專利名稱:脈沖信號(hào)調(diào)制與功率放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及電路控制技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及到用來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻脈沖信號(hào)的調(diào)制與功率放大的電路,具體為一種脈沖信號(hào)調(diào)制與功率放大電路。
背景技術(shù):
普通的調(diào)制電路是用一個(gè)脈沖小信號(hào)輸入到MOS管的柵源極,控制MOS管漏源的導(dǎo)通與截止從而形成功率放大控制信號(hào)。但這種方式的信號(hào)調(diào)制電路只適用于低頻率窄脈 寬信號(hào)的放大,而且此種電路形成的信號(hào)拖尾特別嚴(yán)重。由于MOS管本身存在著極間電容, 因此當(dāng)信號(hào)截止時(shí)MOS管仍然處于導(dǎo)通狀態(tài),這樣就會(huì)嚴(yán)重拓寬脈沖寬度,如果脈沖信號(hào) 的占空比較大,可能MOS管就會(huì)一直處于導(dǎo)通狀態(tài),不能得到電路設(shè)計(jì)者預(yù)想得到的放大 信號(hào)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種脈沖信號(hào)調(diào)制與功率放大電路,用簡(jiǎn)單的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)高 頻率高占空比控制信號(hào)的放大,以解決調(diào)制電路中控制脈沖信號(hào)的脈寬被拓寬和信號(hào)拖尾 的問(wèn)題。為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為脈沖信號(hào)調(diào)制與功率放大電路,其特征在于包括有兩路相同的信號(hào)放大電路和 一路脈沖控制信號(hào)形成電路,所述信號(hào)放大電路分別包括有型號(hào)為A2631的芯片,所述脈 沖控制信號(hào)形成電路有兩路輸出,分別與信號(hào)放大電路中芯片的信號(hào)輸入引腳連接,向兩 路信號(hào)放大電路輸出相反的信號(hào);所述一路信號(hào)放大電路包括有MOS管V19,兩個(gè)共基極的三極管V17、V18,連接在 所述三極管V17基極與集電極之間的三極管V16,連接在所述三極管V18的基極與集電極之 間的電阻R16,所述三極管V17的發(fā)射極通過(guò)電阻R17、R18、三極管V18的發(fā)射極通過(guò)電阻 R18分別與MOS管V19的柵極連接,三極管V17的集電極接外部電源正極,三極管V18的集 電極接外部電源負(fù)極,所述三極管V16的基極通過(guò)相互并聯(lián)的電容C12與電阻R15、發(fā)射極 通過(guò)電阻R14分別與芯片的第七引腳連接,所述三極管V16的發(fā)射極還連接外部電源正極, 所述芯片的第一引腳和第二引腳為輸入引腳,與脈沖控制信號(hào)形成電路的一路輸出導(dǎo)線連 接,第五引腳通過(guò)相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V14、電容ClO接外部電源正極,第五引腳還通過(guò) 電阻R13、與電阻R13串聯(lián)的且彼此相互并聯(lián)的電容C11、穩(wěn)壓二極管V15接外部電源負(fù)極, 所述芯片的第八引腳連接外部電源的正極;所述MOS管V19的源極連接+400V電壓,MOS管 V19的漏極通過(guò)相互串聯(lián)的電阻R19、R42連接-400V電壓;所述另一路信號(hào)放大電路包括有MOS管V37,兩個(gè)共基極的三極管V35、V36,連接 在所述三極管V35基極與集電極之間的三極管V34,連接在所述三極管V36的基極與集電極 之間的電阻R36,所述三極管V35的發(fā)射極通過(guò)電阻R37、R38、V36的發(fā)射極通過(guò)電阻R38分 