專利名稱：負(fù)載設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于采用線性化技術(shù)(linearization technique)的負(fù)載設(shè)備，尤其有 關(guān)于具有不同半導(dǎo)體架構(gòu)/臨界電壓的可變電容單元(tunable capacitive unit)的負(fù)載 設(shè)備，以及具有相同固有電容特性(inherent capacitive characteristic)的可變電容單 元的負(fù)載設(shè)備，其中具有相同固有電容特性的可變電容單元分別直接連接至供電電壓和接 地電壓。
背景技術(shù)：
變?nèi)萜?varactor)設(shè)備通常用于需要可變電容值的多種應(yīng)用中。因此，變?nèi)萜髟O(shè) 備的電容值-電壓曲線(capacitance versus voltage curve, C-V curve，以下簡(jiǎn)稱 C_V 曲線)的線性度會(huì)影響應(yīng)用的整體性能。存在幾種將變?nèi)萜髟O(shè)備的C-V曲線線性化的傳統(tǒng) 方法。舉例來(lái)說(shuō)，一種傳統(tǒng)方法為基于電阻式DAC (resistor DAC，R-DAC)，即利用R-DAC相 同類型的變?nèi)萜鞯钠珘哼M(jìn)行偏移，由此使得變?nèi)萜鹘M合的等效(復(fù)合)C-V曲線變得更加 線性。然而，R-DAC會(huì)消耗電流、產(chǎn)生非期望噪聲、降低質(zhì)量因子⑴因子)且需要AC(交流 電)接地電容，其中AC接地電容會(huì)占用芯片面積。另一種傳統(tǒng)方法為基于相反的C-V曲線，即以相同類型但相反的C-V曲線連接變 容器，以使得變?nèi)萜鹘M合的等效C-V曲線變得更加線性。然而，相反的C-V曲線需要差分控 制電壓對(duì)，而差分控制電壓對(duì)在某些應(yīng)用中可能并不可用。此外，此種連接的變?nèi)萜鞑豢杀?免地會(huì)引入大的寄生電容值。因此，急需一種創(chuàng)新且有效的方法將變?nèi)萜鞯腃-V曲線線性化。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種負(fù)載設(shè)備。本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供一種負(fù)載設(shè)備，包括多個(gè)可變電容單元，包括分別具有不 同固有電容特性的至少第一可變電容單元和第二可變電容單元，其中所述第一可變電容單 元和所述第二可變電容單元均具有第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)，所述第一可變電容單元的第一節(jié) 點(diǎn)和所述第二可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)耦接于第一電壓，所述第一可變電容單元的第二節(jié) 點(diǎn)耦接于第二電壓，所述第二可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)耦接于第三電壓。本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供一種負(fù)載設(shè)備，包括多個(gè)可變電容單元，包括具有大致 相同的固有電容特性的至少第一可變電容單元和第二可變電容單元，其中所述第一可變電 容單元和所述第二可變電容單元均具有第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)，所述第一可變電容單元的第 一節(jié)點(diǎn)和所述第二可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)耦接于控制電壓，用于調(diào)諧所述第一可變電容 單元和所述第二可變電容單元的電容值，所述第一可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)直接耦接于供 電電壓，所述第二可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)直接耦接于接地電壓。通過(guò)利用本發(fā)明，降低了負(fù)載設(shè)備的生產(chǎn)成本和大小，并提升了負(fù)載設(shè)備的性能。如下詳述其它實(shí)施例和優(yōu)勢(shì)。本部分內(nèi)容并非對(duì)發(fā)明作限定，本發(fā)明范圍由權(quán)利要求所限定。


圖1是根據(jù)本發(fā)明負(fù)載設(shè)備的第一示范性實(shí)施例的方塊示意圖。圖2是可變電容單元的示范性P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)施方式的 示意圖。圖3是可變電容單元的示范性N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)施方式的 示意圖。圖4是分別具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-M0SFET、累積模式的N-MOSFET以及具有標(biāo)準(zhǔn)臨 界電壓的N-MOSFET各自的C-V曲線CV1、CV2、CV3的示意圖。圖5是分別具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-M0SFET、累積模式的N-MOSFET以及具有標(biāo)準(zhǔn)臨 界電壓的N-MOSFET各自的VCO增益的特性曲線ΚναΓ1、ΚναΓ2、Kvco-3的示意圖。圖6是具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-M0SFET、累積模式的N-MOSFET以及具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電 壓的N-MOSFET結(jié)合的等效C-V曲線CV，的示意圖。圖7是具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-M0SFET、累積模式的N-MOSFET以及具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電 壓的N-MOSFET結(jié)合的VCO增益的等效特性曲線Kva/的示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的負(fù)載設(shè)備的第二示范性實(shí)施例的方塊示意圖。圖9至圖11是每個(gè)實(shí)施前述其中之一負(fù)載裝置配置的儲(chǔ)能電路的示意圖。
