專利名稱：用于射頻通信的線性跨導(dǎo)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)案涉及需要線性跨導(dǎo)器的應(yīng)用(即線性電壓到電流轉(zhuǎn)換)，且更具體來(lái)說(shuō)， 涉及具有改善的互調(diào)產(chǎn)物抑制的射頻(RF)混頻器。
背景技術(shù)：
混頻器用于對(duì)基帶(或低頻)信號(hào)進(jìn)行上變頻和對(duì)RF信號(hào)進(jìn)行下變頻。互調(diào)抑 制適用于其中所述混頻器用來(lái)將所述RF信號(hào)下變頻到基帶的RF接收器。所述混頻器 級(jí)執(zhí)行電壓到電流轉(zhuǎn)換。此轉(zhuǎn)換是非線性的，且因此可產(chǎn)生互調(diào)失真。
互調(diào)失真是由兩個(gè)混合在一起且其之間具有小的頻率偏移(因裝置特性的非線性 所致)的偽信號(hào)所引起。如果音調(diào)1稱作fl且音調(diào)2稱作f2，那么互調(diào)產(chǎn)物2f2-fl或 2fl-f2可靠近RF希望信號(hào)并使接收器的性能降級(jí)。此音調(diào)稱作第三階互調(diào)產(chǎn)物。
接收器或接收器的組件可由稱作"第三階輸入截取點(diǎn)"(IIP3)的第三階失真品 質(zhì)系數(shù)表征。第三階輸入截取點(diǎn)可定義為所述第三階互調(diào)(或失真)產(chǎn)物與基頻(或 音調(diào))中的功率相交的點(diǎn)。(參見圖1A)。所述互調(diào)產(chǎn)物中的功率與所述輸入信號(hào)幅 值的立方功率成比例。對(duì)于理想放大器(無(wú)失真)來(lái)說(shuō)，所述IIP3點(diǎn)可在無(wú)限遠(yuǎn)處。 所述IIP3點(diǎn)越高，所述接收器的線性或失真性能就越好。
混頻器的線性及噪聲因數(shù)(NF)可受將電壓輸入轉(zhuǎn)譯成電流的跨導(dǎo)器級(jí)支配。所 述混頻器跨導(dǎo)器可借助源極退化(在跨導(dǎo)器裝置的源極處添加電阻器)來(lái)加以線性化， 但此將以增加噪聲并減小混頻器的增益(噪聲因數(shù)的降級(jí))為代價(jià)而出現(xiàn)。
本發(fā)明是針對(duì)克服現(xiàn)有技術(shù)的限制并提供具有改善的互調(diào)抑制的跨導(dǎo)器。線性化 是借助最小化對(duì)增益及噪聲系數(shù)的損害的前饋技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述，本發(fā)明的所述特征大體來(lái)說(shuō)涉及一種或一種以上用于改善線性跨導(dǎo)器 的經(jīng)改善系統(tǒng)、方法及/或設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，本專利申請(qǐng)案包含一種具有至少一個(gè)輸入及至少一個(gè)輸出的線 性跨導(dǎo)器，其包含具有多個(gè)晶體管及多個(gè)輸入的差動(dòng)放大器，其中輸入信號(hào)的差被 放大；柵地陰地電路，其具有多個(gè)晶體管，其中所述晶體管可操作地連接到所述差動(dòng) 放大器，其中通過(guò)下述方式來(lái)改善所述線性跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離通 過(guò)將所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管安裝為堆疊在所述差動(dòng) 放大器的所述至少一個(gè)晶體管上的共用柵極來(lái)去耦合所述線性跨導(dǎo)器的所述輸入與所 述輸出；有效負(fù)載，其具有可操作地連接于所述柵地陰地電路與供應(yīng)電壓之間的多個(gè) 晶體管；及輔助裝置，其可操作地連接到所述有效負(fù)載及所述柵地陰地裝置與接地之 間的連接。
在另一實(shí)施例中，本專利申請(qǐng)案包含一種減少線性跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法， 其包含接收輸入信號(hào)；放大輸入信號(hào)的差；將輸入電壓轉(zhuǎn)換成電流；感測(cè)主電流中 的非線性；前饋所述非線性；響應(yīng)于所述非線性產(chǎn)生輔助電流；通過(guò)將所述輔助電流 與所述主電流相加來(lái)消除所述主電流中的非線性分量，由此減少互調(diào)產(chǎn)物；提供所述 線性跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離；及給有效負(fù)載施加偏壓。
根據(jù)下文詳細(xì)說(shuō)明、權(quán)利要求書及圖式，本發(fā)明方法及設(shè)備的其它適用范圍將變 得明顯。然而應(yīng)理解，指示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的所述詳細(xì)說(shuō)明及具體實(shí)例僅以說(shuō)明 方式給出，因?yàn)樗鶎兕I(lǐng)域的技術(shù)人員將易于得出歸屬于本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的各種 變化及修改。


結(jié)合所述圖式閱讀下文闡述的詳細(xì)說(shuō)明將更易于了解當(dāng)前所揭示的方法及設(shè)備 的特征、目的及優(yōu)點(diǎn)，在附圖中，相同的參考字符均識(shí)別對(duì)應(yīng)的內(nèi)容，且其中
圖1A是圖解說(shuō)明接收器失真對(duì)輸入功率截取點(diǎn)外插的曲線圖(理論上)；
圖1B圖解說(shuō)明輸入到共用源極跨導(dǎo)器的來(lái)自低噪聲放大器(LNA)的具有干擾 的RF輸出如何可使接收器的信噪比降級(jí)；
圖2是共用源極跨導(dǎo)器的圖示；
圖3A是共用源極跨導(dǎo)器的圖示；
圖3B顯示主晶體管及輔助晶體管的第三階導(dǎo)數(shù)以及所述兩個(gè)導(dǎo)數(shù)的有效總和； 圖4A圖解說(shuō)明借助本專利申請(qǐng)案的跨導(dǎo)器設(shè)備及方法來(lái)抑制IM3 (互調(diào)產(chǎn)物)； 圖4B是含有由用于減少本專利申請(qǐng)案的線性跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法所執(zhí)行 的步驟的流程圖5是蜂窩式通信系統(tǒng)的圖示；
圖6圖解說(shuō)明根據(jù)本專利申請(qǐng)案的用戶設(shè)備的實(shí)施例； 圖7是通信系統(tǒng)的一部分，其包括基站控制器及基站；及
圖8是圖解說(shuō)明在減少本專利申請(qǐng)案的線性跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物時(shí)所執(zhí)行的步驟的功能方框圖。
具體實(shí)施例方式
本文所用措詞"實(shí)例性"意指"用作實(shí)例、事例或例示"。本文描述為"實(shí)例性"的任一實(shí)施例未必視為優(yōu)選實(shí)施例或優(yōu)于其它實(shí)施例。
下文結(jié)合附圖所闡述的詳細(xì)說(shuō)明意欲作為對(duì)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施例的說(shuō)明而非代表可實(shí)施本發(fā)明的僅有實(shí)施例。貫穿本說(shuō)明書中所用的術(shù)語(yǔ)"實(shí)例性"意指"用作實(shí)例、事例或例示"而未必應(yīng)視為優(yōu)選實(shí)施例或優(yōu)于其它實(shí)施例。為提供對(duì)本發(fā)明的透徹了解的目的，詳細(xì)說(shuō)明包括了若干具體細(xì)節(jié)。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易知，也可不以這些具體細(xì)節(jié)實(shí)施本發(fā)明。在某些情形中，以方框圖形式顯示眾所周知的結(jié)構(gòu)及裝置，以避免使本發(fā)明的概念模糊不清。
所述問題可通過(guò)使用具有前饋線性化的跨導(dǎo)器來(lái)加以解決，其中連接作為共用源極裝置的n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管的差動(dòng)對(duì)將輸入電壓轉(zhuǎn)換成電流。
(假設(shè)依附一小信號(hào)假定，那么信號(hào)電流id與Vgs成比例，其中所述比例常數(shù)稱作跨導(dǎo)且由gm表示，其中id-g:/Vg。?？鐚?dǎo)器具有各不相同的線性度。在一個(gè)設(shè)計(jì)中，跨導(dǎo)