別與MOS管V37的柵極連接,三極管V35的集電極接外部電源正極,三極管V36的集電極接外部電源負(fù)極,所述三極管V34的基極通過(guò)相互并聯(lián)的電容C23與電阻R35、發(fā)射極通過(guò)電 阻R34分別與芯片的第七引腳連接,所述三極管V34的發(fā)射極還連接外部電源正極,所述芯 片的第一引腳和第二引腳為輸入引腳,與脈沖控制信號(hào)形成電路的另一路輸出導(dǎo)線連接, 第五引腳通過(guò)相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V32、電容C21接外部電源正極,第五引腳還通過(guò)電阻 R33、與電阻R33串聯(lián)的且彼此相互并聯(lián)的電容C22、穩(wěn)壓二極管V33接外部電源負(fù)極,所述 芯片的第八引腳連接外部電源的正極;所述MOS管V37的源極與所述電阻R19連接,MOS管 V37的漏極通過(guò)電阻R41連接-400V電壓;所述電阻R19與電阻R42之間有導(dǎo)線引出,所述 引出導(dǎo)線連接有電阻R43,通過(guò)電阻R43作為整個(gè)電路的輸出;所述脈沖控制信號(hào)形成電路包括有一個(gè)同外部脈沖信號(hào)源連接的光纖接頭的接 收端,所述光纖接頭的接收端通過(guò)相互并聯(lián)的電容C16、穩(wěn)壓二極管V23與外部電源正極連 接,光纖接頭的接收端通過(guò)電阻R21與外部電源負(fù)極連接,有三極管V24的基極通過(guò)電阻R 與所述光纖接頭的接收端連接,所述三極管V24的發(fā)射極接外部電源正極,還包括有三極 管V26,所述三極管V26的發(fā)射極接外部電源負(fù)極,基極通過(guò)電容、電阻R22、與電阻R22串 聯(lián)且彼此相互并聯(lián)的電容C17、R23與外部電源的負(fù)極連接,所述三極管V24的集電極通過(guò) 二極管V25連接至所述電阻R23,三極管V24的集電極還通過(guò)串聯(lián)的電阻R24、R25與外部電 源負(fù)極連接,電阻R24與電阻R25之間有接有相互并聯(lián)的電阻R26、電容C18的導(dǎo)線引出,所 述引出導(dǎo)線連接至一個(gè)三極管V27的基極,所述三極管V27集電極通過(guò)電阻R27接外部電 源正極,發(fā)射極通過(guò)電阻R28連接另一個(gè)三極管V28的基極,所述三極管V28的基極還通過(guò) 電阻R29接外部電源負(fù)極,集電極通過(guò)電阻R30接外部電源正極,發(fā)射極接外部電源負(fù)極, 在三極管V28集電極和發(fā)射極之間還接有電阻R31 ;從所述電阻R28兩端有導(dǎo)線引出,作為 一路輸出接入其中一路信號(hào)放大電路中芯片的第一引腳和第二引腳上,從三極管V26集電 極、三極管V28集電極上分別有導(dǎo)線引出,作為另一路輸出接入另一路信號(hào)放大電路中芯 片的第一引腳和第二引腳上。在外部電源接入一路信號(hào)放大電路的導(dǎo)線之間接有相互串聯(lián)的電阻R12、發(fā)光二 極管V13,外部電源接入另一路信號(hào)放大電路的導(dǎo)線之間接有相互串聯(lián)的電阻R32、發(fā)光二 極管V31,外部電源接入脈沖控制信號(hào)形成電路的導(dǎo)線之間接有相互串聯(lián)的電阻R20、發(fā)光 二極管V22,通過(guò)發(fā)光二極管作為指示燈。在MOS管V19的源極上還通過(guò)電容C13接地,通 過(guò)電容C13保護(hù)MOS管V19,在MOS管V37的漏極上連接的電阻R41還通過(guò)電容C28接地, 通過(guò)電容C28保護(hù)MOS管V37。本發(fā)明巧妙地利用了三極管V17本身存在的極間電容,讓MOS管的柵源極間電容 更快的放電,使得MOS管在信號(hào)在低電平時(shí)更易關(guān)斷,不易產(chǎn)生脈寬拓寬的現(xiàn)象。脈沖控 制信號(hào)形成電路向兩路信號(hào)放大電路提供相反的信號(hào),并以其中一路信號(hào)放大電路作為輸 出,能夠解決使用一個(gè)MOS管控制放大信號(hào)的輸出的信號(hào)有脈沖拓寬和拖尾的問(wèn)題。
