專利名稱：壓電振動器的制造方法、壓電振動器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在接合的兩個(gè)基板之間所形成的空腔內(nèi)密封了壓電振動片的表面安裝型(SMD)的壓電振動器的制造方法、以及用該制造方法來制造的壓電振動器、具有該壓電振動器的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。
背景技術(shù)：
近年來，在便攜電話或便攜信息終端設(shè)備上，采用利用了水晶(石英)等作為時(shí)刻源或控制信號等的定時(shí)源、參考信號源等的壓電振動器。已知多種多樣的這種壓電振動器， 但作為其中之一，眾所周知表面安裝型的壓電振動器。作為其中主要的壓電振動器，已知一般以由基底基板和蓋基板上下夾持形成有壓電振動片的壓電基板的方式進(jìn)行接合的3層構(gòu)造型。這時(shí)，壓電振動片被收容于在基底基板和蓋基板之間形成的空腔(密閉室)內(nèi)。此外，在近年，不僅開發(fā)了上述的3層構(gòu)造型，而且還開發(fā)了 2層構(gòu)造型。這種類型的壓電振動器由于基底基板和蓋基板直接接合而成為2層構(gòu)造，在兩基板之間形成的空腔內(nèi)收容有壓電振動片。該2層構(gòu)造型的壓電振動器與3層構(gòu)造的壓電振動器相比在可實(shí)現(xiàn)薄型化等的方面優(yōu)越，因而適于使用。作為這種壓電振動器，如下述專利文獻(xiàn)1所示，已知這樣的結(jié)構(gòu)在用玻璃或陶瓷構(gòu)成的基板(基底基板)設(shè)置貫通孔，在貫通孔的內(nèi)表面及貫通孔的周圍上下表面或者其任意部分形成布線用金屬，在該貫通孔熔敷合金而作為氣密端子，設(shè)置(set)在基板面上的水晶片(壓電振動片)與氣密端子部的合金直接電連接或者經(jīng)由基板面上的布線用金屬而電連接。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠從壓電振動器的外部，經(jīng)由氣密端子，也就是說經(jīng)由以貫通基板的方式形成的電極即貫通電極而對壓電振動片施加既定的驅(qū)動電壓。此外，在該壓電振動器中，所述基板和對該基板設(shè)置的蓋(蓋基板)，通過形成在蓋的陽極接合用的金屬膜而陽極接合。作為這樣陽極接合基板和蓋的實(shí)施方式的一個(gè)例子，已知例如將以夾入金屬膜的方式疊合的基板及蓋置于陽極接合裝置的電極板上，并對金屬膜與電極板之間施加既定的接合電壓的方法。依據(jù)該方法，可在金屬膜與基板的界面上產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)，其結(jié)果，金屬膜和基板互相牢固地密合而陽極接合基板與蓋?？墒?，壓電振動器一般要求抑制等效電阻值(有效電阻值，Re)為低值。等效電阻值低的壓電振動器可以用低電力來使壓電振動片振動，因此成為能量效率良好的高質(zhì)量的壓電振動器。再者，通常知道等效電阻值在密封有壓電振動片的空腔內(nèi)越接近真空，也就是說空腔內(nèi)的真空度越高就被抑制得越低。專利文獻(xiàn)1 日本特開平6-283951號公報(bào)但是，上述現(xiàn)有的壓電振動器及其制造方法還留下以下課題。首先，一般用光刻法來形成陽極接合用的接合膜，但是實(shí)施該光刻所需的裝置是高價(jià)的，因此存在通過陽極接合來接合基底基板和蓋基板時(shí)費(fèi)用多的問題。其次，在用陽極接合來接合基底基板及蓋基板時(shí)，在陽極接合的過程中接合膜與基板的界面產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)之際，會產(chǎn)生以氧為主的反應(yīng)氣體。因而，存在這樣的問題該反應(yīng)氣體因接合而被密封于空腔內(nèi)，從而降低空腔內(nèi)的真空度，因此會影響壓電振動器的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述狀況而構(gòu)思，其目的在于提供能以低成本且抑制了空腔內(nèi)的真空度下降的高質(zhì)量的2層構(gòu)造式表面安裝型的壓電振動器、以及該壓電振動器的制造方法。 此外，還提供具有該壓電振動器的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。本發(fā)明為了解決上述課題并達(dá)到相關(guān)目的而提供以下方案。(1)本發(fā)明的壓電振動器的制造方法，制造包括以下部分的壓電振動器第一基板和第二基板以在該第一基板和第二基板之間形成空腔的方式疊合而構(gòu)成的封裝件 (package)；形成在所述第一基板的外表面的外部電極；以被收容于所述空腔內(nèi)的方式形成在所述第一基板的內(nèi)部電極；以電連接所述外部電極與所述內(nèi)部電極的方式貫通所述第一基板而形成的貫通電極；以及密封于所述空腔內(nèi)并且在所述空腔內(nèi)與所述內(nèi)部電極電連接的壓電振動片，所述壓電振動器的制造方法，其中包括接合膜形成工序，在所述第一基板和所述第二基板的至少一個(gè)基板上，用低熔點(diǎn)玻璃形成接合兩基板的接合膜；裝配工序， 對形成在所述第一基板的所述內(nèi)部電極電連接所述壓電振動片；投入工序，所述接合膜形成工序及所述裝配工序后，將所述第一基板及所述第二基板投入到能控制內(nèi)部的壓力的真空室；加熱工序，在所述接合膜形成工序及所述裝配工序后，加熱所述接合膜；減壓工序， 在所述投入工序后，將所述真空室的內(nèi)部減壓；以及接合工序，在所述加熱工序及所述減壓工序后在所述真空室的內(nèi)部，一邊將所述接合膜加熱到既定的接合溫度，一邊以夾入所述接合膜的方式疊合所述第一基板和所述第二基板，并通過所述接合膜來接合兩基板，在進(jìn)行所述加熱工序之際，將所述接合膜加熱到比所述接合溫度高的溫度。依據(jù)上述制造方法，在接合膜形成工序中，用低熔點(diǎn)玻璃形成接合膜。因此，能夠用例如網(wǎng)版印刷等來形成接合膜，并且在形成接合膜的過程中不需要在現(xiàn)有技術(shù)中使用的光刻所需要的高價(jià)的裝置，因此能以低成本制造壓電振動器。此外，通常低熔點(diǎn)玻璃內(nèi)含有有機(jī)物和水分等，因此通過加熱接合膜，接合膜內(nèi)的有機(jī)物和水分等以逸氣(outgas)的方式被釋放到外部。在此，在加熱工序中將接合膜加熱到比接合溫度高的溫度，因此能夠在加熱工序中預(yù)先釋放接合膜被加熱到接合溫度時(shí)能從接合膜被釋放的逸氣。因而，能夠在加熱工序后實(shí)施的接合工序中將在將接合膜加熱到接合溫度時(shí)從接合膜釋放的逸氣抑制為極其微量。經(jīng)以上工序，通過從接合膜釋放出的逸氣能夠抑制空腔內(nèi)的真空度下降，并能制造高質(zhì)量的壓電振動器。此外，在加熱工序后實(shí)施減壓工序的情況下，即便在投入工序后實(shí)施加熱工序從而逸氣被釋放到真空室內(nèi)，也能從真空室的內(nèi)部除去該逸氣，并能可靠地發(fā)揮上述的作用效果。(2)在進(jìn)行所述裝配工序之際，用金凸點(diǎn)(bump)來將所述壓電振動片凸點(diǎn)接合到所述內(nèi)部電極也可。