器也可稱作線性跨導(dǎo)器。
圖1B圖解說(shuō)明共用源極跨導(dǎo)器如何可使接收器的信噪比(C/N)降級(jí)。需要一種將最小化互調(diào)產(chǎn)物使其遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于所期望的信號(hào)的線性跨導(dǎo)器。
圖2含有可與無(wú)源混頻器一起使用的共用源極跨導(dǎo)器105。所述共用源極跨導(dǎo)器進(jìn)一步由兩個(gè)分支電路構(gòu)成。在圖2的底部是差動(dòng)放大器110。差動(dòng)對(duì)放大器110具有兩個(gè)輸入，即分別接收信號(hào)VRF+及VRF-的正極端子及負(fù)極端子。輸入晶體管是115及120,其分別接收輸入信號(hào)VRF+及VRF-。當(dāng)VRp+的值較小時(shí)，W+^gnu^VRp"對(duì)于小的信號(hào)，所述差動(dòng)對(duì)放大器可用作線性放大器。差動(dòng)對(duì)響應(yīng)于差模式或差動(dòng)信號(hào)。實(shí)際上，在差電壓相對(duì)小的情形下，可將整個(gè)偏壓電流從所述對(duì)的一個(gè)側(cè)引導(dǎo)到另一
電路110稱作差動(dòng)電路，是因?yàn)槠浞糯筝斎胄盘?hào)的差。此外，電路1I0稱作共用源極差動(dòng)放大器，是因?yàn)樗鰞蓚€(gè)輸入NMOS放大器115及120使其源極連接在一起(在圖2中為接地)且所述輸入是其柵極。使用差動(dòng)架構(gòu)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于理想地將拒絕共模信號(hào)。由于所述共模信號(hào)出現(xiàn)在兩個(gè)柵極處，因此其差為零，且其將被拒絕。最后，兩個(gè)電容器117及119分別出現(xiàn)在晶體管115及120的輸入處。
在圖2的頂部處是電路122，其含有兩個(gè)p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管125及130。晶體管125及130是"二極管連接的"晶體管且也可將其描述為有效負(fù)載。晶體管125及130用來(lái)在飽和區(qū)中給NMOS裝置115、 120施加偏壓。晶體管125及130的源極連接到供應(yīng)電壓VDD。晶體管125的漏極連接到晶體管130的漏極。同樣地，晶體管130的漏極連接到晶體管120的漏極。另外，晶體管125的漏極連接
12到可操作地連接到無(wú)源混頻器開關(guān)的第一輸出135。同樣地，晶體管130的漏極連接到可操作地連接到無(wú)源混頻器開關(guān)的第二輸出140。
兩個(gè)電阻器145及150串聯(lián)連接在PMOS晶體管125及130的漏極之間。這些電阻器在值上相等且用來(lái)給PMOS晶體管125、 130自動(dòng)施加偏壓。共用源極級(jí)110的非線性性質(zhì)將導(dǎo)致互調(diào)失真。所述輸入處的阻塞信號(hào)或偽信號(hào)混合并產(chǎn)生不期望的互調(diào)產(chǎn)物，所述不期望的互調(diào)產(chǎn)物將破壞從共用源極跨導(dǎo)器iio輸出到混頻器開關(guān)的期望的信號(hào)。此將使例如接收器的信噪比(C/N)的度量降級(jí)。需要一種將最小化互調(diào)產(chǎn)物的線性跨導(dǎo)器。
在圖3A中是本專利申請(qǐng)案的線性跨導(dǎo)器200的實(shí)例，其為上述問題提供解決方案。在圖3A的底部處是差動(dòng)放大器210。差動(dòng)對(duì)放大器210具有兩個(gè)輸入，即分別接收信號(hào)VRF+及VRF-的正極端子及負(fù)極端子。所述輸入NMOS晶體管是215及220，其分別接收輸入信號(hào)VRF+及VRF-、放大所述輸入信號(hào)的差并將輸入電壓轉(zhuǎn)換成電流。所述兩個(gè)輸入NMOS放大器215及220使其源極連接在一起(在圖3A中為接地)且所述輸入是其柵極。所述兩個(gè)輸入NMOS放大器215及220在強(qiáng)反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓以達(dá)成良好的線性性能。
最后，兩個(gè)電阻器217及219分別連接在晶體管215及220的輸入與V卵之間。經(jīng)由所述電阻器向所述兩個(gè)晶體管提供DC偏壓。所述電阻器將所述主RF信號(hào)路徑與所述偏壓電路隔離。
晶體管230及235連接成共用柵極配置且用作"柵地陰地"裝置并為晶體管215及220提供低阻抗。
lMA!N電流中的非線性由柵地陰地NMOS晶體管電路225感測(cè)。更具體來(lái)說(shuō)，柵地陰地NMOS晶體管230及235感測(cè)因主晶體管215及220而引起的Ima!n中的非淺性。將此非線性輸入到前饋(或輔助)晶體管245及250。這些輔助晶體管響應(yīng)于所述非線性輸入產(chǎn)生電流IMJX。有效電流ISUM是IAUX與Im扁的總和。電流IAUX消除IMAIN中的非線性分量并由此改善總電路的互調(diào)性能。輔助晶體管對(duì)[輔助裝置]245及250在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓以提供對(duì)Imain中的非線性的最優(yōu)消除。
晶體管230的源極處的電壓(Veas-Vgs)響應(yīng)于來(lái)自晶體管215的非線性電流。因非線性電流而引起的電壓的此變化由輔助晶體管245感測(cè)，并前饋待在輸出節(jié)點(diǎn)處相加的誤差電流。主差動(dòng)對(duì)裝置215及220以及輔助裝置245及250在適當(dāng)區(qū)中受到偏壓以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)互調(diào)性能。圖3B顯示主晶體管215、 220及輔助晶體管245、 250的第三階導(dǎo)數(shù)以及所述兩個(gè)導(dǎo)數(shù)的有效總和。
此外，兩個(gè)電阻器247及252分別連接于晶體管245及250的輸入與VMjx之間。所述電阻器提供偏壓電路與主信號(hào)路徑之間的隔離。最后，兩個(gè)電容器248及253分別出現(xiàn)在晶體管245及250的輸入處。所述兩個(gè)電容器使輔助裝置240 (包含晶體管245、 250)偏壓不依附于晶體管215、 220的漏極上的偏壓。電容器248連接在NMOS晶體管245的柵極與NMOS晶體管230的源極之間。NMOS晶體管230的源極連接到NMOS晶體管215的漏極。同樣地，電容器253連接在NMOS晶體管250的柵極與NMOS晶體管235的源極之間。NMOS晶體管235的源極連接到NMOS晶體管220的漏極。
用前饋電流lAux減去Imaw中的非踐性。將來(lái)自主晶體管215及220的輸出電流Imaw與來(lái)自輔助裝置245及250的前饋電流Imjx相加。求和所述電流導(dǎo)致從兩個(gè)路徑消除IM3分量。
使用柵地陰地配置電路225 (包含NMOS晶體管230及235)來(lái)改善線性跨導(dǎo)器200的輸入與輸出之間的反向隔離。 一種用以去耦合輸入與輸出的方法是通過(guò)將第二晶體管230安裝為堆疊在共用源極輸入晶體管215上的共用柵極(CG)(圖3A)。上部金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS) 230充當(dāng)輸出節(jié)點(diǎn)(或晶體管267的漏極)與輸入晶體管215的漏極之間的電流緩沖器，由此將其分離。同樣地，晶體管235堆疊在共用源極輸入晶體管220上。
在圖3A的頂部處是含有兩個(gè)PMOS晶體管267及260的有效負(fù)載電路255。所述晶體管267及260充當(dāng)有效負(fù)載并給柵地陰地晶體管230及235的漏極施加偏壓。窺視所述PMOS晶體管267及260的漏極的阻抗為高。因此，電路200的互調(diào)性能得到改善?？鐚?dǎo)器200驅(qū)動(dòng)為低阻抗的無(wú)源混頻器。PMOS有效負(fù)載267及260的高阻抗有助于最小化互調(diào)失真。
另外，晶體管267的漏極連接到可操作地連接到無(wú)源混頻器開關(guān)的第一輸出236。同樣地，晶體管260的漏極連接到可操作地連接到無(wú)源混頻器開關(guān)的第二輸出237。
運(yùn)算放大器275連同電阻器265及270形成共模反饋環(huán)路以給PMOS裝置267、