圖1為一路信號(hào)放大電路電路圖。圖2為脈沖控制信號(hào)形成電路電路圖。圖3為本發(fā)明電路圖。
具體實(shí)施方式
脈沖信號(hào)調(diào)制與功率放大電路,包括有兩路相同的信號(hào)放大電路和一路脈沖控制 信號(hào)形成電路,信號(hào)放大電路分別包括有型號(hào)為A2631的芯片,脈沖控制信號(hào)形成電路有 兩路輸出,分別與信號(hào)放大電路中芯片的信號(hào)輸入引腳連接,向兩路信號(hào)放大電路輸出相 反的信號(hào);一路信號(hào)放大電路包括有MOS管V19,兩個(gè)共基極的三極管V17、V18,連接在三 極管V17基極與集電極之間的三極管V16,連接在三極管V18的基極與集電極之間的電阻 R16,三極管V17的發(fā)射極通過(guò)電阻R17、R18、三極管V18的發(fā)射極通過(guò)電阻R18分別與MOS 管V19的柵極連接,三極管V17的集電極接外部電源正極,三極管V18的集電極接外部電源 負(fù)極,三極管V16的基極通過(guò)相互并聯(lián)的電容C12與電阻R15、發(fā)射極通過(guò)電阻R14分別與 芯片的第七引腳連接,三極管V16的發(fā)射極還連接外部電源正極,芯片的第一引腳和第二 引腳為輸入引腳,與脈沖控制信號(hào)形成電路的一路輸出導(dǎo)線連接,第五引腳通過(guò)相互并聯(lián) 的穩(wěn)壓二極管V14、電容ClO接外部電源正極,第五引腳還通過(guò)電阻R13、與電阻R13串聯(lián)的 且彼此相互并聯(lián)的電容C11、穩(wěn)壓二極管V15接外部電源負(fù)極,芯片的第八引腳連接外部電 源的正極;MOS管V19的源極連接+400V電壓,MOS管V19的漏極通過(guò)相互串聯(lián)的電阻R19、 R42連接-400V電壓;另一路信號(hào)放大電路包括有MOS管V37,兩個(gè)共基極的三極管V35、V36,連接在三 極管V35基極與集電極之間的三極管V34,連接在三極管V36的基極與集電極之間的電阻 R36,三極管V35的發(fā)射極通過(guò)電阻R37、R38、V36的發(fā)射極通過(guò)電阻R38分別與MOS管V37 的柵極連接,三極管V35的集電極接外部電源正極,三極管V36的集電極接外部電源負(fù)極, 三極管V34的基極通過(guò)相互并聯(lián)的電容C23與電阻R35、發(fā)射極通過(guò)電阻R34分別與芯片的 第七引腳連接,三極管V34的發(fā)射極還連接外部電源正極,芯片的第一引腳和第二引腳為 輸入引腳,與脈沖控制信號(hào)形成電路的另一路輸出導(dǎo)線連接,第五引腳通過(guò)相互并聯(lián)的穩(wěn) 壓二極管V32、電容C21接外部電源正極,第五引腳還通過(guò)電阻R33、與電阻R33串聯(lián)的且彼 此相互并聯(lián)的電容C22、穩(wěn)壓二極管V33接外部電源負(fù)極,芯片的第八引腳連接外部電源的 正極;MOS管V37的源極與電阻R19連接,MOS管V37的漏極通過(guò)電阻R41連接-400V電壓; 電阻Rl9與電阻R42之間有導(dǎo)線引出,引出導(dǎo)線連接有電阻R43,通過(guò)電阻R43作為整個(gè)電 路的輸出;脈沖控制信號(hào)形成電路包括有一個(gè)同外部脈沖信號(hào)源連接的光纖接頭的接收端, 光纖接頭的接收端通過(guò)相互并聯(lián)的電容C16、穩(wěn)壓二極管V23與外部電源正極連接,光纖接 頭的接收端通過(guò)電阻R21與外部電源負(fù)極連接,有三極管V24的基極通過(guò)電阻R與光纖接 頭的接收端連接,三極管V24的發(fā)射極接外部電源正極,還包括有三極管V26,三極管V26的 發(fā)射極接外部電源負(fù)極,基極通過(guò)電容、電阻R22、與電阻R22串聯(lián)且彼此相互并聯(lián)的電容 C17、R23與外部電源的負(fù)極連接,三極管V24的集電極通過(guò)二極管V25連接至電阻R23,三 