、使導(dǎo)電片14b離開端子61a，相當(dāng) 于串聯(lián)電阻41a、 41b上的各開關(guān)處于斷開(OFF)狀態(tài)；此時(shí)，導(dǎo)電片15與端子511相接觸， 相當(dāng)于并聯(lián)電阻51的串聯(lián)用開關(guān)出于閉合(0N);此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量從0dB到 有，根據(jù)T型衰減器的設(shè)計(jì)要求，可設(shè)計(jì)出所需步進(jìn)量的衰減器，從而可得到衰減量從0dB到 所需衰減量的變化。此變化是可逆的。
將多個(gè)這樣的T型衰減器相串聯(lián)，可得到一個(gè)多級(jí)的步進(jìn)衰減器(微帶步進(jìn)衰減器)。其 各級(jí)間的開關(guān)可以是相互獨(dú)立的，也可以將所有開關(guān)制作在至少一個(gè)絕緣物(PCB板)上。其 方法與第二實(shí)施例相似。
請(qǐng)參閱圖6-l，它是第五實(shí)施例的基本電路圖。它是在一個(gè)用電阻組成的典型T型衰減器 電路上，在串聯(lián)電阻41a與41b串聯(lián)后的兩端(輸入端與輸出端)上并聯(lián)有一個(gè)開關(guān)14，實(shí)際 上開關(guān)14的作用與開關(guān)14a和14b同時(shí)動(dòng)作是相同的。在并聯(lián)電阻51的端子512與端子61a間串 聯(lián)接入有一個(gè)開關(guān)15的電路圖。開關(guān)15也可以串聯(lián)接入在并聯(lián)電阻51的另一端。
請(qǐng)參閱圖6-2,它是本第五實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖。基體l是一個(gè)射頻的雙層 PCB板1。但基體l不限于雙層，也可以是單層或多層。該表層上串聯(lián)電阻41a經(jīng)端子61a與41b 相串聯(lián)、串聯(lián)電阻41a與41b串聯(lián)后的端子為端子61、 62，端子61、 62分別通過信號(hào)微帶線10 與信號(hào)輸入端2、信號(hào)輸出端3相連接。并聯(lián)電阻51的一端串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)15，開關(guān)15的另 一端與端子61a相連接，并聯(lián)電阻51的另一端與共同接地端7相連接。開關(guān)15也可以串聯(lián)接入 在該并聯(lián)電阻的另一端。該雙層PCB板的底層是金屬層，作為射頻信號(hào)的接地層。
請(qǐng)參閱圖6-3，它是第五實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的開關(guān) 是一個(gè)撥動(dòng)型開關(guān)，該開關(guān)是用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)的。該導(dǎo)電片制作在絕緣物13上。本例中的絕 緣物13是一個(gè)單層PCB板，但不限于PCB，也可以是塑膠與金屬片等。該單層PCB上有兩個(gè)導(dǎo)電 片，導(dǎo)電片14的作用是用來作為串聯(lián)電阻41a和41b相串聯(lián)后的并聯(lián)用開關(guān)，即開關(guān)14并聯(lián)接 入在端子61與62之間(輸入輸出端的開關(guān))，導(dǎo)電片15作為并聯(lián)電阻51的串聯(lián)用開關(guān)15。為了 避免導(dǎo)電片移動(dòng)時(shí)，該單面PCB板與串聯(lián)電阻相碰撞，在該單面PCB板上開了一個(gè)槽17。移位 孔16是用來移動(dòng)該P(yáng)CB板時(shí)用的。請(qǐng)參閱圖6-4，它是第五實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖6-3的PCB板13設(shè)置在 基體l上的組合示意圖。該P(yáng)CB板13上有金屬導(dǎo)電片的那一面與基體1的表層接觸，即圖中的虛 線是圖6-3反轉(zhuǎn)了180度的圖。該圖的狀態(tài)是端子61與62 (信號(hào)的輸入輸出端)被導(dǎo)電片14 短路，即相當(dāng)端61與62上的并聯(lián)用開關(guān)14處于閉合(ON)的狀態(tài)；此時(shí)，導(dǎo)電片15沒有與端 子512相接觸，相當(dāng)于并聯(lián)電阻51的開關(guān)15處于斷開(OFF)的狀態(tài)；此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減 器的衰減量為0dB;從右向左撥動(dòng)該P(yáng)CB板13，使導(dǎo)電片14離開端子62，相當(dāng)于串聯(lián)電阻41a 和41b上的開關(guān)處于斷開(OFF)狀態(tài)；此時(shí)，導(dǎo)電片15與端子512相接觸，相當(dāng)于并聯(lián)電阻51 的串聯(lián)用開關(guān)15處于閉合(ON);此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量從零到有，根據(jù)T型衰減 器的設(shè)計(jì)要求，可設(shè)計(jì)出所需步進(jìn)量的衰減器。此變化是可逆的。
將多個(gè)這樣的T型衰減器相串聯(lián)，可得到一個(gè)多級(jí)步進(jìn)衰減器，并且每級(jí)的衰減量可自 由設(shè)定。其各級(jí)間的開關(guān)可以是相互獨(dú)立的，也可以將所有開關(guān)制作在至少一個(gè)絕緣物(PCB 板)上。其方法與第二實(shí)施例相似。
