專利名稱::鎖相回路及控制方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明是有關(guān)于一種鎖相回路,特別是有關(guān)于一種可減少功率損耗的鎖相回路。
背景技術(shù):
:鎖相回路主要是一種使所產(chǎn)生的信號(hào)相位與頻率固定在某一基準(zhǔn)的電路,其已普遍地使用在無(wú)線通訊系統(tǒng)或是光學(xué)裝置中。以無(wú)線通訊系統(tǒng)為例,當(dāng)接收器接收數(shù)據(jù)信號(hào)后,鎖相回路用以產(chǎn)生將此數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行譯碼時(shí)所需的頻率信號(hào)。此頻率信號(hào)的頻率與相位對(duì)于能否成功地將此數(shù)據(jù)信號(hào)譯碼出來(lái),影響極大。
發(fā)明內(nèi)容為了提供鎖相功能,并減少回路的功率損耗,本發(fā)明提供了一種鎖相回路及控制方法。本發(fā)明提供一種鎖相回路,包括處理單元、壓控振蕩器以及控制單元。處理單元根據(jù)參考頻率與第一反饋頻率之間的相位差,產(chǎn)生控制電壓至節(jié)點(diǎn)。壓控振蕩器根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的電壓產(chǎn)生第一反饋頻率。在省電模式下,控制單元禁能該壓控振蕩器,并提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。在正常;f莫式下,控制單元致能壓控振蕩器,使得壓控振蕩器根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的電壓而產(chǎn)生第一反饋頻率,并且控制單元停止提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。本發(fā)明另提供一種控制方法,包括提供處理單元,用以根據(jù)參考頻率與第一反饋頻率之間的相位差,產(chǎn)生控制電壓至節(jié)點(diǎn);提供壓控振蕩器,用以根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的電壓產(chǎn)生第一反饋頻率;在省電模式下,禁能壓控振蕩器,并提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn);在正常模式下,致能壓控振蕩器,使得壓控振蕩器根據(jù)啟動(dòng)電壓而產(chǎn)生第一反饋頻率,其中該節(jié)點(diǎn)的電壓等于啟動(dòng)電壓;以及在正常模式下,停止提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。本發(fā)明提供了一種鎖相回路及控制方法,能夠提供鎖相功能,并減少回路的功率損耗。圖1為本發(fā)明的鎖相回路的示范性實(shí)施例的示意圖。圖2為第一及第二控制模塊的示范性實(shí)施例的示意圖。圖3為鎖相回路的另一示范性實(shí)施例的示意圖。圖4為本發(fā)明的第一頻率模塊的示范性實(shí)施例的示意圖。具體實(shí)施方式為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉出4交佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)il明如下。以下描述為實(shí)施本發(fā)明的較佳預(yù)期方式。此描述是用于說(shuō)明本發(fā)明主要精神的目的,并非對(duì)本發(fā)明作出限制。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。圖1為本發(fā)明的鎖相回^各的示范性實(shí)施例的示意圖。如圖所示,鎖相回路100包括,處理單元110、壓控振蕩器120以及控制單元130。處理單元110根據(jù)參考頻率SREF與第一反饋頻率S剛之間的相位差,產(chǎn)生控制電壓Vc至節(jié)點(diǎn)140。壓控振蕩器120根據(jù)節(jié)點(diǎn)140的電壓,產(chǎn)生該第一反饋頻率SFBi。在省電才莫式(power-downmode)下,控制單元130禁能壓控振蕩器120,并提供啟動(dòng)電壓Vs至節(jié)點(diǎn)140。由于壓控振蕩器120被禁能,故鎖相回路100停止工作(例如無(wú)法產(chǎn)生原本所需的控制電壓Vc)。