專利名稱：應(yīng)用于鎖相回路的電流裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于電流裝置，特別是關(guān)于一種應(yīng)用于鎖相回路的電流裝置。
背景技術(shù)：
圖1為習(xí)知鎖相回路的架構(gòu)方塊圖。參考圖1，鎖相回路100包含一 相位檢觀'J器(phase detector) 102 、 一電荷泵(charge pump) 104 、 一低通濾波 器(low-pass filter,. LPF) 106、 一壓控震蕩器(voltage-controlled oscillator, VCO) 110以及一除頻器(frequency divider) 108。鎖相回路100于初始狀態(tài)時， 相位檢測器102先比較參考時鐘與反饋時鐘的相位差(phase error),然后將 兩者的相位差關(guān)系轉(zhuǎn)換成UP和DN兩個信號后，分別送至電荷泵104,而電 荷泵104依據(jù)UP和DN兩信號以輸出 一控制電壓V加至壓控震蕩器110的輸 入端。電荷泵104經(jīng)由UP和DN兩個信號的控制而對低通濾波器106的電 阻電容(圖未示)作充電(charge)或力文電(discharge)的動作，接著，壓控震 蕩器110藉由電荷泵104對低通濾波器106充電或放電所產(chǎn)生的控制電壓VctH 以產(chǎn)生一輸出時鐘。接著，除頻器108將此輸出時鐘進(jìn)行除頻，以產(chǎn)生反饋 時鐘提供給相位檢測器102作相位差的比較，如此一直循環(huán)運作，直到反饋 時鐘與參考時鐘的頻率與相位差實質(zhì)上相同時，鎖相回路即完成鎖相的動作。
在鎖相回路相關(guān)的應(yīng)用上，例如頻率合成器(frequency synthesizer)以及 時鐘與資料恢復(fù)(clock and data recovery, CDR)等，壓控震蕩器與電荷泵為 鎖相回中，較容易受到外在環(huán)境所影響，例如處理、電壓與溫度的影響。 而壓控震蕩器的增益(gain): =dco/dv=df/dv (其中，co是角頻率，f是工 作頻率，v是電壓)，是一個參考的指標(biāo)值，較大的^(:。值可以涵蓋處理、電 壓與溫度(process、 voltage、 temperature,以下簡稱PVT)的變化，相反地， 較小的尺"'。值則可以減少對噪聲的^:感度。
美國專利第5,064,907號與第6,326,855號所提出的壓控震蕩器屬于開回 路(open loop)架構(gòu)的補償方式，其針對電壓電流轉(zhuǎn)換器(voltage-to-current converter)來做補償，其中的補償電流基本上是一個與絕對溫度成正比(proportional to absolute temperature, PTAT)的電流。另夕卜，于2005年11月， Hyung-Rok Lee等人("A 1.2-V-only 900mW 10gb Ethernet transceiver and XAUI interface with robust VCO tuning technique," JSSC， Nov.，2005)亦提出 一種具有 具有溫度補償功能的壓控震蕩器。
另一方面，由于高^c"值的單一頻率電壓特性曲線的壓控震蕩器對噪聲 較敏感，因此具有低^"M直的多段式(multi-range或multi-band)頻率電壓特 性曲線的壓控震蕩器也陸續(xù)被發(fā)展出來，如圖2A所示是具有兩組輸入信號 的多段式壓控震蕩器的頻率電壓特性曲線圖。在2005年6月，Nonis等人 ("Modeling, Design and Characterization of a New Low-Jitter Analog Dual Tuning LC-VCO PLL Architecture," IEEE Journal of Solid-state Circuits)提出一 種連續(xù)時間雙回圈調(diào)整(continuous time dual-loop tuning)方法，采用具有兩 組輸入信號的壓控震蕩器，該壓控震蕩器的^"",如圖2A所示，遠(yuǎn)小于習(xí) 知具有 一組輸入信號的壓控震蕩器的A'""。