專利名稱：一種自舉驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種自舉驅(qū)動(dòng)電路 本實(shí)用新型涉及一種自舉驅(qū)動(dòng)電路。 現(xiàn)有的自舉驅(qū)動(dòng)電路，一般包括有控制芯片，二極管與電容組成的自舉電路，以及 兩個(gè)開關(guān)M0S管。該類電路具有如下缺點(diǎn)1、高端開關(guān)M0S管的驅(qū)動(dòng)電壓不足；2、開始工作
時(shí)，高端開關(guān)MOS管工作在放大區(qū)；3、在小調(diào)制比時(shí)容易出現(xiàn)自舉崩潰問題；由于上述原因
使得現(xiàn)有自舉驅(qū)動(dòng)電路的可靠性比較低，很容易出現(xiàn)故障，為了解決上述問題，本發(fā)明人設(shè) 計(jì)出本實(shí)用新型。 本實(shí)用新型克服了上述技術(shù)的不足，提供了一種使高端開關(guān)MOS管具有足夠驅(qū)動(dòng) 電壓、可靠性高的自舉驅(qū)動(dòng)電路。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了下列技術(shù)方案 —種自舉驅(qū)動(dòng)電路，包括有控制芯片，在控制芯片的高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出供電端Vb 與電源VCC連接有自舉二極管D，在控制芯片的高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vb與低端開 關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vs之間連接有自舉電容C，在控制芯片的高端開關(guān)脈沖輸出端Ho、 低端開關(guān)脈沖輸出端Lo上分別連接有高端開關(guān)MOS管Q4、低端開關(guān)MOS管Q5，高端開關(guān) MOS管Q4的漏極與低端開關(guān)MOS管Q5的源極連接后作為驅(qū)動(dòng)輸出端，該驅(qū)動(dòng)輸出端與低端 開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vs連接，在高端開關(guān)MOS管Q4的源極與所述兩個(gè)開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出 電路供電端Vb、 Vs之間連接有附加供電電路。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是1、由于附加供電電路可以提高高端 開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出供電端Vb的供電電壓，從而保證具有足夠的驅(qū)動(dòng)電壓來驅(qū)動(dòng)高端開關(guān)MOS 管；2、避免開始工作時(shí)高端開關(guān)M0S管工作在放大區(qū)；3、避免在小調(diào)制比時(shí)容易出現(xiàn)自舉 崩潰問題；4、本實(shí)用新型的電路可靠性比較高，不容易出現(xiàn)故障，便于使用者長(zhǎng)期使用；5、 采用本實(shí)用新型制造出來的電路產(chǎn)品成本比較低，便于批量生產(chǎn)。


圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖； 圖2為本實(shí)用新型驅(qū)動(dòng)大電流電路的電路原理圖； 圖3為本實(shí)用新型驅(qū)動(dòng)小型IGBT電路的電路原理圖。
以下結(jié)合附圖與本實(shí)用新型的實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的描述 參見圖1-3，本實(shí)用新型為一種自舉驅(qū)動(dòng)電路，包括有控制芯片1 ，自舉二極管D和 自舉電容C組成的自舉電路、附加供電電路2以及兩個(gè)開關(guān)管高端開關(guān)MOS管Q4和低端開關(guān)M0S管Q5。 參見圖l，為本實(shí)用新型的實(shí)施例l，該實(shí)施例中，自舉二極管D連接在控制芯片1 的高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出供電端Vb與電源VCC之間，自舉電容C連接在控制芯片1的高端開關(guān) 驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vb與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vs之間。在控制芯片1的高端開 關(guān)脈沖輸出端Ho、低端開關(guān)脈沖輸出端Lo上分別連接高端開關(guān)MOS管Q4、低端開關(guān)M0S管 Q5的柵極，高端開關(guān)MOS管Q4的源極接電源，高端開關(guān)MOS管Q4的漏極與低端開關(guān)MOS管 Q5的源極連接后作為驅(qū)動(dòng)輸出端，該輸出端與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vs連接，低端 開關(guān)M0S管Q5的漏極接地。所述附加供電電路2連接在高端開關(guān)M0S管Q4的源極與所述 兩個(gè)開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vb、 Vs之間。由于附加供電電路2的存在，提高了高端開關(guān) 驅(qū)動(dòng)輸出供電端Vb的供電電壓，從而保證具有足夠的驅(qū)動(dòng)電壓來驅(qū)動(dòng)高端開關(guān)MOS管。所 述附加供電電路2包括有三極管和穩(wěn)壓管，三極管的基極與穩(wěn)壓管的負(fù)極連接，穩(wěn)壓管的 正極與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vs連接，另外三極管的基極、集電極分別通過電阻后 同時(shí)與高端開關(guān)M0S管Q4的源極連接，三極管的發(fā)射極與高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vb 連接。在三極管的發(fā)射極與基極之間還連接有一個(gè)保護(hù)二極管。 