260施加偏壓。此改善PMOS裝置267、 260的輸出阻抗。所述共模反饋環(huán)路的另一優(yōu)
點(diǎn)在于在溫度及過(guò)程變化范圍內(nèi)，PMOS裝置(及輔助晶體管)的漏極電壓是固定的。
此穩(wěn)定對(duì)Imain及Iaux中的非線性分量的消除。
所述非線性漏極電流可通過(guò)以下等示來(lái)加以說(shuō)明id = aovin + aivin2 + a2vin3十...， 等式1
其中ao、a,及a2是描述晶體管的性質(zhì)的系數(shù)且ao是所述裝置的gm或跨導(dǎo)。當(dāng)a2=0時(shí)，消除第三階互調(diào)。此出現(xiàn)在
g,化W"^0時(shí)，用于完全消除
:0
圖4A圖解說(shuō)明借助本專利申請(qǐng)案的跨導(dǎo)器設(shè)備及方法來(lái)抑制IM3 (互調(diào)產(chǎn)物)。圖4B含有由用于減少本專利申請(qǐng)案的線性跨導(dǎo)器200中的互調(diào)產(chǎn)物的方法400執(zhí)行的步驟。差動(dòng)放大器210分別接收信號(hào)￥^+及￥^-(步驟403)、放大所述輸入信號(hào)的差(步驟405)并將輸入電壓轉(zhuǎn)換成電流(步驟407)。主電流IMA!n中的非線性由柵地陰地NMOS晶體管電路225感測(cè)(步驟410)。更特定來(lái)說(shuō)，柵地陰地NMOS晶體管230及235感測(cè)因主晶體管215及220而引起的IMAIN中的非線性(步驟410)。將此非線性輸入到前饋(或輔助)晶體管245及250 (步驟415)。所述輔助晶體管響應(yīng)于所述非線性輸入產(chǎn)生輔助電流Uux(步驟420)。有效電流IsuM是Uux
與IMAIN的總和，其中電流lAUX消除lMAW中的非線性分量(步驟430)且由此改善總電路的互調(diào)性能。
換句話說(shuō)，當(dāng)將來(lái)自主晶體管215及220的輸出電流Imaw與來(lái)自輔助裝置245
及250的前饋電流lMjx相加時(shí)，用前饋電流lAUX減去lMA,N中的非線性，其中所述電
流的總和導(dǎo)致自兩個(gè)路徑消除所述IM3分量(步驟430)。
使用柵地陰地配置電路225 (包含NMOS晶體管230及235)來(lái)改善線性跨導(dǎo)器200的輸入與輸出之間的反向隔離(步驟440)。在圖3A的頂部處是含有兩個(gè)PMOS晶體管267及260的有效負(fù)載電路255。所述晶體管267及260充當(dāng)有效負(fù)載。運(yùn)算放大器275連同電阻器265及270形成共模反饋環(huán)路以給PMOS裝置267、 260施加偏壓(步驟450)。此改善PMOS裝置267、 260的輸出阻抗。
通信系統(tǒng)可使用單個(gè)載波頻率或多個(gè)載波頻率。每一鏈路均可并入不同數(shù)量的載波頻率。此外，接入終端10可以是經(jīng)由無(wú)線信道或經(jīng)由有線信道(例如使用光纖電纜或同軸電纜)通信的任何數(shù)據(jù)裝置。接入終端10可以是多種類型裝置中的任何一種，包括(但不限于)PC卡、小型快閃、外部或內(nèi)部調(diào)制解調(diào)器、或無(wú)線或有線電話。接入終端IO也稱作用戶設(shè)備(UE)、遠(yuǎn)程站、移動(dòng)站或用戶站。此外，l正10可以是移動(dòng)的或靜止的。蜂窩式通信系統(tǒng)100的實(shí)例顯示于圖5中，其中參考編號(hào)102A到102G是指小區(qū)，參考編號(hào)160A到160G是指節(jié)點(diǎn)B或基站且參考編號(hào)10A到10G是指UE。
接入網(wǎng)絡(luò)40在多個(gè)接入終端10或用戶設(shè)備10之間輸送數(shù)據(jù)包。(在一個(gè)實(shí)例中，接入網(wǎng)絡(luò)40可由基站控制器及一個(gè)或一個(gè)以上基站160構(gòu)成。參見圖5)。接入網(wǎng)絡(luò)40可進(jìn)一步連接到接入網(wǎng)絡(luò)40外部的其它網(wǎng)絡(luò)，例如公司內(nèi)聯(lián)網(wǎng)或因特網(wǎng)，并可在每一用戶設(shè)備10與此類外部網(wǎng)絡(luò)122之間輸送數(shù)據(jù)包。已與一個(gè)或一個(gè)以上e節(jié)點(diǎn)B 160建立有效業(yè)務(wù)信道連接的用戶設(shè)備10稱作有效用戶設(shè)備10，且稱作處于業(yè)務(wù)狀態(tài)中。處于與一個(gè)或一個(gè)以上e節(jié)點(diǎn)B 160建立有效業(yè)務(wù)信道連接的過(guò)程中的用戶設(shè)備IO稱作處于連接設(shè)立狀態(tài)中。用戶設(shè)備IO可以是經(jīng)由無(wú)線信道或經(jīng)由有線信道(例如使用光纖電纜或同軸電纜)進(jìn)行通信的任何數(shù)據(jù)裝置。用戶設(shè)備10經(jīng)由其將信號(hào)發(fā)送到e節(jié)點(diǎn)B 160的通信鏈路稱作反向鏈路。節(jié)點(diǎn)B 160經(jīng)由其將信號(hào)發(fā)送到用戶設(shè)備10的通信鏈路稱作正向鏈路。
圖7詳細(xì)說(shuō)明于下文中，其中具體來(lái)說(shuō)，e節(jié)點(diǎn)B160及無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器65與包網(wǎng)絡(luò)接口 146介接。無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器65包括信道調(diào)度器132，所述信道調(diào)度器用于實(shí)施調(diào)度算法以在系統(tǒng)100中進(jìn)行發(fā)射。信道調(diào)度器132基于與任一特定遠(yuǎn)程站10相關(guān)聯(lián)的瞬時(shí)數(shù)據(jù)接收速率(如在最近接收的DRC信號(hào)中所指示)來(lái)確定期間要將數(shù)據(jù)發(fā)射到所述遠(yuǎn)程站10的服務(wù)間隔的長(zhǎng)度。所述服務(wù)間隔在時(shí)間上可以不連續(xù)，而是可每隔n個(gè)時(shí)隙出現(xiàn)一次。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在第一時(shí)間于第一時(shí)隙期間發(fā)射包的第一部分，而在隨后時(shí)間4個(gè)時(shí)隙后發(fā)射第二部分。同樣，所述包的任何隨后部分均是在具有類似4個(gè)時(shí)隙擴(kuò)展(g卩，彼此間隔4個(gè)時(shí)隙)的多個(gè)時(shí)隙中進(jìn)行發(fā)射。根據(jù)一個(gè)
實(shí)施例，接收數(shù)據(jù)的瞬時(shí)速率Ri確定與特定數(shù)據(jù)隊(duì)列相關(guān)聯(lián)的服務(wù)間隔長(zhǎng)度Li。
另外，信道調(diào)度器132選擇特定數(shù)據(jù)隊(duì)列來(lái)進(jìn)行發(fā)射。然后，從數(shù)據(jù)隊(duì)列172檢 索待發(fā)射的相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)量，并將其提供到信道元件168以發(fā)射到與數(shù)據(jù)隊(duì)列172相關(guān) 聯(lián)的遠(yuǎn)程站IO。如下文所論述，信道調(diào)度器132選擇隊(duì)列來(lái)提供所述數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù) 是使用包括與所述隊(duì)列中的每一者相關(guān)聯(lián)的權(quán)重的信息來(lái)在后續(xù)服務(wù)間隔中發(fā)射的。 然后，更新與所發(fā)射的隊(duì)列相關(guān)聯(lián)的權(quán)重。
無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器65與包網(wǎng)絡(luò)接口 146、公共交換電話網(wǎng)(PSTN) 148及通信 系統(tǒng)100中的所有e節(jié)點(diǎn)B 160 (為簡(jiǎn)單起見，圖7中僅顯示一個(gè)e節(jié)點(diǎn)B 160)介接。 無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器65協(xié)調(diào)通信系統(tǒng)中的遠(yuǎn)程站10與連接到包網(wǎng)絡(luò)接口 146及PSTN 148的其它用戶之間的通信。PSTN 148經(jīng)由標(biāo)準(zhǔn)電話網(wǎng)絡(luò)(其未顯示于圖7中)與用 戶介接。