這時(shí)，壓電振動片和內(nèi)部電極用金凸點(diǎn)來凸點(diǎn)接合，因此能夠使兩者之間可靠地導(dǎo)通，并能制造更高質(zhì)量的壓電振動器。而且，與一直以來用于壓電振動片的裝配的導(dǎo)電粘接劑等相比，金的熔點(diǎn)較高，因此在接合工序中將接合膜加熱到接合溫度，以及在加熱工序中將接合膜加熱到比接合溫度高的溫度的情況下，也可以不受該加熱的影響而將壓電振動片可靠地支撐，能制造更進(jìn)一步高質(zhì)量的壓電振動器。(3)所述接合溫 度為300°C以上也可。這時(shí)，所述接合溫度為300°C以上，因此在將利用該制造方法制造的壓電振動器作為一個(gè)部件安裝到其它制品之際，例如采用回流(reflow)方式等而伴隨著加熱的情況下， 也能抑制產(chǎn)生逸氣。由此，能夠可靠地抑制在安裝壓電振動器時(shí)的壓電振動器的質(zhì)量下降。(4)本發(fā)明的壓電振動器，其中包括第一基板和第二基板以在該第一基板和第二基板之間形成空腔的方式疊合而構(gòu)成的封裝件；形成在所述第一基板的外表面的外部電極；以被收容所述空腔內(nèi)的方式形成在所述第一基板的內(nèi)部電極；以電連接所述外部電極與所述內(nèi)部電極的方式貫通所述第一基板而形成的貫通電極；以及密封到所述空腔內(nèi)并且在所述空腔內(nèi)與所述內(nèi)部電極電連接的壓電振動片，所述第一基板和所述第二基板通過由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的接合膜來接合；所述接合膜在接合所述第一基板與所述第二基板之際被加熱到既定的接合溫度，并且在所述接合之前被加熱到比所述接合溫度高的溫度而形成。依據(jù)上述壓電振動器，由于接合膜由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成，所以在形成接合膜的過程中不使用光刻所需要的高價(jià)的裝置而能夠制造，能以低成本制造。此外，接合膜在接合第一基板和第二基板之前被加熱到比接合溫度高的溫度，因此能夠預(yù)先釋放接合膜被加熱到接合溫度時(shí)能從接合膜被釋放的逸氣。因而，能夠抑制在接合兩基板時(shí)從接合膜釋放出逸氣， 并且能夠抑制空腔內(nèi)的真空度下降，能作成高質(zhì)量的壓電振動器。(5)所述壓電振動片用金凸點(diǎn)來凸點(diǎn)接合到所述內(nèi)部電極也可。這時(shí)，壓電振動片和內(nèi)部電極利用金凸點(diǎn)來凸點(diǎn)接合，因此能夠使兩者之間可靠地導(dǎo)通，并能作成更高質(zhì)量的壓電振動器。而且，與一直以來在壓電振動片的裝配上使用的導(dǎo)電粘接劑等相比，金的熔點(diǎn)高，因此在加熱接合膜的情況下，也不受該加熱導(dǎo)致的影響而能支撐壓電振動片，能夠作成更進(jìn)一步高質(zhì)量的壓電振動器。(6)此外，本發(fā)明的振蕩器，使上述⑷或(5)所述的壓電振動器，作為振子與集成電路電連接。(7)此外，本發(fā)明的電子設(shè)備，使上述⑷或(5)所述的壓電振動器，與計(jì)時(shí)部電連接。(8)此外，本發(fā)明的電波鐘，使上述⑷或(5)所述的壓電振動器，與濾波部電連接。依據(jù)上述振蕩器、電波鐘及電子設(shè)備，由于具備低成本且高質(zhì)量的壓電振動器，所以能夠謀求低成本化及高質(zhì)量化。(發(fā)明效果)依據(jù)本發(fā)明的壓電振動器的制造方法，能以低成本制造抑制了空腔內(nèi)的真空度下降的高質(zhì)量的壓電振動器。此外，依據(jù)本發(fā)明的壓電振動器，能謀求低成本化及高質(zhì)量化。此外，依據(jù)具有該壓電振動器的振蕩器、電子設(shè)備、電波鐘，能謀求低成本化及高質(zhì)量化。


圖1是表示本發(fā)明的壓電振動器的一實(shí)施方式的外觀斜視圖。圖2是圖1所示的壓電振動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，并且是在拆下蓋基板的狀態(tài)下俯視壓電振動片的圖。圖3是沿著圖2所示A-A線的壓電振動器的剖視圖。圖4是圖1所示的壓電振動器的分解斜視圖。圖5是構(gòu)成圖1所示的壓電振動器的壓電振動片的俯視圖。圖6是圖5所示的壓電振動片的仰視圖。圖7是圖5所示的剖面向視A-A圖。圖8是制造圖1所示的壓電振動器時(shí)的流程的流程圖。圖9是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是表示在成為蓋基板的本原的蓋基板用圓片(wafer)形成多個(gè)凹部的狀態(tài)的圖。圖10是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是表示在基底基板用圓片的上表面對接合膜及迂回電極進(jìn)行構(gòu)圖的狀態(tài)的圖。圖11是圖10所示的狀態(tài)的基底基板用圓片的整體圖。圖12是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是表示向真空室內(nèi)投入基底基板用圓片及蓋基板用圓片的狀態(tài)的圖。圖13是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是表示在真空室內(nèi)接合基底基板用圓片及蓋基板用圓片的狀態(tài)的圖。