專利名稱：彈性波濾波器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如用于便攜式電話機的RF段頻帶濾波器等的彈性波濾波器裝置， 更詳細而言，涉及具有第一 第五IDT電極的縱耦合諧振器型的彈性波濾波器裝置。
背景技術(shù)：
在頻帶濾波器中，強烈需要提高通頻帶和阻止域之間的區(qū)域的濾波器特性的陡峭性。在下述專利文獻1中，揭示了可提高濾波器特性的陡峭性的彈性表面波濾波裝置。在專利文獻1所記載的彈性表面波濾波裝置中，彈性波諧振器串聯(lián)或并聯(lián)在3IDT型的縱耦合諧振器型彈性表面波濾波器部上。通過控制被串聯(lián)或并聯(lián)連接的彈性波諧振器的諧振頻率或反諧振頻率的位置，可提高在通頻帶低頻側(cè)及通頻帶高頻側(cè)的濾波器特性的陡峭性。但是，在利用這樣的彈性波諧振器的頻率特性的方法中，陡峭性改良效果依賴于彈性波諧振器的Q值。彈性波諧振器的Q值基本由壓電基板材料、電極材料所決定。因此， 想通過提高彈性波諧振器的Q值來進一步提高濾波器特性的陡峭性是有極限的。另外，在下述的專利文獻2中，公開了一種具有平衡一不平衡轉(zhuǎn)換功能的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性表面波濾波裝置。圖26是表示專利文獻2所記載的彈性表面波濾波裝置的示意平面圖。彈性表面波濾波裝置1001具有壓電基板1002。在壓電基板1002上， 形成圖示的電極構(gòu)造。該電極構(gòu)造被連接在不平衡端子1003和第一、第二平衡端子1004， 1005之間。在不平衡端子1003上連接了 5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器部1010。 縱耦合諧振器型彈性波濾波器部1010具有第一 第五IDT電極1011 1015和反射器 1016、1017。這里，第一 第五IDT電極1011 1015在與其它IDT電極的相鄰側(cè)的端部，各自具有窄間距電極指部 m011、N1012a、m0Ub、N1013a、m0i;3b、N1014a、m014b 及 N1015。另外，在縱耦合諧振器型彈性波濾波器部1010的后級，分別連接有彈性表面波諧振器 1021、1022。這里，在連接到第一平衡端子1004的第一 IDT電極1011及連接到第二平衡端子 1005的第五IDT電極1015的窄間距電極指部附011、附015、以及第三IDT電極1013的窄間距電極指部N1013a、N1013b中，窄間距電極指部中的電極指的根數(shù)多的一側(cè)的窄間距電極指部的電極指間距比窄間距電極指部中的電極指的根數(shù)少的一方的窄間距電極指部的電極指間距要大。由此，在通頻帶內(nèi)，可降低波紋(ripple)。但是，這樣的構(gòu)成不能充分提高濾波器特性的陡峭性。另外，在下述的專利文獻3中，公開了一種不具有窄間距電極指部的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性表面波濾波裝置。這里，在處于中央位置的IDT電極中的電極指的根數(shù)及電極指間距比處于中央位置的IDT電極的兩側(cè)的IDT電極中的電極指的根數(shù)要少且電極指間距要小。由此，可擴大通頻帶低頻側(cè)中的阻止域的衰減量，提高濾波器特性的陡峭性。專利文獻1 JP特開平444011號公報專利文獻2 :W02006/068086A1專利文獻3 :W02007/08;3503A1
如上所述，專利文獻1中記載的彈性表面波濾波裝置在提高濾波器特性的陡峭性上具有極限。因此，不能實現(xiàn)近年尋求的濾波器特性的高陡峭性。另外，專利文獻2中記載的縱耦合諧振器型的彈性表面波濾波裝置，如上所述，通過控制窄間距電極指部中的電極指間距、電極指的根數(shù)，只不過是實現(xiàn)了對通頻帶內(nèi)所表現(xiàn)的波紋的抑制。并且在專利文獻2中尤其未提及提高濾波器特性的陡峭性的構(gòu)成。另外，對于專利文獻3中記載的彈性表面波濾波裝置，示出了在不具有窄間距電極指部的縱耦合諧振器型的彈性表面波濾波裝置中，通過調(diào)整中央的IDT電極中的電極指的根數(shù)及電極指間距、以及兩側(cè)的IDT電極中的電極指的根數(shù)及電極指間距，可以提高濾波器特性的陡峭性。但是，濾波器特性的陡峭性仍不充分高，需要尋求更進一步的改良。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)狀，本發(fā)明的目的在于在具有窄間距電極指部的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器裝置中，進一步提高濾波器特性的陡峭性。本發(fā)明所涉及的彈性波濾波器裝置具備壓電基板；在所述壓電基板上，沿著彈性波傳播方向按順序配置的第一 第五IDT電極；和在設(shè)有所述第一 第五IDT電極的區(qū)域的彈性波傳播方向兩側(cè)所配置的第一、第二反射器；其中，由所述第一 第五IDT電極和所述第一、第二反射器構(gòu)成縱耦合諧振器型彈性波濾波器部，所述第一 第五IDT電極在與其它的IDT電極相鄰的端部具有窄間距電極指部，該窄間距電極指部的電極指的周期比剩余的部分中的電極指的周期小。在此，將所述第一 IDT電極、以及所述第二 IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第一 IDT電極側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第一區(qū)域，將所述第二 IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第三IDT電極側(cè)的部分、以及所述第三IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第二 IDT電極側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第二區(qū)域，將所述第三IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第四IDT電極側(cè)的部分、以及所述第四IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第三IDT電極側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第三區(qū)域，將所述第四IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第五IDT電極側(cè)的部分、以及所述第五IDT 電極所構(gòu)成的區(qū)域作為第四區(qū)域，并將所述第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)及所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各設(shè)為Nx，將所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)及所述第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)為Ny 時，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny不同，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny之中， 所述電極指的總數(shù)多的區(qū)域所具有的窄間距電極指部的電極指的周期的平均值大于電極指的總數(shù)少的區(qū)域所具有的窄間距電極指部的電極指的周期的平均值，在所述第一 IDT電極、所述第三IDT電極以及所述第五IDT電極中，所述電極指的總數(shù)多的區(qū)域所包含的IDT 電極在窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述電極指的總數(shù)少的區(qū)域所包含的IDT電極在窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在本發(fā)明所涉及的彈性波濾波器裝置的第一特定情況中，所述第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)少于所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)，所述第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)多于所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)。
在上述第一特定情況的某一實施方式中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在上述第一特定情況的其它的實施方式中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在上述第一特定情況的其它的實施方式中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在上述第一特定情況的其它的實施方式中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在本發(fā)明的第一情況的其它的實施方式中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期， 所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五 IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在本發(fā)明的第二特定情況中，所述第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)多于所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)，所述第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)少于所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)。在本發(fā)明的第二特定情況的某一實施方式中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在第二特定情況的其它的實施方式中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在本發(fā)明的第二特定情況的其它的實施方式中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)， 所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。在本發(fā)明的第二特定情況的更進一步其它的特定的實施方式中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三 IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。根據(jù)本發(fā)明的第二特定情況的更進一步的其它的實施方式，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四 IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明，具有第一 第五IDT電極的5IDT型的彈性波裝置中，由于所述電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny不同，可有效提高通頻帶低頻側(cè)中的濾波器特性的陡峭性。