無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器65含有許多選擇器元件136，但為簡(jiǎn)單起見，圖7中僅顯示一 個(gè)選擇器元件。每一選擇器元件136均經(jīng)指派以控制一個(gè)或一個(gè)以上基站160與一個(gè) 遠(yuǎn)程站IO (未顯示)之間的通信。如果尚未給既定用戶設(shè)備10指派選擇器元件136， 那么通知呼叫控制處理器141需要尋呼遠(yuǎn)程站。然后，呼叫控制處理器141指揮e節(jié) 點(diǎn)B20尋呼遠(yuǎn)程站10。
數(shù)據(jù)源122含有待發(fā)射到既定遠(yuǎn)程站10的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)源122將所述數(shù)據(jù)提供 到包網(wǎng)絡(luò)接口 146。包網(wǎng)絡(luò)接口 146接收所述數(shù)據(jù)并將所述數(shù)據(jù)路由到選擇器元件136。 然后，選擇器元件136將所述數(shù)據(jù)發(fā)射到與目標(biāo)遠(yuǎn)程站10通信的e節(jié)點(diǎn)B 160。在所 述實(shí)例性實(shí)施例中，每一 e節(jié)點(diǎn)B 160均維持存儲(chǔ)待發(fā)射到遠(yuǎn)程站10的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)隊(duì) 列172。
所述數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)包形式從數(shù)據(jù)隊(duì)列172發(fā)射到信道元件168。在一個(gè)實(shí)例中，在 正向鏈路上，"數(shù)據(jù)包"是指最多為1024位的數(shù)據(jù)量及待在預(yù)定"時(shí)隙"(例如，" 1.667毫秒)內(nèi)發(fā)射到目的地遠(yuǎn)程站的數(shù)據(jù)量。對(duì)于每一數(shù)據(jù)包，信道元件168插入必 要的控制字段。在所述實(shí)例性實(shí)施例中，信道元件168對(duì)所述數(shù)據(jù)包及控制字段執(zhí)行 循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)編碼并插入一組代碼尾位。所述數(shù)據(jù)包、控制字段、CRC奇偶 校驗(yàn)位及代碼尾位構(gòu)成經(jīng)格式化的包。在所述實(shí)例性實(shí)施例中，信道元件168接著編 碼所述經(jīng)格式化的包并交錯(cuò)(或重新排序)經(jīng)編碼的包內(nèi)的符號(hào)。在所述實(shí)例性實(shí)施 例中，用沃爾什碼(Walsh code)來(lái)覆蓋經(jīng)交錯(cuò)的包并用短偽噪聲I (PNI)碼及偽噪 聲Q (PNQ)碼來(lái)擴(kuò)展經(jīng)交錯(cuò)的包。將經(jīng)擴(kuò)展的數(shù)據(jù)提供到RF單元170，所述RF單 元正交調(diào)制、濾波并放大所述信號(hào)。經(jīng)由天線171以無(wú)線方式將所述正向鏈路信號(hào)發(fā) 射到所述正向鏈路。在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)例中，RF單元170也可含有本專利申請(qǐng)案的 跨導(dǎo)器200。
在用戶設(shè)備10處，所述正向鏈路信號(hào)由天線接收且路由到接收器。所述接收器 對(duì)所述信號(hào)進(jìn)行濾波、放大、正交解調(diào)制及量化。將經(jīng)數(shù)字化信號(hào)提供到解調(diào)器(DEMOD)，于此處用短PNI及PNQ碼來(lái)解擴(kuò)展所述數(shù)字化信號(hào)并用沃爾什覆蓋來(lái) 解覆蓋所述數(shù)字化信號(hào)。將經(jīng)解調(diào)制的數(shù)據(jù)提供到解碼器，所述解碼器對(duì)在e節(jié)點(diǎn)B 160處實(shí)施的信號(hào)處理功能執(zhí)行反轉(zhuǎn)(特定來(lái)說(shuō)，解交錯(cuò)、解碼及CRC校驗(yàn)功能)。 將經(jīng)解碼的數(shù)據(jù)提供到數(shù)據(jù)匯。
由每一遠(yuǎn)程站10發(fā)射的數(shù)據(jù)速率控制(DRC)信號(hào)穿過(guò)反向鏈路信道且由耦合 到RF單元170的發(fā)射或接收天線171在基站160處接收。在一個(gè)實(shí)例中，所述DRC 信息在信道元件168中被解調(diào)制且被提供到位于無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器65中的信道調(diào)度器 132或提供到位于e節(jié)點(diǎn)B 160中的信道調(diào)度器174。在第一實(shí)例性實(shí)施例中，信道調(diào) 度器132位于e節(jié)點(diǎn)B 20中。在替代實(shí)施例中，信道調(diào)度器132位于無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制 器65中，且連接到無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)控制器65內(nèi)的所有選擇器元件136。
圖6圖解說(shuō)明根據(jù)本專利申請(qǐng)案的UE 10的實(shí)施例，其中UE 10包括發(fā)射電路 264 (包括PA 308)、接收電路408、節(jié)流控制306、解碼處理單元258、處理單元302、 多載波控制單元412及存儲(chǔ)器416。發(fā)射電路264、接收電路408也可分別含有RF單 元265及403，在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)例中，RF單元265及403中可駐存有本專利申請(qǐng) 案的跨導(dǎo)器200。
處理單元302控制UE 10的操作。處理單元302也可稱作CPU。存儲(chǔ)器416 (其 可包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 二者)將指令及數(shù)據(jù)提供到處 理單元302。存儲(chǔ)器416的一部分也可包括非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)。
UE 10 (其可嵌入在例如蜂窩式電話的無(wú)線通信裝置中)也可包括外殼，所述外 殼含有發(fā)射電路264及接收電路408以使數(shù)據(jù)能夠在UE 10與遠(yuǎn)程位置之間發(fā)射并接 收，例如無(wú)線電通信。發(fā)射電路264及接收電路408可耦合到天線318。
UE 10的各種組件通過(guò)總線系統(tǒng)630耦合在一起，所述總線系統(tǒng)除包括數(shù)據(jù)總線 以外還可包括功率總線、控制信號(hào)總線及狀態(tài)信號(hào)總線。然而，為清晰起見，圖6中 將所述各種總線圖解說(shuō)明為總線系統(tǒng)630。 AT 10也可包括用于處理信號(hào)的處理單元 302。圖中還顯示功率控制器306、解碼處理單元258、功率放大器308及多載波控制 單元412。
上文所圖解說(shuō)明的步驟可以位于存儲(chǔ)器416中的軟件或固件42的形式作為指令 存儲(chǔ)于圖6中所示的用戶設(shè)備10中。所述指令可由圖6中所示的用戶設(shè)備10的處理 單元電路302執(zhí)行。上文所圖解說(shuō)明的步驟也可以位于存儲(chǔ)器163中的軟件或固件43 的形式作為指令存儲(chǔ)于e節(jié)點(diǎn)B 160中。所述指令可由圖7中的e節(jié)點(diǎn)B 160的控制 單元162執(zhí)行。
圖8是圖解說(shuō)明在減少本專利申請(qǐng)案的線性跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物時(shí)所執(zhí)行的步驟 的功能方框圖。上文所述的圖4B的方法及設(shè)備是由圖8中所圖解說(shuō)明的對(duì)應(yīng)裝置加 上功能方框執(zhí)行。換句話說(shuō)，圖4B中的步驟403到450對(duì)應(yīng)于圖8中的步驟1403到 1450。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可使用各種不同技術(shù)及技法中的任一種來(lái)表示信息