具有兩組輸入信號的壓控震蕩器 先利用電壓Vc做粗調(diào)(coase),使該壓控震蕩器工作于其中一條最佳的頻率 電壓特性曲線，再作微調(diào)(fine)控制，使(Vfinep - Vfinen)盡量接近參考電壓 (Vrefp - V,.efn),結(jié)果使得壓控震蕩器工作于線性區(qū)(其中的幾乎等于 定值)，并使壓控震蕩器的頻率電壓特性曲線可以維持在相同的頻率輸出范 圍。
圖2B所示是另 一習(xí)知離散時間雙回圈調(diào)整(discrete time dual loop)多段
式壓控震蕩器的頻率電壓特性曲線圖，其中，VL為最小控制電壓，VH為最大
控制電壓，圖中的各頻率電壓特性曲線是在同 一參數(shù)才莫型(at the same process comer)下量測的，而且，各頻率電壓特性曲線之間的頻率必須相互重迭 (overlap),在電路運作時，鎖相回路的粗調(diào)是利用壓控震蕩器工作于其中一條 最佳的頻率電壓特性曲線，而微調(diào)是沿著上述最佳的頻率電壓特性曲線中， 使壓控震蕩器在一個最佳點工作。
圖2C所示是在不同的參數(shù)模型與不同的溫度下，單段式(single-band)壓 控震蕩器的頻率電壓特性曲線圖，如圖2C所示，低溫所量測的頻率電壓特性 曲線，《'""值較大(或斜率較大)，而高溫所量測的頻率電壓特性曲線，~('" 值較小(或斜率較小)。因此，對單段式壓控震蕩器而言，在相同的工作頻率 下，較大&'('。值的頻率電壓特性曲線會對應(yīng)到較小的控制電壓，而較小^c。值 的頻率電壓特性曲線會對應(yīng)到較大的控制電壓。在2002年12月，Dally等人("A Low-Power Multiplying DLL for Low-Jitter Multigigahertz Clock Generation in Highly Integrated Digital Chips," IEEE Journal of Solid-state Circuits)才是出 一種適應(yīng)偏壓型(adaptive-biased)電荷泵(圖
未示)，用來在鎖相回路中對于不同處理模型以補償^r:o的變化，該電荷泵是
根據(jù)壓控震蕩器的控制電壓Vcntl以產(chǎn)生相對應(yīng)的電荷泵電流1^,使得 x Icp較不亦隨著而漂移。這是因為壓控震蕩器為維持相同的輸出工 作頻率，較小^c。值(或斜率較小)的頻率電壓特性曲線需要較大的控制電 壓(如圖2C所示)，反之亦然，所以電荷泵會根據(jù)控制電壓V加,產(chǎn)生相對應(yīng)的 電荷泵電流以4卜償?shù)淖兓?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種應(yīng)用于鎖相回路的電流裝置，可以主動 依據(jù)《"('"的變化，產(chǎn)生相對應(yīng)的補償電壓或補償電流。
本發(fā)明公開一種電流裝置，包含 一補償電壓產(chǎn)生電路以及一電流輸出 單元。該補償電壓產(chǎn)生電路，用來產(chǎn)生一補償電壓，該補償電壓產(chǎn)生電路包
含 一第一電晶體，接收一參考電流以產(chǎn)生該補償電壓；以及一補償單元，
并聯(lián)耦接至該第一電晶體，用來補償該補償電壓。電流輸出單元包含至少一
第二電晶體，該電晶體用來依據(jù)該補償電壓以輸出一第一輸出電流；其中， 該第二電晶體與該第 一 電晶體形成 一 電流鏡結(jié)構(gòu)。
結(jié)合下列圖示、實施例的詳細(xì)說明及權(quán)利要求，將上述及本發(fā)明的其他 目的與優(yōu)點詳述于后。