參見圖2，為本實(shí)用新型的實(shí)施例2，本實(shí)施例是應(yīng)用在驅(qū)動(dòng)大電流的電路上，該 實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于在高端開關(guān)脈沖輸出端Ho與高端開關(guān)MOS管Q4的柵極之 間，以及低端開關(guān)脈沖輸出端Lo與低端開關(guān)MOS管Q5的柵極之間分別連接有兩個(gè)三極管， 具體連接結(jié)構(gòu)，詳見圖2，其它的與實(shí)施例1相同。 參見圖3，為本實(shí)用新型的實(shí)施例3，本實(shí)施例是應(yīng)用在驅(qū)動(dòng)小型IGBT電路上，該 實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于在低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端Vs與高端開關(guān)M0S管Q4 的漏極之間，以及低端開關(guān)MOS管Q5的漏極與地之間分別連接有穩(wěn)壓管，具體連接結(jié)構(gòu)，詳 見圖3，其它的與實(shí)施例l相同。
權(quán)利要求一種自舉驅(qū)動(dòng)電路，包括有控制芯片(1)，在控制芯片(1)的高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出供電端(Vb)與電源(VCC)之間連接有自舉二極管(D)，在高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端(Vb)與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端(Vs)之間連接有自舉電容(C)，在控制芯片(1)的高端開關(guān)脈沖輸出端(Ho)、低端開關(guān)脈沖輸出端(Lo)上分別連接有高端開關(guān)MOS管(Q4)、低端開關(guān)MOS管(Q5)，高端開關(guān)MOS管(Q4)的漏極與低端開關(guān)MOS管(Q5)的源極連接后作為驅(qū)動(dòng)輸出端，該驅(qū)動(dòng)輸出端與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端(Vs)連接，其特征在于，在高端開關(guān)MOS管(Q4)的源極與所述兩個(gè)開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端(Vb、Vs)之間連接有附加供電電路(2)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種自舉驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述附加供電電路(2)包括 有三極管和穩(wěn)壓管，三極管的基極與穩(wěn)壓管的負(fù)極連接，穩(wěn)壓管的正極與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸 出電路供電端(Vs)連接，另外三極管的基極、集電極分別通過電阻后同時(shí)與高端開關(guān)MOS 管(Q4)的源極連接，三極管的發(fā)射極與高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端(Vb)連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種自舉驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于在高端開關(guān)脈沖輸出端 (Ho)與高端開關(guān)MOS管(Q4)的柵極之間，以及低端開關(guān)脈沖輸出端(Lo)與低端開關(guān)MOS 管(Q5)的柵極之間分別連接有兩個(gè)三極管。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種自舉驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于在低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電 路供電端(Vs)與高端開關(guān)MOS管(Q4)的漏極之間，以及低端開關(guān)MOS管(Q5)的漏極與地 之間分別連接有穩(wěn)壓管。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種自舉驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于在低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供 電端(Vs)與高端開關(guān)MOS管(Q4)的漏極之間，以及低端開關(guān)MOS管(Q5)的漏極與地之間 分別連接有穩(wěn)壓管。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種自舉驅(qū)動(dòng)電路，包括有控制芯片，在控制芯片的高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出供電端與電源連接有自舉二極管，在控制芯片的高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端之間連接有自舉電容，在控制芯片的高端開關(guān)脈沖輸出端、低端開關(guān)脈沖輸出端上分別連接有高端開關(guān)MOS管、低端開關(guān)MOS管，高端開關(guān)MOS管的漏極與低端開關(guān)MOS管的源極連接后作為驅(qū)動(dòng)輸出端，該驅(qū)動(dòng)輸出端與低端開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端連接，在高端開關(guān)MOS管的源極與所述兩個(gè)開關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出電路供電端之間連接有附加供電電路。本實(shí)用新型目的在于一種使高端開關(guān)MOS管具有足夠驅(qū)動(dòng)電壓、可靠性高的自舉驅(qū)動(dòng)電路。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK201450501SQ20092005987
公開日2010年5月5日 申請(qǐng)日期2009年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月30日
發(fā)明者彭建宇, 梁奇峰, 王奉瑾 申請(qǐng)人:中山火炬職業(yè)技術(shù)學(xué)院