17及信號(hào)。例如，上文通篇可能提及的數(shù)據(jù)、指令、命令、信息、信號(hào)、位、符號(hào)、及 芯片均可由電壓、電流、電磁波、磁場(chǎng)或粒子、光場(chǎng)或粒子或其任一組合表示。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將進(jìn)一步了解，結(jié)合本文所揭示的實(shí)施例而描述的各種說(shuō)明 性邏輯塊、模塊、電路及算法步驟均可實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。 為清楚說(shuō)明硬件及軟件的此種可互換性，上文就其功能性總體描述了各種說(shuō)明性組件、 塊、模塊、電路及步驟。此種功能是實(shí)施為硬件還是軟件取決于施加于整體系統(tǒng)上的 特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對(duì)每一特定應(yīng)用以不同方法實(shí)施 所述功能性，但是，此類實(shí)施決定不應(yīng)被解釋為致使脫離本發(fā)明的范圍。
結(jié)合本文所揭示的實(shí)施例描述的各種說(shuō)明性邏輯塊、模塊、及電路可由下列裝置 實(shí)施或執(zhí)行通用處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng) 可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件、
或其經(jīng)設(shè)計(jì)用于執(zhí)行本文所述功能的任一組合。通用處理器可以是微處理器，但另一 選擇為，處理器可以是任一常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器也可實(shí)
施為計(jì)算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、多個(gè)微處理器的組合、 一個(gè)或 一個(gè)以上微處理器與DSP核心的聯(lián)合，或任一其它此類配置。
結(jié)合本文所揭示的實(shí)施例所描述的方法或算法的步驟可直接在硬件、由處理器執(zhí) 行的軟件模塊中或兩者的組合中實(shí)施。軟件模塊可駐存于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、 快閃存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可編程ROM (EPROM)、電可擦除可編程 ROM (EEPROM)、寄存器、硬磁盤、可移除磁盤、CD-ROM或此項(xiàng)技術(shù)中已知的 任一其它形式的存儲(chǔ)媒體中。實(shí)例性存儲(chǔ)媒體耦合到處理器，以使所述處理器可從所 述存儲(chǔ)媒體讀取信息或?qū)⑿畔懭氲剿龃鎯?chǔ)媒體。另一選擇為，存儲(chǔ)媒體可與處理 器成一體。處理器和存儲(chǔ)媒體可駐存于ASIC中，而ASIC可駐存于用戶終端中。另一 選擇為，處理器及存儲(chǔ)媒體可作為離散的組件駐存于用戶終端中。
在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)例性實(shí)施例中，所描述的功能可實(shí)施于硬件、軟件、固件或 其任一組合中。如果實(shí)施于軟件中，那么可將所述功能作為一個(gè)或一個(gè)以上指令或代 碼存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體上或經(jīng)由計(jì)算機(jī)可讀媒體發(fā)射。計(jì)算機(jī)可讀媒體包括計(jì)算機(jī) 存儲(chǔ)媒體及包括任何促進(jìn)將計(jì)算機(jī)程序從一個(gè)位置傳送到另一個(gè)位置的媒體的通信媒 體兩者。存儲(chǔ)媒體可以是可由計(jì)算機(jī)存取的任何可用媒體。通過(guò)舉例而非限制的方式， 此類計(jì)算機(jī)可讀媒體可包含RAM、 ROM、 EEPROM、 CD-ROM或其它光盤存儲(chǔ)器件、 磁盤存儲(chǔ)器件或其它磁性存儲(chǔ)裝置、或任一其它可用于以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式攜載或 存儲(chǔ)所期望的程序代碼且可由計(jì)算機(jī)存取的媒體。而且，可完全將任何連接稱作計(jì)算 機(jī)可讀媒體。例如，如果使用同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、數(shù)字用戶線(DSL)或 例如紅外線、無(wú)線電及微波等的無(wú)線技術(shù)從網(wǎng)站、服務(wù)器或其它遠(yuǎn)程源發(fā)射軟件，那 么所述同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、DSL或例如紅外線、無(wú)線電及微波等的無(wú)線技 術(shù)均包括于媒體的定義內(nèi)。如本文中所用，磁盤及光盤包括壓縮光盤(CD)、激光 光盤、光學(xué)光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟磁盤及藍(lán)光光盤，其中磁盤通常以磁性方式來(lái)復(fù)制數(shù)據(jù)，而光盤以光學(xué)方式(例如，使用激光)來(lái)復(fù)制數(shù)據(jù)。上述各項(xiàng)的 組合也應(yīng)包括于計(jì)算機(jī)可讀媒體的范圍內(nèi)。
上文提供對(duì)所揭示實(shí)施例的說(shuō)明旨在使任一所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員均能夠制作或 使用本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于明了所述實(shí)施例的各種修改，且本文所定義 的一般原理也可適用于其它實(shí)施例，此并不背離本發(fā)明的主旨或范圍。因此，本發(fā)明 并非打算限定為本文所示實(shí)施例，而應(yīng)符合與本文所揭示的原理及新穎特征相一致的 最大范圍。
因此，僅根據(jù)上述權(quán)利要求書來(lái)限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1、一種具有至少一個(gè)輸入及至少一個(gè)輸出的跨導(dǎo)器，其包含差動(dòng)放大器，其具有多個(gè)晶體管及多個(gè)輸入，其中輸入信號(hào)的差被放大；柵地陰地電路，其具有多個(gè)晶體管，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管；及有效負(fù)載，其具有可操作地連接于所述柵地陰地電路與供應(yīng)電壓之間的多個(gè)晶體管。
2、 如權(quán)利要求1所述的具有至少一個(gè)輸入及至少一個(gè)輸出的跨導(dǎo)器，其進(jìn)一步 包含輔助裝置，其可操作地連接到所述差動(dòng)放大器及所述柵地陰地電路。
3、 如權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)器，其中所述差動(dòng)放大器包含使其源極連接在一起 的多個(gè)晶體管。
4、 如權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)器，其中所述柵地陰地電路包含連接成共用柵極配 置的多個(gè)晶體管。
5、 如權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)器，其中所述有效負(fù)載包含 多個(gè)晶體管；及反饋環(huán)路，其可操作地連接到所述多個(gè)晶體管。
6、 如權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)器，其中所述輔助裝置具有多個(gè)晶體管，其中所述 輔助裝置的所述多個(gè)晶體管中的至少兩者具有可操作地連接于所述差動(dòng)放大器與所述 柵地陰地電路之間的柵極，且其中所述輔助裝置的所述多個(gè)晶體管中的所述兩者可操 作地連接于所述有效負(fù)載與接地之間。
