專利名稱:一種石英晶體諧振器基座及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及用于表面貼裝電子元器件的基座,特別是一種石英晶體諧振器基座及其制造方法。
背景技術(shù):
石英晶體諧振器結(jié)構(gòu)一般由陶瓷基座、壓電晶片和上蓋構(gòu)成;中國專利CN1960176A所公開的一種表面貼裝石英晶體諧振器陶瓷基座及其加工方法,其基座是通過燒結(jié)工藝獲得用來切割成陶瓷基板的母板,在母板表面粘貼一層耐磨的覆蓋膜,覆蓋膜上在每個(gè)基板所對(duì)應(yīng)的安裝石英晶體的凹槽部位開有通孔,通孔與凹槽形狀相同,用噴砂工藝對(duì)母板表面研磨形成凹槽,去掉覆蓋膜,在母板上、下表面印刷內(nèi)、外電極以及在母板上表面印刷與與內(nèi)電極相連的電路,將母板沿基板X軸向切割成由單排基板組成的母板條,在母板條的各基板表面及側(cè)壁上開導(dǎo)電槽并在槽內(nèi)印刷使內(nèi)、外電極相通的電路燒銀使電路固化,將母板條沿基板Y軸向切割成單個(gè)基板。其優(yōu)點(diǎn)是可以解決由于分層疊加引起的漏氣、起泡、開裂等問題,但工序還是比較繁雜,如噴砂工藝一般后產(chǎn)生粉塵必需清洗,噴砂后的基板還需要清洗產(chǎn)生廢液,且由于噴砂工藝無法制造平整的凹槽及側(cè)壁,導(dǎo)致壓電元件的安裝不便,因此工藝步驟,受物件的形狀所限,在凹槽中印刷與電極連接的電路亦相當(dāng)難度,且內(nèi)電極電路直接貫穿壓電晶片下面的設(shè)計(jì)容易干擾壓電壓電晶片的振蕩,影響其性能;而采用在凹槽粘合隔離板將壓電元件與內(nèi)電極隔離的辦法工藝繁瑣,生產(chǎn)成本比較高。針對(duì)上述噴砂工藝研磨產(chǎn)生的凹形槽,基板內(nèi)腔側(cè)壁及凹槽底面不夠平整,使得壓電元件安裝困難,電極連接電路印刷困難,且噴砂工藝一般后產(chǎn)生粉塵,
噴砂后的基板需要清洗產(chǎn)生的廢液等問題;本發(fā)明旨在提出一種石英晶體諧振器基座及其制造方法,不僅可有效解決上述問題,提高產(chǎn)品成品率,并且可以進(jìn)一步簡化加工工藝,提高生產(chǎn)效率,降低產(chǎn)品制造成本。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是 一種石英晶體諧振器基座,其特征在于在方形的基板正面設(shè)有方型凹腔,凹腔中設(shè)有可用于貼裝壓電晶片的兩個(gè)或兩個(gè)以上高度一致的承接平臺(tái),基板上設(shè)有導(dǎo)電槽,基板上的凹腔、承接平臺(tái)、導(dǎo)電槽和基板由陶瓷材料經(jīng)模具沖壓后燒結(jié)一體成型;在基板反面
設(shè)有兩個(gè)或兩個(gè)以上的引出電極與基板正面的承接平臺(tái)位置對(duì)應(yīng),承接平臺(tái)臺(tái)面由導(dǎo)電電極通過導(dǎo)電槽與引出電極相連接。。
本發(fā)明的基板側(cè)面及側(cè)棱設(shè)有導(dǎo)電槽,導(dǎo)電電極和引出電極通過金屬材料
真空蒸鍍一體成型;四個(gè)承接平臺(tái)位于凹腔中的四個(gè)角落,基板反面設(shè)有四個(gè)引出電極,其中兩個(gè)引出電極作為輔助電極用于本發(fā)明產(chǎn)品與電路板的金屬焊盤焊接,增加本發(fā)明產(chǎn)品與電路板安裝結(jié)合的穩(wěn)固性;本發(fā)明亦可采用兩個(gè)承接平臺(tái)位于凹腔中相對(duì)的兩腔壁中間,基板反面設(shè)有兩個(gè)引出電極。上述一種石英晶體諧振器基座的制造方法,其步驟如下
① 基板正面的方型凹腔、承接平臺(tái)、導(dǎo)電槽和基板本身由陶瓷胚料經(jīng)由模具沖壓并燒結(jié)一體成型;
② 采用真空蒸鍍或真空濺射工藝,將基板正面凹腔、承接平臺(tái)臺(tái)面、導(dǎo)電槽的位置及基板反面與承接平臺(tái)對(duì)應(yīng)的引出電極位置金屬化以形成一體成型的電極。
本發(fā)明方法中的承接平臺(tái)高度一致,用于壓電晶片的承接和平放。