具體實(shí)施例方式在權(quán)利要求書及說(shuō)明書當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域中的 普通技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱呼同一個(gè)元件。本發(fā)明的權(quán) 利要求書及說(shuō)明書并不以名稱的差異來(lái)作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異 來(lái)作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說(shuō)明書及后續(xù)的請(qǐng)求項(xiàng)當(dāng)中所提及的“包含”為開放式的用語(yǔ)， 故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手 段。因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接于該第 二裝置，或通過(guò)其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。文中所用術(shù)語(yǔ)“大致”是指在可接受的誤差范圍內(nèi)，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在標(biāo) 準(zhǔn)誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問(wèn)題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。舉例而言，“大致對(duì)齊”是指在不 影響結(jié)果正確性時(shí)，技術(shù)人員能夠接受的與“完全對(duì)齊”有標(biāo)準(zhǔn)誤差的放置方式。為避免對(duì)后續(xù)描述和申請(qǐng)專利范圍中所用術(shù)語(yǔ)的理解產(chǎn)生歧義，在此對(duì)術(shù)語(yǔ)“固 有電容特性”作定義。術(shù)語(yǔ)“固有電容特性”意為包括電子元件在其制造之時(shí)即具有的任何 電容特性。例如，電子元件的固有電容特性在其制造之時(shí)即是確定且已知的。因此，在電子 元件于操作中被任何外部的操作條件及/或任何控制/調(diào)整/校準(zhǔn)裝置影響之前，電子元 件所擁有的電容特性稱為固有電容特性。一個(gè)示范性的固有電容特性是電子元件(比如半 導(dǎo)體設(shè)備)固有的電容值-電壓曲線(capacitance versus voltage curve,C-V curve)。 然而，此僅為說(shuō)明，并非意圖限制本發(fā)明。圖1是根據(jù)本發(fā)明負(fù)載設(shè)備的第一示范性實(shí)施例的方塊示意圖。示范性的負(fù)載設(shè) 備100具有多個(gè)可變電容單元，多個(gè)可變電容單元包括至少第一可變電容單元102和第二可變電容單元104，兩者分別具有不同的固有電容特性(如不同的C-V曲線)。需注意，負(fù)載 設(shè)備100中可變電容單元的數(shù)目是根據(jù)設(shè)計(jì)需求的不同來(lái)調(diào)整的。也就是說(shuō)，圖1中僅示 出兩個(gè)可變電容單元作為舉例說(shuō)明，并無(wú)意圖將負(fù)載設(shè)備100中可變電容單元的數(shù)目限定 在兩個(gè)。第一可變電容單元102具有第一節(jié)點(diǎn)Nll和第二節(jié)點(diǎn)附2，第二可變電容單元104 具有第一節(jié)點(diǎn)N21和第二節(jié)點(diǎn)N22。如圖1所示，第一可變電容單元102的第一節(jié)點(diǎn)Nll和 第二可變電容單元104的第一節(jié)點(diǎn)N21耦接于第一電壓VI，第一可變電容單元102的第二 節(jié)點(diǎn)N12耦接于第二電壓V2，第二可變電容單元104的第二節(jié)點(diǎn)N22耦接于第三電壓V3。通過(guò)適當(dāng)?shù)呐渲玫谝豢勺冸娙輪卧?02和第二可變電容單元104，示范性的負(fù)載 設(shè)備100可具有線性化的C-V曲線。在示范性的負(fù)載設(shè)備100的一個(gè)實(shí)施方式中，第一可 變電容單元102和第二可變電容單元104是具有不同臨界電壓及/或不同半導(dǎo)體架構(gòu)的半 導(dǎo)體設(shè)備，由此滿足第一可變電容單元102和第二可變電容單元104具有不同固有電容特 性的需求。因此，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備適當(dāng)?shù)牟季€與大小排列則可獲得線性化的C-V曲線。請(qǐng)參照?qǐng)D2和圖3。圖2是可變電容單元(即前述的第一可變電容單元102和第二 可變電容單元104)的示范性P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-charmel MOSFET, 以下簡(jiǎn)稱P溝道M0SFET)實(shí)施方式的示意圖，圖3是可變電容單元(即前述的第一可變電 容單元102和第二可變電容單元104)的示范性N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (N-channel MOSFET,以下簡(jiǎn)稱N溝道M0SFET)實(shí)施方式的示意圖。