請(qǐng)參閱圖7-1，它是本發(fā)明的第六實(shí)施例的基體電路結(jié)構(gòu)示意圖。基體1是一個(gè)雙面PCB 板、但不限于雙面PCB板。在該雙面PCB板的表面，有信號(hào)輸入端2、信號(hào)輸出端3、有一個(gè) 串聯(lián)電阻41、該串聯(lián)電阻41的兩端分別通過信號(hào)微帶線與該信號(hào)輸入端2和該信號(hào)輸出端3 相連接； 一個(gè)50歐姆電阻71， 一端與輸入端2相連接，另一端與511T端相連接；另有一個(gè) 50歐姆的電阻72， 一端與輸出端3相連接，另一端與511T端相連接；有一個(gè)并聯(lián)電阻51， 該并聯(lián)電阻51的一端512與一個(gè)開關(guān)15串聯(lián)后與511T端相連，該并聯(lián)電阻51的另一端與 共同接地端7相連接。開關(guān)15也可以接在并聯(lián)電阻51的另一端即并聯(lián)電阻51與共同接地端 間?；蛘咴趦蓚€(gè)50歐姆電阻上分別接入一個(gè)開關(guān)，來代替開關(guān)15的作用。在串聯(lián)電阻41的 兩端間并聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)14。此電路是在一個(gè)典型的橋型衰減器電路上在串聯(lián)電阻間并聯(lián)接 入開關(guān)、在并聯(lián)電阻上串聯(lián)接入開關(guān)的電路。共同接地端7通過射頻過孔8與基體底面的金 屬底板相接。本圖中的串聯(lián)電阻41的兩端子是61、 62。
請(qǐng)參閱圖7-2，它是本發(fā)明的第六實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。本開關(guān) 是一個(gè)撥動(dòng)型開關(guān)，導(dǎo)電片14是作為串聯(lián)電阻41的開關(guān)14，其寬度最好與信號(hào)微帶線的寬度 相同，其長度要能短路端子61和62;導(dǎo)電片15作為并聯(lián)電阻51的開關(guān)。有導(dǎo)電片的那一面與 基體l的表面相接觸，為了避免導(dǎo)電片移動(dòng)時(shí)，該單面PCB板與串聯(lián)電阻41以及50歐姆電阻相 碰撞，在該單面PCB板上開了一個(gè)槽17。在該單面PCB上還有移位孔16。
請(qǐng)參閱圖7-3，它是本發(fā)明的第六實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖7-2的PCB板 13設(shè)置在基體1上的組合示意圖。圖中的虛線是圖7-2反轉(zhuǎn)了180度的圖。從本圖中可以看到， 串聯(lián)電阻41被導(dǎo)電片14短路(0N)，并聯(lián)電阻51沒有與主回路連接(0FF)，即信號(hào)從輸入端到輸 出端是直通的，這時(shí)該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量為OdB;通過向左撥動(dòng)PCB板13，使導(dǎo)電片14
13離開串聯(lián)電阻41的端子62 (0FF)，同時(shí)，導(dǎo)電片15將并聯(lián)電阻51的端子511T接通(0N)，這種 狀態(tài)下的電路是一個(gè)典型的橋型衰減器電路。根據(jù)橋型衰減器的設(shè)計(jì)參數(shù)，可設(shè)計(jì)出所需衰 減量的微帶步進(jìn)衰減器。比如，選擇串聯(lián)電阻41的阻值為21歐姆，并聯(lián)電阻51的阻值為121 歐姆，它就是一個(gè)從0dB變?yōu)?dB的微帶步進(jìn)衰減器。此變化是可逆的。
將多個(gè)這樣的衰減器相串聯(lián)，可得到一個(gè)多級(jí)步進(jìn)衰減器，并且各級(jí)的衰減量可自由設(shè) 定。其各級(jí)間的開關(guān)可以是相互獨(dú)立的，也可以將所有開關(guān)制作在至少一個(gè)絕緣物(PCB板) 上。
這里要強(qiáng)調(diào)說明的是，多級(jí)衰減器相串聯(lián)時(shí)，不限于相同類型的衰減器的串聯(lián)，它也可 以是不同類型的衰減器的相互串聯(lián)，比如^型衰減器與T型衰減器的串聯(lián)、T型衰減器與:t型 衰減器的串聯(lián)等。
請(qǐng)參閱圖8-1，它是本發(fā)明的第七實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖?；wl是一個(gè)射頻 的雙層陶瓷基板，但不限于雙層。該表層上有四個(gè)端子61、 62、 511、 521，它們通過各自的 信號(hào)過孔ll與底層上各自的端子相連接。該表層上還有共同接地端7，它通過接地過孔8與底 層的接地端7相連接。
請(qǐng)參閱圖8-2，它是第七實(shí)施例的基體底層電路結(jié)構(gòu)示意圖。該基體1上有信號(hào)輸入端2、 信號(hào)輸出端3、(膜狀)串聯(lián)電阻41F、(膜狀)并聯(lián)電阻51F、(膜狀)并聯(lián)電阻52F、共同接地 端7;所謂膜狀電阻是指用厚膜工藝或薄膜工藝制作的電阻，在涂敷保護(hù)層前，原則上該膜狀 電阻的四個(gè)邊是可以電連接的。信號(hào)輸入端2通過信號(hào)微帶線10與端子61相連接，端子61又與 膜狀電阻組成的衰減器的(膜狀)串聯(lián)電阻41F的一邊(左邊)FL相連接，該串聯(lián)電阻41F的 另一邊(右邊)FR與端子62相連接，端子62通過信號(hào)微帶線10與輸出端3相連接；串聯(lián)電阻41F 的上邊與并聯(lián)電阻51F的一端相連接，該并列電阻51F的另一端FT (上端)與端子511相連接； 該串聯(lián)電阻41F的底邊與并聯(lián)電阻52F的一端相連接，該并聯(lián)電阻52F的另一端FB (下端)與端 子521相連接；為了描述和理解的方便，我們把連接信號(hào)輸入輸出端的兩端稱為串聯(lián)電阻41F 的兩端。在實(shí)際制作膜狀衰減器時(shí)，上述串聯(lián)電阻41F、并聯(lián)電阻51F、 52F可作為一體，按膜 狀衰減器阻值設(shè)計(jì)的要求， 一次制作成型，不需要分開制作。
請(qǐng)參閱圖8-3，它是第七實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。該導(dǎo)電片可以制 作在一個(gè)PCB板13上，導(dǎo)電片14用于連接端子61和62，起串聯(lián)電阻41F的并聯(lián)用開關(guān)的作用； 導(dǎo)電片15a用于連接端子511和共同接地端7，起到將并聯(lián)電阻51F與共同接地端7相串聯(lián)用的開 關(guān)作用。導(dǎo)電片15b用于連接端子521和共同接地端7，起到將并聯(lián)電阻52F與共同接地端相串 聯(lián)用的開關(guān)作用。移位孔16是用來移動(dòng)該P(yáng)CB板時(shí)用的。