另外，由于所述電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny中的電極指的總數(shù)多的區(qū)域中所具有的窄間距電極指部，與電極指的總數(shù)少的區(qū)域所具有的窄間距電極指部相比電極指的周期的平均值較大，可降低通頻帶內(nèi)的尖狀波紋。更進一步，在上述第一、第三及第五IDT電極中，由于電極指的總數(shù)多的區(qū)域所包含的IDT電極，與電極指的總數(shù)少的區(qū)域所包含的IDT電極相比，在窄間距電極指部以外的部分的電極指的周期較小，所以，可有效地提高通頻帶低頻側(cè)中的濾波器特性的陡峭性。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的彈性波濾波器裝置的示意平面圖。圖2是表示在本發(fā)明中用于確定窄間距電極指部的位置的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的概略構(gòu)成圖。圖3是用于說明在本發(fā)明的第一實施方式中的第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。圖4是表示本發(fā)明的第一實施方式及比較例的彈性波濾波器裝置的濾波器特性的圖。圖5是用于說明5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的0次模式、2次模式及IDT電極-IDT電極間模式的諧振點的圖。圖6是表示本發(fā)明的第一實施方式中，在窄間距電極指部B的電極指的根數(shù)和窄間距電極指部C的電極指的根數(shù)為不同的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖7是表示本發(fā)明的第一實施方式中，在使得窄間距電極指部B的電極指的周期和窄間距電極指部C的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化圖。圖8是表示本發(fā)明的第一實施方式中，在使得窄間距電極指部A中的電極指的周期和窄間距電極指部D的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化，特別是表示波紋Z的變化的圖。圖9是表示本發(fā)明的第一實施方式中，在使第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的電極指部的電極指的周期和第三IDT電極的窄間距電極指部以外的電極指部的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖10是，在本發(fā)明的第一實施方式的變形例中，用于說明5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。圖11是表示在本發(fā)明的第一實施方式的變形例中，在使得窄間距電極指部B的電極指的根數(shù)和窄間距電極指部C的電極指的根數(shù)不同的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖12是表示在本發(fā)明的第一實施方式的變形例中，在使得窄間距電極指部B的電極指的周期和窄間距電極指部C的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化的圖。圖13是表示在本發(fā)明的第一實施方式的變形例中，在使得窄間距電極指部A中的電極指的周期和窄間距電極指部D的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化， 特別是表示波紋Z的變化的圖。圖14是表示在本發(fā)明的第一實施方式的變形例中，在使第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的電極指部的電極指的周期和在第三IDT電極的窄間距電極指部以外的電極指部的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖15是在本發(fā)明的第二實施方式中，用于說明第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。圖16是表示本發(fā)明的第二實施方式及比較例的彈性波濾波器裝置的濾波器特性的圖。
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圖17是表示在本發(fā)明的第二實施方式中，在使得窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)和窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)為不同的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖18是表示在本發(fā)明的第二實施方式中，在使得窄間距電極指部B的電極指的周期和窄間距電極指部C的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化的圖。圖19是表示在本發(fā)明的第二實施方式中，在使得窄間距電極指部A中的電極指的周期和窄間距電極指部D的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化，特別是表示波紋Z的變化的圖。圖20是表示在本發(fā)明的第二實施方式中，在使得第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分的電極指的周期和第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖21是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的變形例中的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。圖22是表示本發(fā)明的第二實施方式的變形例中，在使得窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)和窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)不同情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖23是表示本發(fā)明的第二實施方式的變形例中，在使得窄間距電極指部B的電極指的周期和窄間距電極指部C的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化的圖。圖M是表示本發(fā)明的第二實施方式的變形例中，在使得窄間距電極指部A中的電極指的周期和窄間距電極指部D的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的諧振模式的變化，特別是表示波紋Z的變化的圖。圖25是表示本發(fā)明的第二實施方式的變形例中，在第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分的電極指的周期和第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分的電極指的周期發(fā)生變化的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。圖沈是用于說明現(xiàn)有的彈性波濾波器裝置的一例的示意平面圖。圖27是用于說明本發(fā)明的第三實施方式中的第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。圖觀是表示本發(fā)明的第三實施方式及比較例的彈性波濾波器裝置的濾波器特性的圖。圖四是用于說明在本發(fā)明的第三實施方式的變形例中的第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。
具體實施例方式以下，參照附圖，通過說明本發(fā)明的具體的實施方式來揭示本發(fā)明。(本發(fā)明的第一實施方式所涉及的彈性波濾波器裝置)圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的彈性波濾波器裝置的示意平面圖。本實施方式的彈性波濾波器裝置1具有壓電基板2。在壓電基板2上形成圖示的電極構(gòu)造，由此，構(gòu)成具有平衡一不平衡轉(zhuǎn)換功能的彈性表面波濾波裝置。本實施方式的彈性波濾波器裝置1作為便攜式電話機的UMTS-Band (Universal
13Mobile Telecommunications System-Band，通用移動通信系統(tǒng)一頻帶)2的接收側(cè)濾波器來使用。UMTS-Band2的發(fā)送頻帶為1. 850 1. 910GHz，接收側(cè)頻帶為1. 930 1. 990GHz。彈性波濾波器裝置1具有不平衡端子3以及第一、第二平衡端子4、5。不平衡端子3側(cè)的阻抗為50Ω，第一、第二平衡端子4、5側(cè)的阻抗為100Ω。S卩，彈性波濾波器裝置 1不僅具有平衡一不平衡轉(zhuǎn)換功能，還具有阻抗轉(zhuǎn)換功能。壓電基板2由適宜的壓電單結(jié)晶或壓電陶瓷構(gòu)成，在本實施方式中，由 40° 士5° Y切割(Y-cut)X傳播的LiTaO3基板構(gòu)成。在本實施方式中，在壓電基板2上形成的電極構(gòu)造由Al構(gòu)成，但也可由Au、Cu、Pt、 W、Ta等的各種金屬或合金形成。另外，這些電極構(gòu)造也可由單一的金屬膜形成，也可由多個金屬膜進行層疊得到的層疊金屬膜形成。在不平衡端子3和第一平衡端子4之間，連接有第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11。另外，在不平衡端子3和第二平衡端子5之間，連接有5IDT型的第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12。在第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11和不平衡端子3之間，在第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11上串聯(lián)連接有彈性波諧振器13。彈性波諧振器13是為了形成串聯(lián)陷波(trap)而設(shè)置的。在第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的輸出側(cè)的與第一平衡端子4之間的連接點和接地電位之間，為了形成并聯(lián)陷波而連接有彈性波諧振器14。在第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12和不平衡端子3之間，與第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12串聯(lián)連接有彈性波諧振器15。彈性波諧振器15是為了形成串聯(lián)陷波而設(shè)置的。在第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12的輸出側(cè)的與第二平衡端子5之間的連接點和接地電位之間，為了形成并聯(lián)陷波而連接有彈性波諧振器16。第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11沿著彈性波傳播方向，具有依次配置的第——第五IDT電極Ila lie。在設(shè)置了 IDT電極Ila lie的區(qū)域的彈性波傳播方向的兩側(cè)，形成了第一、第二反射器llf、llg。第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12也與第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11同樣，具有第一 第五IDT電極12a 1 和第一、第二反射器12f、12g。以從第一平衡端子4取出的信號和從第二平衡端子5取出的信號的相位相差180度的方式來構(gòu)成第一 第五IDT電極Ila lie和第一 第五IDT電極12a 12e。具體來說，相對于第二、 第四IDT電極IlbUld的相位，第二、第四IDT電極12b、12e的相位反轉(zhuǎn)，由此，從第一、第二平衡端子4、5取出的信號的相位出現(xiàn)180度差異。在第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11中，第一、第三、第五IDT電極lla、llc、 lie各個的一端被共同連接，并通過彈性波諧振器13連接到不平衡端子3。第一、第三及第五IDT電極lla、llc、lle各個的其它端被連接到接地電位。第二、第四IDT電極IlbUld各個的一端連接到接地電位，各個的其它端被共同連