因此，只要第一可變電容 單元102和第二可變電容單元104的臨界電壓不同，第一可變電容單元102可以是具有標(biāo) 準(zhǔn)(regular)臨界電壓、零臨界電壓、高臨界電壓(例如MOSFET是一 IO設(shè)備)或低臨界電 壓(例如MOSFET是累積模式的M0SFET)的P溝道M0SFET/N溝道MOSFET ；第二可變電容單 元104可以是具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓、零臨界電壓、高臨界電壓或低臨界電壓的P溝道MOSFET/ N溝道M0SFET。更具體的說(shuō)，第一可變電容單元102的臨界電壓是標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓、零臨界電 壓、高臨界電壓或低臨界電壓其中之一，而第二可變電容單元104的臨界電壓是標(biāo)準(zhǔn)臨界 電壓、零臨界電壓、高臨界電壓或低臨界電壓中的另外一個(gè)。其中，標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓例如零臨 界電壓與高臨界電壓或低臨界電壓之間的電壓。需注意的是，采用上述MOSFET實(shí)現(xiàn)第一可 變電容單元102和第二可變電容單元104的示范性設(shè)計(jì)中，負(fù)載設(shè)備100的實(shí)施中沒有基 于二極管(diode-based)的變?nèi)萜鲉卧蚏-DAC?；诙O管的變?nèi)萜鲉卧膶?shí)施需要額 外的光罩成本(mask cost)，在高頻應(yīng)用中(例如在mmW頻率范圍下操作的應(yīng)用)，基于二 極管的變?nèi)萜鲉卧ǔ＞哂斜然贛OSFET的變?nèi)萜鲉卧畹腝因子。此外，如上所述， R-DAC的實(shí)現(xiàn)具有額外的電流消耗以及更低的Q因子、需要去耦電容面積并產(chǎn)生非期望的 噪聲。因此，由于負(fù)載設(shè)備100的實(shí)施中沒有基于二極管的變?nèi)萜鲉卧蚏-DAC，因此降低 了負(fù)載設(shè)備100的生產(chǎn)成本和大小，并提升了負(fù)載設(shè)備100的性能。在示范性的負(fù)載設(shè)備100的另一個(gè)實(shí)施例中，第一可變電容單元102和第二可變 電容單元104是具有不同半導(dǎo)體架構(gòu)的半導(dǎo)體設(shè)備，由此滿足第一可變電容單元102和第 二可變電容單元104需具有不同的固有電容特性的需求。因此，只要第一可變電容單元102 和第二可變電容單元104的半導(dǎo)體架構(gòu)不同，第一可變電容單元102可以是雙極結(jié)型晶體 管(Bipolar JunctionTransistor，BJT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Heterojunction Bipolar Transistor，HBT)、高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)、 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor，F(xiàn)ET)、變?nèi)萜骰蚨O管；第二可變電容單元104可以是BJT、HBT、HEMT、FET、變?nèi)萜骰蚨O管。更具體的說(shuō)，第一可變電容單元102是BJT、 HBT、HEMT, FET、變?nèi)萜骱投O管的其中之一，而第二可變電容單元104是BJT、HBT、HEMT, FET、變?nèi)萜骱投O管中的另外一個(gè)。需注意的是，采用上述半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)第一可變電容 單元102和第二可變電容單元104的示范性設(shè)計(jì)中，負(fù)載設(shè)備100的實(shí)施中沒有R-DAC。因 此，降低了負(fù)載設(shè)備100的生產(chǎn)成本和大小，并提升了負(fù)載設(shè)備100的性能。在示范性的負(fù)載設(shè)備100的另一個(gè)實(shí)施例中，第一可變電容單元102和第二可變 電容單元104是具有不同半導(dǎo)體架構(gòu)和不同臨界值的半導(dǎo)體設(shè)備。實(shí)現(xiàn)了使負(fù)載設(shè)備具有 線性化的C-V曲線的相同目標(biāo)。也就是說(shuō)，能夠使第一可變電容單元102和第二可變電容 單元104具有不同的固有電容特性的任何方法都遵循本發(fā)明的精神。在負(fù)載設(shè)備100的上述實(shí)施方式中，第一電壓Vl為控制電壓，用于調(diào)諧第一可變 電容單元102和第二可變電容單元104的電容值，第二電壓V2和第三電壓V3均為特定參 考電壓(specific reference voltage)。在一個(gè)設(shè)計(jì)中，第二電壓V2的電壓電平設(shè)為與第 三電壓V3的電壓電平相同。在另一個(gè)設(shè)計(jì)中，第二電壓V2的電壓電平設(shè)為與第三電壓V3 的電壓電平不同。此外，上述特定參考電壓可以是應(yīng)用的供電電壓或接地電壓，該應(yīng)用利用 了負(fù)載設(shè)備100。然而，此僅為說(shuō)明，并無(wú)意圖限制本發(fā)明。舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)定圖2和圖3中所示的每個(gè)晶體管的第一節(jié)點(diǎn)N11/N21用于接收可 調(diào)整的控制電壓，且設(shè)定圖2和圖3中所示的每個(gè)晶體管的第二節(jié)點(diǎn)N12/N22用于接收固 定的參考電壓。