極管V24的集電極還通過(guò)串聯(lián)的電阻R24、R25與外部電源負(fù)極連接,電阻R24與電阻R25 之間有接有相互并聯(lián)的電阻R26、電容C18的導(dǎo)線引出,引出導(dǎo)線連接至一個(gè)三極管V27的 基極,三極管V27集電極通過(guò)電阻R27接外部電源正極,發(fā)射極通過(guò)電阻R28連接另一個(gè)三 極管V28的基極,三極管V28的基極還通過(guò)電阻R29接外部電源負(fù)極,集電極通過(guò)電阻R30 接外部電源正極,發(fā)射極接外部電源負(fù)極,在三極管V28集電極和發(fā)射極之間還接有電阻R31 ;從電阻R28兩端有導(dǎo)線引出,作為一路輸出接入其中一路信號(hào)放大電路中芯片的第一引腳和第二引腳上,從三極管V26集電極、三極管V28集電極上分別有導(dǎo)線引出,作為另一 路輸出接入另一路信號(hào)放大電路中芯片的第一引腳和第二引腳上。在外部電源接入一路信號(hào)放大電路的導(dǎo)線之間接有相互串聯(lián)的電阻R12、發(fā)光二 極管V13,外部電源接入另一路信號(hào)放大電路的導(dǎo)線之間接有相互串聯(lián)的電阻R32、發(fā)光二 極管V31,外部電源接入脈沖控制信號(hào)形成電路的導(dǎo)線之間接有相互串聯(lián)的電阻R20、發(fā)光 二極管V22,通過(guò)發(fā)光二極管作為指示燈。在MOS管V19的源極上還通過(guò)電容C13接地,通 過(guò)電容C13保護(hù)MOS管V19,在MOS管V37的漏極上連接的電阻R41還通過(guò)電容C28接地, 通過(guò)電容C28保護(hù)MOS管V37。脈寬被拓寬和脈沖后沿拖尾問(wèn)題的電路解決方案一由于MOS管本身存在著極間電容,因此當(dāng)控制的小脈沖截止時(shí),柵源極電容放電, 柵源極電壓不會(huì)立即降到0伏,從而就會(huì)導(dǎo)致脈寬的拓寬問(wèn)題。若想解決此問(wèn)題,就要在小 脈沖信號(hào)截止時(shí),柵源極能形成一個(gè)反向電勢(shì),強(qiáng)制MOS管截止。具體電路如圖1所示。圖中巧妙的運(yùn)用了 V17本身存在的極間電容。當(dāng)1腳和2腳有脈沖信號(hào)時(shí),A2631 的5和7腳導(dǎo)通,三極管V16的B端與E端存在一個(gè)電勢(shì),使得V16導(dǎo)通,V17和V18的B端 處于高電位,而使得V17導(dǎo)通,MOS管的柵極從而處于高電位,促使MOS管的漏源極導(dǎo)通,夕卜 加的+400V的正偏壓通過(guò)MOS管輸出。當(dāng)1腳和2腳脈沖信號(hào)消失時(shí),V16的B端處于與E端相同的電位,V16三極管截 止,V17和V18的B極電位回歸到低電位,由于V17本身存在極間電容,所以它不會(huì)立即關(guān) 斷,就使得V18的E端的電位為高電位,而使得V18導(dǎo)通,這時(shí)就會(huì)強(qiáng)制加在MOS管的柵源 極一個(gè)反向電勢(shì),電壓值為V15兩端的電壓值,這樣就會(huì)讓MOS管的柵源極間電容更快的放 電,使得MOS管在信號(hào)在低電平時(shí)更易關(guān)斷,不易產(chǎn)生脈寬拓寬的現(xiàn)象。因此增大V15兩端 的電壓值也可以更好的使的MOS管截止。從圖1中可以看出,本電路巧妙的利用了V17本身存在的極間電容和V18形成的一個(gè)瞬間的反向電勢(shì),輕松的解決了脈寬拓寬的間題。信號(hào)脈寬被拓寬和信號(hào)后沿拖尾問(wèn)題的電路解決方案二 如果使用一個(gè)MOS管控制放大信號(hào)的輸出,即使是有上述所說(shuō)的反向電勢(shì)也不能 很好的使輸出調(diào)制信號(hào)的脈寬達(dá)到設(shè)計(jì)者所想的結(jié)果,輸出的信號(hào)有脈沖拓寬和拖尾現(xiàn) 象?;谶@種情況考慮,如果在圖一中的R43兩端并聯(lián)一個(gè)MOS管,當(dāng)輸入的脈沖信號(hào)由高 電平變到低電平時(shí),R43導(dǎo)通,這樣就會(huì)強(qiáng)制性的把輸出信號(hào)拉到低電平,這樣就可以解決 脈寬拓寬和信號(hào)后沿拖尾現(xiàn)象。