在一個(gè)示范性實(shí)施例中,節(jié)點(diǎn)140耦接于電容器(未顯示),用以在省電模式下,^賭存啟動(dòng)電壓Vs。由省電模式切換至正常模式(power-onmode)的瞬間,儲(chǔ)存于電容器的啟動(dòng)電壓Vs供給壓控振蕩器同時(shí)致能壓控振蕩器120,以啟動(dòng)處理單元110。因此,處理單元110在此瞬間,開(kāi)始產(chǎn)生控制電壓Vc至節(jié)點(diǎn)140。在正常模式下,控制單元130致能壓控振蕩器120,并且壓控振蕩器120由節(jié)點(diǎn)140接收控制電壓Vc。因此,壓控振蕩器12(H更可根據(jù)節(jié)點(diǎn)140的控制電壓Vc,產(chǎn)生第一反饋頻率SFB1,使得鎖相回路100正常工作。當(dāng)鎖相回路IOO正常工作時(shí),處理單元110繼續(xù)產(chǎn)生控制電壓Vc至節(jié)點(diǎn)140,并且壓控振蕩器120繼續(xù)接收節(jié)點(diǎn)140的控制電壓Vc以產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的第一反^t頻率SFB1。由正常模式切換至省電模式的瞬間,控制單元130禁能壓控振蕩器120,并開(kāi)始提供啟動(dòng)電壓Vs至節(jié)點(diǎn)140。因此,壓控振蕩器120所產(chǎn)生的頻率不同于第一反饋頻率SFB1,使得處理單元110停止正常工作。在本實(shí)施例中,處理單元110包括,相位頻率檢測(cè)器(phase-frequencydetector,PFD)lll、電荷泵(chargepump,CHP)112、4氐通濾波器(lowpassfilter,LPF)113以及除頻器(divider)114。除頻器114對(duì)第一反饋頻率S剛進(jìn)行除頻,以產(chǎn)生第二反饋頻率SFB2。假設(shè),除頻器114為除2的除頻器,則第一反饋頻率SFB1的頻率為第二反饋頻率SFB2的兩倍。當(dāng)?shù)谝环答侇l率SFB1被除頻(或乘頻)后,相位頻率檢測(cè)器111根據(jù)該參考頻率SREF與第二反饋頻率Sra2之間的相位差,產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)SDET。在其它實(shí)施例中,第一反^t頻率S剛為第二反饋頻率Sfb2的倍數(shù)。除頻器114也可被省略。例如,當(dāng)?shù)谝环答侇l率Sj^的頻率等于參考頻率SREF的頻率時(shí),可以省略除頻器114。電荷泵112將檢測(cè)信號(hào)SoET換成泵電流IP。低通濾波器113將該泵電流Ip轉(zhuǎn)換成控制電壓Vc,并將控制電壓Vc提供至節(jié)點(diǎn)140。在省電模式下,可利用低通濾波器113或控制單元130內(nèi)的電容(未顯示)儲(chǔ)存啟動(dòng)電壓Vs。請(qǐng)參考圖l,控制單元130具有第一控制模塊131及第二控制模塊132。在省電模式下,第一控制模塊131禁能壓控振蕩器120,并且第二控制模塊132提供啟動(dòng)電壓Vs至節(jié)點(diǎn)140。在正常模式下,第一控制模塊131致能壓控振蕩器120,并且第二控制;f莫塊132停止才是供啟動(dòng)電壓Vs至該節(jié)點(diǎn)140。圖2為第一及第二控制模塊的示范性實(shí)施例。如圖所示,第一控制模塊131包括第一開(kāi)關(guān)210。在省電模式下,第一開(kāi)關(guān)210停止提供電壓信號(hào)VDD至壓控振蕩器120。在正常模式下,第一開(kāi)關(guān)210提供電壓信號(hào)VDD至壓控振蕩器120。在本實(shí)施例中,第一開(kāi)關(guān)210為P型晶體管211。晶體管211的導(dǎo)通與否是由信號(hào)pd的電位所決定。信號(hào)pd在省電模式下的電位反相于在正常模式下的電位。第二控制模塊132包括,分壓器220以及第二開(kāi)關(guān)230。分壓器220用以產(chǎn)生啟動(dòng)電壓Vs。在省電模式下,第二開(kāi)關(guān)230傳導(dǎo)啟動(dòng)電壓Vs至節(jié)點(diǎn)140。在正常模式下,第二開(kāi)關(guān)230停止傳導(dǎo)啟動(dòng)電壓Vs至節(jié)點(diǎn)140。在本實(shí)施例中,分壓器220包括電阻221及222。電阻221及222串耳關(guān)于電壓信號(hào)VDD與接地電壓VSS之間,用以產(chǎn)生啟動(dòng)電壓Vs。另夕卜,第二開(kāi)關(guān)230為N型晶體管231。