圖14是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是在空腔內(nèi)收容壓電振動片的狀態(tài)下接合基底基板用圓片和蓋基板用圓片的圓片體的分解斜視圖。圖15是表示本發(fā)明的振蕩器的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖16是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖17是表示本發(fā)明的電波鐘的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。(標(biāo)號說明)1壓電振動器；2基底基板(第一基板)；3蓋基板(第二基板)；4壓電振動片；5 封裝件；32、33貫通電極；35接合膜；36、37迂回電極(內(nèi)部電極)；38、39外部電極；40基底基板用圓片(第一基板)；50蓋基板用圓片(第二基板)；100振蕩器；101振蕩器的集成電路；110便攜信息設(shè)備(電子設(shè)備)；113電子設(shè)備的計(jì)時(shí)部；130電波鐘；131電波鐘的濾波部；B金凸點(diǎn)；C空腔；T接合溫度；V真空室。
具體實(shí)施例方式(壓電振動器)以下，參照附圖，對本發(fā)明的壓電振動器的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式的壓電振動器1中，如圖1至圖4所示，構(gòu)成用基底基板(第一基板)2和蓋基板(第二基板)3來層疊2層的箱狀的封裝件5。而且，該壓電振動器1是在封裝件5內(nèi)部的空腔C內(nèi)收納了壓電振動片4的表面安裝型的壓電振動器此外，在圖4中為了便于觀看附圖而省略了后述的激振電極15、引出電極19、20、 裝配電極16、17及重錘金屬膜21的圖示。如圖5至圖7所示，壓電振動片4是由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等的壓電材料形成的音叉型振動片，在被施加既定電壓時(shí)振動。該壓電振動片4具有平行配置的一對振動腕部10、11 ；將一對振動腕部10、11的基端側(cè)固定成一體的基部12 ；形成在一對振動腕部10、11的外表面上并使一對振動腕部 IOUl振動的由第一激振電極13和第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15 ；以及與第一激振電極13及第二激振電極14電連接的裝配電極16、17。此外，本實(shí)施方式的壓電振動片4具備在一對振動腕部10、11的兩主表面上沿著振動腕部10、11的長邊方向分別形成的溝部18。該溝部18從振動腕部10、11的基端一側(cè)形成至大致中間附近。由第一激振電極13和第二激振電極14構(gòu)成的一對激振電極15，是使一對振動腕部10、11以既定的諧振頻率在彼此接近或分離的方向上振動的電極，在一對振動腕部10、 11的外表面，以分別電性切斷的狀態(tài)構(gòu)圖而形成。具體而言，如圖7所示，第一激振電極13 主要形成在一個(gè)振動腕部10的溝部18上和另一振動腕部11的兩側(cè)面上，第二激振電極14 主要形成在一個(gè)振動腕部10的兩側(cè)面上和另一振動腕部11的溝部18上。此外，如圖5及圖6所示，在基部12的兩主表面上，第一激振電極13及第二激振電極14分別經(jīng)由引出電極19、20而與裝配電極16、17電連接。而且壓電振動片4成為經(jīng)由該裝配電極16、17而被施加電壓。此外，上述的激振電極15、裝配電極16、17及引出電極19、20，例如由鉻(Cr)、鎳 (Ni)、鋁(Al)或鈦(Ti)等的導(dǎo)電膜的覆膜來形成。此外，在一對振動腕部10、11的前端覆蓋了用于進(jìn)行調(diào)整(頻率調(diào)整)的重錘金屬膜21，以使本身的振動狀態(tài)在既定頻率的范圍內(nèi)振動。再者，該重錘金屬膜21分為在粗調(diào)頻率時(shí)使用的粗調(diào)膜21a和在微調(diào)時(shí)使用的微調(diào)膜21b。利用這些粗調(diào)膜21a及微調(diào)膜 21b進(jìn)行頻率調(diào)整，從而能夠使一對振動腕部10、11的頻率落在器件的標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)。這樣構(gòu)成的壓電振動片4，如圖3及圖4所示，利用金凸點(diǎn)B，凸點(diǎn)接合至基底基板 2的上表面。更具體地說，以在基底基板2的上表面構(gòu)圖的后面描述的迂回電極(內(nèi)部電極)36、37上所形成的兩個(gè)金凸點(diǎn)B上分別接觸的狀態(tài)凸點(diǎn)接合一對裝配電極16、17。由此，壓電振動片4以從基底基板2的上表面浮起的狀態(tài)被支撐，并且成為分別電連接裝配電極16、17和迂回電極36、37的狀態(tài)。上述蓋基板3是用玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣基板，如圖1、圖3及圖4所示，形成為板狀。并且，在接合基底基板2的接合面一側(cè)，形成有收容壓電振動片4 的矩形狀的凹部3a。該凹部3a是疊合兩基板2、3時(shí)成為收容壓電振動片4的空腔C的空腔用的凹部。而且，蓋基板3以使該凹部3a與基底基板2 —側(cè)對置的狀態(tài)與該基底基板2 陽極接合。上述基底基板2是用與蓋基板3相同的玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣基板，如圖1至圖4所示，以能對蓋基板3疊合的大小形成為板狀?；谆?形成有貫通該基底基板2的一對貫通孔(through hole)30、31。這時(shí)，一對貫通孔30、31形成為被收容于腔C內(nèi)。更詳細(xì)地說，本實(shí)施方式的貫通孔30、31形成為使一個(gè)貫通孔30位于所裝配的壓電振動片4的基部12 —側(cè)，并使另一貫通孔31位于振動腕部10、11的前端側(cè)。此外，在本實(shí)施方式中，雖然舉例說明了筆直地貫通基底基板2的筆直形狀的貫通孔，但是并不限于該情況，也可以為朝著基底基板2的下表面其直徑逐漸縮小的截面錐狀的貫通孔。不管怎樣，只要貫通基底基板2即可。