專利名稱：T型一體式引線晶體基座組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種基座，尤其涉及一種石英晶體元器件的T型一體 式引線晶體基座組件。
技術(shù)背景石英晶體是信息產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵的頻率電子元器件之一。它廣泛的用于通訊、 計(jì)算機(jī)、家用電器和各種工業(yè)電子設(shè)備中，在軍用電子裝備中同樣占有重要 地位。概括地說(shuō)，凡是涉及與頻率領(lǐng)域有關(guān)的石英晶體元器件都是必不可少 的，因此使它應(yīng)用領(lǐng)域也越來(lái)越廣泛，市場(chǎng)前景也越來(lái)越好。石英晶體元器 件等基礎(chǔ)類產(chǎn)品是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。新型電子元器件是我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)"十五"發(fā)展的重點(diǎn)，是促進(jìn)我國(guó)國(guó)民 經(jīng)濟(jì)信息化、以信息化帶動(dòng)工業(yè)化，增強(qiáng)我國(guó)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng) 力的重要基礎(chǔ)，有利于促進(jìn)電子技術(shù)和整機(jī)更新?lián)Q代。改革開(kāi)放、國(guó)際生產(chǎn)的大轉(zhuǎn)移給我國(guó)發(fā)展電子元器件帶來(lái)了機(jī)遇，其生產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟(jì)總量不斷擴(kuò)大。但總體水平不高，尤其是新型元器件產(chǎn)品品種、 數(shù)量、質(zhì)量乃至生產(chǎn)方式等諸方面與世界先進(jìn)水平尚有一定的差距，國(guó)產(chǎn)元 器件國(guó)內(nèi)市場(chǎng)滿足率僅在50%左右。信息產(chǎn)業(yè)"十五"計(jì)劃綱要中明確提出"以元器件產(chǎn)品升級(jí)換代，滿 足提高電子整機(jī)本地化率和擴(kuò)大出口為目標(biāo)，發(fā)展片式化、微小型化、多功 能化的新型元器件產(chǎn)品，加強(qiáng)新型元器件和新型顯示器件的開(kāi)發(fā)，以適應(yīng)新 一代數(shù)字技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展需要。擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，增加品種，提高產(chǎn)品質(zhì)量，
擴(kuò)大出口，使我國(guó)成為世界電子元器件的生產(chǎn)大國(guó)和出口大國(guó)"。進(jìn)入20世紀(jì)90年代，隨著電子設(shè)備的小型化、微型化，特別是移動(dòng)通 信設(shè)備和計(jì)算機(jī)的小型化發(fā)展，要求電子元器件朝著小型化、片式化、集成 化方向發(fā)展。近幾年，我國(guó)石英晶體元器件的小型化、微型化產(chǎn)品比例增幅 較快，但作為為其配套的晶體殼座發(fā)展滯后，國(guó)內(nèi)急需的高檔產(chǎn)品需要大量 進(jìn)口，尤其是新型T型一體式引線晶體基座組件，已影響了行業(yè)的發(fā)展。 近幾年，東南亞與中國(guó)的石英晶體元器件車產(chǎn)發(fā)展迅速，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也更加激 烈。而世界范圍的石英晶體元器件生產(chǎn)一直保持較高的增長(zhǎng)幅度，世界范圍 內(nèi)的信息產(chǎn)業(yè)裝處于大發(fā)展時(shí)期，通訊設(shè)備、汽車電子、計(jì)算機(jī)、家用電器 和辦公自動(dòng)化設(shè)備的不斷更新?lián)Q代與產(chǎn)量增加，將大大促進(jìn)世界石英晶體元 器件生產(chǎn)進(jìn)入一個(gè)高速發(fā)展的時(shí)期。為了適應(yīng)這種新形式，電子元器件生產(chǎn) 國(guó)日本、韓國(guó)、臺(tái)灣在本土和中國(guó)建立了許多子公司和工廠。目前，日本的 六、七個(gè)集團(tuán)公司的生產(chǎn)量就占了總產(chǎn)量的40%左右，產(chǎn)品也向高頻化、高 穩(wěn)定度、微小型轉(zhuǎn)化。