請(qǐng)參閱圖8-4，它是第七實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖8-3的PCB板13設(shè)置在基 體l表層上的組合示意圖。該P(yáng)CB板13上有導(dǎo)電片的那一面與該基體的表層相接觸，在圖形上
14該圖8-3相當(dāng)于反轉(zhuǎn)了180度。該導(dǎo)電片15a將并聯(lián)電阻51F的端子511與共同接地端7相連接， 相當(dāng)于并聯(lián)電阻51F上的串聯(lián)用開關(guān)閉合(ON)，該導(dǎo)電片15b將并聯(lián)電阻52F的端子521與共同 接地端7相連接，相當(dāng)于并聯(lián)電阻52F上的串聯(lián)用開關(guān)閉合(ON)，此時(shí)，串聯(lián)電阻41F上的并 聯(lián)用開關(guān)處于斷開(OFF)狀態(tài)，此狀態(tài)下，該微帶步進(jìn)衰減器是一個(gè)典型的膜狀衰減器。其 衰減量可根據(jù)膜狀衰減的設(shè)計(jì)要求來設(shè)計(jì)。當(dāng)從右向左撥動(dòng)該P(yáng)CB板13時(shí)，導(dǎo)電片14將串聯(lián)電 阻的兩端61和62 (FL與FR端)短路，相當(dāng)于串聯(lián)電阻41F上的并聯(lián)用開關(guān)閉合(0N)，此時(shí)， 導(dǎo)電片15a離開端子511，相當(dāng)于并聯(lián)電阻51F上的串聯(lián)用開關(guān)斷開(0FF)，導(dǎo)電片15b離開端 子521，相當(dāng)于并聯(lián)電阻52F上的串聯(lián)用開關(guān)斷開(0FF)，此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量 為0dB。以此可以完成衰減量的可變，即衰減量從一個(gè)步進(jìn)量變化為OdB。
用多個(gè)這樣的衰減器相串聯(lián)，可制成多級(jí)步進(jìn)衰減器，并且各級(jí)的衰減量可自由設(shè)定。 其各級(jí)間的開關(guān)可以是相互獨(dú)立的，也可以將所有開關(guān)制作在至少一個(gè)絕緣物(PCB板)上。 另外，在膜狀衰減器的實(shí)際制作中，串聯(lián)電阻41F與并聯(lián)電阻51F、 52F是一次成型的一個(gè)膜狀 電阻，在設(shè)計(jì)時(shí)是按膜狀衰減器的設(shè)計(jì)原理來設(shè)計(jì)膜狀電阻阻值的。它的等效電路按分布參 數(shù)可等效為多個(gè)兀型網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)，最終可等效為一個(gè)兀型網(wǎng)絡(luò)(Ji型衰減器)。
請(qǐng)參閱圖9-l，它是本發(fā)明的微帶步進(jìn)衰減器的第八實(shí)施例的基體表層電路結(jié)構(gòu)示意圖。 基體l是一個(gè)射頻的雙層陶瓷基板。該表層上有三個(gè)端子61、 62、 521，它們通過各自的信號(hào) 過孔ll與底層上各自的端子相連接。該表層上還有共同接地端7，它通過接地過孔8與底層的 接地端7相連接。
請(qǐng)參閱圖9-2，它是第八實(shí)施例的基體底層電路結(jié)構(gòu)示意圖。該基體1上有信號(hào)輸入端2、 信號(hào)輸出端3、(膜狀)串聯(lián)電阻41F、(膜狀)并聯(lián)電阻52F、共同接地端7;所謂膜狀電阻是 指用厚膜工藝或薄膜工藝制作的電阻，在涂敷保護(hù)層前，原則上該膜狀電阻的四個(gè)邊是可以 電連接的。信號(hào)輸入端2通過信號(hào)微帶線10與端子61相連接，端子61又與膜狀電阻組成的衰減 器的(膜狀)串聯(lián)電阻41F的一邊(左邊)FL相連接，該串聯(lián)電阻41F的另一邊(右邊)FR與 端子62相連接，端子62通過信號(hào)微帶線10與輸出端3相連接；該串聯(lián)電阻41F的底邊與并聯(lián)電 阻52F的一端相連接，該并聯(lián)電阻52F的另一端(下端)與端子521相連接；為了描述和理解的 方便，我們把連接信號(hào)輸入輸出端的兩端稱為串聯(lián)電阻41F的兩端。在實(shí)際制作膜狀衰減器時(shí)， 上述串聯(lián)電阻41F、 52F可作為一體，按衰減器阻值設(shè)計(jì)的要求， 一次制作成型，不需要分開 制作。
請(qǐng)參閱圖9-3，它是第八實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。該導(dǎo)電片可以制 作在一個(gè)PCB板13上，導(dǎo)電片14用于連接端子61和62，起串聯(lián)電阻41F的并聯(lián)用開關(guān)的作用； 導(dǎo)電片15用于連接端子521和共同接地端7，起到將并聯(lián)電阻52F與共同接地端7相串聯(lián)用的開 關(guān)作用。移位孔16是用來移動(dòng)該P(yáng)CB板時(shí)用的。請(qǐng)參閱圖9-4，它是第八實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖9-3的PCB板設(shè)置在基體 l表層上的組合示意圖。該P(yáng)CB板13上有導(dǎo)電片的那一面與該基體的表層相接觸，在圖形上該 圖9-3相當(dāng)于反轉(zhuǎn)了180度。該導(dǎo)電片15將并聯(lián)電阻52F的端子521與共同接地端7相連接，相當(dāng) 于并聯(lián)電阻52F上的串聯(lián)用開關(guān)閉合(0N)，此時(shí)，串聯(lián)電阻41F上的并聯(lián)用開關(guān)處于斷開(0FF) 狀態(tài)，此狀態(tài)下，該微帶步進(jìn)衰減器是一個(gè)典型的膜狀衰減器。其衰減量可根據(jù)膜狀衰減的 設(shè)計(jì)要求來設(shè)計(jì)。當(dāng)從右向左撥動(dòng)該P(yáng)CB板13時(shí)，導(dǎo)電片14將串聯(lián)電阻41F的兩端子61和62短 路，相當(dāng)于串聯(lián)電阻41F上的并聯(lián)用開關(guān)閉合(ON)，此時(shí)，導(dǎo)電片15離開端子521，相當(dāng)于并 聯(lián)電阻52F上的串聯(lián)用開關(guān)斷開(OFF)。此時(shí)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量為OdB。此過程是 可逆的。這樣可以完成衰減量的可變。