而且，在這些一對貫通孔30、31，形成有以埋入貫通孔30、31的方式形成的一對貫通電極32、33。這些貫通電極32、33例如用Ag膏等的導(dǎo)電材料構(gòu)成。在基底基板2的上表面?zhèn)?接合蓋基板3的接合面?zhèn)?，如圖1至圖4所示，利用導(dǎo)電材料(例如，鋁)，以在空腔C內(nèi)收容一對迂回電極36、37的方式進(jìn)行構(gòu)圖。一對迂回電極36、37構(gòu)圖成為使一對貫通電極32、33之中，一個(gè)貫通電極32與壓電振動片4的一個(gè)裝配電極16電連接，并且使另一貫通電極33與壓電振動片4的另一裝配電極17電連接。更詳細(xì)地說，一個(gè)迂回電極36形成在一個(gè)貫通電極32的正上方，以位于壓電振動片4的基部12的正下方。此外，另一迂回電極37形成為從與一個(gè)迂回電極36鄰接的位置沿著振動腕部10、11迂回到振動腕部10、11的前端側(cè)后，位于另一貫通電極33的正上方。而且，在這些一對迂回電極36、37上分別形成有金凸點(diǎn)B，利用該金凸點(diǎn)B裝配壓電振動片4。由此，壓電振動片4的一個(gè)裝配電極16成為經(jīng)由一個(gè)迂回電極36而與一個(gè)貫通電極32導(dǎo)通，另一裝配電極17成為經(jīng)由另一迂回電極37而與另一貫通電極33導(dǎo)通。此外，在基底基板2的下表面，如圖1、圖3及圖4所示，形成有與一對貫通電極32、 33分別電連接的外部電極38、39。即，一個(gè)外部電極38經(jīng)由一個(gè)貫通電極32及一個(gè)迂回電極36而與壓電振動片4的第一激振電極13電連接。此外，另一外部電極39經(jīng)由另一貫通電極33及另一迂回電極37而與壓電振動片4的第二激振電極14電連接。而且，在本實(shí)施方式中，如圖1至圖4所示，基底基板2和蓋基板3通過由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的接合膜35來接合。在圖示的例中，接合膜35形成在基底基板2的上表面?zhèn)?，而且，以包圍形成在蓋基板3的凹部3a周圍的方式沿著基底基板2的周邊形成。此外，在本實(shí)施方式中，接合膜35在接合基底基板2與蓋基板3之際被加熱到既定的接合溫度T，并且在所述接合之前被加熱到比接合溫度T高的溫度而形成。對于這一點(diǎn)，在說明制造方法時(shí)進(jìn)行詳述。在使這樣構(gòu)成的壓電振動器1動作時(shí)，對形成在基底基板2的外部電極38、39施加既定的驅(qū)動電壓。由此，能夠使電流在壓電振動片4的由第一激振電極13及第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15中流過，并能使一對振動腕部10、11以既定頻率沿著接近/分離的方向振動。再者，利用該一對振動腕部10、11的振動，能夠用作時(shí)刻源、控制信號的定時(shí)源或參考信號源等。(壓電振動器的制造方法)接著，參照圖8所示的流程圖，下面對利用基底基板用圓片40和蓋基板用圓片50， 一次性制造多個(gè)上述壓電振動器1的制造方法進(jìn)行說明。此外，本發(fā)明的壓電振動器的制造方法，并不限于以下說明的利用蓋基板用圓片50、基底基板用圓片40的情況，例如使用預(yù)先將尺寸與壓電振動器1的基底基板2及蓋基板3的外形對齊的芯片狀的部件，一次僅制造一個(gè)也可。
首先，進(jìn)行壓電振動片制作工序而制作圖5至圖7所示的壓電振動片4(S10)。此夕卜，在制作壓電振動片4之后，先進(jìn)行諧振頻率的粗調(diào)。這是通過對重錘金屬膜21的粗調(diào)膜21a照射激光而使一部分蒸發(fā)，從而改變重量來進(jìn)行。此外，關(guān)于更高精度地調(diào)整諧振頻率的微調(diào)，是在裝配后進(jìn)行的。對此將在后面進(jìn)行說明。接著，在與上述工序同時(shí)或在前后的定時(shí)，進(jìn)行將在后面成為蓋基板3的蓋基板用圓片50制作到剛要進(jìn)行接合之前的狀態(tài)的第一圓片制作工序(S20)。首先，形成將堿石灰玻璃研磨加工至既定的厚度并加以清洗后，如圖9所示，利用蝕刻等來除去最表面的加工變質(zhì)層的圓板狀的蓋基板用圓片50(S21)。其次，進(jìn)行在蓋基板用圓片50的接合面利用蝕刻等來沿行列方向形成多個(gè)空腔用的凹部3a的凹部形成工序(S22)。在該時(shí)刻，結(jié)束第一圓片制作工序。接著，在與上述工序同時(shí)或在前后的定時(shí)，進(jìn)行將在后面成為基底基板2的基底基板用圓片40制作到剛要進(jìn)行接合之前的狀態(tài)的第二圓片制作工序(S30)。首先，形成將堿石灰玻璃研磨加工到既定的厚度并加以清洗后，利用蝕刻等來除去最表面的加工變質(zhì)層的圓板狀的基底基板用圓片40(S31)。接著，進(jìn)行在基底基板用圓片40形成多個(gè)一對貫通電極32、33的貫 通電極形成工序(S32)。接著，如圖10所示，進(jìn)行在基底基板用圓片40的上表面上用低熔點(diǎn)玻璃形成接合膜35的接合膜形成工序(S33)。這時(shí)，例如用網(wǎng)版印刷等來將在常溫下凝膠狀的低熔點(diǎn)玻璃印刷到基底基板用圓片40的上表面之后，經(jīng)燒結(jié)而使之燒固，并逐漸冷卻到常溫，從而形成接合膜35。接著，如圖10及圖11所示，進(jìn)行在基底基板用圓片40的上表面對導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖，形成多個(gè)與各一對貫通電極32、33分別電連接的迂回電極36、37的迂回電極形成工序(S34)。此外，在圖11中為了便于觀看附圖而省略了接合膜35的圖示。在該時(shí)刻，結(jié)束第二圓片制作工序。可是，圖8中工序順序?yàn)樵谶M(jìn)行接合膜形成工序(S33)之后，進(jìn)行迂回電極形成工序(S34)，但與之相反地，在迂回電極形成工序(S34)之后，進(jìn)行接合膜形成工序(S33)也可。無論是何種工序順序，都能得到相同的作用效果。因而，根據(jù)需要適宜變更工序順序也可。接著，進(jìn)行將所制作的多個(gè)壓電振動片4分別經(jīng)由迂回電極36、37接合到基底基板用圓片40的上表面的裝配工序(S40)。這時(shí)首先，在一對迂回電極36、37上分別形成金凸點(diǎn)B。