晶體管231的導(dǎo)通與否也是根據(jù)信號(hào)pd的電位所決定。在本實(shí)施例中,晶體管211及231由信號(hào)pd所控制。當(dāng)晶體管211及231的其中一個(gè)為P型晶體管時(shí),則另一個(gè)為N型晶體管。因此,當(dāng)晶體管211及231的其中一個(gè)為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),則另一個(gè)為不導(dǎo)通狀態(tài)。在其它實(shí)施例中,可利用傳輸門(mén)(transmissiongate)取代晶體管211及231。請(qǐng)參考圖1,假設(shè)在省電模式下,信號(hào)pd為高電位。由于晶體管211不導(dǎo)通,故壓控振蕩器120無(wú)法接收到電壓信號(hào)VDD。因此,壓控振蕩器120停止產(chǎn)生第一反々貴頻率sfb!,使得鎖相回路100停止工作。由于信號(hào)pd為高電位,故可導(dǎo)通晶體管231,因此,節(jié)點(diǎn)140的電壓等于啟始電壓Vs。在正常模式下,信號(hào)pd為低電位,故可導(dǎo)通晶體管211,使得壓控振蕩器120接收到電壓信號(hào)VDD。此時(shí),壓控振蕩器1204艮據(jù)節(jié)點(diǎn)140的電壓而產(chǎn)生第一反饋頻率SFB1。處理單元110根據(jù)第一反饋頻率SFB1以及參考頻率Sref之間的相位差,產(chǎn)生控制電壓Vc。壓控振蕩器120再根據(jù)控制電壓Vc而產(chǎn)生第一反饋頻率SFm。當(dāng)鎖相回路100由省電模式進(jìn)入正常模式時(shí),由于壓控振蕩器120依據(jù)節(jié)點(diǎn)140的電壓而產(chǎn)生適當(dāng)?shù)牡谝环答侇l率SFB1,故可使鎖相回路100快速地進(jìn)入鎖住(lock)狀態(tài)。在其它實(shí)施例中,第二控制才莫塊132可為儲(chǔ)存才莫塊,用以儲(chǔ)存正常模塊下的控制電壓Vc。在省電模式中,儲(chǔ)存模塊(如第二控制模塊132)提供所儲(chǔ)存的控制電壓Vc至節(jié)點(diǎn)140。當(dāng)鎖相回路100由省電模式切換至正常模式后,壓控振蕩器120便可根據(jù)節(jié)點(diǎn)140的電壓,而產(chǎn)生適當(dāng)?shù)牡谝环答侇l率SFB1。一般而言,參考頻率sref由晶體振蕩器(crystal)所產(chǎn)生。由于晶體振蕩器損耗功率,因此,在省電模式下,若關(guān)閉晶體振蕩器,則可大幅降低功率損耗。在一個(gè)示范性實(shí)施例中,由于環(huán)形振蕩器(ringoscillator)所造成的功率損耗小于晶體振蕩器所造成的功率損耗,因此,可通過(guò)環(huán)形振蕩器提供一個(gè)省電頻率,以降低功率損耗。此省電頻率的頻率可等于或小于晶體振蕩器所產(chǎn)生的參考頻率Sref的頻率。在其它實(shí)施例中,省電頻率的頻率可等于零。圖3為鎖相回^各的另一示范性實(shí)施例。如圖所示,鎖相回^各300包括處理單元110、壓控振蕩器120、控制單元130以及頻率產(chǎn)生單元310。處理單元110、壓控振蕩器120、控制單元130的原理均已揭露如上,故不再贅述。頻率產(chǎn)生單元310用以控制參考頻率Sref的頻率。在正常^t式下,通過(guò)頻率產(chǎn)生單元310所控制的參考頻率sref的頻率等于正常頻率,以使得處理單元110正常工作。在省電模式下,處理單元110停止正常工作,因此,頻率產(chǎn)生單元310所控制的參考頻率sref的頻率等于省電信號(hào)的頻率,而該省電信號(hào)的頻率小于或等于該正常頻率。在本實(shí)施例中,頻率產(chǎn)生單元310包括,選擇模塊311、第一頻率模塊312以及第二頻率模塊313。第一頻率模塊312產(chǎn)生第一頻率SCLK1。第二頻率模塊313產(chǎn)生第二頻率SCLK2。選擇模塊311根據(jù)信號(hào)xtaljpd,輸出第一頻率SCLK1或S(XK2至處理單元110。第一頻率SCLK1包含處理單元IIO在正常模式下所需的正常頻率。第二頻率Sox2包含處理單元IIO在省電模式下所需的省電頻率。第二頻率Scuc2的頻率可等于或小于第一頻率SCLK1的頻率。當(dāng)?shù)诙l率模塊313所產(chǎn)生的第二頻率Scua的頻率等于零時(shí),更可減小功率損耗。在本實(shí)施例中,選擇模塊311為多任務(wù)器,并且第二頻率模塊313為環(huán)形振蕩器。