接到第一平衡端子4。第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12側(cè)也是同樣的構(gòu)成，第一、第三及第五 IDT電極12a、12c、Ue各個的一端被共同連接，通過為了形成串聯(lián)陷波的彈性波諧振器15
14而連接到不平衡端子3。IDT電極12a、12c及1 各個的其它端被連接到接地電位。第二及第四IDT電極12b、12d各個的一端被連接到接地電位，其他端被共同連接
到第二平衡端子5。上述彈性波諧振器13 16中，任意一個都是1端口型彈性波諧振器，具有IDT電極以及在IDT電極的彈性波傳播方向上配置于兩側(cè)的第一、第二反射器。彈性波諧振器13 16被設(shè)定用于擴大通頻帶外的衰減量。具體來說，彈性波諧振器13、15的諧振頻率處于彈性波濾波器裝置1的通頻帶內(nèi)，反諧振頻率被配置在通頻帶高頻側(cè)端部附近的衰減域。由此，在通頻帶高頻側(cè)的衰減域中，擴大衰減量。另外，彈性波諧振器14、16的諧振頻率被配置在通頻帶的低頻側(cè)端部附近的衰減域，反諧振頻率被配置在通頻帶內(nèi)。因此，在比彈性波濾波器裝置1的通頻帶更低的低頻側(cè)的衰減域，擴大衰減量。本實施方式的彈性波濾波器裝置1的特征在于第一、第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11、12的第一 第五IDT電極Ila lie、12a 12e的構(gòu)造。參照圖2 圖9對此進行說明。在圖1中，圖示了在第一、第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11、12的第一 第五IDT電極Ila lie及12a 12e的電極指間的間距全部相等，在本實施方式的彈性波濾波器裝置中，實際上，第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11具有圖3所示構(gòu)造。如圖3所示，第一 第五IDT電極Ila lie在IDT電極彼此相鄰的端部具有相對比電極指間距的剩余部分狹窄的窄間距電極指部。為更加詳細地進行說明，以圖2來表示未設(shè)置這樣的窄間距電極指部的假想的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器部10， 根據(jù)圖2所示的假想的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器部10來說明圖3的構(gòu)造。在圖2中，為了確定設(shè)置了窄間距電極指部的位置，在第一 第五IDT電極IOa IOe中，將可設(shè)置窄間距電極指部的端部分別設(shè)為A D部分。具體來說，將第一 IDT電極的第二 IDT電極側(cè)的端部作為A部分。同樣，將第五IDT電極IOe的第四IDT電極IOd側(cè)的端部附近部分作為A部分。第二、第四IDT電極10b、10d的外側(cè)端部即與第一、第五IDT 電極IOa或IOe相鄰的端部作為B部分。第二、第四IDT電極10b、10d的內(nèi)側(cè)端部即與第三IDT電極IOc相鄰一側(cè)的端部各作為C部分。因此，位于中央的第三IDT電極的兩側(cè)的端部附近部分作為D部分。在本實施方式中，如圖3所示，在上述A部分 D部分設(shè)置了窄間距電極指部。在以下的說明中，將設(shè)置于A部分、B部分、C部分及D部分的各窄間距電極指部各分別設(shè)為窄間距電極指部A、窄間距電極指部B、窄間距電極指部C以及窄間距電極指部D。另外，在本說明書中，“窄間距電極指部”是指，相對于窄間距電極指部以外的IDT 電極內(nèi)剩余的電極指部的間距而言，電極指間間距相對較狹窄的電極指部。如圖3所示，窄間距電極指部被設(shè)置在IDT電極彼此相鄰的部分，在兩側(cè)，IDT電極存在的第二、第四IDT電極lib、lid、第三IDT電極lie中，在IDT電極的兩端部設(shè)置有窄間距電極指部。本實施方式的特征在于，在第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11中，第二 IDT 電極lib及第四IDT電極Ild的第一或第五IDT電極11a、lie側(cè)的端部的窄間距電極指部即窄間距電極指部B的電極指的根數(shù)少于第二、第四IDT電極lib及Ild的第三IDT電極Ilc側(cè)的窄間距電極指部即窄間距電極指部C的電極指的根數(shù)，并且，窄間距電極指部B的電極指的周期比窄間距電極指部C的電極指的周期小，在第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分的電極指的周期比第一及第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分的電極指的周期小。第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12也與第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11是同樣的構(gòu)成。由此，在彈性波濾波器裝置1中，在通頻帶低頻側(cè)中能有效提高濾波器特性的陡峭性。參照圖4 圖8對此進行說明。圖4是表示本實施方式的彈性波濾波器裝置的濾波器特性的圖，實線表示本實施方式的結(jié)果，虛線表示作為比較例而準備的彈性波濾波器裝置的濾波器特性。在上述實施方式及比較例中，電極構(gòu)造的詳細如下。第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的配置如下以下，由IDT電極的電極指的間距所決定的波長設(shè)為入I。電極指交叉寬度=15. 2 λ I第一、第五IDT電極IlaUle 電極指的根數(shù)各40根，其中，40根中5根是窄間距電極指部A的電極指第三IDT電極lie 電極指的根數(shù)79根，其中，在兩端各自設(shè)置了具有5根電極指的窄間距電極指部D。第二、第四IDT電極IlbUld:電極指的根數(shù)43根，其中，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為3根，窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為7根，在剩余的部分中的電極指的根數(shù)各為33根。第一、第二反射器IlfUlg中的電極指的根數(shù)各65根金屬化率(metalization ratio) :0.68電極膜厚0·091 λ I另外，第二、第四IDT電極IlbUld的窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期小0. 13 μ m。第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部D以外的部分中的電極指的周期比第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A以外的部分中的電極指的周期小Ο.ΟΙμπι。窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期小 0. 13 μ m。第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12，如上所述，除一部分的IDT電極的相位是反轉(zhuǎn)的外，與第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的構(gòu)成是同樣的。彈性波諧振器13、15的配置如下以下，將由IDT電極的電極指的間距所決定的波長設(shè)為λ II。電極指交叉寬度11. 0λ IIIDT電極中的電極指的根數(shù)71根反射器中的電極指的根數(shù)各18根金屬化率0. 60電極膜厚0.095 λ II彈性波諧振器14、16的配置如下以下，將IDT電極的電極指的間距所決定的波長為λ III。
電極指交叉寬度15.0 λ III在IDT電極中的電極指的根數(shù)111根反射器中的電極指的根數(shù)18根金屬化率0· 60電極膜厚0.091 λ III作為比較例，在窄間距電極指部D及窄 間距電極指部C中的電極指的根數(shù)都為4 根，除窄間距電極指部B中的電極指的周期和窄間距電極指部C的周期是同樣的外，準備了與上述實施方式同樣構(gòu)成的彈性波濾波器裝置。從圖4可知，根據(jù)本實施方式，相對于比較例，在通頻帶為1. 930 1. 990GHz的低頻側(cè)端部附近，提高了陡峭性。即，1. 930GHz附近的阻止域，具體來說，在1. 900 1. 930GHz 的頻帶，提高了陡峭性，對于濾波器特性的饋通電平，根據(jù)本施方式，損失從3. 5dB到 47. OdB的頻率間隔與比較例相比變窄了 2. 5MHz。該頻率間隔變得狹窄時，對由制造偏差產(chǎn)生的頻率偏差的交叉變大。進而，能夠提供即使周圍溫度發(fā)生了變化，插入損失、衰減量的劣化也小的彈性波濾波器裝置1。如上所述，在本實施方式中，由于窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)及電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)及周期少或小，如上所述，就提高了通頻帶低頻側(cè)附近的濾波器特性的陡峭性的理由進行說明。圖5僅表示上述比較例的彈性波濾波器裝置1中的第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部的電氣特性，1 Ω為終端，除去特性阻抗，表示了諧振模式的諧振點。在圖5中，Xl為 0次模式，Χ2為2次模式以及Χ3為表示在IDT電極-IDT電極間，具有彈性波的能量分布峰值的諧振模式即IDT電極-IDT電極間模式的諧振特性的部分。2次模式的諧振點被配置在通頻帶外，對通頻帶的形成不起作用。即，在5IDT型的上述縱耦合諧振器型彈性波濾波器部中，通過0次模式的諧振點和IDT電極-IDT電極間模式的諧振點形成了頻帶。對于該比較例，以圖6來表示窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)和窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為不同的情況下的上述諧振模式的變化。在圖6中，實線表示與上述比較例同樣，窄間距電極指部B及窄間距電極指部C的電極指的根數(shù)任意一個均為4根的情況下的結(jié)果。另外，虛線表示窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為3根，窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為5根的情況下的結(jié)果。單點劃線表示窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為3根，窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為7根的情況下的結(jié)果?？芍S著窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)與窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)的差增大， 在通頻帶低頻側(cè)端部附近，能產(chǎn)生大的波紋Y。