這樣再有一個(gè)圖一的截尾電路,但是這樣就要要求輸入到 兩個(gè)A2631的信號(hào)有剛好相反。形成信號(hào)的電路如圖2所示。圖2中的3腳和4腳輸入到截尾脈沖電路中。N2是光纖轉(zhuǎn)接頭的接收端,當(dāng)脈沖 信號(hào)處于低電平時(shí),V24的B端處于與其E端相同電位,V24的CE兩端截止。當(dāng)脈沖信號(hào) 處于高電平時(shí),V24的B端比其E端的電位低,差值受V23控制。這時(shí)V24導(dǎo)通,后面的V27 和V26的B端都處于高電位,因此這兩個(gè)三極管也導(dǎo)通。V26導(dǎo)通,信號(hào)的3腳就為低電平, V27導(dǎo)通,R28兩端就有一個(gè)電壓值控制A2631,且此脈沖和輸入的小信號(hào)脈沖一致。V27導(dǎo) 通也使得V28的B端處于高電位,此時(shí)V28的BE端電壓值為讓R29兩端電壓,V28導(dǎo)通,這 樣V28的C端就處于低電位,這樣信號(hào)的3腳和4腳輸出到A2631的脈沖波形剛好和輸入的小信號(hào)相反。當(dāng)輸入的小脈沖信號(hào)變化到低電平時(shí),V24截止,這樣V27和V28也截止,輸出信號(hào)的1腳和2腳的電勢(shì)差為零,也就是沒(méi)有脈沖輸出。由于有C17和V26的BE端電 容的存在,使得V24截止時(shí)V26不會(huì)立即截止,所以此時(shí)的3腳處于低電平,4腳處于高電 平,這樣就在輸入的小脈沖信號(hào)變化到低電平時(shí)能形成一個(gè)小的截尾脈沖控制下面截尾管 的通斷。此處可以通過(guò)改變C17的電容值改變截尾脈沖的脈寬大小。
整體的脈沖信號(hào)放大和調(diào)制電路圖如圖3。
權(quán)利要求
脈沖信號(hào)調(diào)制與功率放大電路,其特征在于包括有兩路相同的信號(hào)放大電路和一路脈沖控制信號(hào)形成電路,所述信號(hào)放大電路分別包括有型號(hào)為A2631的芯片,所述脈沖控制信號(hào)形成電路有兩路輸出,分別與信號(hào)放大電路中芯片的信號(hào)輸入引腳連接,向兩路信號(hào)放大電路輸出相反的信號(hào);所述一路信號(hào)放大電路包括有MOS管V19,兩個(gè)共基極的三極管V17、V18,連接在所述三極管V17基極與集電極之間的三極管V16,連接在所述三極管V18的基極與集電極之間的電阻R16,所述三極管V17的發(fā)射極通過(guò)電阻R17、R18、三極管V18的發(fā)射極通過(guò)電阻R18分別與MOS管V19的柵極連接,三極管V17的集電極接外部電源正極,三極管V18的集電極接外部電源負(fù)極,所述三極管V16的基極通過(guò)相互并聯(lián)的電容C12與電阻R15、發(fā)射極通過(guò)電阻R14分別與芯片的第七引腳連接,所述三極管V16的發(fā)射極還連接外部電源正極,所述芯片的第一引腳和第二引腳為輸入引腳,與脈沖控制信號(hào)形成電路的一路輸出導(dǎo)線連接,第五引腳通過(guò)相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V14、電容C10接外部電源正極,第五引腳還通過(guò)電阻R13、與電阻R13串聯(lián)的且彼此相互并聯(lián)的電容C11、穩(wěn)壓二極管V15接外部電源負(fù)極,所述芯片的第八引腳連接外部電源的正極;所述MOS管V19的源極連接+400V電壓,MOS管V19的漏極通過(guò)相互串聯(lián)的電阻R19、R42連接-400V電壓;所述另一路信號(hào)放大電路包括有MOS管V37,兩個(gè)共基極的三極管V35、V36,連接在所述三極管V35基極與集電極之間的三極管V34,連接在所述三極管V36的基極與集電極之間的電阻R36,所述三極管V35的發(fā)射極通過(guò)電阻R37、R38、V36的發(fā)射極通過(guò)電阻R38分別與MOS管V37的柵極連接,三極管V35的集電極接外部電源正極,三極管V36的集電極接外