專利名稱：Fbar濾波器及其組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及濾波技術(shù)，尤其涉及一種薄膜聲波諧振器(Thin FilmBulk Acoustic Resonator，簡(jiǎn)稱FBAR)濾波器及其組件。
背景技術(shù)：
隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸量也迅速上升。因此，在頻率資源有限以 及應(yīng)當(dāng)使用盡可能少的移動(dòng)通信設(shè)備的前提下，提高無線基站、微基站或直放站等無線功 率發(fā)射設(shè)備的發(fā)射功率成了必須考慮的問題，同時(shí)也意味著對(duì)移動(dòng)通信設(shè)備前端電路中濾 波器功率的要求也越來越高。目前，無線基站等設(shè)備中的大功率濾波器主要是以腔體濾波器為主，其功率可達(dá) 上百瓦，但是這種濾波器的尺寸太大。也有的設(shè)備中使用介質(zhì)濾波器，其平均功率可達(dá)5瓦 以上，但是這種濾波器的尺寸也很大。由于尺寸大，所以這兩種濾波器無法集成到射頻前端 芯片中。FBAR技術(shù)很好地克服了上述兩種濾波器存在的缺陷?；贔BAR技術(shù)制造的FBAR 濾波器體積小，工作頻率高，溫度系數(shù)小，損耗低。但是這種FBAR濾波器也有其自身存在的問題。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題現(xiàn)有技術(shù)中的 FBAR濾波器的功率低，最高只能達(dá)到3瓦左右，達(dá)不到目前基站等設(shè)備的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種FBAR濾波器及其組件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中FBAR濾波器 功率低的問題。本發(fā)明實(shí)施例提供一種FBAR濾波器，包括輸入端子、輸出端子、η個(gè)串聯(lián)模塊和m 個(gè)并聯(lián)模塊；所述η個(gè)串聯(lián)模塊串聯(lián)連接，所述輸入端子與第1個(gè)串聯(lián)模塊之間的結(jié)點(diǎn)、第 η個(gè)串聯(lián)模塊與所述輸出端子之間的結(jié)點(diǎn)以及所述第2個(gè)串聯(lián)模塊到第η-1個(gè)串聯(lián)模塊中 相鄰的2個(gè)串聯(lián)模塊之間的結(jié)點(diǎn)分別連接1個(gè)所述并聯(lián)模塊的一端，每個(gè)并聯(lián)模塊的另一 端接地；每個(gè)所述串聯(lián)模塊和每個(gè)所述并聯(lián)模塊均包括χ個(gè)并聯(lián)連接的FBAR ；x、m和η為 正整數(shù)，χ大于或等于2。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種FBAR濾波器組件，包括兩個(gè)以上并聯(lián)連接的如前所 述的FBAR濾波器。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種FBAR濾波器組件，包括至少兩個(gè)并聯(lián)連接的現(xiàn)有技 術(shù)中的FBAR濾波器。本發(fā)明實(shí)施例提供的FBAR濾波器及其組件，通過將多個(gè)FBAR濾波器并聯(lián)連接，提 高了 FBAR濾波器組件的功率；或者通過將各個(gè)FBAR并聯(lián)組成串聯(lián)模塊或并聯(lián)模塊，并將串 聯(lián)模塊和并聯(lián)模塊組成FBAR濾波器，提高了 FBAR濾波器的功率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā) 明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例一種FBAR濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例另一種FBAR濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3所示為本發(fā)明各實(shí)施例中涉及到的FBAR的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4所示為本發(fā)明實(shí)施例再一種FBAR濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5所示為本發(fā)明實(shí)施例中一種FBAR濾波器組件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6所示為本發(fā)明實(shí)施例中另一種FBAR濾波器組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是 