而且，在金凸點(diǎn)B上(二承載壓電振動片4的基部12后，一邊將金凸點(diǎn)B加熱到既定溫度，一邊將壓電振動片4按壓到金凸點(diǎn)B。由此，壓電振動片4成為被機(jī)械支撐于金凸點(diǎn) B，并且電連接裝配電極16、17和迂回電極36、37的狀態(tài)。因而，該時(shí)刻壓電振動片4的一對激振電極15成為與一對貫通電極32、33分別導(dǎo)通的狀態(tài)。特別是，壓電振動片4被凸點(diǎn)接合，因此以從基底基板用圓片40的上表面浮起的狀態(tài)被支撐。接著，如圖12所示，進(jìn)行將蓋基板用圓片50及基底基板用圓片40投入到能控制內(nèi)部的壓力的真空室V的投入工序(S45)。接著，進(jìn)行將接合膜35加熱到比接合溫度T高的溫度的加熱工序(S50)。在此，接合溫度T是指在后述的接合工序(S70)中加熱接合膜35的溫度，在本實(shí)施方式中接合溫度T為300°C。也就是說，在加熱工序中，將接合膜35以一定時(shí)間在比300°C高的溫度中進(jìn)行加熱。此外，加熱接合膜35的情況，不限于單純只加熱接合膜35的情況，還包含與形成有接合膜35的基底基板用圓片40 —起加熱接合膜35的情況等。
此外，在本實(shí)施方式中，在真空室V中，具備對置地設(shè)置并且能夠互相接近及分離的未圖示的一對圓片把持單元。而且，在將蓋基板用圓片50及基底基板用圓片40投入到真空室V之際，如圖12所示，以使各圓片40、50的上表面對置且使兩圓片40、50分離的狀態(tài)，在各圓片把持單元設(shè)置各圓片40、50。這時(shí)，例如以未圖示的基準(zhǔn)標(biāo)記等為標(biāo)志對準(zhǔn)的狀態(tài)將各圓片40、50設(shè)置在圓片把持單元也可。在此，通常，在低熔點(diǎn)玻璃內(nèi)含有有機(jī)物和水分等，因此通過加熱接合膜35，接合膜35內(nèi)的有機(jī)物和水分等以逸氣的方式被釋放到外部。在該加熱工序中，將接合膜35加熱到比接合溫度T更高的溫度，能夠預(yù)先釋放在接合膜35被加熱到接合溫度T時(shí)從接合膜 35釋放的逸氣。接著，進(jìn)行將真空室V的內(nèi)部減壓的減壓工序(S60)。在本實(shí)施方式中，在真空室 V設(shè)有能控制真空室V內(nèi)部的壓力的真空泵VI，利用該真空泵Vl使真空室V的內(nèi)部減壓。 由此，在加熱工序中被釋放出的逸氣，從真空室V的內(nèi)部清除。接著，如圖13所示，在減壓工序后進(jìn)行在真空室V的內(nèi)部通過接合膜35而接合蓋基板用圓片50及基底基板用圓片40的接合工序(S70)。這時(shí)，在本實(shí)施方式中，通過將接合膜35加熱到接合溫度T的300°C，并且使所述圓片把持單元互相接近，以夾持接合膜35 的方式疊合蓋基板用圓片50和基底基板用圓片40來進(jìn)行。而且，通過所述圓片把持單元， 以使兩圓片40、50彼此夾持接合膜35的方式一邊對兩圓片40、50進(jìn)行加壓一邊進(jìn)行接合。 而且，為了使兩圓片40、50可靠地接合，將接合膜35的接合溫度T下的加熱及兩圓片40、50 的加壓維持一定時(shí)間。由此，如圖14所示，兩圓片40、50被接合，并且能夠?qū)⒀b配到基底基板用圓片40 的壓電振動片4密封于形成在兩圓片40、50之間的空腔C內(nèi)，并能得到基底基板用圓片40 和蓋基板用圓片50接合的圓片體60。此外，所述一定時(shí)間可根據(jù)接合溫度T、對兩圓片40、 50加壓的力、及作為接合膜35使用的低熔點(diǎn)玻璃的應(yīng)變點(diǎn)等來適宜變更。此外，在圖14中為了便于觀看附圖而示出分解圓片體60的狀態(tài)，而且省略了基底基板用圓片40中的接合膜35的圖示。此外，圖14所示的虛線M示出在后面進(jìn)行的切斷工序中切斷的切斷線。接著，進(jìn)行從真空室V取出圓片體60，在基底基板用圓片40的下表面上對導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖而形成多個(gè)與一對貫通電極32、33分別電連接的一對外部電極38、39的外部電極形成工序(S80)。通過該工序，能夠利用外部電極38、39使密封于空腔C內(nèi)的壓電振動片 4動作。接著，在圓片體60的狀態(tài)下，進(jìn)行微調(diào)密封于空腔C內(nèi)的各個(gè)壓電振動器1的頻率而使之落入既定范圍內(nèi)的微調(diào)工序(S90)。具體說明，則對于一對外部電極38、39施加電壓而使壓電振動片4振動。然后，一邊測量頻率一邊通過蓋基板用圓片50而從外部照射激光，使重錘金屬膜21的微調(diào)膜21b蒸發(fā)。由此，一對振動腕部10、11的前端側(cè)的重量發(fā)生變化，因此能夠?qū)弘娬駝悠?的頻率進(jìn)行微調(diào)，以使該頻率落入標(biāo)稱頻率的既定范圍內(nèi)。在頻率的微調(diào)結(jié)束后，進(jìn)行沿著圖14所示的切斷線M切斷已接合的圓片體60而進(jìn)行小片化的切斷工序(Sioo)。其結(jié)果是，能夠一次性制造多個(gè)在互相陽極接合的基底基板2與蓋基板3之間所形成的空腔C內(nèi)密封了壓電振動片4的圖1所示的2層構(gòu)造式表面安裝型的壓電振動器1。 再者，在進(jìn)行切斷工序(S100)而小片化為各個(gè)壓電振動器1后，進(jìn)行微調(diào)工序 (S90)的工序順序也可。但是，如上所述，通過先進(jìn)行微調(diào)工序(S90)，能在圓片體60的狀態(tài)下進(jìn)行微調(diào)，因此能更加有效率地微調(diào)多個(gè)壓電振動器1。因而，能夠提高生產(chǎn)率，因此是優(yōu)選的。其后，進(jìn)行內(nèi)部的電特性檢查(SllO)。即，測定壓電振動片4的諧振頻率、諧振電阻值、驅(qū)動電平特性(諧振頻率及諧振電阻值的激振電力依賴性)等并加以核對。此外，將絕緣電阻特性等一并核對。而且，最后進(jìn)行壓電振動器1的外觀檢查，對尺寸或質(zhì)量等進(jìn)行最終核對。由此結(jié)束壓電振動器1的制造。如以上所述，在本實(shí)施方式的壓電振動器的制造方法中，在接合膜形成工序中，用低熔點(diǎn)玻璃來形成接合膜35。