例如，第二電壓V2和第三電壓V3中的一個(gè)設(shè)為VDD/2，另一個(gè)設(shè)為GND。另一方面，在負(fù)載設(shè)備100的上述實(shí)施例中，第一電壓Vl是參考電壓，第二電壓V2 和第三電壓V3是控制電壓，用于分別調(diào)諧第一可變電容單元102和第二可變電容單元104 的電容值。相似的，根據(jù)設(shè)計(jì)需求，將第二電壓V2的電壓電平設(shè)為與第三電壓V3的電壓電 平相同或不同。舉例來(lái)說(shuō)，上述特定參考電壓可以是應(yīng)用的供電電壓或接地電壓，該應(yīng)用利 用了負(fù)載設(shè)備100。然而，此僅為說(shuō)明，并無(wú)意圖限制本發(fā)明。此外，設(shè)定圖2和圖3中所示 的每個(gè)晶體管的第一節(jié)點(diǎn)N11/N21用于接收固定的參考電壓，且設(shè)定圖2和圖3中所示的 每個(gè)晶體管的第二節(jié)點(diǎn)N12/N22用于接收可調(diào)整的控制電壓。由于將具有不同固有電容特性的第一可變電容單元102和第二可變電容單元104 進(jìn)行了結(jié)合，因此負(fù)載設(shè)備100的等效(復(fù)合)C-V曲線變得更加線性。需注意的是，圖1 所示的負(fù)載設(shè)備100可用在需要可變電容的任何應(yīng)用中。舉例來(lái)說(shuō)(并非限定)，負(fù)載設(shè) 備100可用于壓控振蕩器(VCO)或移相器(phase shifter)。由于負(fù)載設(shè)備100具有線性 的C-V曲線，因此VCO的增益Kvro的特性曲線或移相器的相位調(diào)諧曲線變得更加線性。根 據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，VCO的LC儲(chǔ)能(LC tank)具有負(fù)載設(shè)備，該負(fù)載設(shè)備由具有標(biāo)準(zhǔn)臨界 電壓的N-M0SFET、累積模式的N-MOSFET以及另一具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET實(shí)現(xiàn)，其 中兩個(gè)具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET的偏壓點(diǎn)不同，例如一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET 接地電壓GND，另一標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET接供電電壓VDD。模擬結(jié)果如圖4至圖7所 示，圖4是分別具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-M0SFET、累積模式的N-MOSFET以及另一具有標(biāo)準(zhǔn)臨 界電壓的N-MOSFET各自的C-V曲線CV1、CV2、CV3的示意圖，其中兩個(gè)具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓 的N-MOSFET的偏壓點(diǎn)不同，例如一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET接地電壓GND，另一標(biāo)準(zhǔn)臨 界電壓的N-MOSFET接供電電壓VDD。圖5是分別具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-M0SFET、累積模式 的N-MOSFET以及另一具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET各自的VCO增益的特性曲線ΚναΓ1、
7ΚναΓ2、Kvco-3的示意圖，其中兩個(gè)具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET的偏壓點(diǎn)不同，例如一個(gè) 標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET接地電壓GND，另一標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET接供電電壓VDD。 圖6是具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-M0SFET、累積模式的N-MOSFET以及另一具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓 的N-MOSFET結(jié)合的等效C-V曲線CV’的示意圖，其中兩個(gè)具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET 的偏壓點(diǎn)不同，例如一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET接地電壓GND，另一標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的 N-MOSFET接供電電壓VDD。圖7是具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET、累積模式的N-MOSFET以 及另一具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET結(jié)合的VCO增益的等效特性曲線Kva/的示意圖，其中 兩個(gè)具有標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET的偏壓點(diǎn)不同，例如一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET接 地電壓GND，另一標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓的N-MOSFET接供電電壓VDD。