7、 如權(quán)利要求3所述的跨導(dǎo)器，其中所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管在強(qiáng)反 轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓。
8、 如權(quán)利要求3所述的跨導(dǎo)器，其中所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管包含使 其源極連接在一起的兩個(gè)輸入NMOS放大器。
9、 如權(quán)利要求4所述的跨導(dǎo)器，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管通過(guò)下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管中的至 少一個(gè)晶體管上。
10、 如權(quán)利要求4所述的跨導(dǎo)器，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管通過(guò) 下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電路的 所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管安裝為堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管 中的至少一個(gè)晶體管上的共用柵極晶體管，其中通過(guò)去耦合所述跨導(dǎo)器的輸入與輸出 來(lái)改善所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出之間的反向隔離。
11、 如權(quán)利要求4所述的跨導(dǎo)器，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管通過(guò) 下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電路的 所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管中的至 少一個(gè)晶體管上，由此所述柵地陰地電路感測(cè)主電流中因所述差動(dòng)放大器的所述晶體管而引起的非線性并將所述非線性前饋到所述輔助裝置。
12、 如權(quán)利要求4所述的跨導(dǎo)器，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管通過(guò) 下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電路的 所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管安裝為堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管 中的至少一個(gè)晶體管上的共用柵極晶體管，其中通過(guò)緩沖所述線性跨導(dǎo)器的輸入與輸 出之間的電流來(lái)改善所述線性跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出之間的反向隔離。
13、 如權(quán)利要求5所述的跨導(dǎo)器，其中所述有效負(fù)載的所述多個(gè)晶體管中的每一 者包含柵極、漏極及源極且其中所述反饋環(huán)路是共模反饋環(huán)路，其包含多個(gè)電阻器，其可操作地串聯(lián)連接于所述多個(gè)晶體管的所述漏極之間；及 運(yùn)算放大器，其具有輸出及多個(gè)輸入，其中所述輸出可操作地連接到所述多個(gè)晶 體管的所述柵極；且所述輸入中的至少一者可操作地連接于所述多個(gè)電阻器中的兩者之間。
14、 如權(quán)利要求6所述的跨導(dǎo)器，其中所述輔助裝置包含一對(duì)晶體管，所述對(duì)晶 體管在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓以消除所述非線性，其中所述輔助裝置響應(yīng)于所述非線性 而產(chǎn)生輔助電流；且通過(guò)將所述輔助電流與所述主電流相加來(lái)消除所述主電流中的非 線性分量，由此減少所述互調(diào)產(chǎn)物。
15、 如權(quán)利要求6所述的跨導(dǎo)器，其中所述差動(dòng)放大器包含在強(qiáng)反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏 壓且使其源極連接在一起的多個(gè)晶體管；其中所述柵地陰地電路包含連接成共用柵極配置的多個(gè)晶體管，且其中所述柵地 陰地電路的所述多個(gè)晶體管通過(guò)下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè) 晶體管將所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管堆疊在所述差動(dòng) 放大器的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管上，其中所述有效負(fù)載包含多個(gè)晶體管及可操作地連接到所述多個(gè)晶體管的反饋環(huán) 路，其中所述有效負(fù)載的所述多個(gè)晶體管中的每一者包含柵極、漏極及源極，且其中 所述反饋環(huán)路是共模反饋環(huán)路，其包含多個(gè)電阻器，所述多個(gè)電阻器可操作地串聯(lián) 連接于所述多個(gè)晶體管的所述漏極之間；及運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器具有輸出及 多個(gè)輸入，其中所述輸出可操作地連接到所述多個(gè)晶體管的所述柵極，且所述輸入中 的至少一者可操作地連接于所述多個(gè)電阻器中的兩者之間；且其中所述輔助裝置包含一對(duì)晶體管，所述對(duì)晶體管在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓以消除 所述非線性。
16、 一種減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其包含 接收輸入信號(hào)；放大輸入信號(hào)的差； 將輸入電壓轉(zhuǎn)換成電流； 感測(cè)主電流中的非線性； 前饋所述非線性；提供所述跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離；及 提供高輸出阻抗。
17、 如權(quán)利要求16所述的減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其進(jìn)一步包含以下步驟響應(yīng)于所述非線性而產(chǎn)生輔助電流；及 消除所述主電流中的非線性分量。
18、 如權(quán)利要求17所述的減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其中所述提供所述 跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的步驟包含去耦合所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述 輸出。
19、 如權(quán)利要求17所述的減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其中所述提供所述 跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的步驟包含緩沖所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸 出之間的電流。
20、 如權(quán)利要求17所述的減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其進(jìn)一步包含在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中施加偏壓以提供對(duì)所述非線性分量的消除的步驟。
21、 如權(quán)利要求17所述的減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其中所述提供高輸 出阻抗的步驟包含給有效負(fù)載施加偏壓。
22、 如權(quán)利要求17所述的減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其中所述消除所述 主電流中的非線性分量的步驟包含將所述輔助電流與所述主電流相加，由此減少所述 互調(diào)產(chǎn)物。