圖1是一習(xí)知鎖相回路的架構(gòu)方塊圖。
圖2A所示是習(xí)知具有兩組輸入信號的多段式壓控震蕩器，其頻率電壓 特性曲線圖。
圖2B所示是另一習(xí)知離散時間雙回圈調(diào)整多段式壓控震蕩器的頻率電 壓特性曲線圖。
圖2C所示是在不同的參數(shù)模型與不同的溫度下，單段式壓控震蕩器的頻 率電壓特性曲線圖。
圖3是壓控震蕩器應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置的 一 實施例的架構(gòu)示意圖。圖4A是偏壓與補償電壓產(chǎn)生電路應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置的一實施例的
架構(gòu)圖。
圖4B是延遲元件(delay cell)應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置的一實施例的架構(gòu)圖。
圖5是壓控震蕩器應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置的架構(gòu)，在不同參數(shù)模型與控 制電壓下，所測得的頻率電壓特性曲線關(guān)系圖。
圖6是電荷泵應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置的一實施例的架構(gòu)示意圖。
圖號說明
100鎖相回^各
102相位檢測器
104、 600電荷泵
106低通濾波器
108除頻器
110、 300壓控震蕩器
300壓控震蕩器
310偏壓與補償電壓產(chǎn)生電路
320環(huán)型震蕩器
321~32N延遲元件
321a 32Na、 421、 425延遲單元
321b 32Nb壓控電流源
410補償電壓產(chǎn)生電路
420半復(fù)制偏壓產(chǎn)生電^各
423、 630電壓電流轉(zhuǎn)換器
620電流鏡
m Ms、 ^'6 nmos電晶體
M6、 M7、 Ml3、 M,4、 M,5 pMQS電晶體
具體實施例方式
圖3是本發(fā)明壓控震蕩器的一實施例的架構(gòu)示意圖。參考圖3,壓控震 蕩器300包含一偏壓與補償電壓產(chǎn)生電^各310以及一個N (N為大于1的正整數(shù))階環(huán)型震蕩器(ring oscillator) 320。環(huán)型震蕩器320包含N個延遲元 件 (delay cell) 321 32N , 每 一 延遲元件又包含 一 電流控制型 (current-controlled)延遲單元(321 a 32Na)以及 一 壓控電流源(current source) (321b 32Nb)。
偏壓與補償電壓產(chǎn)生電路用來產(chǎn)生一偏壓、以提供給所有的延遲元件
(321a 32Na),同時還產(chǎn)生一補償電壓以提供給所有的壓控電流源 (321b 32Nb)。電路設(shè)計者根據(jù)每一個延遲元件的延遲時間T以及預(yù)設(shè)的震蕩
頁率/"、T:,來串接N階的環(huán)型震蕩器，也就是^'^E/^xr，其中環(huán)型震蕩器
的階數(shù)N越大或延遲時間T越長，震蕩頻率入說'就越低。在本實施例中的環(huán) 型震蕩器因為是差動型(differential),所以N可為奇數(shù)或偶數(shù)，當(dāng)N為偶數(shù) 時，其中一階的延遲元件的正負(fù)輸出端A+、 A-必須要反轉(zhuǎn)(inverted),在圖 中以虛線表示，而當(dāng)N為奇數(shù)時，正負(fù)輸出端A+、 A-不必反轉(zhuǎn)，在圖中以 實線表示。
請參考圖4A，圖4A是偏壓與補償電壓產(chǎn)生電路應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置 的一實施例的架構(gòu)圖，偏壓與補償電壓產(chǎn)生電路310包含一補償電壓產(chǎn)生電 路410以及一半復(fù)制偏壓產(chǎn)生電路(halfreplicabias generator) 420。補償電壓