部電源負(fù)極,所述三極管V34的基極通過(guò)相互并聯(lián)的電容C23與電阻R35、發(fā)射極通過(guò)電阻R34分別與芯片的第七引腳連接,所述三極管V34的發(fā)射極還連接外部電源正極,所述芯片的第一引腳和第二引腳為輸入引腳,與脈沖控制信號(hào)形成電路的另一路輸出導(dǎo)線連接,第五引腳通過(guò)相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V32、電容C21接外部電源正極,第五引腳還通過(guò)電阻R33、與電阻R33串聯(lián)的且彼此相互并聯(lián)的電容C22、穩(wěn)壓二極管V33接外部電源負(fù)極,所述芯片的第八引腳連接外部電源的正極;所述MOS管V37的源極與所述電阻R19連接,MOS管V37的漏極通過(guò)電阻R41連接-400V電壓;所述電阻R19與電阻R42之間有導(dǎo)線引出,所述引出導(dǎo)線連接有電阻R43,通過(guò)電阻R43作為整個(gè)電路的輸出;所述脈沖控制信號(hào)形成電路包括有一個(gè)同外部脈沖信號(hào)源連接的光纖接頭的接收端,所述光纖接頭的接收端通過(guò)相互并聯(lián)的電容C16、穩(wěn)壓二極管V23與外部電源正極連接,光纖接頭的接收端通過(guò)電阻R21與外部電源負(fù)極連接,有三極管V24的基極通過(guò)電阻R與所述光纖接頭的接收端連接,所述三極管V24的發(fā)射極接外部電源正極,還包括有三極管V26,所述三極管V26的發(fā)射極接外部電源負(fù)極,基極通過(guò)電容、電阻R22、與電阻R22串聯(lián)且彼此相互并聯(lián)的電容C17、R23與外部電源的負(fù)極連接,所述三極管V24的集電極通過(guò)二極管V25連接至所述電阻R23,三極管V24的集電極還通過(guò)串聯(lián)的電阻R24、R25與外部電源負(fù)極連接,電阻R24與電阻R25之間有接有相互并聯(lián)的電阻R26、電容C18的導(dǎo)線引出,所述引出導(dǎo)線連接至一個(gè)三極管V27的基極,所述三極管V27集電極通過(guò)電阻R27接外部電源正極,發(fā)射極通過(guò)電阻R28連接另一個(gè)三極管V28的基極,所述三極管V28的基極還通過(guò)電阻R29接外部電源負(fù)極,集電極通過(guò)電阻R30接外部電源正極,發(fā)射極接外部電源負(fù)極,在三極管V28集電極和發(fā)射極之間還接有電阻R31;從所述電阻R28兩端有導(dǎo)線引出,作為一路輸出接入其中一路信號(hào)放大電路中芯片的第一引腳和第二引腳上,從三極管V26集電極、三極管V28集電極上分別有導(dǎo)線引出,作為另一路輸出接入另一路信號(hào)放大電路中芯片的第一引腳和第二引腳上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種脈沖信號(hào)調(diào)制與功率放大電路,可用于頻率在300KHz,占空比為30%的信號(hào)調(diào)制與功率放大。此電路輸出的脈沖信號(hào)的上升沿和下降沿可達(dá)到50ns。頻率太高時(shí)可能兩個(gè)MOS管太熱,第一因?yàn)镸OS管的下降沿和上升沿太大,管子的功耗就會(huì)很大,這時(shí)就要想辦法降低上升沿和下降沿時(shí)間;第二就是在截尾管V37導(dǎo)通時(shí),V19還沒(méi)有關(guān)斷,這樣就存在一個(gè)導(dǎo)通損耗。這樣就要增加V15穩(wěn)壓管的電壓值和改變前端變壓器的繞制方式,盡可能的減小電路中的分布電容。也可以在V19的漏極串入一個(gè)幾十歐的小電阻,降低MOS管導(dǎo)通時(shí)的電流,從而降低管子的損耗。
文檔編號(hào)H03K7/00GK101800529SQ20101012736
公開(kāi)日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月16日
發(fā)明者吳華夏, 孟慶賢, 張響, 方衛(wèi), 金興隆 申請(qǐng)人:安徽華東光電技術(shù)研究所