用多個(gè)這樣的衰減器相串聯(lián)，可制成多級(jí)步進(jìn)衰減器，并且各級(jí)的衰減量可自由設(shè)定。 其各級(jí)間的開關(guān)可以是相互獨(dú)立的，也可以將所有開關(guān)制作在至少一個(gè)絕緣物(PCB板)上。 另外，在膜狀衰減器的實(shí)際制作中，串聯(lián)電阻41F與并聯(lián)電阻52F是可以一次成型的一個(gè)膜狀 電阻，在設(shè)計(jì)時(shí)是按衰減器的設(shè)計(jì)原理來設(shè)計(jì)膜狀電阻阻值的。它的等效電路按分布參數(shù)可 等效為多個(gè)T型衰減器的串聯(lián)，最終可等效為一個(gè)T型T型衰減器。
請(qǐng)參閱圖10-1，它是本發(fā)明的第九實(shí)施例的基本電路圖。本實(shí)施例是一個(gè)由串聯(lián)電阻41、 42,并聯(lián)電阻51、 52、 53組成的一個(gè)兩級(jí)的衰減器，串聯(lián)電阻41和42串聯(lián)后其兩端分別與輸 入端2、輸出端3相連接。并聯(lián)電阻51的一端與輸入端相連接，另一端與共同接地端7相連接。 并聯(lián)電阻53的一端與輸出端3相連接，另一端與共同接地端7相連接。并聯(lián)電阻52的一端接在 串聯(lián)電阻41和42的連接處即端子611處，并聯(lián)電阻52的另一端子521通過一個(gè)開關(guān)15與共同接 地端7相連接。在串聯(lián)電阻42的兩端子611和621間并聯(lián)接入有一個(gè)開關(guān)14。當(dāng)開關(guān)14閉合(0N) 時(shí)，開關(guān)15斷開(OFF);反之，當(dāng)開關(guān)14斷開(OFF)時(shí)，開關(guān)15閉合(0N)。這樣可以完成 衰減器的衰減量的可變。本實(shí)施例從電路結(jié)構(gòu)上看，它是一個(gè)典型的n型電路相串聯(lián)形成的 衰減器，并聯(lián)電阻52相當(dāng)于兩個(gè)相同電阻的并聯(lián)，但一個(gè)串聯(lián)電阻(本實(shí)施例中是串聯(lián)電阻 42)被短路(0N)后，同時(shí)中間的一個(gè)并聯(lián)電阻(本實(shí)施例中的并聯(lián)電阻52)被開路(OFF) 后，串聯(lián)電阻41、并聯(lián)電阻51、 52又重新組成了一個(gè)n型衰減器。按衰減器的標(biāo)準(zhǔn)來設(shè)計(jì)總 衰減量，按步進(jìn)量來選擇開關(guān)的位置和狀態(tài)，可達(dá)到步進(jìn)地改變衰減器的衰減量的目的。下 面會(huì)進(jìn)一步地說明。
本發(fā)明的微帶步進(jìn)衰減器，改變衰減器衰減量的過程既開關(guān)位置的選擇和開關(guān)狀態(tài)(0N， OFF)的選擇是按衰減器(Ji型衰減器、T型衰減器或橋型衰減器)的設(shè)計(jì)原理，用電阻組 成多級(jí)衰減器(多個(gè)衰減器相串聯(lián))，不論是n型衰減器、T型衰減器、橋型衰減器或它們的 組合，利用并聯(lián)用開關(guān)和串聯(lián)用開關(guān)，將其中一個(gè)一個(gè)的衰減器無效掉，就可達(dá)到衰減器的 衰減量從大到小的步進(jìn)變化，這一過程是可逆的，同理，也可以使衰減器的衰減量從小到大變化。這樣做的好處還在于利用并聯(lián)用開關(guān)和串聯(lián)用開關(guān)來將其中一個(gè)衰減器無效掉，不會(huì) 影響整個(gè)衰減器的反射系數(shù)。
請(qǐng)參閱圖10-2,它是第九實(shí)施例的基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該基體l是一個(gè)射頻的四 層PCB板，但不限于四層，也可以是單層、雙層或多層。該基體1的表層有信號(hào)輸入端2和信號(hào) 輸出端3，并且通過各自的信號(hào)過孔ll分別與底層的輸入輸出端相連接；該表層有信號(hào)微帶線 10，信號(hào)微帶線10可制作成50歐姆的信號(hào)微帶，也可以根據(jù)需要制作成75歐姆的信號(hào)微帶線； 該表層有串聯(lián)電阻42的兩端子611和621、有并聯(lián)電阻52的端子521，這些端子通過各自的信號(hào) 過孔ll與底層的各自的端子相連接；該表層還有共同接地端7，它通過接地過孔8與中間層的 金屬接地層以及底層的共同接地端7相連接。在該表層中，共同接地端7沒有與端子611、 621、 端子521連接，它們之間是沒有銅箔的介質(zhì)板12;該基體1的中心部還有一個(gè)定位孔9。共同接 地端7選擇大面積的銅箔是為了更好地射頻接地。
請(qǐng)參閱圖10-3，它是第九實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該基體l的底層有信號(hào)輸 入端2和信號(hào)輸出端3的延伸；串聯(lián)電阻41與42串聯(lián)后組成一個(gè)串聯(lián)電阻組，該串聯(lián)阻組的兩 端分別通過信號(hào)微帶線10與輸入端2輸出端3相連接；并聯(lián)電阻51的一端與串聯(lián)電阻41的信號(hào) 輸入端相連接，并聯(lián)電阻51的另一端與共同接地端7相連接；并聯(lián)電阻53的一端與串聯(lián)電阻42 的信號(hào)輸出端相連接，并聯(lián)電阻53的另一端與共同接地端7相連接；并聯(lián)電阻52的一端與該串 聯(lián)電阻41和42的連接處的端子611相連接，并聯(lián)電阻52的另一端與端子521相連接。信號(hào)微帶 線與共同接地端間是沒有銅箔的介質(zhì)板12。另外，為了防止自動(dòng)焊接時(shí)，焊錫或焊油滲透信 號(hào)過孔11或接地過孔8對(duì)表層的端子造成高低不平的影響，在底層的過孔上有意用阻焊漆將過 孔覆蓋。