產(chǎn)生電路410，用來產(chǎn)生一補償電壓""""。偏壓產(chǎn)生電路420包含一半復(fù)制延 遲單元421以及一電壓電流轉(zhuǎn)換器(V-to-I converter) 423。而補償電壓產(chǎn)生電 路410與電壓電流轉(zhuǎn)換器423構(gòu)成本發(fā)明的電流裝置的一實施例。其中，電
壓電流轉(zhuǎn)換器423包含兩個NMOS電晶體風(fēng)、M2 ，用來分別依據(jù)控制電壓"'"
(由電荷泵所提供)與該補償電壓 以嚴(yán)生一控制電流 (=It+Ic),而半 復(fù)制延遲單元421則包含兩個PMOS電晶體7^6、似？以及一個NMOS電晶體
Ms,根據(jù)控制電流^'""來產(chǎn)生一偏壓^。
假設(shè)電壓^以及電流"'都是固定的量，不會隨PVT而改變，本發(fā)明利 用 一個補償電晶體M4并聯(lián)耦接至電晶體A來追蹤電晶體M'因周遭環(huán)境PVT
變動而產(chǎn)生的變化。當(dāng)電晶體^的調(diào)整電流'因PVT變動而變小(^";變小、
g"變小)時，流經(jīng)電晶體M4的電流4 (圖未示)也隨之變小(g'"4變小)，
此時，因電流 '是固定的，所以流經(jīng)電晶體^的電流3 (圖未示)會增加，
9進(jìn)而使得補償電壓，上升，由于補償電壓"上升的結(jié)果，使得電晶體A所
產(chǎn)生的補償電流亦會隨之上升(電晶體^、禮是電流鏡(current mirror)
架構(gòu))，最后得到整體控制電流""(^c+It)不變的結(jié)果。因此，周遭環(huán)境PVT
/(, /, 變動時，補償電流'會主動根據(jù)電晶體^的電流變化(或g'",變化)而產(chǎn)
生變化。電流鏡A、^將電流S與電晶體牦的輸出電流之間的電流差放
々 々. 大，以產(chǎn)生補償電流，也就是電晶體M2的補償電流 =Ibg -
Vbg*g'"4*g'"2/g'"3,其中，(g"',g'"2/g"'3)這個變量會追蹤電晶體M'的g'",變化
(由于周遭環(huán)境PVT變動)。附帶一^t是，本發(fā)明補償電流的產(chǎn)生方式是屬 于開回路(叩en loop)架構(gòu)的設(shè)計。
另一方面，若將所有隨PVT變動而發(fā)生變化的信號都視為一個固定值 (constant)信號與一個變量(variable)信號的組合，例如
電晶體M'的電流=Ic。nstl+ Ivarl= Ic。nstl+g"',* ; 電晶體A^的電流=ICMSt2- 1，2=1畫12+&'2* ;
則
^2制電》化 = += (Iconstl+ Iconst2)十(Ivarl — Ivar2 )
=(1畫"+ I薩t2)十(g"' i - a*2 ) *
K [77,/
,, a>"." 加/
其中，假設(shè) =a* 。
本發(fā)明利用能隙電壓參考電路(bandgap voltage reference circuit)所產(chǎn)生
的電流""當(dāng)作I，st2,電壓化當(dāng)作■"。經(jīng)由適當(dāng)?shù)倪x擇參數(shù)a，可使變動的 量彼此消掉(也就是(Ivarl- Ivar2) =0 )，只剩下固定的量(=(Iconstl+ Iconst2)),因
此，在電壓^=電壓^"時，控制電流"'"都是一個固定值。從另一個角度來
看，電晶體M4的輸出電流會追蹤電流的變化，都是朝同一方向變動(也
就是電流A變大時，電流^亦變大)，此時因為電流"g為定值，所以電晶體^
/，' /4 的輸出電流—會與電晶體^4的輸出電流呈反方向變動，接著，又因電流
鏡M、〃2的關(guān)系，也使得補償電流與電流亦呈同方向變動(當(dāng)電晶體,, 73 A: 々 ,，
