專利名稱：C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種濾波器，特別是一種C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器。
背景技術(shù)：
在微波毫米波通信、雷達(dá)等系統(tǒng)中，尤其是移動手持式無線通信終端和單兵衛(wèi)星 移動通信終端及軍用與民用多模和多路通信系統(tǒng)終端、機(jī)載、彈載、宇航通信系統(tǒng)中，高阻 帶抑制微型微波中頻帶通濾波器是該波段接收和發(fā)射支路中的關(guān)鍵電子部件，描述這種部 件性能的主要技術(shù)指標(biāo)有通帶工作頻率范圍、阻帶頻率范圍、通帶輸入/輸出電壓駐波 比、通帶插入損耗、阻帶衰減、形狀因子、插入相移和時延頻率特性、溫度穩(wěn)定性、體積、重 量、可靠性等。常規(guī)的濾波器設(shè)計方法，如發(fā)夾型濾波器結(jié)構(gòu)、諧振腔濾波器結(jié)構(gòu)和同軸線 濾波器結(jié)構(gòu)等體積和插入損耗較大，在許多應(yīng)用場合(如機(jī)載、彈載、宇航通信、手持無線 終端、單兵移動通信終端等)均受到很大限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供體積小、重量輕、可靠性高、電性能優(yōu)異、結(jié)構(gòu)簡單、成品率 高、批量一致性好、造價低、溫度性能穩(wěn)定、相位頻率特性線性變化的低損耗高抑制微型微 波帶通濾波器。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是一種C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，包括 表面安裝的50歐姆阻抗輸入端口、輸入電感、第一級并聯(lián)諧振單元、第一零點(diǎn)設(shè)置電路、第 二級并聯(lián)諧振單元、第二零點(diǎn)設(shè)置電路、第三級并聯(lián)諧振單元、第三零點(diǎn)設(shè)置電路、第四級 并聯(lián)諧振單元、第四零點(diǎn)設(shè)置電路、第五級并聯(lián)諧振單元、輸出電感、表面安裝的50歐姆阻 抗輸出端口和接地端，輸入端口與輸入電感連接，輸出端口與輸出電感連接，該輸出電感與 輸入電感之間并聯(lián)第一級并聯(lián)諧振單元、第二級并聯(lián)諧振單元、第三級并聯(lián)諧振單元、第四 級并聯(lián)諧振單元和第五級并聯(lián)諧振單元，在第一級并聯(lián)諧振單元與第二級并聯(lián)諧振單元之 間串聯(lián)第一零點(diǎn)設(shè)置電路；第二級并聯(lián)諧振單元與第三級并聯(lián)諧振單元之間串聯(lián)第二零點(diǎn) 設(shè)置電路；第三級并聯(lián)諧振單元與第四級并聯(lián)諧振單元之間串聯(lián)第三零點(diǎn)設(shè)置電路；第四 級并聯(lián)諧振單元與第五級并聯(lián)諧振單元之間串聯(lián)第四零點(diǎn)設(shè)置電路；所述的第一級并聯(lián)諧 振單元、第二級并聯(lián)諧振單元、第三級并聯(lián)諧振單元、第四級并聯(lián)諧振單元和第五級并聯(lián)諧 振單元分別接地。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于采用低損耗低溫共燒陶瓷材料和三維立體集成以及 立體折疊帶狀線實(shí)現(xiàn)并聯(lián)諧振單元和零點(diǎn)設(shè)置電路，其顯著優(yōu)點(diǎn)是(1)通帶內(nèi)損耗低、帶 外抑制高(2)體積小、重量輕、可靠性高；(3)電性能優(yōu)異，相位頻率特性線性變化；(4)電 性能溫度穩(wěn)定性高；(5)電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡單；(6)電性能一致性好，可實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)；(7) 成本低；(8)使用安裝方便，可以用全自動貼片機(jī)安裝和焊接；(9)特別適用于火箭、機(jī)載、 彈載、宇宙飛船、單兵移動通信終端等無線通信手持終端中，以及對體積、重量、性能、可靠 性有苛刻要求的相應(yīng)系統(tǒng)中。


圖1是本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器的電原理圖。圖2是本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器的并聯(lián)諧振單元結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器的主要性能仿真結(jié)果仿真
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。結(jié)合圖1、圖2、圖3，本發(fā)明一種C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，該C波段低 損耗高抑制微型帶通濾波器包括表面安裝的50歐姆阻抗輸入端口 P1、輸入電感L6、第一級 并聯(lián)諧振單元L1、C1，第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2，第二零點(diǎn)設(shè) 置電路L23、C23，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3，第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34，第四級并聯(lián)諧振 單元L3、C3，第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45，第五級并聯(lián)諧振單元L5，C5，輸出電感L7，表面安 裝的50歐姆阻抗輸出端口 P2和接地端，輸入端口 Pl與輸入電感L6連接，輸出端口 P2與 輸出電感L7連接，該輸出電感L7與輸入電感L6之間并聯(lián)第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl，第 二級并聯(lián)諧振單元L2、C2，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4和第五 級并聯(lián)諧振單元L5、C5，在第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl與第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2之間 串聯(lián)第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12 ；第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2與第三級并聯(lián)諧振單元L3、 C3之間串聯(lián)第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23 ；第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3與第四級并聯(lián)諧振單 元L4、C4之間串聯(lián)第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34 ；第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4與第五級并聯(lián) 諧振單元L5、C5之間串聯(lián)第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45 ；所述的第一級并聯(lián)諧振單元L1、C1、 第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2、第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4和第 五級并聯(lián)諧振單元L5、C5分別接地。