本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例一種FBAR濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖，該FBAR濾波器包括 包括輸入端子13、輸出端子14、n個(gè)串聯(lián)模塊11和m個(gè)并聯(lián)模塊12 ；η個(gè)串聯(lián)模塊11串聯(lián) 連接，輸入端子13與第1個(gè)串聯(lián)模塊11之間的結(jié)點(diǎn)Ni、第η個(gè)串聯(lián)模塊11與輸出端子14 之間的結(jié)點(diǎn)Nn以及第2個(gè)串聯(lián)模塊11到第η-1個(gè)串聯(lián)模塊11中相鄰的2個(gè)串聯(lián)模塊11 之間的結(jié)點(diǎn)分別連接1個(gè)并聯(lián)模塊12的一端，每個(gè)并聯(lián)模塊12的另一端接地；每個(gè)串聯(lián)模 塊11和每個(gè)并聯(lián)模塊12均包括χ個(gè)并聯(lián)連接的FBAR111 ；x、m和η為正整數(shù)，χ大于或等 于2。本發(fā)明實(shí)施例一提供的FBAR濾波器，各個(gè)串聯(lián)模塊和并聯(lián)模塊均包括至少兩個(gè) 并聯(lián)連接的FBAR，這樣可以有效提高FBAR濾波器的功率。如圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例另一種FBAR濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖，該FBAR濾波器 包括串聯(lián)模塊21、串聯(lián)模塊22、并聯(lián)模塊31、并聯(lián)模塊32和并聯(lián)模塊33，其中，串聯(lián)模塊 21包括并聯(lián)連接的FBAR211、FBAR212和FBAR213，串聯(lián)模塊22包括并聯(lián)連接的FBAR221、 FBAR222和FBAR223，并聯(lián)模塊31包括并聯(lián)連接的FBAR311、FBAR312和FBAR313，并聯(lián)模塊 32包括并聯(lián)連接的FBAR321、FBAR322和FBAR323，并聯(lián)模塊33包括并聯(lián)連接的FBAR331、 FBAR332和FBAR333。FBAR濾波器還包括輸入端子13和輸出端子14。2個(gè)串聯(lián)模塊21串 聯(lián)連接，輸入端子13和第1個(gè)串聯(lián)模塊21之間的結(jié)點(diǎn)m與第1個(gè)并聯(lián)模塊31的一端連 接，第1個(gè)的串聯(lián)模塊21與第2個(gè)串聯(lián)模塊22之間的結(jié)點(diǎn)N2與第2個(gè)并聯(lián)模塊32的一 端連接，第2個(gè)串聯(lián)模塊22與輸出端子14之間的結(jié)點(diǎn)N3與第3個(gè)并聯(lián)模塊33連接，3個(gè) 并聯(lián)模塊的另一端均接地。如圖3所示為本發(fā)明各實(shí)施例中涉及到的FBAR的結(jié)構(gòu)示意圖，該FBAR包括襯底 21 ；布拉格反射層22設(shè)置在襯底21上；下電極層23設(shè)置在布拉格反射層22上；壓電薄膜24設(shè)置在下電極層23上；上電極層25設(shè)置在壓電薄膜M上；下電極層23包括相接觸的 第一金屬電極層232和第二金屬電極層231，第二金屬電極層231與布拉格反射層22接觸， 第一金屬電極層232與壓電薄膜M接觸。圖3中，布拉格反射層22可以包括第二高聲阻抗布拉格層221、第二低聲阻抗布 拉格層222、第一高聲阻抗布拉格層223和第一低聲阻抗布拉格層224。第二高聲阻抗布拉 格層221設(shè)置在襯底21上，第二低聲阻抗布拉格層222設(shè)置在第二高聲阻抗布拉格層221 上，第一高聲阻抗布拉格層223設(shè)置在第二低聲阻抗布拉格層222上，第一低聲阻抗布拉格 層2M設(shè)置在第一高聲阻抗布拉格層223上。