工藝也越來(lái)越精細(xì)化和產(chǎn)品無(wú)污染綠色化發(fā)展。而我 國(guó)的石英晶體元器件技術(shù)發(fā)展比較滯后，大部分廠家的產(chǎn)品仍舊是普通型的 元器件，低頻率、穩(wěn)定性不好、產(chǎn)品有污染，這一現(xiàn)象影響了整個(gè)行業(yè)的整 體發(fā)展。 實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題本實(shí)用新型提供一種T型一體式引線晶體基座組 件，目的是提高頻率、抗電磁干擾性，抗跌落能力。為達(dá)上述目的本實(shí)用新型T型一體式引線晶體基座組件，包括基座、 引線、玻璃珠，所述設(shè)置石英晶片部分引線形狀為先垂直穿過(guò)玻璃珠絕緣
子的引線，加工成扁狀然后向外斜向上傾斜，再與底部開(kāi)口梯形連接，梯 形的開(kāi)口向內(nèi)。所述在設(shè)置石英晶片部分的開(kāi)口梯形的外側(cè)邊上設(shè)有長(zhǎng)方形孔。所述的引線外層為無(wú)鉛錫合金。所述的基座底部設(shè)有一道環(huán)形筋。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)效果本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)效果可以調(diào)節(jié)高頻，也可 以調(diào)節(jié)低頻。抗電磁干擾性能好，提高頻率，增加抗震性能。

圖l是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1中引線放大部分的側(cè)視圖。圖3是本實(shí)用新型的俯視圖。圖中1、基座；2、引線；3、玻璃珠；4、長(zhǎng)方形孔；5、環(huán)形筋。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。參照附圖本實(shí)用新型基座組件，包括基座l、引線2、玻璃珠3，設(shè) 置石英晶片部分的引線形狀為先垂直穿過(guò)玻璃珠3絕緣子的引線2，加工 成扁狀然后向外斜向上傾斜，再與底部開(kāi)口梯形連接，梯形的開(kāi)口向內(nèi)。 在設(shè)置石英晶片部分的開(kāi)口梯形的外側(cè)邊上設(shè)有長(zhǎng)方形孔4，使晶片夾持 牢固，上引線與下引線一體加工成型。所述的引線2外層為無(wú)鉛錫合金。 所述的基座底部設(shè)有一道環(huán)形筋5。
權(quán)利要求1、T型一體式引線晶體基座組件，包括基座、引線、玻璃珠，其特征在于所述設(shè)置石英晶片部分的引線形狀為先垂直穿過(guò)玻璃珠絕緣子的引線，加工成扁狀然后向外斜向上傾斜，再與底部開(kāi)口梯形連接，梯形的開(kāi)口向內(nèi)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型一體式引線晶體基座組件，其特征在于 在設(shè)置石英晶片部分的開(kāi)口梯形的外側(cè)邊上設(shè)有長(zhǎng)方形孔。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的T i一體式引線晶體基座組件，其特征在于 所述的引線外層為無(wú)鉛錫合金。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型一體式引線晶體基座組件，其特征在于 所述的基座底部設(shè)有一道環(huán)形筋。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種基座，尤其涉及一種石英晶體元器件的T型一體式引線晶體基座組件。T型一體式引線晶體基座組件，包括基座、引線、玻璃珠，所述設(shè)置石英晶片部分引線形狀為先垂直穿過(guò)玻璃珠絕緣子的引線，加工成扁狀然后向外斜向上傾斜，再與底部開(kāi)口梯形連接，梯形的開(kāi)口向內(nèi)。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)效果可以調(diào)節(jié)高頻，也可以調(diào)節(jié)低頻?？闺姶鸥蓴_性能好，提高頻率，增加抗震性能。
文檔編號(hào)H03H9/05GK201215938SQ200820011349
公開(kāi)日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者倪永貴 申請(qǐng)人:倪永貴