23、 如權(quán)利要求22所述的減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的方法，其中所述提供所述 跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的步驟包含通過(guò)緩沖所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所 述輸出之間的電流來(lái)去耦合所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出；其中所述提供高輸出阻抗的步驟包含給有效負(fù)載施加偏壓；且 進(jìn)一步包含在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中施加偏壓以提供對(duì)所述非線性分量的消除的步驟。
24、 一種用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其包含 用于接收輸入信號(hào)的裝置； 用于放大輸入信號(hào)的差的裝置； 用于將輸入電壓轉(zhuǎn)換成電流的裝置； 用于感測(cè)主電流中的非線性的裝置； 用于前饋所述非線性的裝置；用于提供所述線性跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的裝置；及 用于提供高輸出阻抗的裝置。
25、 如權(quán)利要求24所述的用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其進(jìn)一步包含 用于響應(yīng)于所述非線性而產(chǎn)生輔助電流的裝置；及 用于消除所述主電流中的非線性分量的裝置。
26、 如權(quán)利要求25所述的用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其中所述用于 提供所述線性跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的裝置包含用于去耦合所述線性跨 導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出的裝置。
27、 如權(quán)利要求25所述的用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其中所述用于 提供所述跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的裝置包含用于緩沖所述跨導(dǎo)器的所述 輸入與所述輸出之間的電流的裝置。
28、 如權(quán)利要求25所述的用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其進(jìn)一步包含 用于在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中施加偏壓以提供對(duì)所述非線性分量的消除的裝置。
29、 如權(quán)利要求25所述的用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其中所述用于 提供高輸出阻抗的裝置包含用于給有效負(fù)載施加偏壓的裝置。
30、 如權(quán)利要求25所述的用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其中所述用于 消除所述主電流中的非線性分量的裝置包含用于將所述輔助電流與所述主電流相加由 此減少互調(diào)產(chǎn)物的裝置。
31、 如權(quán)利要求30所述的用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào)產(chǎn)物的裝置，其中所述用于 提供所述跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的裝置包含用于通過(guò)緩沖所述跨導(dǎo)器的 所述輸入與所述輸出之間的電流來(lái)去耦合所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出的裝置，-其中所述用于提供高輸出阻抗的裝置包含用于給有效負(fù)載施加偏壓的裝置；且 進(jìn)一步包含用于在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中施加偏壓以提供對(duì)所述非線性分量的消除的裝置。
32、 一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其包含 計(jì)算機(jī)可讀媒體，其包含用于致使計(jì)算機(jī)減少互調(diào)產(chǎn)物的代碼，其包含用以執(zhí)行以下操作的指令接收輸入信號(hào)；放大輸入信號(hào)的差；將輸入電壓轉(zhuǎn)換成電流；感測(cè)主電流中的非線性；前饋所述非線性；提供所述跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離；及 提供高輸出阻抗。
33、 如權(quán)利要求32所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述用于減少跨導(dǎo)器中的互調(diào) 產(chǎn)物的代碼進(jìn)一步包含用以執(zhí)行以下操作的指令響應(yīng)于所述非線性而產(chǎn)生輔助電流；及 消除所述主電流中的非線性分量。
34、 如權(quán)利要求33所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述用以提供所述跨導(dǎo)器的輸 入與輸出之間的反向隔離的指令包含用以去耦合所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出的 指令。
35、 如權(quán)利要求33所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述用以提供所述跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離的指令包含用以緩沖所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出之間 的電流的指令。
36、 如權(quán)利要求33所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其進(jìn)一步包含用以在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中施 加偏壓以提供對(duì)所述非線性分量的消除的指令。
37、 如權(quán)利要求33所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述用以提供高輸出阻抗的指 令包含用以給有效負(fù)載施加偏壓的指令。
38、 如權(quán)利要求33所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述用以消除所述主電流中的 非線性分量的指令包含用以將所述輔助電流與所述主電流相加由此減少所述互調(diào)產(chǎn)物 的指令。
39、 如權(quán)利要求38所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述用以提供所述跨導(dǎo)器的輸 入與輸出之間的反向隔離的指令包含用以通過(guò)緩沖所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出 之間的電流來(lái)去耦合所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出的指令；其中所述用以提供高輸出阻抗的指令包含給有效負(fù)載施加偏壓；且 進(jìn)一步包含用以在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中施加偏壓以提供對(duì)所述非線性分量的消除的指令。
40、 一種接入終端，其包括 功率控制器；發(fā)射電路，其可操作地連接到所述功率控制器； 處理單元，其可操作地連接到所述發(fā)射電路； 存儲(chǔ)器，其可操作地連接到所述處理單元；及接收電路，其可操作地連接到所述處理單元，其中所述接收電路包含RF單元， 所述RF單元包含跨導(dǎo)器，其具有至少一個(gè)輸入及至少一個(gè)輸出，所述跨導(dǎo)器包含-差動(dòng)放大器，其具有多個(gè)晶體管及多個(gè)輸入，其中輸入信號(hào)的差被放大； 柵地陰地電路，其具有多個(gè)晶體管，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管 可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管；及有效負(fù)載，其具有可操作地連接于所述柵地陰地電路與供應(yīng)電壓之間的多個(gè)晶 體管。