M、屹完全相同時，=),因此，結(jié)果是補償電流與電流朝反方
向變動。
請參考圖4B,圖4B是延遲元件應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置的一實施例的架 構(gòu)圖，每一延遲元件(321 32N)包含一電流控制型延遲單元425以及一電壓
電流轉(zhuǎn)換器423。電壓電流轉(zhuǎn)換器423同樣接收電荷泵所提供的控制電壓^'"
與補償電壓產(chǎn)生電路410所提供的該補償電壓 以產(chǎn)生控制電流 (=IC+It)。與圖4A的延遲單元423比較，延遲單元423只是延遲單元425的半
邊電路，延遲單元425依據(jù)該控制電流^"'與偏壓、，將兩個正負(fù)輸入端F"、 ^所輸入的時鐘信號反向后于正負(fù)輸出端匕、^-產(chǎn)生延遲時鐘信號。而電 壓電流轉(zhuǎn)換器423與補償電壓產(chǎn)生電路410構(gòu)成本發(fā)明的電流裝置的一實施 例，其操作原理與補償原理已于前述說明，因此再此不另贅述。
圖5是根據(jù)本發(fā)明壓控震蕩器的架構(gòu)，在不同參數(shù)模型與控制電壓下， 所測得的頻率電壓特性曲線關(guān)系圖。依據(jù)本發(fā)明的實施例中，壓控震蕩器 300利用補償電壓產(chǎn)生電路410的架構(gòu)，以電壓電流轉(zhuǎn)換器423與電流控制
型延遲單元425為補償對象，在電源啟動后先將電壓與電流分別預(yù)設(shè)一
固定值(例如6S=0.45V,化-7(HiA), 在不同參數(shù)模型中與不同PVT狀況
下，補償電壓產(chǎn)生電路410都會產(chǎn)生相對應(yīng)的補償電壓"'""'、電晶體」仏-產(chǎn)生
々
相對應(yīng)的補償電流，進(jìn)而調(diào)整各頻率電壓特性曲線的中心震蕩頻率，使各
頻率電壓特性曲線的中心震蕩頻率幾乎交會于一點，約在 =二0.45V的 附近(如圖5所示)。與圖2C比較，可以看到圖5的三條頻率電壓特性曲
線的中心震蕩頻率的確都被調(diào)整或移動了。當(dāng)控制電壓"'"等于電壓"時，
控制電流4""也幾乎等于定值，使得三條特性曲線的中心震蕩頻率幾乎交會在
同一點(=",中心震蕩頻率不易隨PVT的改變而產(chǎn)生變化，因此壓控 震蕩器300可以用較小的^,值(或斜率較小)來涵蓋相同的工作頻率
^
(operating frequency)或主要的震蕩范圍。然而， 及 的實際值可4衣照
電路設(shè)計者對于中心頻率的要求進(jìn)行改變，并不以 =0.45V, =70(iA為限。請參考圖6,圖6是電荷泵應(yīng)用本發(fā)明的電流裝置的一實施例的架構(gòu)示 意圖。電荷泵電流"大小可以根據(jù)不同《，作調(diào)整，使、《罰乘積是一個定
值，并進(jìn)而調(diào)整控制電壓""'的大小。電荷泵600包含一補償電壓產(chǎn)生電路 410、 一電壓電流轉(zhuǎn)換器630、兩個電晶體M'5、仏6以及一電流鏡620。其中， 電晶體^|5、 Mw當(dāng)作兩個分別由控制信號UP、 DN所控制的開關(guān)，用以控制
充電電流"及放電電流'i (流經(jīng)電晶體^"的電流)對電荷泵的輸出端的 充方文電狀態(tài)。
當(dāng)周遭環(huán)境PVT變動(假設(shè)溫度上升，^c"值變小，g、變小)時，流
經(jīng)電晶體M4'的電流^ (圖未示)隨之變小，此時，因電流^'是固定的，所以
厶 ,.，
」經(jīng)電晶體札的電流
流經(jīng)電晶體A的電流"(圖未示)會增力口，使得補償電壓'"'"'"上升，而電流°
也隨之上升(因為電晶體^3、 M2、 ^是電流鏡架構(gòu))，最后，流經(jīng)電晶體 M'3、 ^4的電流7'3、 7"(圖未示)同步上升，因此' ^'('"乘積(也就是鎖