本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，該帶通濾波器包括表面安裝的50 歐姆阻抗輸入端口 Pl —端接輸入信號，另一端接輸入電感L6的一端，輸入電感L6的另一 端分別與第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl的一端和第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12，C12的一端連接，其 中第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl由第一電感Ll和第一電容Cl并聯(lián)而成，第一零點(diǎn)設(shè)置電路 L12、C12由第一零點(diǎn)電感L12和第一零點(diǎn)電容C12并聯(lián)而成；第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12 的另一端分別與第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2和第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23的一端相連，第 二級并聯(lián)諧振單元L2、C2由第二電感L2和第二電容C2并聯(lián)而成，第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、 C23由第二零點(diǎn)電感L23和第二零點(diǎn)電容C23并聯(lián)而成；第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23的另一 端分別與第三級并聯(lián)諧振單元L3，C3和第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34，C34的一端相連，第三級并 聯(lián)諧振單元L3、C3由第三電感L3和第三電容C3并聯(lián)而成，第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34由 第三零點(diǎn)電感L34和第三零點(diǎn)電容C34并聯(lián)而成；所述的第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34的另 一端分別與第四級并聯(lián)諧振單元L4，C4和第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45，C45的一端相連，第四級 并聯(lián)諧振單元L4、C4由第四電感L4和第四電容C4并聯(lián)而成，第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45 由第四零點(diǎn)電感(L34)和第四零點(diǎn)電容C34并聯(lián)而成；第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45的另一 端分別與第五級并聯(lián)諧振單元L5，C5和輸出電感L7的一端相連，第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5由第五電感L5和第五電容C5并聯(lián)而成；輸出電感L7的另一端與輸出端口 P2的一端連 接，輸出端口 P2的另一端輸出信號，第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl、第二級并聯(lián)諧振單元L2、 C2、第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4和第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5 分別接地。結(jié)合圖2、圖3，本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，輸入端口 P1、輸入電 感L6、第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl，第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12，第二級并聯(lián)諧振單元L2、 C2，第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3，第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34， 第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4，第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45，第五并聯(lián)諧振單元L5、C5，輸出 電感L7、輸出端口 P2和接地端均采用多層用低溫共燒陶瓷工藝實(shí)現(xiàn)，其中輸入電感L6、輸 出電感L7均采用分布參數(shù)的帶狀線實(shí)現(xiàn)，第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl、第二級并聯(lián)諧振單 元L2、C2、第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3、第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4、第五并聯(lián)諧振單元L5、 C5均采用兩層折疊耦合帶狀線實(shí)現(xiàn)，第一零點(diǎn)電容C12、第二零點(diǎn)電容C23、第三零點(diǎn)電容 C34、第四零點(diǎn)電容C45分別采用第一并聯(lián)諧振單元Li、Cl與第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2， 第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2與第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3之間，第三級并聯(lián)諧振單元L3、 C3與第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4之間，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4與第五級并聯(lián)諧振單元 L5、C5之間空間耦合和分布參數(shù)電容實(shí)現(xiàn)，第一零點(diǎn)電感L12、第二零點(diǎn)電感L23、第三零點(diǎn) 電感L34、第四零點(diǎn)電感L45分別采用第一并聯(lián)諧振單元L1、C1與第二級并聯(lián)諧振單元L2、 C2、第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2與第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3之間、第三級并聯(lián)諧振單元 L3、C3與第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4之間、第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4與第五級并聯(lián)諧振 單元L5、C5之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)。