低聲阻抗布拉格層的材料可以是二氧化硅 (SiO2)、氮化鋁(AlN)等，高聲阻抗布拉格層的材料可以是鎢(W)、鉬(Mo)等。在圖3對(duì)應(yīng)的實(shí)施例中，布拉格反射層包括第二高聲阻抗布拉格層、第二低聲阻 抗布拉格層、第一高聲阻抗布拉格層和第一低聲阻抗布拉格層這四個(gè)高低聲阻抗布拉格 層，也可以根據(jù)實(shí)際需要增加或減少高低聲阻抗布拉格層的數(shù)目。布拉格反射層可以使得 下電極層與襯底之間保持良好的接觸。圖3中，上電極層、下電極層和壓電薄膜可以組成壓電振蕩堆。下電極層包括相 接觸的第一金屬電極層和第二金屬電極層，第一金屬電極層和第二金屬電極層的材料可以 是高導(dǎo)熱率的材料，例如，第一金屬電極層的材料可以是鋁，第二金屬電極層的材料可以是 銅。另外，第一金屬電極層的材料可以是具有良好粘合力的材料，這樣有利于下電極層與壓 電振蕩堆的接觸。較佳地，第二金屬電極層的導(dǎo)熱率可以大于300w/m · k。將圖3所示的FBAR應(yīng)用于圖2所示的FBAR濾波器中，各個(gè)FBAR的上電極層的材 料可以是鋁，第一金屬電極層的材料采用鋁，厚度可以是0. 1微米，第二金屬電極層的材料 可以是銅，厚度可以是0. 1微米；壓電薄膜的材料可以是氮化鋁。如圖1和圖2中所示的FBAR濾波器，除了可以采用圖3所示的FBAR，也可以采用 現(xiàn)有技術(shù)中的FBAR。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種FBAR濾波器，該實(shí)施例中FBAR濾波器還可以包括第一 匹配網(wǎng)絡(luò)和第二匹配網(wǎng)絡(luò)。第一匹配網(wǎng)絡(luò)的一端與輸入端子連接，另一端與第1個(gè)串聯(lián)模 塊和第1個(gè)并聯(lián)模塊連接；第二匹配網(wǎng)絡(luò)的一端與輸出端子連接，另一端與第m個(gè)串聯(lián)模塊 和第η個(gè)并聯(lián)模塊連接。其中，第一匹配網(wǎng)絡(luò)可以包括第一電容和第一電感；第一電容的一端與輸入端子 和第一電感的一端連接，第一電容的另一端與第1個(gè)串聯(lián)模塊和第1個(gè)并聯(lián)模塊連接；第一 電感的另一端接地。第二匹配網(wǎng)絡(luò)可以包括第二電容和第二電感；第二電容的一端與輸出 端子和第二電感的一端連接，第二電容的另一端與第m個(gè)串聯(lián)模塊和第η個(gè)并聯(lián)模塊連接； 第二電感的另一端接地。第一匹配網(wǎng)絡(luò)和第二匹配網(wǎng)絡(luò)為阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，可以將FBAR濾波器的阻抗匹配。 第一匹配網(wǎng)絡(luò)和第二匹配網(wǎng)絡(luò)可以是如上所述的由電感和電容組成的LC阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)， 也可以是傳輸線匹配網(wǎng)絡(luò)，或者也可以是其他的能夠?qū)崿F(xiàn)阻抗匹配的網(wǎng)絡(luò)。如圖4所示為本發(fā)明實(shí)施例再一種FBAR濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖，該實(shí)施例在圖2所 示的實(shí)施例的基礎(chǔ)上增加了第一匹配網(wǎng)絡(luò)15和第二匹配網(wǎng)絡(luò)16。第一匹配網(wǎng)絡(luò)15的一端 與輸入端子13連接，另一端與串聯(lián)模塊21和并聯(lián)模塊31連接，第二匹配網(wǎng)絡(luò)16的一端與 輸出端子14連接，另一端與串聯(lián)模塊22和并聯(lián)模塊33連接。