相回路的開回路增益)幾乎不變。不同于習(xí)知技術(shù)是根據(jù)控制電壓(vcnU)來
產(chǎn)生相對應(yīng)的電荷泵電流，本發(fā)明的電荷泵是根據(jù)《W'"(或g"'4)的變動來調(diào) 整電荷泵電流進(jìn)而調(diào)整控制電壓"'"，因此，本發(fā)明電荷泵不但適用于具
有單段式頻率電壓特性曲線(single band)的壓控震蕩器，亦適合具有多段式 頻率電壓特性曲線(multi band at the same corner)的壓控震蕩器。若以lt學(xué)式 子來推導(dǎo)
<formula>formula see original document page 12</formula>
因為g"' 4會追蹤的變化，(* △- △ KfTO * )幾乎等于
<formula>formula see original document page 12</formula>
零，再者，A^'"^A的乘積值，相對上遠(yuǎn)小于 *A' ("."'"'、'的乘積值，故
八"*的乘積值可視為常數(shù)。
依據(jù)本發(fā)明的實施例所提供的電流裝置及方法，可依照設(shè)計者的需求擇 一應(yīng)用于壓控震蕩器或是電荷泵中，或者二者同時使用亦可。若應(yīng)用于壓控 震蕩器，則可補償壓控震蕩器的中心震蕩頻率，若應(yīng)用于電荷泵中，則可補
償壓電流；，若同時應(yīng)用二者，則可補償使得"'*《，乘積為一個定值。本發(fā)明利用簡單的電路設(shè)計、低廉的硬體成本，就能達(dá)到良好、可靠的補償效果。
以上說明僅是本發(fā)明的實施例，并非用來限定本發(fā)明的實施范圍，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不脫離本發(fā)明的要旨下，進(jìn)行各種實施方式的變形或變更，亦即凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種電流裝置，包含一補償電壓產(chǎn)生電路，用來產(chǎn)生一補償電壓，該補償電壓產(chǎn)生電路包含一第一電晶體，接收一參考電流以產(chǎn)生該補償電壓；以及一補償單元，并聯(lián)耦接至該第一電晶體，用來補償該補償電壓；以及一電流輸出單元，包含至少一第二電晶體，該第二電晶體用來依據(jù)該補償電壓以輸出一第一輸出電流；其中，該第二電晶體與該第一電晶體形成一電流鏡結(jié)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求1所述的電流裝置，其中該補償單元，包含 一補償電晶體，接收一參考電壓且與該第一電晶體形成一并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
3. 如權(quán)利要求1所述的電流裝置，其中該電流輸出單元還包含 一第三電晶體，與該第一電晶體形成電流鏡結(jié)構(gòu)，用來依據(jù)該補償電壓以輸出一第二輸出電流。
4. 如權(quán)利要求3所述的電流裝置，應(yīng)用于一電荷泵電路。
5. 如權(quán)利要求4所述的電流裝置，其中該第一輸出電流作為該電荷泵電 路的充電電流；以及該第二輸出電流作為該電荷泵電3各的力i:電電流。
6. 如權(quán)利要求1所述的電流裝置，其中該電流輸出單元，包含 一第三電晶體，接收一控制電壓，用來輸出一第二輸出電流。
7. 如權(quán)利要求6所述的電流裝置，其中該補償單元，包含 一補償電晶體，接收一參考電壓且與該第一電晶體形成一并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
8. 如權(quán)利要求7所述的電流裝置，應(yīng)用于一壓控震蕩器。