從圖6和圖7可以看出，C-V 曲線線性化，且VCO增益的特性曲線在特定控制電壓范圍內(nèi)更加平滑。圖8是根據(jù)本發(fā)明的負(fù)載設(shè)備的第二示范性實(shí)施例的方塊示意圖。示范性的負(fù)載 設(shè)備800具有多個(gè)可變電容單元，多個(gè)可變電容單元包括至少第一可變電容單元802和第 一可變電容單元804，兩者具有大致相同的固有電容特性。第一可變電容單元802具有第一 節(jié)點(diǎn)mi，和第二節(jié)點(diǎn)N12，，第二可變電容單元804具有第一節(jié)點(diǎn)Ν2Γ和第二節(jié)點(diǎn)N22，。 第一可變電容單元802的第一節(jié)點(diǎn)mi，和第二可變電容單元804的第一節(jié)點(diǎn)Ν2Γ耦接于 控制電壓Vcm，用于調(diào)諧第一可變電容單元802和第二可變電容單元804的電容值。第一可 變電容單元802的第二節(jié)點(diǎn)附2，直接連接至供電電壓VDD，第二可變電容單元804的第二 節(jié)點(diǎn)N22’直接連接至接地電壓GND。通過(guò)圖8所示的配置實(shí)現(xiàn)了使負(fù)載設(shè)備具有線性化了 的C-V曲線的相同目標(biāo)。相似的，從圖8所示可以看出，負(fù)載設(shè)備800的實(shí)施中沒有R-DAC。 因此，降低了負(fù)載設(shè)備800的生產(chǎn)成本和大小，并提升了負(fù)載設(shè)備800的性能。需注意的是，“負(fù)載設(shè)備”的命名并不意味負(fù)載設(shè)備僅充當(dāng)電路的負(fù)載，任何具有 前述負(fù)載設(shè)備配置的電路元件均落入本發(fā)明的范圍。請(qǐng)參照?qǐng)D9至圖11，圖9至圖11是每個(gè)實(shí)施前述其中之一負(fù)載設(shè)備配置的儲(chǔ)能電 路900、1000、1100的示意圖。關(guān)于圖9中所示的示范性儲(chǔ)能電路900，將相同儲(chǔ)能電壓Vtank 作為前述特定參考電壓供應(yīng)至儲(chǔ)能電路900中的第一可變電容單元902和第二可變電容單 元904，其中儲(chǔ)能電路900可用在壓控振蕩器或移相器。此外，將相同調(diào)諧電壓Vtune作為前 述控制電壓供應(yīng)至儲(chǔ)能電路900中的第一可變電容單元902和第二可變電容單元904。關(guān)于圖10中所示的示范性儲(chǔ)能電路1000，將相同的儲(chǔ)能電壓Vtank作為前述特定 參考電壓供應(yīng)至儲(chǔ)能電路1000中的第一可變電容單元1002和第二可變電容單元1004，其 中儲(chǔ)能電路1000可用在壓控振蕩器或移相器。儲(chǔ)能電路1000和儲(chǔ)能電路900的主要不同 在于，第一可變電容單元1002和第二可變電容單元1004耦接于兩個(gè)電阻Rl和R2組成的 分壓器1010，由分壓器1010對(duì)調(diào)諧電壓Vtme分壓來(lái)產(chǎn)生不同的控制電壓，并分別供應(yīng)至第 一可變電容單元1002和第二可變電容單元1004。關(guān)于圖11中所示的示范性儲(chǔ)能電路1100，將相同的調(diào)諧電壓Vtme作為前述控制 電壓供應(yīng)至儲(chǔ)能電路1100中的第一可變電容單元1102和第二可變電容單元1104，其中儲(chǔ) 能電路1100可用在壓控振蕩器或移相器。儲(chǔ)能電路1100和儲(chǔ)能電路900的主要不同在 于，第一可變電容單元1102和第二可變電容單元1104分別耦接于電容器Cl和C2。因此， 不同的偏壓Vbl和Vb2作為前述特定參考電壓分別供應(yīng)至第一可變電容單元1102和第二可 變電容單元1104。
在閱讀前述段落對(duì)本發(fā)明的示范性負(fù)載設(shè)備配置的講解后，所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通 技術(shù)人員可輕易了解每個(gè)實(shí)施前述其中之一的負(fù)載設(shè)備配置的儲(chǔ)能電路900、1000和1100 的詳細(xì)內(nèi)容，此處為簡(jiǎn)潔不再贅述。雖然本發(fā)明已就較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技 術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的變更和潤(rùn)飾。因 此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視之前的權(quán)利要求書所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種負(fù)載設(shè)備，其特征在于，包括多個(gè)可變電容單元，包括分別具有不同固有電容特性的至少第一可變電容單元和第二 可變電容單元，其中所述第一可變電容單元和所述第二可變電容單元均具有第一節(jié)點(diǎn)和第 二節(jié)點(diǎn)，所述第一可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)和所述第二可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)耦接于第 一電壓，所述第一可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)耦接于第二電壓，以及所述第二可變電容單元 的第二節(jié)點(diǎn)耦接于第三電壓。
2.如權(quán)利要求1所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第一電壓是控制電壓，用于調(diào)諧所述 第一可變電容單元和所述第二可變電容單元的電容值；且所述第二電壓和所述第三電壓均 為特定參考電壓。