由于在正常模式時(shí),處理單元需接收一個(gè)較穩(wěn)定的頻率,并且晶體振蕩器所產(chǎn)生的頻率較環(huán)形振蕩器穩(wěn)定,因此,在正常模式時(shí),利用晶體振蕩器提供處理單元所需的頻率。然而,為了降低功率損耗,在省電模式下,可關(guān)閉晶體振蕩器,改由環(huán)形振蕩器提供頻率。由省電模式切換到正常模式時(shí),再開(kāi)啟晶體振蕩器。由于晶體振蕩器需較長(zhǎng)的時(shí)間,方能提供穩(wěn)定的頻率。因此,在晶體振蕩器準(zhǔn)備好之前,可先利用環(huán)形振蕩器提供頻率至處理單元。待晶體振蕩器準(zhǔn)備好時(shí),處理單元再轉(zhuǎn)而接收晶體振蕩器所產(chǎn)生的頻率。圖4為第一頻率模塊312的示范性實(shí)施例。頻率才莫塊312包括,晶體振蕩器410、環(huán)形振蕩器420以及處理才莫塊430。晶體振蕩器410產(chǎn)生第三頻率SCLK3。環(huán)形振蕩器420產(chǎn)生假頻率(pseudoclock)SCLKp,其中,假頻率ScLKP的頻率等于第三頻率S(XK3的頻率。處理模塊430將第三頻率ScLo及假頻率S(XKP的其中一個(gè)作為第一頻率Scua。在本實(shí)施例中,在省電才莫式下,晶體振蕩器410停止產(chǎn)生第三頻率S(XK3。處理模塊430包括,處理器431以及選擇器432。處理器431產(chǎn)生控制信號(hào)cry一stable。當(dāng)控制信號(hào)cry—stable的電位等于第一電位時(shí)(如高電位或低電位),選擇器432輸出第三頻率S(XK3作為第一頻率SCLK1。當(dāng)控制信號(hào)cry—stable的電位等于第二電位(如低電位或高電位)時(shí),選擇器432輸出頻率Scucp作為第一頻率ScxKi。在本實(shí)施例中,選擇器432為多任務(wù)器。在一個(gè)示范性實(shí)施例中,處理器431為檢測(cè)器,用以檢測(cè)第三頻率ScXK3的振幅。當(dāng)?shù)谌l率Sena的振幅等于默認(rèn)值時(shí),則由檢測(cè)器所控制的控制信號(hào)cry—stable的電位位于第一電位;當(dāng)?shù)谌l率SCLK3的振幅小于該默認(rèn)值時(shí),則由檢測(cè)器所控制的控制信號(hào)cry_stable的電位位于第二電位。在另一示范性實(shí)施例中,處理器431為定時(shí)器。由省電模式切換至正常模式時(shí),定時(shí)器開(kāi)始計(jì)時(shí)。當(dāng)定時(shí)器計(jì)數(shù)至預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí),則由定時(shí)器所控制的控制信號(hào)cry—stable處于第一電位。當(dāng)定時(shí)器未計(jì)數(shù)至該預(yù)設(shè)時(shí)間值時(shí),則由定時(shí)器所控制的控制信號(hào)cry—stable處于第二電位。在其它實(shí)施例中,處理器431為比較器,其用于比較第三頻率S(xk3與假頻率Scxkp的頻率。當(dāng)?shù)谌l率SCLK3的頻率近似于假頻率Sox的頻率時(shí),則由比較器所控制的控制信號(hào)cry—stable處于第一電位。當(dāng)?shù)谌l率Sclk3的頻率不近似于假頻率ScLKP的頻率時(shí),則由比較器所控制的控制信號(hào)cry—stable處于第二電位。當(dāng)控制信號(hào)cry—stable處于第一電位時(shí),晶體振蕩器410可產(chǎn)生穩(wěn)定的第三頻率ScLo。因此,處理模塊430輸出第三頻率Scuo至選擇模塊311作為第一頻率SCLK1。當(dāng)控制信號(hào)cry—stable為第二電位時(shí),晶體振蕩器410尚無(wú)法產(chǎn)生穩(wěn)定的第三頻率SCLK3。因此,處理模塊430輸出假頻率ScLKP至選擇模塊311作為第一頻率ScLK!。當(dāng)晶體振蕩器410開(kāi)始工作時(shí),無(wú)法產(chǎn)生穩(wěn)定的第三頻率SCLK3。因此,環(huán)形振蕩器420所產(chǎn)生假頻率ScxKP可先作為第一頻率SCLK1,其中假頻率SctKP的頻率近似于第一頻率ScxK1的頻率。應(yīng)注意,控制單元130通過(guò)降低節(jié)點(diǎn)140的電壓,或是使節(jié)點(diǎn)140的電壓等于零,便可禁能壓控振蕩器120。