因此，如上述那樣可以用例如網(wǎng)版印刷等來形成接合膜35， 在形成接合膜35的過程中不需要現(xiàn)有技術(shù)中使用的光刻所需要的高價(jià)的裝置，因此能以低成本制造壓電振動器1。此外，在減壓工序后真空室V的內(nèi)部實(shí)施接合工序，也就是說在加熱工序后實(shí)施接合工序。因而，能夠抑制在接合工序中將接合膜35加熱到接合溫度時(shí)從接合膜35釋放出的逸氣為極其微量，因此能夠抑制因從接合膜35釋放出的逸氣而降低空腔C內(nèi)的真空度， 能夠制造高質(zhì)量的壓電振動器1。此外，壓電振動片4和迂回電極36、37利用金凸點(diǎn)B來凸點(diǎn)接合，因此使兩者之間可靠地導(dǎo)通，能夠制造更高質(zhì)量的壓電振動器1。而且，與一直以來用于壓電振動片4的裝配的導(dǎo)電粘接劑等相比，金的熔點(diǎn)高，因此在接合工序中將接合膜35加熱到接合溫度T時(shí)， 以及在加熱工序中將接合膜35加熱到比接合溫度T更高的溫度時(shí)，也不會受到該加熱導(dǎo)致的影響而能夠可靠地支撐壓電振動片4，能夠制造更進(jìn)一步高質(zhì)量的壓電振動器1。此外，由于接合工序中的接合溫度T為300°C以上，因此將利用該制造方法來制造的壓電振動器1作為一個(gè)部件安裝到其它制品之際，例如采用回流方式等而伴隨著加熱的情況下，也能抑制發(fā)生逸氣。由此，能夠可靠地抑制在安裝壓電振動器1時(shí)壓電振動器1的質(zhì)量下降。(振蕩器)接著，參照圖15，對本發(fā)明的振蕩器的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖15是表示具備壓電振動器1的振蕩器的結(jié)構(gòu)的圖。本實(shí)施方式的振蕩器100如圖15所示，構(gòu)成為將壓電振動器1電連接至集成電路 101的振子。該振蕩器100具備安裝了電容器等的電子部件102的基板103。在基板103 安裝有振蕩器用的上述集成電路101，在該集成電路101的附近安裝有壓電振動器1。這些電子部件102、集成電路101及壓電振動器1通過未圖示的布線圖案分別電連接。此外，各構(gòu)成部件通過未圖示的樹脂來模制(mould)。在這樣構(gòu)成的振蕩器100中，對壓電振動器1施加電壓時(shí)，該壓電振動器1內(nèi)的壓電振動片4振動。通過壓電振動片4所具有的壓電特性，將該振動轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號方式輸入至集成電路101。通過集成電路101對輸入的電信號進(jìn)行各種處理，以頻率信號的方式輸出。從而，壓電振動器1作為振子起作用。
此外，根據(jù)需求有選擇地設(shè)定集成電路101的結(jié)構(gòu)，例如RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘)模塊等， 能夠附加鐘表用單功能振蕩器等的功能之外，還能附加控制該設(shè)備或外部設(shè)備的工作日期或時(shí)刻，或者提供時(shí)刻或日歷等的功能。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器100，由于具備低成本化及高質(zhì)量化的壓電振動器1，所以振蕩器100本身也能低成本化及高質(zhì)量化。(電子設(shè)備)接著，參照圖16，就本發(fā)明的電子設(shè)備的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外作為電子設(shè)備，舉例說明了具有上述壓電振動器1的便攜信息設(shè)備。最初本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備 110為例如以便攜電話為首的，發(fā)展并改良了現(xiàn)有技術(shù)中的手表的設(shè)備。它是這樣的設(shè)備 外觀類似于手表，在相當(dāng)于文字盤的部分配置液晶顯示器，能夠在該畫面上顯示當(dāng)前的時(shí)刻等。此外，在用作通信機(jī)時(shí)，從手腕取下，通過內(nèi)置于表帶的內(nèi)側(cè)部分的揚(yáng)聲器及麥克風(fēng)， 可進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)的便攜電話同樣的通信。但是，與現(xiàn)有的便攜電話相比，明顯小型且輕量。下面，對本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖16所示，該便攜 信息設(shè)備(電子設(shè)備)110具備壓電振動器1和供電用的電源部111。電源部111例如由鋰二次電池構(gòu)成。該電源部111上并聯(lián)連接有進(jìn)行各種控制的控制部112、進(jìn)行時(shí)刻等的計(jì)數(shù)的計(jì)時(shí)部113、與外部進(jìn)行通信的通信部114、顯示各種信息的顯示部115、和檢測各功能部的電壓的電壓檢測部116。而且，通過電源部111來對各功能部供電?？刂撇?12控制各功能部，進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)的發(fā)送及接收、當(dāng)前時(shí)刻的測量或顯示等的整個(gè)系統(tǒng)的動作控制。此外，控制部112具備預(yù)先寫入程序的ROM、讀取寫入到該ROM 的程序并執(zhí)行的CPU、和作為該CPU的工作區(qū)使用的RAM等。計(jì)時(shí)部113具備內(nèi)置了振蕩電路、寄存器電路、計(jì)數(shù)器電路及接口電路等的集成電路和壓電振動器1。對壓電振動器1施加電壓時(shí)壓電振動片4振動，通過壓電振動片4所具有的壓電特性，該振動被轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號的方式輸入到振蕩電路。振蕩電路的輸出被二值化，通過寄存器電路和計(jì)數(shù)器電路來計(jì)數(shù)。然后，通過接口電路，與控制部112進(jìn)行信號的發(fā)送與接收，在顯示部115顯示當(dāng)前時(shí)刻或當(dāng)前日期或者日歷信息等。