第一匹配網(wǎng)絡(luò)15包括第一電容151和第一電感152，第一電容151的一端與輸入 端子13和第一電感152的一端連接，第一電容151的另一端與串聯(lián)模塊21和并聯(lián)模塊31 連接，第一電感152的另一端接地。第二匹配網(wǎng)絡(luò)16包括第二電容161和第二電感162，第 二電容161的一端與輸出端子14和第二電感162的一端連接，第二電容161的另一端與串 聯(lián)模塊22和并聯(lián)模塊33連接，第二電感162的另一端接地。在圖4對(duì)應(yīng)的實(shí)施例中，第一電感和第二電感的電容值可以為3. M2pF，第一電容 和第二電容的電感值可以是2.951nH。應(yīng)當(dāng)理解的是，也可以采用電感串聯(lián)電容并聯(lián)的形 式。如圖5所示為本發(fā)明實(shí)施例中一種FBAR濾波器組件的結(jié)構(gòu)示意圖，該FBAR濾波 器組件包括至少兩個(gè)并聯(lián)連接的FBAR濾波器41。該至少兩個(gè)并聯(lián)連接的FBAR濾波器41 可以是現(xiàn)有技術(shù)中的FBAR濾波器，也可以是如圖1、圖2或圖4所示的FBAR濾波器。如圖5所示的FBAR濾波器組件還可以包括第一匹配網(wǎng)絡(luò)15和第二匹配網(wǎng)絡(luò)16， 第一匹配網(wǎng)絡(luò)15與二個(gè)以上并聯(lián)連接的FBAR濾波器的一端連接，第二匹配網(wǎng)絡(luò)16與二個(gè) 以上并聯(lián)連接的FBAR濾波器的另一端連接；第一匹配網(wǎng)絡(luò)15用于使FBAR濾波器組件的輸 入阻抗匹配，第二匹配網(wǎng)絡(luò)用于FBAR濾波器組件的輸出阻抗匹配。本發(fā)明實(shí)施例提供的FBAR濾波器組件，通過將二個(gè)以上的FBAR濾波器并聯(lián)，提高 了 FBAR濾波器組件的功率，通過第一匹配網(wǎng)絡(luò)和第二匹配網(wǎng)絡(luò)可以使FBAR濾波器組件的 輸入阻抗和輸出阻抗匹配。其中，F(xiàn)BAR濾波器可以包括子輸入端子、子輸出端子、a個(gè)串聯(lián)FBAR和b個(gè)并聯(lián) FBAR ；a個(gè)串聯(lián)FBAR串聯(lián)連接，輸入端子與第1個(gè)串聯(lián)FBAR之間的結(jié)點(diǎn)、第a個(gè)串聯(lián)模塊 與所述輸出端子之間的結(jié)點(diǎn)以及第2個(gè)的串聯(lián)FBAR到第a-Ι個(gè)串聯(lián)FBAR之間的結(jié)點(diǎn)分別 連接1個(gè)所述并聯(lián)FBAR的一端，每個(gè)并聯(lián)FBAR的另一端接地；a和b為正整數(shù)。如圖6所示為本發(fā)明實(shí)施例中另一種FBAR濾波器組件的結(jié)構(gòu)示意圖，每個(gè)FBAR 濾波器41均包括子輸入端子413、子輸出端子414、2個(gè)串聯(lián)FBAR411和3個(gè)并聯(lián)FBAR412 ； 2個(gè)串聯(lián)FBAR411串聯(lián)連接，子輸入端子413與第1個(gè)串聯(lián)FBAR411之間的結(jié)點(diǎn)N4與第1 個(gè)并聯(lián)FBAR412的一端連接，第1個(gè)串聯(lián)FBAR411和第2個(gè)串聯(lián)FBAR411之間的結(jié)點(diǎn)N5與 第2個(gè)并聯(lián)FBAR412的一端連接，第2個(gè)串聯(lián)FBAR411與子輸出端子414之間的結(jié)點(diǎn)N6與 第3個(gè)串聯(lián)FBAR412的一端連接。3個(gè)并聯(lián)FBAR412的另一端均接地。圖6中，F(xiàn)BAR的結(jié)構(gòu)可以如圖3對(duì)應(yīng)的實(shí)施例所描述，也可以是其他結(jié)構(gòu)的FBAR。第一匹配網(wǎng)絡(luò)和第二匹配網(wǎng)絡(luò)可以是LC阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，也可以是傳輸線匹配網(wǎng) 絡(luò)，或者也可以是其他的能夠?qū)崿F(xiàn)阻抗匹配的網(wǎng)絡(luò)。本發(fā)明實(shí)施例提供的FBAR濾波器及其組件，通過將多個(gè)FBAR濾波器并聯(lián)連接，提 高了 FBAR濾波器組件的功率；或者通過將各個(gè)FBAR并聯(lián)組成串聯(lián)模塊或并聯(lián)模塊，并將 串聯(lián)模塊和并聯(lián)模塊組成FBAR濾波器，提高了 FBAR濾波器的功率。本發(fā)明實(shí)施例提供的 FBAR濾波器及其組件可以滿足基站等無線設(shè)備對(duì)于FBAR濾波器功率的要求。