波紋Y在0次模式的諧振點和2次模式的諧振點的之間產(chǎn)生。因此，通過調(diào)整設(shè)計參數(shù)，調(diào)整波紋Y的頻率位置，使波紋Y位于通頻帶低頻側(cè)的傾斜部分。即，利用波紋Y，在通頻帶低頻側(cè)，可提高濾波器特性的陡峭性。但是，同時，在0次模式的諧振點和IDT電極-IDT電極間模式的諧振點之間也產(chǎn)生波紋Ζ。如果產(chǎn)生了波紋Ζ，會在通頻帶內(nèi)表現(xiàn)大的尖(spike)狀波紋。因此，需降低波紋Z。這里，就降低波紋Z的方法進行探討的結(jié)果發(fā)現(xiàn)使得窄間距電極指部B中的電極指的周期和窄間距電極指部C中的電極指的周期為不同時較為有效。圖7是表示使得窄間距電極指部B中的電極指的周期和窄間距電極指部C的周期為不同的情況下的諧振模式的變化的圖。在圖7中，實線表示窄間距電極指部B的周期和窄間距電極指部C的窄間距電極指部為相同的情況下的結(jié)果，虛線表示窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期小0. 04 μ m的情況下的結(jié)果，單點劃線表示，窄間距電極指部B中的電極指的周期與窄間距電極指部C相比小0. 08 μ m時的結(jié)果。從圖7中可知，通過使窄間距電極指部B中的電極指的周期小于窄間距電極指部 C的周期，可降低波紋Z。特別是，通過將兩者的電極指的周期的差變大，得知可進一步降低波紋Z。 另外，在圖7中，是相對于窄間距電極指部C中的電極指的周期，將窄間距電極指部B中的電極指的周期變小，相反，如果相對于窄間距電極指部C中的電極指的周期，將窄間距電極指部B中的電極指的周期變大，波紋Z會變大。即，通過在窄間距電極指部B及窄間距電極指部C內(nèi)，將窄間距電極指部的電極指的根數(shù)變小一側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期進行相對減小，既可降低波紋Z，又利用波紋Y有效提高濾波器特性的陡峭性。因此，與上述實施方式相反，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)比窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)多的情況下，如果將窄間距電極指部B中的電極指的周期變得比窄間距電極指部C中的電極指的周期大，在該情況下也可得到和上述實施方式同樣的效果。 另外，即使在上述窄間距電極指部B中的電極指的周期和在窄間距電極指部C中的電極指的周期相等，通過在使得窄間距電極指部A中的電極指的周期和窄間距電極指部 D的電極指的周期不同，也可取得同樣的效果。參照圖8對此進行說明。圖8是表示在窄間距電極指部A中的電極指的周期與窄間距電極指部D的電極指的周期為不同的情況下的波紋Y的變化的圖。這里，在窄間距電極指部B及窄間距電極指部C中的電極指的周期及間距相同。在圖8中，實線表示在窄間距電極指部A及窄間距電極指部D的電極指的周期相同的情況的結(jié)果，虛線表示與窄間距電極指部D的電極指的周期相比，窄間距電極指部A中的電極指的周期變小0. 04 μ m的情況下的結(jié)果，單點劃線表示在窄間距電極指部A中的電極指的周期比窄間距電極指部D小0. 08 μ m的情況下的結(jié)果。從圖8可知，與窄間距電極指部D相比，隨著窄間距電極指部A的周期變小，即隨著周期的差變大，波紋Z變得更小。在圖8中，對于窄間距電極指部D，窄間距電極指部A的周期變小，相反，相 對于窄間距電極指部D，將窄間距電極指部A中的電極指的周期相對變大，波紋Z也變大。即，在窄間距電極指部A和窄間距電極指部D中的、與窄間距電極指部B和窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)少的一方進行相對的部分中，有必要將電極指的周期變小。從圖7及圖8可知通過將窄間距電極指部B中的電極指的周期變得比窄間距電極指部C中的電極指的周期小，或?qū)⒄g距電極指部A中的電極指的周期變得比窄間距電極指部D的電極指的周期小，雖然可以降低波紋Z，在該情況下，波紋Y也有變小的傾向。如果波紋Y變小，改良通頻帶低頻側(cè)的陡峭性的效果也會變小。因此，更進一步探討的結(jié)果發(fā)現(xiàn)要使波紋Y變大，通過調(diào)整第一、第三及第五IDT 電極lla、llc、lle的窄間距電極指部以外的剩余電極指部中的電極指的周期、即通過調(diào)整用于決定濾波器的頻率的主電極指部中的電極指的周期是有效的。
圖9是表示在第一 IDT電極Ila及第五IDT電極lie中的電極指的周期和第三 IDT電極Ilc中的電極指的周期為不同的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。具體來說， 在圖9中，實線表示第三IDT電極Ilc和第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分(主電極指部)中的電極指的周期為相等的情況下的結(jié)果，虛線表示處于中央的 IDT電極即第三IDT電極Ilc中的電極指的周期比第一、第五IDT電極IlaUle中的電極指的周期小0. 03 μ m的情況下的結(jié)果，單點劃線表示，處于中央的第三IDT電極Ilc中的電極指的周期比第一、第五IDT電極IlaUle的主電極指部的電極指的周期要小0. 06 μ m的情況下的結(jié)果。 從圖9可知，隨著在第一、第五IDT電極IlaUle與第三IDT電極Ilc中的電極指的周期差變大，波紋Y也隨之變大。在該情況下，波紋ζ基本不變。因此，在第三IDT電極 Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期與第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期不同為優(yōu)選。另外，在圖9中，相對于第一及第五IDT電極lla、lle，將在第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期相對變小，相反，在第一、第五IDT電極11a、 lie的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期相對變大的情況下，波紋Y變小。艮口， 為了使波紋Y變大，需要相對地增大與窄間距電極指部B及窄間距電極指部C的電極指的根數(shù)少的一方的部分進行相對的IDT電極的窄間距電極指部以外的主電極指部的電極指的周期。因此，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)比窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)多的情況下，在第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的主電極指部的電極指的周期比第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的主電極指部的電極指的周期小為優(yōu)選。其次，參照圖10 圖14說明上述實施方式的變形例。圖10是用于說明上述實施方式的變形例所涉及的彈性波濾波器裝置中的第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。在本變形例中，與上述實施方式相比，窄間距電極指部的電極指的根數(shù)及周期關(guān)系是相反的。g卩，如圖10所示，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)比窄間距電極指部C 中的電極指的根數(shù)多，在窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期大。從而，第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期比第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小。由此， 與上述實施方式同樣，可增大波紋Y提高濾波器特性的低頻側(cè)中的陡峭性，并且可以降低波紋Z。如圖11 圖14所示。圖11是表示在窄間距電極指部B、窄間距電極指部C中使電極指的根數(shù)為不同的情況下的波紋Y及波紋Z的變化的圖。在圖11中，實線表示在窄間距電極指部B及窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)均為4根的情況下的結(jié)果，虛線表示在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為5根，在窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為3根的情況下的結(jié)果，單點劃線表示在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為7根，在窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為3根的情況下的結(jié)果。從圖11可知，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)相對于在窄間距電極指部C 中的電極指的根數(shù)相對越多，波紋Y就越大。
但是，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)對于在窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)相對越多波紋Z越大。圖12是表示在窄間距電極指部B中的電極指的周期、窄間距電極指部C中的電極指的周期、波紋Y及波紋Z的關(guān)系的圖。在圖12中，實線表示在窄間距電極指部B及窄間距電極指部C中的電極指的周期相同的情況下的結(jié)果，虛線表示將窄間距電極指部B中的電極指的周期相對地擴大0. 04 μ m的情況下的結(jié)果，單點劃線表示將窄間距電極指部B中的電極指的周期相對地增大0. 08 μ m的情況下的結(jié)果。
從圖12可知，在窄間距電極指部B中隨著將電極指的周期相對增大，可將不要的波紋Z變小，在這樣的情況下，波紋Y的大小沒什么變化。圖13是表示，在本變形例中，使窄間距電極指部A及窄間距電極指部D的電極指的間距發(fā)生變化的情況下的波紋Z的變化的圖，實線表示在窄間距電極指部A及窄間距電極指部D的電極指的周期相同的情況下的結(jié)果，虛線表示在窄間距電極指部A中的電極指的周期對于在窄間距電極指部B中的電極指的周期相對大0. 04 μ m的情況下的結(jié)果，單點劃線表示在窄間距電極指部A中的電極指的周期對于在窄間距電極指部B中的電極指的周期相對大0. 08 μ m的情況下的結(jié)果。從圖13可知，通過在窄間距電極指部A中隨著增大電極指的周期，S卩，窄間距電極指部的電極指的根數(shù)與窄間距電極指部C相比，相對多的是窄間距電極指部B，通過使與窄間距電極指部B相對的窄間距電極指部A中的電極指的周期大于窄間距電極指部D的電極指的周期，可使波紋Z變小。圖14是表示，在本變形例中，在第三IDT電極Ilc與第一、第五IDT電極IlaUle 的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期和波紋Y的關(guān)系的圖。圖14中表示在第三IDT電極Ilc與第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期完全相等的情況下的結(jié)果，虛線表示在第三IDT電極Ilc 中的電極指的周期相對增大0. 03 μ m的情況下的結(jié)果，單點劃線表示在第三IDT電極Ilc 的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期相對增大0. 06 μ m的情況下的結(jié)果。從圖14可知，與圖9的情況相同，通過使得窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期在第一 IDT電極11a、第五IDT電極lie與第三IDT電極Ilc為不同，可控制波紋 Y的大小。