請(qǐng)參閱圖10-4，它是第九實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。該開關(guān)是用導(dǎo)電 片來實(shí)現(xiàn)的。該導(dǎo)電片制作在絕緣物13上。本例中的絕緣物13是一個(gè)單面圓形PCB板，其上設(shè) 計(jì)一個(gè)寬度與信號(hào)微帶線10相同寬度的導(dǎo)電片14作為串聯(lián)電阻42的開關(guān)14，該P(yáng)CB板上還有一 個(gè)導(dǎo)電片作為并聯(lián)電阻52的串聯(lián)開關(guān)15，其形狀可做的大一點(diǎn)，它是用來連接端子521與共同 接地端7的，該P(yáng)CB板有導(dǎo)電片的那一面與基體1的表層相接觸；該P(yáng)CB板的中心有一個(gè)定位孔9， 它與基體l上的定位孔是同直徑、同位置的孔，其目的是定位導(dǎo)電片12位置的。該P(yáng)CB還有兩 個(gè)用來轉(zhuǎn)動(dòng)該P(yáng)CB的移位孔16。
雖然本實(shí)施例是通過旋轉(zhuǎn)導(dǎo)電片來完成開關(guān)作用的，但也可以用撥動(dòng)導(dǎo)電片方式，同樣 可以達(dá)到開關(guān)的作用。導(dǎo)電片不限于PCB上，也可以是安裝在塑膠上的金屬片等。
請(qǐng)參閱圖10-5，它是第九實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖10-4的PCB板設(shè)置 在基體l的表層上的示意圖。該P(yáng)CB板上有導(dǎo)電片的那一面與該表層相接觸，從該圖上看， 圖10-4的PCB板正好反轉(zhuǎn)了 180度。該圖中，開關(guān)14將端子611與端子621短路，相當(dāng)于開關(guān)14處于閉合(ON)狀態(tài)，即將串聯(lián)電阻42短路了；此狀態(tài)下，開關(guān)15沒有將端子521 與共同接地端短路，相當(dāng)與開關(guān)15處于斷開(OFF)狀態(tài)；此時(shí)衰減器有一個(gè)衰減量，通過 順時(shí)針旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板，使開關(guān)14離開端子611和612,即開關(guān)14處于斷開(OFF)狀態(tài)，開 關(guān)15旋轉(zhuǎn)到端子521處，即開關(guān)15處于閉合(0N)狀態(tài)，此時(shí)衰減器的衰減量會(huì)變化，從 而完成了衰減器的步進(jìn)可變。這里給出一個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例來說明該微帶步進(jìn)衰減器是如何地改變 衰減量的。設(shè)計(jì)一個(gè)衰減量從20dB改變?yōu)?0dB的微帶步進(jìn)衰減器，其步進(jìn)量為10dB。選擇 串聯(lián)電阻41、 42的阻值相同且各為71.5歐姆，并聯(lián)電阻51、 53的阻值相同且各為95.3歐 姆，并聯(lián)電阻52的阻值為47. 5歐姆(相當(dāng)于兩個(gè)95. 3歐姆電阻的并聯(lián))。PCB板13的初始 狀態(tài)如圖2-4，在此初始狀態(tài)下，該微帶步進(jìn)衰減器的衰減量是10dB;順時(shí)針旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板 13，使開關(guān)14處于斷開(OFF)狀態(tài)，開關(guān)15處于閉合(0N)狀態(tài)，該微帶步進(jìn)衰減器的衰 減量就變?yōu)?0dB。即相當(dāng)于一個(gè)兩級(jí)衰減器(兩個(gè)10dB的衰減器的串聯(lián))，通過并聯(lián)用開關(guān) 和串聯(lián)用開關(guān)，將一個(gè)衰減器無效掉或連起來，從而可完成多級(jí)衰減器的衰減量的改變。這 一過程是可逆的。同理可以設(shè)計(jì)出其它步進(jìn)量的可變衰減器。這里要說明的是，本具體實(shí)施 例中所描述的電阻阻值不是理論計(jì)算值，是市場(chǎng)上可以買到的標(biāo)準(zhǔn)電阻阻值，與理論計(jì)算阻 值略有不同。同理，可以做成多極衰減器的步進(jìn)可變。另外，這里要說明的是，不一定非要 短路串聯(lián)電阻42，也可以短路串聯(lián)電阻41，并聯(lián)電阻51的串聯(lián)接入開關(guān)15也可以設(shè)置在并 聯(lián)電阻51的另一端。
請(qǐng)參閱圖ll-l,它是本發(fā)明的第十實(shí)施例的電路示。從該圖中可看出，它是在一個(gè)由電 阻組成的三級(jí)衰減器中，各串聯(lián)電阻(41、 42、 43)的兩端接入有一個(gè)并聯(lián)用開關(guān)，各并聯(lián) 電阻(51、 52、 53、 54)上串聯(lián)接入有一個(gè)串聯(lián)用開關(guān)的實(shí)施例。它與圖2-l的區(qū)別在于，并 聯(lián)電阻52或53相當(dāng)于圖2-l的兩個(gè)并聯(lián)電阻的并聯(lián)為一個(gè)電阻。
請(qǐng)參閱圖11-2,它是第十實(shí)施例基體表層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該基體1也是一個(gè)四層PCB 板。上面對(duì)四層PCB板的結(jié)構(gòu)有過說明，這不再重復(fù)。本實(shí)施例有三個(gè)串聯(lián)電阻41、 42、 43， 有四個(gè)并聯(lián)電阻51、 52、 53、 54。串聯(lián)電阻41的兩端同信號(hào)過孔11與端子611、 621相連接， 串聯(lián)電阻42的兩端通過信號(hào)過孔11與端子621、 631相連接，串聯(lián)電阻43的兩端通過信號(hào)過孔 與端子631、 641相連接；并聯(lián)電阻51的兩端通過信號(hào)過孔11與端子611、 511相連接，并聯(lián)電 阻52的兩端通過信號(hào)過孔與端子621、521相連接，并聯(lián)電阻53的兩端通過信號(hào)過孔與端子631、 531相連接，并聯(lián)電阻54的兩端通過信號(hào)過孔與端子641、 541相連接；端子541設(shè)置在靠近定 位孔9的附近是考慮到旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)的方便。信號(hào)的輸入端2通過信號(hào)過孔和信號(hào)微帶線與端子611 相連接，信號(hào)輸出端3通過信號(hào)過孔和信號(hào)微帶線與端子641相連接。在該表層中，共同接地 端7與各端子631、 611、 621、 641、 511、 521、 531、 541間沒有直接連接，它們之間是沒有銅 箔的介質(zhì)板12;另外，在該表層上還有一個(gè)位移標(biāo)示18。它與絕緣物上的標(biāo)示相配合，可直觀地顯示出開關(guān)的狀態(tài)。