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過 程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序 在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者 光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜聲波諧振器FBAR濾波器，其特征在于，包括輸入端子、輸出端子、η個(gè)串聯(lián) 模塊和m個(gè)并聯(lián)模塊；所述η個(gè)串聯(lián)模塊串聯(lián)連接，所述輸入端子與第1個(gè)串聯(lián)模塊之間的 結(jié)點(diǎn)、第η個(gè)串聯(lián)模塊與所述輸出端子之間的結(jié)點(diǎn)以及所述第2個(gè)串聯(lián)模塊到第η-1個(gè)串 聯(lián)模塊中相鄰的2個(gè)串聯(lián)模塊之間的結(jié)點(diǎn)分別連接1個(gè)所述并聯(lián)模塊的一端，每個(gè)并聯(lián)模 塊的另一端接地；每個(gè)所述串聯(lián)模塊和每個(gè)所述并聯(lián)模塊均包括χ個(gè)并聯(lián)連接的FBAR ；x、m和η為正整 數(shù)，χ大于或等于2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述FBAR包括襯底；布拉格反射層，設(shè)置在所述襯底上；下電極層，設(shè)置在所述布拉格反射層上；壓電薄膜，設(shè)置在所述下電極層上；上電極層，設(shè)置在所述壓電薄膜上；所述下電極層包括相接觸的第一金屬電極層和第二金屬電極層，所述第二金屬電極層 與所述布拉格反射層接觸，所述第一金屬電極層與所述壓電薄膜接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述第二金屬電極層的導(dǎo)熱率大 于 300w/m · k。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述第一金屬電極層的材料為鋁， 所述第二金屬電極層的材料為銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的FBAR濾波器，其特征在于，還包括第一匹 配網(wǎng)絡(luò)和第二匹配網(wǎng)絡(luò)；所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)的一端與所述輸入端子連接，另一端與第1個(gè)串聯(lián)模塊和第1個(gè)并 聯(lián)模塊連接；所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)的一端與所述輸出端子連接，另一端與第m個(gè)串聯(lián)模塊和第η個(gè)并 聯(lián)模塊連接；所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)用于所述FBAR濾波器的輸入阻抗匹配，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)用于所 述FBAR濾波器的輸出阻抗匹配。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)包括第一電容 和第一電感；所述第一電容的一端與所述輸入端子和第一電感的一端連接，所述第一電容的另一端 與所述第1個(gè)串聯(lián)模塊和第1個(gè)并聯(lián)模塊連接；所述第一電感的另一端接地；所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)包括第二電容和第二電感；所述第二電容的一端與所述輸出端子和第二電感的一端連接，所述第二電容的另一端 與所述第m個(gè)串聯(lián)模塊和第η個(gè)并聯(lián)模塊連接；所述第二電感的另一端接地。
7.一種薄膜聲波諧振器FBAR濾波器組件，其特征在于，包括至少兩個(gè)并聯(lián)連接的如權(quán) 利要求1至6任意一項(xiàng)所述的FBAR濾波器。