在該情況下，通過在使得窄間距電極指部中的與電極指的根數(shù)相對大的窄間距電極指部B進行相對的部分側(cè)的第一、第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于與窄間距電極指部的電極指的根數(shù)相對少的窄間距電極指部C進行相對的第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期，可使波紋Y變大。由此，可有效提高濾波器特性的陡峭性。并且，在上述變形例中，就將在窄間距電極指部B中的電極指的周期設(shè)定為比窄間距電極指部C中的電極指的周期大的例子進行了說明，替代將窄間距電極指部B中的電極指的周期設(shè)定為大于在窄間距電極指部C中的電極指的周期，將窄間距電極指部A中的電極指的周期設(shè)定為大于在窄間距電極指部D的電極指的周期也可以。另外，在本發(fā)明中，就在窄間距電極指部的電極指的周期為一定的情況進行說明。 但是，在窄間距電極指部的電極指的周期不必須是固定的。例如，在窄間距電極指部的電極指的周期如JP特表2002-528987號公報所述，可漸漸變化，如特開2003-243965號公報所述，在窄間距電極指部中，可以設(shè)置多個電極指的周期不同的部分。如此，在窄間距電極指部的電極指的周期不恒定的情況下，在窄間距電極指部的電極指的周期的平均值如果滿足在上述實施方式中所說明的大小關(guān)系，可得到本發(fā)明的效果。即，在本發(fā)明中， “窄間距電極指部的電極指的周期”是指，在窄間距電極指部的電極指的周期不是一定的情況下，窄間距電極指部中的電極指的周期的平均值。另外，在上述實施方式及變形例中，就利用了彈性表面波的彈性表面波濾波裝置進行了說明，本發(fā)明因為是在電極構(gòu)造上具有特征，不僅是彈性表面波，也可同樣適用于利用了彈性邊界波的彈性邊界波濾波裝置，同樣也可提高濾波器特性的陡峭性。(本發(fā)明的第二實施方式所涉及的彈性波濾波器裝置)以下，對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。第二實施方式也與第一實施方式相同， 因為具有圖1所示的構(gòu)造，與第一實施方式共同的部分，使用同一符號，省略其說明。如圖15所示，本實施方式的特征是，在第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11， 第一及第五IDT電極IlaUle的端部所設(shè)置的窄間距電極指部即窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)比第三IDT電極Ilc的兩端部所設(shè)置的窄間距電極指部即窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)少，第二及第四IDT電極IlbUld的第一及第五IDT電極IlaUle側(cè)的端部所設(shè)置的窄間距電極指部即窄間距電極指部B中的電極指的周期比第二及第四IDT電極 IlbUld的第三IDT電極Ilc側(cè)的端部所設(shè)置的窄間距電極指部即窄間距電極指部C中的電極指的周期要小，第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部B、C以外的部分中的電極指的周期比第一及第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A以外的部分中的電極指的周期要小。第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12也與第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11 是同樣的構(gòu)成。由此，在彈性波濾波器裝置1中，在通頻帶低頻側(cè)，可有效地提高濾波器特性的陡峭性。參照圖16 圖19說明這點。圖16是表示本實施方式的彈性波濾波器裝置的濾波器特性的圖，實線表示本實施方式的結(jié)果，單點劃線作為比較例表示所準備的彈性波濾波器裝置的濾波器特性。在上述實施方式及比較例中電極構(gòu)造的詳細如下。以下，由IDT電極的電極指的周期所決定的波長為入I。第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的配置如下電極指交叉寬度=14. 9 λ I第一、第五IDT電極11a、lie 電極指的根數(shù)各37根，37根之中有3根是窄間距電極指部A的電極指第三IDT電極Ilc 電極指的根數(shù)85根，在兩端設(shè)置了各7根電極指的窄間距電極指部D。第二、第四IDT電極IlbUld:電極指的根數(shù)41根，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為4根，在窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為4根，在剩余的部分中的電極指的根數(shù)為33根。在第一、第二反射器IlfUlg中的電極指的根數(shù)各65根金屬化率0· 68電極膜厚0.091 λ I第二、第四IDT電極IlbUld的窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期小0. 14 μ m。第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部D以外的部分中的電極指的周期比第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A以外的部分中的電極指的周期還小Ο.ΟΙμπι。如上所述，第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12是除一部分的IDT電極的相位是反轉(zhuǎn)之外，與第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的構(gòu)成是同樣的。另外，作為比較例，準備了除窄間距電極指部D及窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)均為4根，窄間距電極指部B中的電極指的周期和窄間距電極指部C中的周期相同之夕卜，和上述實施方式相同構(gòu)成的彈性波濾波器裝置。從圖16可知，相對于比較例，根據(jù)本實施方式可得知在通頻帶1. 930 1. 990GHz 的低頻側(cè)端部附近的陡峭性得以提高。即，1.930GHz附近的阻止域，更具體來說，在 1. 900 1. 930GHz的頻帶，陡峭性被提高，對于濾波器特性的饋通電平，根據(jù)本實施方式， 與比較例相比，損失從3. 5dB至47. OdB的頻率間隔縮狹窄了 2. IMHz0該頻率間隔如果縮狹窄，相對于因制造偏差造成的頻率偏差的交叉則變大。進一步，即使周圍溫度發(fā)生了變化， 也可提供插入損失或衰減量的劣化為較小的彈性波濾波器裝置1。相對于該比較例，圖17表示使窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)和窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)為不同的情況下的上述諧振模式的變化。在圖17中，與上述比較例相同，實線表示窄間距電極指部B及窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)均為4根時的結(jié)果。虛線表示窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)為3根，窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)為5根時的結(jié)果。單點劃線表示窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)為3根，且窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)為7根時的結(jié)果。從圖17表示的結(jié)果可知，隨著窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)和窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)的差變大，在通頻帶低頻側(cè)端部附近產(chǎn)生大的波紋Y。波紋Y在0 次模式的諧振點和2次模式的諧振點之間產(chǎn)生。因此，可通過調(diào)整設(shè)計參數(shù)，調(diào)整波紋Y的頻率位置，使波紋Y位于通頻帶低頻側(cè)的傾斜部分。即，利用波紋Y，可提高在通頻帶低頻側(cè)中的濾波器特性的陡峭性。但是，同時，0次模式的諧振點和IDT電極-IDT電極間模式的諧振點之間也產(chǎn)生波紋Z。如果產(chǎn)生波紋Z，在通頻帶內(nèi)就出現(xiàn)大的尖狀波紋。因此，需要降低波紋Z。這里，就降低波紋Z的方法進行探討的結(jié)果發(fā)現(xiàn)使得窄間距電極指部B中的電極指的周期和窄間距電極指部C中的電極指的周期為不同時較為有效。圖18是表示使得窄間距電極指部B中的電極指的周期和窄間距電極指部C的周期為不同的情況下的諧振模式的變化的圖。在圖18中，實線表示窄間距電極指部B的周期和窄間距電極指部C的窄間距電極指部為相同的情況下的結(jié)果，虛線表示窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期小0. 04 μ m的情況下的結(jié)果，單點劃線表示，窄間距電極指部B中的電極指的周期與窄間距電極指部C相比小0. 08 μ m時的結(jié)果。從圖18中可知，通過使窄間距電極指部B中的電極指的周期小于窄間距電極指部 C的周期，可降低波紋Z。特別是，通過將兩者的電極指的周期的差變大，得知可進一步降低波紋Z。另外，在圖18中，是相對于窄間距電極指部C中的電極指的周期，將窄間距電極 指部B中的電極指的周期變小，相反，如果相對于窄間距電極指部C中的電極指的周期，將窄間距電極指部B中的電極指的周期變大，則波紋Z會變大。即，通過在窄間距電極指部B及窄間距電極指部C內(nèi)的、與窄間距電極指部A和窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)較小一側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期進行相對減小，既可降低波紋Z，又利用波紋Y有效提高濾波器特性的陡峭性。因此，與上述實施方式相反，在窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)比窄間 距電極指部D中的電極指的根數(shù)多的情況下，如果將窄間距電極指部B中的電極指的周期變得比窄間距電極指部C中的電極指的周期大，在該情況下也可得到和上述實施方式同樣地， 既可降低波紋Z，又利用波紋Y有效提高濾波器特性的陡峭性。另外，上述窄間距電極指部B中的電極指的周期和窄間距電極指部C中的電極指的周期即使相等，通過使得窄間距電極指部A中的電極指的周期和窄間距電極指部D的電極指的周期不同，同樣，可降低波紋Z。參照圖19對此進行說明。圖19是表示，使窄間距電極指部A中的電極指的周期與窄間距電極指部D的電極指的周期為不同時的波紋Y的變化的圖。這里，窄間距電極指部B及窄間距電極指部C中的電極指的周期及間距相等。圖19中，實線表示窄間距電極指部A及窄間距電極指部D的電極指的周期相同時的結(jié)果，虛線表示與窄間距電極指部D的電極指的周期相比，窄間距電極指部A中的電極指的周期小0. 04μπι時的結(jié)果，單點劃線表示窄間距電極指部A中的電極指的周期與窄間距電極指部D相比小0.08 μ m時的結(jié)果。從圖19可知，與窄間距電極指部D相比，隨著窄間距電極指部A的周期變小，即隨著周期的差變大，波紋Z更進一步變小。在圖19中，相對于窄間距電極指部D，使窄間距電極指部A的周期變小，相反，窄間距電極指部A中的電極指的周期如果相對于窄間距電極指部D相對變大，則波紋Z也變大。 艮口，窄間距電極指部A和窄間距電極指部D中，電極指的根數(shù)少的一方的窄間距電極指部的電極指的周期有變小的必要。