請(qǐng)參閱圖ll-3，它是第十實(shí)施例的基體底層的電路結(jié)構(gòu)示意圖。所有的串聯(lián)電阻41、 42、 43，所以的并聯(lián)電阻51、 52、 53、 54都設(shè)置在底層是為了表層開關(guān)的接觸方便。串聯(lián)電阻41、 42、 43相串聯(lián)后，通過信號(hào)微帶線10分別與信號(hào)輸入端2、信號(hào)輸出端3相連接，信號(hào)微帶線 與共同接地端7間是介質(zhì)板。并聯(lián)電阻51的一端與串聯(lián)電阻41的端子611相連接，另一端與端 子511相連接；并聯(lián)電阻52的一端與串聯(lián)電阻41的端子621相連接，另一端與端子521相連接； 并聯(lián)電阻53的一端與串聯(lián)電阻42的端子631相連接，另一端與端子531相連接；并聯(lián)電阻54的 一端與串聯(lián)電阻43的端子641相連接，另一端與端子541相連接。并聯(lián)電阻54的位置設(shè)置在靠 近定位孔9的那一邊是考慮到開關(guān)連接時(shí)方便。共同接地端7選擇大面積的銅箔是為了更好地 射頻接地。
請(qǐng)參閱圖ll-4，它是第三實(shí)施例的用導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。該開關(guān)是用導(dǎo)電 片來實(shí)現(xiàn)的。該導(dǎo)電片制作在絕緣物13上。本例中的絕緣物13是一個(gè)單面圓形PCB板。其上設(shè) 計(jì)一個(gè)三個(gè)寬度與信號(hào)微帶線寬度相同的導(dǎo)電片141a、 142a、 143a與各串聯(lián)電阻的端子向結(jié) 合，作為串聯(lián)電阻41、 42、 43的并聯(lián)開關(guān)；該P(yáng)CB板上還有兩個(gè)導(dǎo)電片15a、 154a。導(dǎo)電片15a 分別與并聯(lián)電阻51、 52、 53的端子511、 521、 531以及共同接地端7相結(jié)合分別作為并聯(lián)電阻 51、 52、 53的開關(guān)；導(dǎo)電片154a與并聯(lián)電阻54的端子541以及共同接地端7相結(jié)合，作為并聯(lián) 電阻54的開關(guān)。由于導(dǎo)電片15a、 154a它是用來將并聯(lián)電阻與共同接地端7連接的，其形狀盡 可能做的大一點(diǎn)，該P(yáng)CB板有導(dǎo)電片的那一面與基體1的表層相接觸。這里要強(qiáng)調(diào)說明的是， 在本實(shí)施例中，導(dǎo)電片141a、 142a、 143a、 15a根據(jù)該P(yáng)CB板旋轉(zhuǎn)所處的位置不同，完成的開 關(guān)作用不同，導(dǎo)電片15a即可以起到并聯(lián)電阻51的開關(guān)151的作用，又可以起到并聯(lián)電阻52、 53的開關(guān)152、 153的作用；導(dǎo)電片154a只起到并聯(lián)電阻54的開關(guān)作用，它的形狀是一個(gè)扇形。 為了調(diào)節(jié)和安裝的方便，在該P(yáng)CB的另一面印有位移標(biāo)示181、 182、 183、 184，與基體l表層 上的位移標(biāo)示18相結(jié)合，可顯示出該P(yáng)CB板旋轉(zhuǎn)的位置是否到位。另外，雖然本實(shí)施例是通過 旋轉(zhuǎn)導(dǎo)電片來完成開關(guān)作用的，但也可以用撥動(dòng)導(dǎo)電片方式，即將導(dǎo)電片做成一個(gè)獨(dú)立的開 關(guān)，按衰減器的要求，分別撥動(dòng)導(dǎo)電片，同樣可以達(dá)到開關(guān)的作用，撥動(dòng)開關(guān)與旋轉(zhuǎn)式開關(guān) 不同的是它的級(jí)數(shù)可以做的更多，不受旋轉(zhuǎn)位置、空間的限制。
請(qǐng)參閱圖ll-5，它是第三實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。圖中虛線是圖11-4的PCB板13設(shè)置在 基體l的表層上的示意圖。該P(yáng)CB板上有導(dǎo)電片的那一面與該基體1的表層相接觸，從該圖11-5 上看，圖11-4正好反轉(zhuǎn)了180度。設(shè)置導(dǎo)電片141a正好將串聯(lián)電阻41的兩端子611和621短路， 相當(dāng)于開關(guān)141處于閉合(ON)狀態(tài)；導(dǎo)電片142a正好將串聯(lián)電阻42的兩端子621和631短路， 相當(dāng)于開關(guān)142處于閉合(ON)狀態(tài)；導(dǎo)電片143a正好將串聯(lián)電阻43短路，相當(dāng)于開關(guān)143處 于閉合(0N)狀態(tài)；而所有的并聯(lián)電阻51、 52、 53、 54的端子511、 521、 531、 541都處于沒有與共同接地端7相連接的狀態(tài)，相當(dāng)于開關(guān)151、 152、 153、 154處于斷開(OFF)狀態(tài)，這 時(shí)定位標(biāo)識(shí)18與181相重合，這種狀態(tài)下衰減器的衰減量為OdB。這種狀態(tài)下，并聯(lián)電阻對(duì)信 號(hào)主回路呈現(xiàn)射頻高阻抗?fàn)顟B(tài)，對(duì)主回路的影響不大。順時(shí)針旋轉(zhuǎn)PCB板13時(shí)，導(dǎo)電片141a 離開串聯(lián)電阻的端子611，開關(guān)141相當(dāng)于斷開(OFF)狀態(tài)；同時(shí)導(dǎo)電片141a移動(dòng)到將串聯(lián)42 的兩端子621和631短路(0N)的狀態(tài)，開關(guān)142相當(dāng)于繼續(xù)閉合(0N)的狀態(tài)；導(dǎo)電片142a 移動(dòng)到將串聯(lián)電阻43的兩端子631和641短路(0N)的狀態(tài)，開關(guān)142相當(dāng)于繼續(xù)閉合(0N)的 狀態(tài)；導(dǎo)電片143a己離開端子641，不起作用；而此時(shí)，導(dǎo)電片15a己旋轉(zhuǎn)到將并聯(lián)電阻51的 端子511與共同接地端7相連接的位置，相當(dāng)于開關(guān)151處于閉合(0N)狀態(tài)，導(dǎo)電片154a已同 時(shí)旋轉(zhuǎn)到將電阻54的端子541與共同接地端7相連接的位置，相當(dāng)于開關(guān)154處于閉合(0N)狀 態(tài)；此時(shí)位移標(biāo)識(shí)182與18重合，此狀態(tài)下衰減器的衰減量相當(dāng)于一個(gè)一級(jí)衰減器，即該微帶 步進(jìn)衰減器的衰減量從0dB,步進(jìn)了一個(gè)步進(jìn)量。