9. 如權(quán)利要求8所述的電流裝置，其中該第一輸出電流與第二輸出電流 用來控制該壓控震蕩器所輸出的 一時鐘信號的震蕩頻率。
10. 如權(quán)利要求9所述的電流裝置，其中當(dāng)該控制電壓實質(zhì)上等于該參 考電壓時，該時鐘信號的中心震蕩頻率不受處理、電壓、以及溫度的改變所
11. 如權(quán)利要求1所述的電流裝置，應(yīng)用于一鎖相回路中。
12. —種壓控震蕩器，包含一補償電壓產(chǎn)生電路，用來產(chǎn)生一補償電壓，該補償電壓產(chǎn)生電路包含一第一電晶體，接收一參考電流以產(chǎn)生該補償電壓；以及 一補償單元，并聯(lián)耦接至該第一電晶體，用來補償該補償電壓； 一壓控電流源，用來依據(jù)該補償電壓與 一控制電壓以產(chǎn)生一控制電流；以及一延遲單元，用來依據(jù)該控制電流以延遲一時鐘信號并輸出一延遲時鐘信號。
13. 如權(quán)利要求12所述的壓控震蕩器，其中該補償單元，包含 一補償電晶體，接收一參考電壓且與該第 一電晶體形成一并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
14. 如權(quán)利要求12所述的壓控震蕩器，其中該壓控電流源，包含 一第二電晶體，該第二電晶體與該第一電晶體形成一并聯(lián)結(jié)構(gòu)，用來依據(jù)該補償電壓以輸出一補償電流；以及一控制電晶體，用來依據(jù)該控制電壓以輸出 一調(diào)整電流；其中，該補償電流與該調(diào)整電流的電流和實質(zhì)上等于該控制電流。
15. 如權(quán)利要求12所述的壓控震蕩器，其中當(dāng)該控制電壓實質(zhì)上等于該 參考電壓時，該時鐘信號的中心震蕩頻率不受處理、電壓、以及溫度的改變 所影響。
16. 如權(quán)利要求12所述的壓控震蕩器，其中該延遲單元為一差動模式的 延遲單元。
17. 如權(quán)利要求12所述的壓控震蕩器，設(shè)置于一鎖相回路之中。
18. —種電荷泵，包含一補償電壓產(chǎn)生電路，用來產(chǎn)生一補償電壓，該補償電壓產(chǎn)生電路，包一第一電晶體，接收一參考電流以產(chǎn)生該補償電壓；以及 一補償單元，并聯(lián)耦接至該第一電晶體，用來補償該補償電壓； 一電流輸出單元，與該第一電晶體形成電流鏡結(jié)構(gòu)，用來依據(jù)該補償電壓輸出 一充電電流及一》文電電流；以及一開關(guān)單元，耦接至該電流輸出單元，用來依據(jù)一輸入控制信號控制該充電電流及該;改電電流對電荷泵的輸出端的充》文電狀態(tài)。
19. 如權(quán)利要求18所述的電荷泵，其中該補償單元，包含一補償電晶體，接收一參考電壓且與該第一電晶體形成一并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求18所述的電荷泵，設(shè)置于一鎖相回路之中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種應(yīng)用于鎖相回路中的電流裝置及其方法，該電流裝置可以調(diào)整壓控震蕩器的中心震蕩頻率，使補償后的中心震蕩頻率實質(zhì)上不受處理、電壓與溫度的影響，亦可用較小的K_VCO值來涵蓋主要的頻率震蕩范圍。另外，本發(fā)明的電流裝置還可應(yīng)用于電荷泵中，使得電荷泵電流I_cp可依據(jù)壓控震蕩器的增益值K_VCO來進(jìn)行調(diào)整，以降低I_cp*K_VCO受到處理、電壓與溫度的影響。
文檔編號H03L7/089GK101527566SQ20081008208
公開日2009年9月9日 申請日期2008年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月6日
發(fā)明者陳奕光 申請人:瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司