3.如權(quán)利要求2所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述特定參考電壓是供電電壓或接地電壓。
4.如權(quán)利要求1所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第二電壓的電壓電平與所述第三電 壓的電壓電平相同。
5.如權(quán)利要求1所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第二電壓的電壓電平與所述第三電 壓的電壓電平不同。
6.如權(quán)利要求1所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第一電壓為特定參考電壓，且所述第 二電壓和所述第三電壓是控制電壓，用于分別調(diào)諧所述第一可變電容單元和所述第二可變 電容單元的電容值。
7.如權(quán)利要求6所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述特定參考電壓是供電電壓或接地電壓。
8.如權(quán)利要求1所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第一可變電容單元和所述第二可變 電容單元是具有不同半導(dǎo)體架構(gòu)的半導(dǎo)體設(shè)備。
9.如權(quán)利要求8所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第一可變電容單元是雙極結(jié)型晶體 管、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、高電子遷移率晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、變?nèi)萜骱投O管的其中之一， 所述第二可變電容單元是所述雙極結(jié)型晶體管、所述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、所述高電子遷移 率晶體管、所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述變?nèi)萜骱退龆O管中的另外一個(gè)。
10.如權(quán)利要求1所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第一可變電容單元和所述第二可變 電容單元是具有不同臨界電壓的半導(dǎo)體設(shè)備。
11.如權(quán)利要求10所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，所述第一可變電容單元的臨界電壓是 標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓、零臨界電壓、高臨界電壓和低臨界電壓的其中之一，所述第二可變電容單元 的臨界電壓是所述標(biāo)準(zhǔn)臨界電壓、所述零臨界電壓、所述高臨界電壓和所述低臨界電壓中 的另外一個(gè)。
12.如權(quán)利要求1所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，負(fù)載設(shè)備用于壓控振蕩器或移相器。
13.一種負(fù)載設(shè)備，其特征在于，包括多個(gè)可變電容單元，包括具有大致相同的固有電容特性的至少第一可變電容單元和第 二可變電容單元，其中所述第一可變電容單元和所述第二可變電容單元均具有第一節(jié)點(diǎn)和 第二節(jié)點(diǎn)，所述第一可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)和所述第二可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)耦接于 控制電壓，用于調(diào)諧所述第一可變電容單元和所述第二可變電容單元的電容值，所述第一 可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)直接耦接于供電電壓，所述第二可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)直接耦接于接地電壓。
14.如權(quán)利要求13所述負(fù)載設(shè)備，其特征在于，負(fù)載設(shè)備用于壓控振蕩器或移相器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種負(fù)載設(shè)備，包括多個(gè)可變電容單元，包括分別具有不同固有電容特性的至少第可變電容單元和第二可變電容單元，其中所述第一可變電容單元和所述第二可變電容單元均具有第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)，所述第一可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)和所述第二可變電容單元的第一節(jié)點(diǎn)耦接于第一電壓，所述第一可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)耦接于第二電壓，所述第二可變電容單元的第二節(jié)點(diǎn)耦接于第三電壓。通過(guò)利用本發(fā)明，降低了負(fù)載設(shè)備的生產(chǎn)成本和大小，并提升了負(fù)載設(shè)備的性能。
文檔編號(hào)H03H11/02GK102118143SQ20101013129
公開日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2010年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月5日
發(fā)明者詹景宏, 陳忠偉 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司