同理，繼續(xù)順時(shí)針旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板13，導(dǎo)電片141a 離開串聯(lián)端子621，移動(dòng)到將端子631和641短路的狀態(tài)，相當(dāng)于開關(guān)142處于斷開(0FF)狀態(tài)、 開關(guān)143繼續(xù)處于閉合(0N)狀態(tài)；此時(shí)，導(dǎo)電片142a也離開端子641，對(duì)串聯(lián)電阻不起作用。 而此時(shí)，導(dǎo)電片15a已旋轉(zhuǎn)到將并聯(lián)電阻52的端子521也與共同接地端7相連接的位置，相當(dāng)于 開關(guān)152也處于閉合(0N)的狀態(tài)，導(dǎo)電片154a繼續(xù)保持將電阻54的端子541與共同接地端7 短路的位置，相當(dāng)于開關(guān)154繼續(xù)處于閉合(0N)狀態(tài)。此時(shí)位移標(biāo)識(shí)183與18重合，此狀態(tài) 下，衰減量又增加了一個(gè)步進(jìn)量。同理，繼續(xù)順時(shí)針旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板13，使導(dǎo)電片141a也離開端 子641，相當(dāng)于開關(guān)142處于斷開(OFF)狀態(tài)，而此時(shí)的導(dǎo)電片15a的位置處于將并聯(lián)電阻53 的端子531也與共同接地端7相連接的位置，相當(dāng)于開關(guān)153也處于閉合(ON)狀態(tài)，導(dǎo)電片154a 繼續(xù)處于將并聯(lián)電阻54的端子541與共同接地端7相連接的位置，相當(dāng)于開關(guān)154繼續(xù)處于閉合 (0N)狀態(tài)。此時(shí)位移標(biāo)識(shí)184與18相重合，此狀態(tài)下，衰減量又增加了一個(gè)步進(jìn)量。此狀態(tài) 下，衰減器的衰減量為最大，通過在外部設(shè)置限制位移軌道，使該P(yáng)CB板不能再繼續(xù)順時(shí)針旋 轉(zhuǎn)，可保持準(zhǔn)確的位移。同理按位移標(biāo)識(shí)來逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)該P(yáng)CB板13,可實(shí)現(xiàn)衰減量從大到小變 化。即衰減量的改變是可逆的。
對(duì)于本發(fā)明的微帶步進(jìn)衰減器，其外殼封裝可采用金屬殼接同軸連接器封裝、同軸連接 器封裝或塑膠SMD封裝。其調(diào)節(jié)方式可采用撥動(dòng)式開關(guān)或步進(jìn)旋轉(zhuǎn)式開關(guān)。
請(qǐng)參閱圖12，它是本發(fā)明的金屬殼封裝外觀結(jié)構(gòu)示意圖。金屬殼19的兩端裝有兩個(gè)SMA 接頭，分別與基體1的輸入端2輸出端3相連接?；wl、導(dǎo)電片、轉(zhuǎn)動(dòng)螺桿、壓力彈片等器件 安裝在該金屬殼內(nèi)，壓力彈片的作用是使導(dǎo)電片與基體l表層的端子緊密接觸?；wl的共同 接地端7與金屬殼的內(nèi)底面用螺釘緊密接觸，同時(shí)要避開基體l底層裝有電阻的部分與底殼接 觸，比如在金屬殼的底層加工出一個(gè)寬槽等。在金屬蓋上看到有一個(gè)旋轉(zhuǎn)用柱體13a (它可以 理解為絕緣物13的延伸)，通過旋轉(zhuǎn)柱體13a，帶動(dòng)金屬殼內(nèi)的絕緣物13旋轉(zhuǎn)，從而可改變?cè)?br> 20微帶步進(jìn)衰減器的衰減量。為了保證導(dǎo)電片準(zhǔn)確地按設(shè)計(jì)要求移動(dòng)，在封裝殼體內(nèi)設(shè)計(jì)有移 位軌道。在金屬殼的外部標(biāo)出衰減量的刻度。
請(qǐng)參閱圖13，它是本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)式同軸連接器型外觀示意圖。將同軸連接器加工改 造，用同軸連接器代替金屬殼。這樣的外部結(jié)構(gòu)與金屬殼封裝相比，其好處在于體積更小， 更緊湊，批量生產(chǎn)的成本低。同軸連接器可以是SMA型、N型等同軸連接器。
請(qǐng)參閱圖14，它是本發(fā)明的撥動(dòng)開關(guān)的同軸連接器型外觀示意圖。.這種結(jié)構(gòu)適合用于本 發(fā)明的各實(shí)施例的撥動(dòng)開關(guān)方式的微帶步進(jìn)衰減器。將同軸連接器加工改造，用同軸連接器 代替金屬外殼。同軸連接器可以是SMA型、N型等同軸連接器。這樣制作的好處是使用方便， 結(jié)構(gòu)緊湊、批量生產(chǎn)的成本低。為了便于撥動(dòng)，在該同軸連接器內(nèi)，有一個(gè)撥動(dòng)柱體13a，它 的柱底面有兩個(gè)移位腿，插在絕緣物即PCB板13的移位孔16內(nèi)；為了使導(dǎo)電片與基體l的表面 緊密接觸，在PCB板13的上面與封裝殼的內(nèi)頂部間可加有彈片；為了保證導(dǎo)電片準(zhǔn)確地按設(shè)計(jì) 要求移動(dòng)，在封裝殼體內(nèi)設(shè)計(jì)有移位軌道。微帶步進(jìn)衰減器的輸入輸出端作為該同軸連接器 的輸入輸出端。