從圖18及圖19可知，通過將窄間距電極指部B中的電極指的周期變得比窄間距電極指部C中的電極指的周期小，或者將窄間距電極指部A中的電極指的周期變得比窄間距電極指部D的電極指的周期小，雖然可以降低波紋Z，該情況下，波紋Y也有變小的傾向。 如果波紋Y變小，通頻帶低頻側(cè)的陡峭性的改良效果就變小。這里，進一步探討的結(jié)果發(fā)現(xiàn)為了不使波紋Z變小且將波紋Y變大，通過調(diào)整第一、第三及第五IDT電極lla、llc、lle的窄間距電極指部以外的剩余的電極指部的電極指的周期，即通過調(diào)整用于決定濾波器的頻率的主要電極指部中的調(diào)整電極指的周期是有效的。圖20是表示，在第一 IDT電極Ila及第五IDT電極lie的主要的電極指部的電極指的周期和第三IDT電極Ilc的主要的電極指部的電極指的周期時的波紋Y及波紋Z的變化的圖。具體來說，在圖20中，實線表示第三IDT電極Ilc和第一、第五IDT電極11a、 lie的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期為相同時的結(jié)果，虛線表示處于中央的IDT電極第三IDT電極Ilc中的電極指的周期比第一、第五IDT電極IlaUle中的電極指的周期小0. 03 μ m時的結(jié)果，單點劃線表示處于中央的第三IDT電極Ilc中的電極指的周期比第一、第五IDT電極IlaUle的主要的電極指部的電極指的周期小0. 06 μ m時的結(jié)果。從圖20可知，在第一、第五IDT電極IlaUle與第三IDT電極Ilc中隨著電極指的周期的差增大，波紋Y也變大。該情況下，波紋ζ幾乎沒有變化。因此，在第三IDT電極 Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期與第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期不同為優(yōu)選。并且，在圖20中，相對于第一及第五IDT電極lla、lle，使第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期相對變小，相反，在第一、第五IDT電極11a、 lie的窄間距電極指部以外的部分中使電極指的周期相對變大時，波紋Y變小。即，為了使波紋Y變大，需要使第一及第三IDT電極11a，lie中，窄間距電極指部的電極指的根數(shù)較多的一方的IDT電極的窄間距電極指部以外的主要的電極指部中的電極指的周期相對變小。 因此，窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)比窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)多時，優(yōu)選使得第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的主要的電極指部的電極指的周期比第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的主要的電極指部的電極指的周期小。其次，參照圖21 圖25對上述實施方式的變形例進行說明。圖21是用于說明在上述實施方式的變形例所涉及的彈性波濾波器裝置中第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的窄間距電極指部的構(gòu)造的示意平面圖。在本變形例中，上述實施方式和窄間距電極指部的電極指的根數(shù)及周期的關(guān)系相反。即，如圖21所示，在本變形例中，窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)比窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)多，窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期大，第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部B、C以外的部分中的電極指的周期比第一及第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A以外的部分中的電極指的周期大。由此，與上述實施方式相同，將波紋Y變大，可提高濾波器特性的低頻側(cè)中的陡峭性，并且，降低波紋Z。以圖22 圖25對此進行表示。圖22是表示，窄間距電極指部A與窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)為不同時的波紋Y及波紋Z的變化的圖。在圖22中，實線表示窄間距電極指部A及窄間距電極指部 D中的電極指的根數(shù)均為4根時的結(jié)果，虛線表示窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)為7 根，窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)為3根時的結(jié)果，單點劃線表示，窄間距電極指部 A中的電極指的根數(shù)為9根，窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)為3根時的結(jié)果。從圖22可知，在窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)相對于窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)而相對地越增多時，波紋Y變得越大。但是，窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)相對于窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)而相對地地越增多時，波紋Z也變得越大。圖23是表示窄間距電極指部B中的電極指的周期、窄間距電極指部C中的電極指的周期、波紋Y及波紋ζ的關(guān)系的圖。在圖23中，實線表示，窄間距電極指部B及窄間距電極指部C中的電極指的周期為相同時的結(jié)果，虛線表示將窄間距電極指部B中的電極指的周期相對擴大0. 02 μ m時的結(jié)果，單點劃線表示將窄間距電極指部B中的電極指的周期相對增大0. 04 μ m時的結(jié)果。從圖23可知，隨著將窄間距電極指部B中的電極指的周期相對地變大，可使不要的波紋Z變小，該情況下，波紋Y的大小基本不變化。
圖24是表示，在本變形例中，窄間距電極指部A及窄間距電極指部D的電極指的周期發(fā)生變化時的波紋Z的變化的圖，實線表示窄間距電極指部A及窄間距電極指部D的電極指的周期為相同時的結(jié)果，虛線表示窄間距電極指部A中的電極指的周期與窄間距電極指部B中的電極指的周期相比而相對大0. 02 μ m時的結(jié)果，單點劃線表示窄間距電極指部A中的電極指的周期與窄間距電極指部B中的電極指的周期相比而相對大0. 04 μ m時的結(jié)果。 從圖24可知，隨著使窄間距電極指部A中的電極指的周期相對變大，波紋Z變小。 艮口，窄間距電極指部A和窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)較多的一方的窄間距電極指部的電極指的周期越大，波紋Z越小。圖25是表示，在本變形例中，第三IDT電極Ilc與第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期和波紋Y的關(guān)系的圖。在圖25中，第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期與第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期為相等時的結(jié)果，虛線表示第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期比第一、 第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大0. 03 μ m時的結(jié)果，單點劃線表示第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期比第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大0. 06 μ m時的結(jié)果。從圖25可知，與圖20的情況相同，通過在使得窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期在第一 IDT電極11a、第五IDT電極lie與第三IDT電極Ilc不同，可控制波紋 Y的大小。具體來說，第一、第五IDT電極IlaUle及第三IDT電極Ilc中，通過在使得窄間距電極指部的電極指的根數(shù)較多的一方的IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于其他IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期，可使波紋 Y變大。由此，可有效提高濾波器特性的陡峭性。另外，在上述變形例中，就在窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期大的設(shè)定例進行了說明。取代將窄間距電極指部B中的電極指的周期變得比窄間距電極指部C中的電極指的周期大，而設(shè)定窄間距電極指部A中的電極指的周期比窄間距電極指部D的電極指的周期大也可以。(本發(fā)明的第三實施方式所涉及的彈性波濾波器裝置)以下，就本發(fā)明的第三實施方式進行說明。第三實施方式也和第一實施方式相同地具有圖1所表示的構(gòu)造，與第一實施方式共同的部分，使用同一符號，省略說明。如圖27所示，本實施方式的特征是，在第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11 中，使得第二 IDT電極lib及第四IDT電極Ild的在第一或第五IDT電極IlaUle側(cè)的端部的窄間距電極指部即窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)，比第二、第四IDT電極lib及 Ild的在第三IDT電極Ilc側(cè)的窄間距電極指部即窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)少， 窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期小，使得在第一及第五IDT電極IlaUle的端部所設(shè)置的窄間距電極指部即窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)比第三IDT電極Ilc的兩端部所設(shè)置的窄間距電極指部即窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)少，使得窄間距電極指部A中的電極指的周期比窄間距電極指部D的電極指的周期小，使得第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部B、C以外的部分中的電極指的周期比第一及第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A以外的部分中的電極指的周期小。第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12也和第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11是同樣的構(gòu)成。由此，在彈性波濾波器裝置1中，可有效提高通頻帶低頻側(cè)中濾波器特性的陡峭性。 參照圖28就此進行說明。圖28是表示本實施方式的彈性波濾波器裝置的濾波器特性的圖，實線表示本實施方式的結(jié)果，單點劃線表示作為比較例而準備的彈性波濾波器裝置的濾波器特性。在上述實施方式及比較例中電極構(gòu)造的詳細如下。