本發(fā)明通過將基板用陶瓷材料模具沖壓形成與基板一體成型的凹腔、承接平臺(tái)和導(dǎo)電槽,凹腔中的承接平臺(tái)方便用于壓電晶體的平放貼裝、導(dǎo)電槽用于引出電極的置放;與傳統(tǒng)基板制造工藝相比,本發(fā)明不必再用噴砂工藝對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行成型,且利用真空蒸鍍或真空濺射工藝,可快速將基板正面凹腔、承接平臺(tái)臺(tái)面、導(dǎo)電槽的位置及引出電極位置金屬化以形成一體成型的電極,電極直接從基板兩側(cè)引出,不必再制備內(nèi)電極和對(duì)其進(jìn)行層板隔離以抗干擾,簡化了制造工藝,提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的主視圖2為本發(fā)明實(shí)施例一主視圖的A-A剖視圖3為本發(fā)明實(shí)施例一主視圖的B-B剖視圖4為本發(fā)明實(shí)施例一的后視圖5為本發(fā)明實(shí)施例二的主視圖6為本發(fā)明實(shí)施例二主視圖的A-A剖視圖7為本發(fā)明實(shí)施例二主視圖的B-B剖視圖8為本發(fā)明實(shí)施例二的后視圖。
圖中l(wèi).基板;2.凹腔;3.承接平臺(tái);4.導(dǎo)電槽;5.導(dǎo)電電極;6.引出電極;7.輔助電極。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。實(shí)施例一
如圖1 圖4所示的一種石英晶體諧振器基座,在方形的基板1正面設(shè)有方型凹腔2,凹腔2中四個(gè)角落設(shè)有可用于貼裝壓電晶片的四個(gè)髙度一致的承接平臺(tái)3,基板1相鄰側(cè)面交界上的側(cè)棱設(shè)有導(dǎo)電槽4,基板1上的凹腔2、承接平臺(tái)3、導(dǎo)電槽4和基板1由陶瓷材料經(jīng)模具沖壓后燒結(jié)一體成型;在基板1反面設(shè)有四個(gè)引出電極6與基板1正面的承接平臺(tái)3位置對(duì)應(yīng),承接平臺(tái)3臺(tái)面通過導(dǎo)電槽4中的導(dǎo)電電極5與基板1反面的四個(gè)引出電極6電連接,承接平臺(tái)3上的導(dǎo)電電極5用于貼裝連接壓電晶片,導(dǎo)電電極5和引出電極6通過金屬材料真空蒸鍍一體成型,其中兩個(gè)引出電極6作為輔助電極7 (輔助電極7不與導(dǎo)電電極5電連接)用于本發(fā)明產(chǎn)品與電路板的金屬焊盤焊接,使本發(fā)明產(chǎn)品與電路板牢牢焊接在一起,增加電路板與基板l間的結(jié)合力。
上述一種石英晶體諧振器基座的制造方法,先將由陶瓷胚料經(jīng)由模具沖壓并燒結(jié)一體成型,即可在基板1上形成方型凹腔2、在方型凹腔2角落形成四個(gè)高度一致用于承接平放壓電晶片的承接平臺(tái)3、在基板1側(cè)棱形成四個(gè)導(dǎo)電槽4;方型凹腔2、承接平臺(tái)3及導(dǎo)電槽4和基板1 一體成型;對(duì)本發(fā)明結(jié)構(gòu)一體成型,大大簡化基板1的生產(chǎn)工藝,提高生產(chǎn)效率。然后將基板1用掩膜板包裹,掩膜板對(duì)應(yīng)導(dǎo)電電極5、導(dǎo)電槽4、輔助電極6的部位進(jìn)行鏤空,將包裹好基板l放置于在真空鍍膜機(jī)中,通過真空蒸鍍或真空濺射工藝蒸發(fā)導(dǎo)電 良好的金屬(如金、銀、鉻、鎳中的一種或多種),被蒸發(fā)的金屬附著在基板1沒有被掩膜板遮掩的部位,使得基板1正面凹腔2、承接平臺(tái)3臺(tái)面、導(dǎo)電槽4的位置及基板1反面與承接平臺(tái)3對(duì)應(yīng)的引出電極6位置被金屬化而形成一體成型的電極, 即從基板1正面對(duì)角線上的兩個(gè)承接平臺(tái)3沿導(dǎo)電槽4形成導(dǎo)電電極5、至該沿 基板1對(duì)角線下的與兩個(gè)承接平臺(tái)3對(duì)應(yīng)的引出電極位置形成引出電極6,形成 的電極為一體化金屬電極;對(duì)于基板1反面另兩個(gè)引出電極6位置也同時(shí)進(jìn)行 金屬化,作為輔助電極7,輔助電極7用于與電路板上的金屬焊盤連接,增加基 板1在電路板上的穩(wěn)固性;采用真空蒸鍍或真空濺射工藝形成金屬電極的效率 高,成品率高,工藝簡單,有利于提高石英晶體諧振器的產(chǎn)量。
實(shí)施例二