另外，本發(fā)明的微帶步進(jìn)衰減器的所有開關(guān)都可以用電控開關(guān)來實(shí)現(xiàn)，可不必用導(dǎo)電片 和絕緣物。電控開關(guān)的作用與導(dǎo)電片的作用相同。通過外部的控制信號(hào)，可控制電控開關(guān)的 閉合(0N)與斷開(0FF)，從而可改變?cè)撐Р竭M(jìn)衰減器的衰減量。電控開關(guān)可以選用微波 高速開關(guān)管(比如PIN管)或場(chǎng)效應(yīng)管(FET)等作開關(guān)管。在設(shè)計(jì)該電控開關(guān)時(shí)考慮到各電 控開關(guān)間開關(guān)觸發(fā)信號(hào)(控制信號(hào))的相互隔離，可以在電控開關(guān)間加入藕合電容，藕合電 容的作用是讓射頻微波信號(hào)通過，阻礙開關(guān)觸發(fā)信號(hào)通過。開關(guān)觸發(fā)信號(hào)一般是頻率較低的 信號(hào)。在開關(guān)觸發(fā)信號(hào)與電控開關(guān)間加入高阻抗線，其作用是阻礙射頻微波信號(hào)從開關(guān)觸發(fā) 信號(hào)處漏出。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā) 明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之 內(nèi)。
2權(quán)利要求
1. 一種微帶步進(jìn)衰減器，其包括基體、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、共同接地端、在該基體上由串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻組成的至少一級(jí)衰減器，其特征在于在所述各串聯(lián)電阻的兩端并聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)，在所述各并聯(lián)電阻的一端串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于所述開關(guān)是靠導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開 關(guān)作用的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于所述每一級(jí)衰減器的所有開關(guān) 固定在至少一個(gè)絕緣物上，或所述所有開關(guān)固定在至少一個(gè)絕緣物上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于所述電阻與所述開關(guān)在該基體 的同一層或不同層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于該微帶步進(jìn)衰減器可直接制作 在同軸連接器內(nèi)。
6. —種微帶步進(jìn)衰減器，其包括基體、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、共同接地端、在該 基體上由串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻組成的至少一級(jí)T型衰減器，其特征在于在所述各級(jí)T型衰 減器的信號(hào)輸入輸出端并聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)，在所述各并聯(lián)電阻的一端串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于所述開關(guān)是靠導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn)開 關(guān)作用的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于所述每一級(jí)衰減器的所有開關(guān) 固定在至少一個(gè)絕緣物上，或所述所有開關(guān)固定在至少一個(gè)絕緣物上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于該微帶步進(jìn)衰減器可直接制作 在同軸連接器內(nèi)。
10. —種微帶步進(jìn)衰減器，其包括基體、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、共同接地端、在 該基體上由串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻組成的至少兩級(jí)衰減器，其特征在于至少在一個(gè)所述串聯(lián) 電阻的兩端并聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)、至少在一個(gè)所述并聯(lián)電阻上串聯(lián)接入一個(gè)開關(guān)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于所述開關(guān)是靠導(dǎo)電片來實(shí)現(xiàn) 開關(guān)作用的。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的微帶步進(jìn)衰減器，其特征在于所述每一級(jí)衰減器的所有開 關(guān)固定在至少一個(gè)絕緣物上，或所述所有開關(guān)固定在至少一個(gè)絕緣物上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微帶步進(jìn)衰減器，其包括基體、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、共同接地端、在該基體上由串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻組成的至少一級(jí)衰減器，在所述各串聯(lián)電阻的兩端并聯(lián)接入開關(guān)，在所述各并聯(lián)電阻的一端串聯(lián)接入開關(guān)。從而實(shí)現(xiàn)衰減量的可變。本發(fā)明在適合于各種高頻及微波電路及系統(tǒng)，其具有頻帶寬、體積小、易于制造、成本低的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03H7/24GK101471638SQ20081008071
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2008年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月20日
發(fā)明者閻躍軍, 閻躍鵬 申請(qǐng)人:閻躍軍;閻躍鵬