當(dāng)節(jié)點(diǎn)140的電壓等于零時(shí),則省電頻率也等于零。權(quán)利要求1.一種鎖相回路,包括處理單元,用以根據(jù)參考頻率與第一反饋頻率之間的相位差,產(chǎn)生控制電壓至節(jié)點(diǎn);壓控振蕩器,用以根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的電壓產(chǎn)生該第一反饋頻率;以及控制單元,在省電模式下,禁能該壓控振蕩器,并提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn),在正常模式下,該控制單元致能該壓控振蕩器以根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的該電壓而產(chǎn)生該第一反饋頻率,其中,在該正常模式下,該控制單元停止提供該啟動(dòng)電壓。2.如權(quán)利要求1所述的鎖相回路,其特征在于,該控制單元.包括第一控制模塊,在該省電模式下,禁能該壓控振蕩器,使其停止產(chǎn)生該第一反饋頻率,在該正常模式下,致能該壓控振蕩器;以及第二控制模塊,在該省電模式下,提供該啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。3.如權(quán)利要求2所述的鎖相回路,其特征在于,該第一控制模塊包括第一開(kāi)關(guān),在該省電模式下,該第一開(kāi)關(guān)停止提供電壓信號(hào)至該壓控振蕩器,用以禁能該壓控振蕩器,在該正常模式下,該第一開(kāi)關(guān)提供該電壓信號(hào)至該壓控振蕩器,用以致能該壓控寺展蕩器。4.如權(quán)利要求3所述的鎖相回路,其特征在于,該第二控制模塊包括分壓器,用以產(chǎn)生該啟動(dòng)電壓;以及第二開(kāi)關(guān),用以在該省電模式下傳導(dǎo)該啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。5.如權(quán)利要求4所述的鎖相回路,其特征在于,該第一及第二開(kāi)關(guān)的其中一個(gè)為P型晶體管,另一個(gè)為N型晶體管,或是該第一及第二開(kāi)關(guān)均為傳輸門(mén)。6.如權(quán)利要求2所述的鎖相回路,其特征在于,該第二控制模塊包括儲(chǔ)存模塊,在該正常模式下,儲(chǔ)存該控制電壓,以及在該省電^^莫式下,將該所儲(chǔ)存的電壓提供至該節(jié)點(diǎn)。7.如權(quán)利要求1所述的鎖相回路,其特征在于,更包括頻率產(chǎn)生單元,用以控制該參考頻率的頻率。8.如權(quán)利要求7所述的鎖相回路,其特征在于,該頻率產(chǎn)生單元包括選擇模塊,在該正常模式下,輸出包含正常頻率的第一頻率,以及在該省電模式下,輸出包含省電頻率的第二頻率;第一頻率模塊,用以產(chǎn)生該第一頻率;以及第二頻率;f莫塊,用以產(chǎn)生該第二頻率。9.如權(quán)利要求8所述的鎖相回路,其特征在于,該第二頻率模塊為環(huán)形振蕩器。10.如權(quán)利要求8所述的鎖相回路,其特征在于,該第一頻率模塊包括晶體振蕩器,用以產(chǎn)生第三頻率;環(huán)形振蕩器,用以產(chǎn)生假頻率;以及處理模塊,耦接該選擇模塊,用以提供該第三頻率及該假頻率的其中一個(gè)作為該第一頻率。11.如權(quán)利要求IO所述的鎖相回路,其特征在于,該處理模塊包括處理器,用以設(shè)定該控制信號(hào);以及選擇器,當(dāng)該控制信號(hào)為第一邏輯電位時(shí),則提供該第三頻率作為該第一頻率,當(dāng)該控制信號(hào)為第二邏輯電位時(shí),則提供該,支頻率作為該第一頻率。12.如權(quán)利要求11所述的鎖相回路,其特征在于,該處理器為檢測(cè)器,當(dāng)該第三頻率的振幅等于默認(rèn)值時(shí),則該檢測(cè)器控制該控制信號(hào)處于該第一邏輯電位;當(dāng)該第三頻率的振幅小于該默認(rèn)值時(shí),則該;險(xiǎn)測(cè)器控制該控制信號(hào)處于該第二遲輯電位。13.如權(quán)利要求11所述的鎖相回路,其特征在于,該處理器為定時(shí)器,當(dāng)該定時(shí)器計(jì)數(shù)至默認(rèn)值時(shí),則控制該控制信號(hào)處于該第一邏輯電位;當(dāng)該定時(shí)器未計(jì)數(shù)至該默認(rèn)值時(shí),則控制該控制信號(hào)處于該第二邏輯電位。14.