以下，將由IDT電極的電極指的周期所決定的波長設(shè)定為入I。第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的配置如下電極指交叉寬度=16. 9 λ I第一、第五IDT電極IlaUle 電極指的根數(shù)各42根，其中，42根中3根是窄間距電極指部A的電極指第三IDT電極Ilc 電極指的根數(shù)55根，其中，在兩端設(shè)置了各具有5根電極指的窄間距電極指部D。第二、第四IDT電極IlbUld:電極指的根數(shù)43根，其中，窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為3根，窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為7根，在剩余的部分中的電極指的根數(shù)為33根。第一、第二反射器IlfUlg中的電極指的根數(shù)各65根金屬化率0. 68電極膜厚0.091λ I在第二、第四IDT電極IlbUld的窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期小0. 177 μ m。在第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A中的電極指的周期比第三IDT 電極Ilc的窄間距電極指部D的電極指的周期小0. 076 μ m。在第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部D以外的部分中的電極指的周期比第一、 第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A以外的部分中的電極指的周期小Ο.ΟΙμπι。如上所述，第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12除一部分的IDT電極的相位是反轉(zhuǎn)之外，與第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11是同樣的構(gòu)成。另外，作為比較例，準備了除窄間距電極指部A D中的電極指的根數(shù)均為4根、 在窄間距電極指部A D中的電極指的周期之外，與上述實施方式同樣構(gòu)成的彈性波濾波器裝置。 從圖28可知，根據(jù)本實施方式，相對于比較例，在通頻帶為1.930 1.990GHz 的低頻側(cè)端部附近提高了陡峭性。即，1.930GHz附近的阻止域，具體來說，在1.900 1. 930GHz的頻帶中，提高了陡峭性，對于濾波器特性的饋通電平，根據(jù)實施方式，損失從 3. 5dB至47. OdB的頻率間隔與比較例相比縮狹窄了 3. SMHz0該頻率間隔如果縮狹窄，相對于因制造偏差造成的頻率偏差的交叉則變大。進一步，即使周圍溫度發(fā)生了變化，也可提供插入損失或衰減量的劣化為較小的彈性波濾波器裝置1。在第三實施方式中，與第一、第二實施方式同樣，通過使電極指的根數(shù)和周期的大小關(guān)系相反，也可得到 同樣的效果的變形例。即，在第三實施方式的變形例中，如圖29所示，窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)比窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)多，窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期大。而且，窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)比窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)多，窄間距電極指部A 中的電極指的周期比窄間距電極指部D的電極指的周期大。進一步，在第一、第五IDT電極 IlaUle的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期比第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小。由此，與第三實施方式相同，可使波紋Y變大，在濾波器特性的低頻側(cè)提高陡峭性，并且，降低波紋Z。具體來說，如下所述，可變更第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部11的配置中的一部分。第一、第五IDT電極11a、lie 電極指的根數(shù)各42根，42根中5根為窄間距電極指部A的電極指。第三IDT電極Ilc 電極指的根數(shù)55根，在兩端設(shè)置了各具有3根的電極指的窄間距電極指部D。第二、第四IDT電極IlbUld 電極指的根數(shù)43根，在窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)為7根，在窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)為3根，在剩余的部分中的電極指的根數(shù)為33根。在第二、第四IDT電極IlbUld的窄間距電極指部B中的電極指的周期比窄間距電極指部C中的電極指的周期大0. 177 μ m。第一、第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A中的電極指的周期比第三IDT 電極Ilc的窄間距電極指部D的電極指的周期大0. 076 μ m。在第三IDT電極Ilc的窄間距電極指部D以外的部分中的電極指的周期比第一、 第五IDT電極IlaUle的窄間距電極指部A以外的部分中的電極指的周期大Ο.ΟΙμπι。第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12除一部分的IDT電極的相位是反轉(zhuǎn)之外， 也可與第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部U是同樣的構(gòu)成。因此，綜合上述第一 3的實施方式及變形例的結(jié)果可知只要滿足以下的條件地設(shè)計窄間距電極指部A D中的電極指的根數(shù)、周期及第三IDT電極Ilc和第一、第五 IDT電極IlaUle中的窄間距電極指部以外的主要的電極指部的電極指的周期就可以。構(gòu)成1 (相當于第一特定情況中的上述第一實施方式)1)窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)<窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)2)窄間距電極指部B中的電極指的周期<窄間距電極指部C中的電極指的周期， 或者窄間距電極指部A中的電極指的周期<窄間距電極指部D的電極指的周期3)第一、第五IDT電極IlaUle的主要的電極指部的電極指的周期>第三IDT電極Ilc的主要的電極指部的電極指的周期構(gòu)成2(相當于第一特定情況中的上述第二實施方式)1)窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)<窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)2)窄間距電極指部B中的電極指的周期<窄間距電極指部C中的電極指的周期， 或者
窄間距電極指部A中的電極指的周期<窄間距電極指部D的電極指的周期3)第一、第五IDT電極IlaUle的主要的電極指部的電極指的周期>第三IDT電極Ilc的主要的電極指部的電極指的周期構(gòu)成3(相當于第一特定情況中的上述第三實施方式) 1)窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)<窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)2)窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)<窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)3)窄間距電極指部B中的電極指的周期<窄間距電極指部C中的電極指的周期4)窄間距電極指部A中的電極指的周期<窄間距電極指部D的電極指的周期5)第一、第五IDT電極IlaUle的主要的電極指部的電極指的周期>第三IDT電極Ilc的主要的電極指部的電極指的周期構(gòu)成4(相當于第二特定情況中的上述第一實施方式的變形例)1)窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)>窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)2)窄間距電極指部B中的電極指的周期>窄間距電極指部C中的電極指的周期， 或者窄間距電極指部A中的電極指的周期>窄間距電極指部D的電極指的周期3)第一、第五IDT電極IlaUle的主要的電極指部的電極指的周期<第三IDT電極Ilc的主要的電極指部的電極指的周期構(gòu)成5(相當于第二特定情況中的上述第二實施方式的變形例)1)窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)>窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)2)窄間距電極指部B中的電極指的周期>窄間距電極指部C中的電極指的周期， 或者窄間距電極指部A中的電極指的周期>窄間距電極指部D的電極指的周期3)第一、第五IDT電極IlaUle的主要的電極指部的電極指的周期<第三IDT電極Ilc的主要的電極指部的電極指的周期構(gòu)成6(相當于第二特定情況中的上述第三實施方式的變形例)1)窄間距電極指部B中的電極指的根數(shù)>窄間距電極指部C中的電極指的根數(shù)2)窄間距電極指部A中的電極指的根數(shù)>窄間距電極指部D中的電極指的根數(shù)3)窄間距電極指部B中的電極指的周期>窄間距電極指部C中的電極指的周期4)窄間距電極指部A中的電極指的周期>窄間距電極指部D的電極指的周期5)第一、第五IDT電極IlaUle的主要的電極指部的電極指的周期<第三IDT電極Ilc的主要的電極指部的電極指的周期參照圖3來說明本發(fā)明所涉及的彈性波濾波器裝置中的電極指的根數(shù)及周期的關(guān)系。如圖3所示，將第一 IDT電極11a、以及第二 IDT電極lib中的從彈性波傳播方向的中央部起位于第一 IDT電極Ila側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第一區(qū)域。在第二 IDT電極 lib中的從彈性波傳播方向的中央部起位于第三IDT電極Ilc側(cè)的部分、以及第三IDT電極 Ilc中的從彈性波傳播方向中央部起位于第二 IDT電極lib側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第二區(qū)域。將第三IDT電極Ilc中的從彈性波傳播方向中央部起位于第四IDT電極Ild側(cè)的部分、以及第四IDT電極Ild中的從彈性波傳播方向中央部起位于第三IDT電極Ilc側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第三區(qū)域。進一步，將第四IDT電極Ild中的從彈性波傳播方向中央部起位于第五IDT電極lie側(cè)的部分、以及第五IDT電極lie所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第四區(qū)域。綜和上述 構(gòu)成1 3，第一特定情況所提供的彈性波濾波器裝置為第一區(qū)域中的窄間距電極指部A及B的電極指的總數(shù)比第二區(qū)域中的窄間距電極指部C及D的電極指的總數(shù)少，在第三區(qū)域中的窄間距電極指部C及D的電極指的總數(shù)比第四區(qū)域中的窄間距電極指部A及B的電極指的總數(shù)多。