如圖5 圖8所示的一種石英晶體諧振器基座,在方形的基板1正面設(shè)有方 型凹腔2,凹腔2中相對(duì)的兩腔壁中間設(shè)有可用于貼裝壓電晶片的兩個(gè)高度一致 的承接平臺(tái)3,承接平臺(tái)3用于承接平放壓電晶片,基板1上該兩個(gè)相對(duì)的腔壁 外側(cè)面分別設(shè)有導(dǎo)電槽4,基板1上的凹腔2、承接平臺(tái)3、導(dǎo)電槽4和基板1 由陶瓷材料經(jīng)模具沖壓后燒結(jié)一體成型;基板1反面設(shè)有兩個(gè)引出電極6與基 板1正面的承接平臺(tái)3位置對(duì)應(yīng),承接平臺(tái)3上的導(dǎo)電電極5用于貼裝連接壓 電晶片,承接平臺(tái)3臺(tái)面由通過導(dǎo)電槽4中的導(dǎo)電電極5與引出電極6電連接。 本實(shí)施例的基板1結(jié)構(gòu)仍然由陶瓷胚料經(jīng)由模具沖壓并燒結(jié)一體成型,金屬電 極仍然采用真空蒸鍍或真空濺射工藝一體成型制作,其制作工藝同實(shí)施例一, 本實(shí)施例中沒有設(shè)置如實(shí)施例一中的輔助電極7,而是通過加大引出電極6的面 積(即焊盤的面積),使得本發(fā)明產(chǎn)品與電路板焊接的更為牢固可靠。
權(quán)利要求
1.一種石英晶體諧振器基座,其特征在于在方形的基板正面設(shè)有方型凹腔,凹腔中設(shè)有可用于貼裝壓電晶片的兩個(gè)或兩個(gè)以上高度一致的承接平臺(tái),基板上設(shè)有導(dǎo)電槽,基板上的凹腔、承接平臺(tái)、導(dǎo)電槽和基板由陶瓷材料經(jīng)模具沖壓后燒結(jié)一體成型;在基板反面設(shè)有兩個(gè)或兩個(gè)以上的引出電極與基板正面的承接平臺(tái)位置對(duì)應(yīng),承接平臺(tái)臺(tái)面由導(dǎo)電電極通過導(dǎo)電槽與引出電極相連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石英晶體諧振器基座,其特征在于基板側(cè)面及側(cè)棱設(shè)有導(dǎo)電槽,導(dǎo)電電極和弓I出電極通過金屬材料真空蒸鍍一體成型。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種石英晶體諧振器基座,其特征在于四個(gè)承接平臺(tái)位于凹腔中的四個(gè)角落,基板反面設(shè)有四個(gè)引出電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種石英晶體諧振器基座,其特征在于兩個(gè)承接平臺(tái)位于凹腔中相對(duì)的兩腔壁中間,基板反面設(shè)有兩個(gè)引出電極。
5. —種石英晶體諧振器基座的制造方法,其步驟如下-① 基板正面的方型凹腔、承接平臺(tái)、導(dǎo)電槽和基板本身由陶瓷胚料經(jīng)由模具沖壓并燒結(jié)一體成型;② 采用真空蒸鍍或真空濺射工藝,將基板正面凹腔、承接平臺(tái)臺(tái)面、導(dǎo)電槽的位置及基板反面與承接平臺(tái)對(duì)應(yīng)的引出電極位置金屬化以形成一體成型的電極。
6. 如權(quán)利要求5所述的一種石英晶體諧振器基座的制造方法,其特征在于:所述的承接平臺(tái)高度一致。
全文摘要
本發(fā)明公開的一種石英晶體諧振器基座及其制造方法,基板正面設(shè)有方型凹腔,凹腔中設(shè)有可用于貼裝壓電晶片的兩個(gè)或兩個(gè)以上高度一致的承接平臺(tái),基板上設(shè)有導(dǎo)電槽,基板上的凹腔、承接平臺(tái)、導(dǎo)電槽和基板由陶瓷材料經(jīng)模具沖壓后燒結(jié)一體成型,因此不必再用噴砂工藝對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行成型;基板反面設(shè)有兩個(gè)或兩個(gè)以上的引出電極與基板正面的承接平臺(tái)位置對(duì)應(yīng),采用真空蒸鍍或真空濺射工藝,快速將承接平臺(tái)臺(tái)面、導(dǎo)電槽及引出電極位置金屬化以形成一體成型的電極,即承接平臺(tái)臺(tái)面由導(dǎo)電電極通過導(dǎo)電槽與引出電極相連接,電極直接從基板兩側(cè)引出,不必再制備內(nèi)電極和對(duì)其進(jìn)行層板隔離以抗干擾,簡化了制造工藝,提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H03H9/05GK101656521SQ20081014016
公開日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2008年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者劉利武 申請(qǐng)人:劉利武