通信部114具有與現(xiàn)有的便攜電話相同的功能，具備無線電部117、聲音處理部 118、切換部119、放大部120、聲音輸入/輸出部121、電話號碼輸入部122、來電音發(fā)生部 123及呼叫控制存儲器部124。通過天線125，無線電部117與基站進(jìn)行收發(fā)信息的聲音數(shù)據(jù)等各種數(shù)據(jù)的交換。 聲音處理部118對從無線電部117或放大部120輸入的聲音信號進(jìn)行編碼及解碼。放大部 120將從聲音處理部118或聲音輸入/輸出部121輸入的信號放大到既定電平。聲音輸入 /輸出部121由揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)等構(gòu)成，擴(kuò)大來電音或受話聲音，或者將聲音集音。此外，來電音發(fā)生部123響應(yīng)來自基站的呼叫而生成來電音。切換部119僅在來電時(shí)，通過將連接在聲音處理部118的放大部120切換到來電音發(fā)生部123，在來電音發(fā)生部123中生成的來電音經(jīng)由放大部120輸出至聲音輸入/輸出部121。此外，呼叫控制存儲器部124存放與通信的呼叫及來電控制相關(guān)的程序。此外，電話號碼輸入部122具備例如0至9的號碼鍵及其它鍵，通過按壓這些號碼鍵等，輸入通話目的地的電話號碼等。
電壓檢測部116在通過電源部111對控制部112等的各功能部施加的電壓小于既定值時(shí)，檢測其電壓降后通知控制部112。這時(shí)的既定電壓值是作為使通信部114穩(wěn)定動作所需的最低限的電壓而預(yù)先設(shè)定的值，例如，3V左右。從電壓檢測部116收到電壓降的通知的控制部112禁止無線電部117、聲音處理部118、切換部119及來電音發(fā)生部123的動作。 特別是，停止耗電較大的無線電部117的動作是必需的。而且，顯示部115顯示通信部114 由于電池余量的不足而不能使用的提示。即，通過電壓檢測部116和控制部112，能夠禁止通信部114的動作，并在顯示部 115做提示。該提示可為文字消息，但作為更加直接的提示，在顯示部115的顯示畫面的頂部顯示的電話圖像上打“ X (叉)”標(biāo)記也可。此外，通過具備能夠有選擇地截?cái)嗯c通信部114的功能相關(guān)的部分的電源的電源截?cái)嗖?26，能夠更加可靠地停止通信部114的功能。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110，由于具備低成本化及高質(zhì)量化的壓電振動器1，所以便攜信息設(shè)備110本身也被低成本化及高質(zhì)量化。(電波鐘)接著，參照圖17，就本發(fā)明的電波鐘的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖17是表示具有上述壓電振動器1的電波鐘的結(jié)構(gòu)的圖。如圖17所示，本實(shí)施方式的電波鐘130具備電連接到濾波部131的壓電振動器 1，是接收包含時(shí)鐘信息的標(biāo)準(zhǔn)電波，并具有自動修正為正確的時(shí)刻并加以顯示的功能的鐘表。在日本國內(nèi)，在福島縣(40kHz)和佐賀縣(60kHz)有發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波的發(fā)送站(發(fā)送局)，分別發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波。40kHz或60kHz這樣的長波兼有沿地表傳播的性質(zhì)和在電離層和地表邊反射邊傳播的性質(zhì)，因此其傳播范圍寬，且由上述的兩個(gè)發(fā)送站覆蓋整個(gè)日本國內(nèi)。參照圖17，對電波鐘130的功能性結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。天線132接收40kHz或60kHz長波的標(biāo)準(zhǔn)電波。長波的標(biāo)準(zhǔn)電波是將稱為定時(shí)碼的時(shí)刻信息AM調(diào)制為40kHz或60kHz的載波的電波。接收的長波的標(biāo)準(zhǔn)電波通過放大器 133放大，通過具有多個(gè)壓電振動器1的濾波部131來濾波并調(diào)諧。本實(shí)施方式中的壓電振動器1分別具備與上述載波頻率相同的40kHz及60kHz的諧振頻率的壓電振動器部134、135。而且，濾波后的既定頻率的信號通過檢波、整流電路136來檢波并解調(diào)。接著，經(jīng)由波形整形電路137而抽出定時(shí)碼，由CPU138計(jì)數(shù)。在CPU138中，讀取當(dāng)前的年、累積日、 星期、時(shí)刻等的信息。被讀取的信息反映于RTC139，顯示出準(zhǔn)確的時(shí)刻信息。由于載波為40kHz或60kHz，所以壓電振動器部134、135優(yōu)選具有上述的音叉型結(jié)構(gòu)的振動器。再者，以上以日本國內(nèi)為例進(jìn)行了說明，但長波的標(biāo)準(zhǔn)電波的頻率在海外是不同的。例如，在德國使用77. 5KHz的標(biāo)準(zhǔn)電波。因而，在便攜設(shè)備組裝也可以應(yīng)對海外的電波鐘130的情況下，還需要不同于日本的頻率的壓電振動器1。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的電波鐘130，由于具備低成本化及高質(zhì)量化的壓電振動器1，所以電波鐘130本身也被低成本化及高質(zhì)量化。