這里，在第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)以及在第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各為Nx，在所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)以及在第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各為Ny 時，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny中的電極指的總數(shù)多的一方的區(qū)域中的窄間距電極指部與電極指的總數(shù)少的一方的區(qū)域中的窄間距電極指部相比，其電極指的周期的平均值要大，第一 IDT電極11a、第三IDT電極Ilc及第五IDT電極lie中，電極指的總數(shù)多的一方的區(qū)域中所包含的IDT電極與電極指的總數(shù)少的一方的區(qū)域中所包含的IDT電極相比， 其窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小。綜合上述構(gòu)成4 構(gòu)成6，第二特定情況中提供的彈性波濾波器裝置為第一區(qū)域中的窄間距電極指部A及B的電極指的總數(shù)比第二區(qū)域中的窄間距電極指部C及D的電極指的總數(shù)少，在第三區(qū)域中的窄間距電極指部C及D的電極指的總數(shù)比第四區(qū)域中的窄間距電極指部A及B的電極指的總數(shù)多。這里，在第一區(qū)域中的窄間距電極指部A及B的電極指的總數(shù)以及在第四區(qū)域中的窄間距電極指部在電極指的總數(shù)各為Nx，在所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)以及在第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各為Ny時，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny中的電極指的總數(shù)多的一區(qū)域具有的窄間距電極指部方的區(qū)域具有的窄間距電極指部與電極指的總數(shù)少的一方的區(qū)域具有的窄間距電極指部相比，其電極指的周期的平均值大，第一 IDT電極11a、第三IDT電極Ilc及第五IDT電極lie中，電極指的總數(shù)多的一方的區(qū)域中所包含的IDT電極與電極指的總數(shù)少的一方的區(qū)域中所包含的IDT電極相比，其在窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小。進一步，綜合由第一特定情況以及第二特定情況所提供的在彈性表面波裝置中的電極指的根數(shù)及周期的關(guān)系可知在所述第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)及在所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各為Nx，在所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)及在所述第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)為Ny 時，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny不同，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny中，所述電極指的總數(shù)多的區(qū)域具有的窄間距電極指部與電極指的總數(shù)少的區(qū)域具有的窄間距電極指部相比，其電極指的周期的平均值大，所述第一 IDT電極、所述第三IDT電極及所述第五IDT電極中，所述電極指的總數(shù)多的區(qū)域中所包含的IDT電極與所述電極指的總數(shù)少的區(qū)域中所包含的IDT電極相比，其在窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小。符號說明1…彈性波濾波器裝置2…壓電基板3…不平衡端子4…第一平衡端子
5…第二平衡端子10…縱耦合諧振器型彈性波濾波器部IOa…第一 IDT 電極IOb…第二 IDT 電極IOc…第三IDT電極IOd…第四IDT電極IOe…第五IDT電極11…第一縱耦合諧振器型彈性波濾波器部

Ila…第一 IDT 電極lib…第二 IDT 電極Ilc…第三IDT電極Ild…第四IDT電極lie…第五IDT電極Ilf…第一反射器Ilg…第二反射器12…第二縱耦合諧振器型彈性波濾波器部12a···第一 IDT 電極12b…第二 IDT 電極12c…第三IDT電極12d...第四 IDT 電極12e…第五IDT電極12f…第一反射器12g…第二反射器
權(quán)利要求
1.一種彈性波濾波器裝置，具備 壓電基板；在所述壓電基板上沿著彈性波傳播方向依次配置的第一 第五IDT電極；和在設(shè)置了所述第一 第五IDT電極的區(qū)域的彈性波傳播方向兩側(cè)所配置的第一、第二反射器， 其中，由所述第一 第五IDT電極和所述第一、第二反射器構(gòu)成縱耦合諧振器型彈性波濾波器部，所述第一 第五IDT電極在與其它IDT電極相鄰的端部具有窄間距電極指部，該窄間距電極指部的電極指的周期比剩余的部分中的電極指的周期小，將由所述第一 IDT電極、以及所述第二 IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第一 IDT電極側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第一區(qū)域，將由所述第二 IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第三IDT電極側(cè)的部分、以及所述第三IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第二 IDT電極側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第二區(qū)域，將由所述第三IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第四IDT電極側(cè)的部分、以及所述第四IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第三IDT電極側(cè)的部分所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第三區(qū)域，將由所述第四IDT電極中的從彈性波傳播方向的中央部起處于所述第五IDT電極側(cè)的部分、以及所述第五IDT電極所構(gòu)成的區(qū)域設(shè)定為第四區(qū)域，并將所述第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)及所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各設(shè)為Nx，將所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)及所述第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各設(shè)為Ny時，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny不同，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny之中，所述電極指的總數(shù)多的區(qū)域所具有的窄間距電極指部的電極指的周期的平均值大于電極指的總數(shù)少的區(qū)域所具有的窄間距電極指部的電極指的周期的平均值，在所述第一 IDT電極、所述第三IDT電極以及所述第五IDT電極中，所述電極指的總數(shù)多的區(qū)域所包含的IDT電極在窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述電極指的總數(shù)少的區(qū)域所包含的IDT電極在窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)少于所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)，所述第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)多于所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)多于所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)，所述第三區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)少于所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性波濾波器裝置，其中，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)多于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)少于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，所述第一 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第三IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第二 IDT電極的所述第一區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期大于所述第二 IDT電極的所述第二區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第四IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第四IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的所述第三區(qū)域側(cè)的窄間距電極指部的電極指的周期小于所述第五IDT電極的所述第四區(qū)域中的窄間距電極指部的電極指的周期，所述第三IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期大于所述第一及第五IDT電極的窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期。
全文摘要
在具有窄間距電極指部的5IDT型的縱耦合諧振器型彈性波濾波器裝置中提高濾波器特性的陡峭性。具有第一～第五IDT(11a～11e)的5IDT型的縱耦合諧振器型的彈性波濾波器裝置(1)，設(shè)第一區(qū)域(R1)及第四區(qū)域(R4)中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各為Nx，第二區(qū)域(R2)及第三區(qū)域(R3)中的窄間距電極指部的電極指的總數(shù)各為Ny時，電極指的總數(shù)Nx和電極指的總數(shù)Ny中的電極指的總數(shù)多的一方的區(qū)域具有的窄間距電極指部與電極指的總數(shù)少的一方的區(qū)域具有的窄間距電極指部相比，電極指的周期的平均值大，第一、第三及第五IDT電極(11a、11c、11e)之中，電極指的總數(shù)多的一方的區(qū)域所包含的IDT電極與電極指的總數(shù)少的一方的區(qū)域所包含的IDT電極相比，窄間距電極指部以外的部分中的電極指的周期小。
文檔編號H03H9/145GK102160286SQ20098013705
公開日2011年8月17日 申請日期2009年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月22日
發(fā)明者高峰裕一 申請人:株式會社村田制作所