41、 如權(quán)利要求40所述的具有至少一個(gè)輸入及至少一個(gè)輸出的接入終端，其進(jìn) 一步包含-輔助裝置，其可操作地連接到所述差動(dòng)放大器及所述柵地陰地電路。
42、 如權(quán)利要求41所述的接入終端，其中所述差動(dòng)放大器包含使其源極連接在 一起的多個(gè)晶體管。
43、 如權(quán)利要求41所述的接入終端，其中所述柵地陰地電路包含連接成共用柵 極配置的多個(gè)晶體管。
44、 如權(quán)利要求41所述的接入終端，其中所述有效負(fù)載包含 多個(gè)晶體管；及反饋環(huán)路，其可操作地連接到所述多個(gè)晶體管。
45、 如權(quán)利要求41所述的接入終端，其中所述輔助裝置具有多個(gè)晶體管，其中 所述輔助裝置的所述多個(gè)晶體管中的至少兩者具有可操作地連接于所述差動(dòng)放大器與 所述柵地陰地電路之間的柵極，且其中所述輔助裝置的所述多個(gè)晶體管中的所述兩者 可操作地連接于所述有效負(fù)載與接地之間。
46、 如權(quán)利要求42所述的接入終端，其中所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管在 強(qiáng)反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓。
47、 如權(quán)利要求42所述的接入終端，其中所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管包 含其源極連接在一起的兩個(gè)輸入NMOS放大器。
48、 如權(quán)利要求43所述的接入終端，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管 通過(guò)下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電 路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管中 的至少一個(gè)晶體管上。
49、 如權(quán)利要求43所述的接入終端，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管 通過(guò)下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電 路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管安裝為堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶 體管中的至少一個(gè)晶體管上的共用柵極晶體管，其中通過(guò)去耦合所述跨導(dǎo)器的輸入與 輸出來(lái)改善所述跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出之間的反向隔離。
50、 如權(quán)利要求43所述的接入終端，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管 通過(guò)下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管中 的至少一個(gè)晶體管上，由此所述柵地陰地電路感測(cè)主電流中因所述差動(dòng)放大器的所述晶體管而引起的非線性并將所述非線性前饋到所述輔助裝置。
51、 如權(quán)利要求43所述的接入終端，其中所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管 通過(guò)下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管將所述柵地陰地電 路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管安裝為堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶 體管中的至少一個(gè)晶體管上的共用柵極晶體管，其中通過(guò)緩沖所述線性跨導(dǎo)器的輸入 與輸出之間的電流來(lái)改善所述線性跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出之間的反向隔離。
52、 如權(quán)利要求44所述的接入終端，其中所述有效負(fù)載的所述多個(gè)晶體管中的每一者包含柵極、漏極及源極且其中所述反饋環(huán)路是共模反饋環(huán)路，其包含多個(gè)電阻器，其可操作地串聯(lián)連接于所述多個(gè)晶體管的所述漏極之間；及運(yùn)算放大器，其具有輸出及多個(gè)輸入，其中所述輸出可操作地連接到所述多個(gè)晶體管的所述柵極；且所述輸入中的至少一者可操作地連接于所述多個(gè)電阻器中的兩者 之間。
53、 如權(quán)利要求45所述的接入終端，其中所述輔助裝置包含一對(duì)晶體管，所述 對(duì)晶體管在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓以消除所述非線性，其中所述輔助裝置響應(yīng)于所述非 線性而產(chǎn)生輔助電流；且通過(guò)將所述輔助電流與所述主電流相加來(lái)消除所述主電流中 的非線性分量，由此減少所述互調(diào)產(chǎn)物。
54、 如權(quán)利要求45所述的接入終端，其中所述差動(dòng)放大器包含在強(qiáng)反轉(zhuǎn)區(qū)中受 到偏壓且使其源極連接在一起的多個(gè)晶體管；其中所述柵地陰地電路包含連接成共用柵極配置的多個(gè)晶體管，且其中所述柵地 陰地電路的所述多個(gè)晶體管通過(guò)下述方式可操作地連接到所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè) 晶體管將所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管上，其中所述有效負(fù)載包含多個(gè)晶體管及可操作地連接到所述多個(gè)晶體管的反饋環(huán) 路，其中所述有效負(fù)載的所述多個(gè)晶體管中的每一者包含柵極、漏極及源極，且其中 所述反饋環(huán)路是共模反饋環(huán)路，其包含多個(gè)電阻器，所述多個(gè)電阻器可操作地串聯(lián) 連接于所述多個(gè)晶體管的所述漏極之間；及運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器具有輸出及 多個(gè)輸入，其中所述輸出可操作地連接到所述多個(gè)晶體管的所述柵極，且所述輸入中的至少一者可操作地連接于所述多個(gè)電阻器中的兩者之間；且其中所述輔助裝置包含一對(duì)晶體管，所述對(duì)晶體管在弱反轉(zhuǎn)區(qū)中受到偏壓以消除 所述非線性。
全文摘要
本發(fā)明申請(qǐng)案包含一種具有至少一個(gè)輸入及至少一個(gè)輸出的線性跨導(dǎo)器，其包含具有多個(gè)晶體管及多個(gè)輸入的差動(dòng)放大器，其中輸入信號(hào)的差被放大；具有多個(gè)晶體管的柵地陰地電路，其中所述晶體管可操作地連接到所述差動(dòng)放大器，其中通過(guò)下述方式來(lái)改善所述線性跨導(dǎo)器的輸入與輸出之間的反向隔離通過(guò)將所述柵地陰地電路的所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管安裝為堆疊在所述差動(dòng)放大器的所述至少一個(gè)晶體管上的共用柵極來(lái)去耦合所述線性跨導(dǎo)器的所述輸入與所述輸出；有效負(fù)載，其具有可操作地連接于所述柵地陰地電路與供應(yīng)電壓之間的多個(gè)晶體管；及輔助裝置，其可操作地連接到所述有效負(fù)載、所述柵地陰地裝置與接地之間的連接。
文檔編號(hào)H03F1/32GK101641862SQ200880008597
公開日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2008年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月19日
發(fā)明者哈里什·穆塔里, 肯尼斯·查爾斯·巴尼特 申請(qǐng)人:高通股份有限公司