8.一種薄膜聲波諧振器FBAR濾波器組件，其特征在于，包括至少兩個(gè)并聯(lián)連接的FBAR 濾波器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的FBAR濾波器組件，其特征在于，所述FBAR濾波器包括子輸入端子、子輸出端子、a個(gè)串聯(lián)FBAR和b個(gè)并聯(lián)FBAR ；所述a個(gè)串聯(lián)FBAR串聯(lián)連接，所述子輸入端子與第1個(gè)串聯(lián)FBAR之間的結(jié)點(diǎn)、第a個(gè) 串聯(lián)模塊與所述子輸出端子之間的結(jié)點(diǎn)以及第2個(gè)的串聯(lián)FBAR到第a-Ι個(gè)串聯(lián)FBAR之間 的結(jié)點(diǎn)分別連接1個(gè)所述并聯(lián)FBAR的一端，每個(gè)并聯(lián)FBAR的另一端接地；&和b為正整數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的FBAR濾波器組件，其特征在于，所述FBAR包括襯底；布拉格反射層，設(shè)置在所述襯底上；下電極層，設(shè)置在所述布拉格反射層上；壓電薄膜，設(shè)置在所述下電極層上；上電極層，設(shè)置在所述壓電薄膜上；所述下電極層包括相接觸的第一金屬電極層和第二金屬電極層，第二金屬電極層與所 述布拉格反射層接觸，所述第一金屬電極層與所述壓電薄膜接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FBAR濾波器組件，其特征在于，所述第二金屬電極層的導(dǎo) 熱率大于300w/m · k。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FBAR濾波器組件，其特征在于，所述第一金屬電極層的材 料為鋁，所述第二金屬電極層的材料為銅。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的FBAR濾波器組件，其特征在于，還包括第一匹配網(wǎng)絡(luò)和第 二匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)與所述二個(gè)以上并聯(lián)連接的FBAR濾波器的一端連接，所述 第二匹配網(wǎng)絡(luò)與所述二個(gè)以上并聯(lián)連接的FBAR濾波器的另一端連接；所述第一匹配網(wǎng)絡(luò) 用于所述FBAR濾波器組件的輸入阻抗匹配，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)用于所述FBAR濾波器組件 的輸出阻抗匹配。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的FBAR濾波器組件，其特征在于，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)和/或 第二匹配網(wǎng)絡(luò)為L(zhǎng)C阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種FBAR濾波器及其組件，其中FBAR濾波器包括輸入端子、輸出端子、n個(gè)串聯(lián)模塊和m個(gè)并聯(lián)模塊；所述n個(gè)串聯(lián)模塊串聯(lián)連接，所述輸入端子與第1個(gè)串聯(lián)模塊之間的結(jié)點(diǎn)、第n個(gè)串聯(lián)模塊與所述輸出端子之間的結(jié)點(diǎn)以及所述第2個(gè)串聯(lián)模塊到第n-1個(gè)串聯(lián)模塊中相鄰的2個(gè)串聯(lián)模塊之間的結(jié)點(diǎn)分別連接1個(gè)所述并聯(lián)模塊的一端，每個(gè)并聯(lián)模塊的另一端接地；每個(gè)所述串聯(lián)模塊和每個(gè)所述并聯(lián)模塊均包括x個(gè)并聯(lián)的FBAR；x、m和n為正整數(shù)，x大于或等于2。本發(fā)明實(shí)施例提供的FBAR濾波器及其組件功率高，能夠滿足基站等無線設(shè)備對(duì)于FBAR濾波器功率的要求。
文檔編號(hào)H03H17/02GK102111124SQ200910215358
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2009年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日
發(fā)明者張慧金, 王偉, 王健, 田洪波, 程維維, 董樹榮, 趙士恒, 韓雁 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司, 浙江大學(xué)