如權(quán)利要求11所述的鎖相回路,其特征在于,該處理器為比較器,當(dāng)該第三頻率的頻率近似于該假頻率的頻率時(shí),則該比4交器控制該控制信號(hào)處于該第一邏輯電位;當(dāng)該第三頻率的頻率不近似于該々支頻率的頻率時(shí),則該比較器控制該控制信號(hào)處于該第二邏輯電位。15.如權(quán)利要求IO所述的鎖相回路,其特征在于,在該省電模式下,該晶體振蕩器停止產(chǎn)生該第三頻率。16.如權(quán)利要求1所述的鎖相回路,其特征在于,該處理單元包括相位頻率檢測(cè)器,用以根據(jù)該參考頻率與該第一反饋頻率之間的相位差,產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào);電荷泵,用以將該檢測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換成泵電流;低通濾波器,用以將該泵電流轉(zhuǎn)換成該控制電壓,并將該控制電壓提供至該節(jié)點(diǎn)。17.如權(quán)利要求1所述的鎖相回路,其特征在于,該處理單元包括除頻器,用以對(duì)該第一反饋頻率進(jìn)行處理,以產(chǎn)生第二反饋頻率;相位頻率檢測(cè)器,用以根據(jù)該參考頻率與該第二反饋頻率之間的相位差,產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào);電荷泵,用以將該;險(xiǎn)測(cè)信號(hào)換成泵電流;低通濾波器,用以將該泵電流轉(zhuǎn)換成該控制電壓,并將該控制電壓提供至該節(jié)點(diǎn)。18.如權(quán)利要求17所述的鎖相回路,其特征在于,該第一反饋頻率的頻率為該第二反饋頻率的頻率的倍數(shù)。19.一種控制方法,包括提供處理單元,用以根據(jù)參考頻率與第一反4t頻率之間的相位差,產(chǎn)生控制電壓至節(jié)點(diǎn);提供壓控振蕩器,用以根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的電壓產(chǎn)生該第一反饋頻率;在省電模式下,禁能該壓控振蕩器,并提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn);在正常模式下,致能該壓控振蕩器,使得該壓控振蕩器根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的該電壓而產(chǎn)生該第一反饋頻率,其中該節(jié)點(diǎn)的該電壓等于該啟動(dòng)電壓;以及在該正常模式下,停止提供該啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。20.如權(quán)利要求19所述的控制方法,其特征在于,該禁能步驟包含由該壓控振蕩器移除操作電壓。21.如權(quán)利要求19所述的控制方法,其特征在于,更包括在該省電模式下,降低該參考頻率的頻率。22.如權(quán)利要求19所述的控制方法器產(chǎn)生。23.如權(quán)利要求19所述的控制方法模塊提供。24.如權(quán)利要求19所述的控制方法式下儲(chǔ)存于儲(chǔ)存模塊。,其特4i在于,該啟動(dòng)電壓是通過(guò)分壓,其特征在于,該啟動(dòng)電壓是通過(guò)儲(chǔ)存,其特4i在于,該控制電壓在該正常模全文摘要一種鎖相回路包括,處理單元、壓控振蕩器以及控制單元。處理單元根據(jù)參考頻率與第一反饋頻率之間的相位差,產(chǎn)生控制電壓至節(jié)點(diǎn)。壓控振蕩器根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的電壓產(chǎn)生第一反饋頻率。在省電模式下,控制單元禁能壓控振蕩器,并提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。在正常模式下,控制單元致能壓控振蕩器,使得壓控振蕩器根據(jù)該節(jié)點(diǎn)的電壓而產(chǎn)生第一反饋頻率,并且控制單元停止提供啟動(dòng)電壓至該節(jié)點(diǎn)。本發(fā)明提供了一種鎖相回路及控制方法,能夠提供鎖相功能,并減少回路的功率損耗。文檔編號(hào)H03L7/18GK101409552SQ20081013251公開(kāi)日2009年4月15日申請(qǐng)日期2008年7月15日優(yōu)先權(quán)日2007年10月12日發(fā)明者銓劉,蕭全成,蔡政宏申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司