此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述實(shí)施的方式，在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可做各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，作為壓電振動片4的一個(gè)例子，舉例說明了在振動腕部 IOUl的兩面形成溝部18的帶溝的壓電振動片4，但沒有溝部18的類型的壓電振動片也可。但是，通過形成溝部18，能夠在對一對激振電極15施加既定電壓時(shí)，提高一對激振電極15間的電場效率，因此能夠進(jìn)一步抑制振動損耗而進(jìn)一步改善振動特性。即，能夠進(jìn)一步降低CI值(Crystal Impedance)，并能將壓電振動片4進(jìn)一步高性能化。在這一點(diǎn)上，優(yōu)選形成溝部18。此外，在上述實(shí)施方式中，舉例說明了音叉型壓電振動片4，但并不限于音叉型。例如，間隙滑移型振動片也可。此外，在上述實(shí)施方式中，通過在蓋基板3設(shè)置凹部3a來形成空腔C，但并不限于此，例如通過在基底基板2設(shè)置凹部來形成空腔C也可，也可以在兩基板2、3設(shè)置凹部而形成空腔C。此外，在上述實(shí)施方式中，接合膜35形成在基底基板2，但并不限于此，既可以在基底基板3形成接合膜，也可以在兩基板2、3形成接合膜。此外，在上述實(shí)施方式中，利用金凸點(diǎn)B來將壓電振動片4接合到迂回電極36、37， 但不限于利用金凸點(diǎn)B來進(jìn)行接合。 此外，在上述實(shí)施方式中，在接合工序中，接合溫度T為300°C，但并不限于此。但是，接合溫度τ優(yōu)選為300°C以上。此外，接合溫度T在采用水晶作為壓電振動片4的情況下，即便再高也最好低于水晶的壓電性相關(guān)的轉(zhuǎn)變點(diǎn)即相轉(zhuǎn)變溫度。此外，在上述實(shí)施方式中，按照裝配工序(S40)、投入工序(S45)、加熱工序(S50)、 減壓工序(S60)的順序制造了壓電振動器1，但并不限于此。投入工序(S45)及加熱工序 (S50)也可以在裝配工序(S40)后實(shí)施，此外，減壓工序(S60)在投入工序(S45)后實(shí)施也可。例如，既可以按照裝配工序(S40)、加熱工序(S50)、投入工序(S45)、減壓工序(S60)的順序制造壓電振動器，也可以按照裝配工序(S40)、投入工序(S45)、減壓工序(S60)、加熱工序(S50)的順序制造壓電振動器。此外，在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，可以用眾所周知的構(gòu)成要素適當(dāng)?shù)靥鎿Q上述實(shí)施方式中的構(gòu)成要素，此外，也可以適當(dāng)組合上述的變形例。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動器的制造方法，制造包括以下部分的壓電振動器第一基板和第二基板以在該第一基板和第二基板之間形成空腔的方式疊合而構(gòu)成的封裝件；形成在所述第一基板的外表面的外部電極；以被收容于所述空腔內(nèi)的方式形成在所述第一基板的內(nèi)部電極；以電連接所述外部電極與所述內(nèi)部電極的方式貫通所述第一基板而形成的貫通電極；以及密封于所述空腔內(nèi)并且在所述空腔內(nèi)與所述內(nèi)部電極電連接的壓電振動片， 所述壓電振動器的制造方法，其中包括接合膜形成工序，在所述第一基板和所述第二基板的至少一個(gè)基板上，用低熔點(diǎn)玻璃形成接合兩基板的接合膜；裝配工序，對形成在所述第一基板的所述內(nèi)部電極電連接所述壓電振動片； 投入工序，所述接合膜形成工序及所述裝配工序后，將所述第一基板及所述第二基板投入到能控制內(nèi)部的壓力的真空室；加熱工序，在所述接合膜形成工序及所述裝配工序后，加熱所述接合膜； 減壓工序，在所述投入工序后，將所述真空室的內(nèi)部減壓；以及接合工序，在所述加熱工序及所述減壓工序后在所述真空室的內(nèi)部，一邊將所述接合膜加熱到既定的接合溫度，一邊以夾入所述接合膜的方式疊合所述第一基板和所述第二基板，并通過所述接合膜來接合兩基板，在進(jìn)行所述加熱工序之際，將所述接合膜加熱到比所述接合溫度高的溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的壓電振動器的制造方法，其中在進(jìn)行所述裝配工序之際，用金凸點(diǎn)來將所述壓電振動片凸點(diǎn)接合至所述內(nèi)部電極。
3.如權(quán)利要求1所述的壓電振動器的制造方法，其中所述接合溫度為300°C以上。
4.一種壓電振動器，其中包括第一基板和第二基板以在該第一基板和第二基板之間形成空腔的方式疊合而構(gòu)成的封裝件；形成在所述第一基板的外表面的外部電極；以被收容所述空腔內(nèi)的方式形成在所述第一基板的內(nèi)部電極；以電連接所述外部電極與所述內(nèi)部電極的方式貫通所述第一基板而形成的貫通電極；以及密封到所述空腔內(nèi)并且在所述空腔內(nèi)與所述內(nèi)部電極電連接的壓電振動片， 所述第一基板和所述第二基板通過由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的接合膜來接合； 所述接合膜在接合所述第一基板與所述第二基板之際被加熱到既定的接合溫度，并且在所述接合之前被加熱到比所述接合溫度高的溫度而形成。
5.如權(quán)利要求4所述的壓電振動器，其中所述壓電振動片利用金凸點(diǎn)來凸點(diǎn)接合到所述內(nèi)部電極。
6.一種振蕩器，使權(quán)利要求4或5所述的壓電振動器，作為振子與集成電路電連接。
7.一種電子設(shè)備，使權(quán)利要求4或5所述的壓電振動器，與計(jì)時(shí)部電連接。
8.一種電波鐘，使權(quán)利要求4或5所述的壓電振動器，與濾波部電連接。
全文摘要
本發(fā)明的壓電振動器，其中包括第一基板和第二基板以在該第一基板和第二基板之間形成空腔的方式疊合而構(gòu)成的封裝件；形成在第一基板的外表面的外部電極；以被收容空腔內(nèi)的方式形成在第一基板的內(nèi)部電極；以電連接外部電極與內(nèi)部電極的方式貫通第一基板而形成的貫通電極；以及密封到空腔內(nèi)并且在空腔內(nèi)與內(nèi)部電極電連接的壓電振動片，第一基板和第二基板通過由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的接合膜來接合；接合膜在接合第一基板與第二基板之際被加熱到既定的接合溫度，并且在所述接合之前被加熱到比接合溫度高的溫度而形成。
文檔編號H03H3/02GK102227873SQ20088013224
公開日2011年10月26日 申請日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月28日
發(fā)明者荒武潔 申請人:精工電子有限公司