結(jié)合圖2、圖3，本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，第一級并聯(lián)諧振單元 Li、Cl，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3，第四級并聯(lián)諧振單元L4、 C4，第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5采用分布參數(shù)兩層折疊耦合帶狀線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，其中每層帶 狀線一端懸空，另一端接地。本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12中，第一 零點(diǎn)電感L12采用第一并聯(lián)諧振單元L1、C1和第二并聯(lián)諧振單元L2、C2之間空間耦合和分 布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)，第一零點(diǎn)電容C12采用第一并聯(lián)諧振單元L1、C1和第二并聯(lián)諧振單元L2、 C2之間空間耦合和分布參數(shù)電容實(shí)現(xiàn)；第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23中，第二零點(diǎn)電感L23 采用第二并聯(lián)諧振單元L2、C2和第三并聯(lián)諧振單元L3、C3之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí) 現(xiàn)，第二零點(diǎn)電容C23采用第二并聯(lián)諧振單元L2、C2和第三并聯(lián)諧振單元L3、C3之間空間 耦合和分布參數(shù)電容實(shí)現(xiàn)；第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34中，第三零點(diǎn)電感L34采用第三并聯(lián) 諧振單元L3、C3和第四并聯(lián)諧振單元L4、C4之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)，第三零點(diǎn) 電容C34采用第三并聯(lián)諧振單元L3、C3和第四并聯(lián)諧振單元L4、C4之間空間耦合和分布參 數(shù)電容實(shí)現(xiàn)；第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45中，第四零點(diǎn)電感L45采用第四并聯(lián)諧振單元L4、 C4和第五并聯(lián)諧振單元L5、C5之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)，第四零點(diǎn)電容C45采用 第四并聯(lián)諧振單元L4、C4和第五并聯(lián)諧振單元L5、C5之間空間耦合和分布參數(shù)電容實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，其工作原理簡述如下輸入的寬頻 帶微波信號經(jīng)輸入端口 Pl通過輸入電感L6到達(dá)第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl，第一電感Ll 和第一電容Cl相連接的一端及第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12的一端，在第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl的一端，所述的寬頻帶微波信號中，在第一并聯(lián)諧振單元諧振頻率附近的微波信 號進(jìn)入第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl與第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2之間第一零點(diǎn)設(shè)置電路 L12、C12，其余非第一并聯(lián)諧振單元諧振頻率附近的微波信號通過第一級并聯(lián)諧振單元Li、 Cl中的第一電感Ll和第一電容Cl接地，實(shí)現(xiàn)第一級濾波。第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12的 并聯(lián)諧振頻率附近的阻帶微波信號，即第一零點(diǎn)頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被抑制， 非第一零點(diǎn)附近的微波頻率信號通過第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12中的第一零點(diǎn)電感L12和 第一零點(diǎn)電容C12到達(dá)第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2中，第二電感L2和第二電容C2相連接 的一端及第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2與第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3之間第二零點(diǎn)設(shè)置電 路L23、C23的一端，經(jīng)過第一級濾波和第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12的微波信號，在第二并 聯(lián)諧振單元L2、C2諧振頻率附近的微波信號進(jìn)入第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23，其余非第二 并聯(lián)諧振單元諧振頻率附近的微波信號通過第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2中的第二電感L2 和第二電容C2接地，實(shí)現(xiàn)第二級濾波。第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23的并聯(lián)諧振頻率附近 的阻帶微波信號，即第二零點(diǎn)頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被抑制，非第二零點(diǎn)附近的 微波頻率信號通過第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23中的第二零點(diǎn)電感L23和第二零點(diǎn)電容C23 到達(dá)第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3種的第三電感L3和第三電容C3相連接的一端及第三零點(diǎn) 設(shè)置電路L34、C34的一端，經(jīng)過第一級、第二級濾波和第一零點(diǎn)設(shè)置電路L12、C12，第二零 點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23的微波信號，在第三并聯(lián)諧振單元L3、C3諧振頻率附近的微波信號進(jìn) 入第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3與第四級并聯(lián)諧振單元L3、C3之間第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、 C34，其余非第三并聯(lián)諧振單元L34、C34諧振頻率附近的微波信號通過第三級并聯(lián)諧振單 元L3、C3中的第三電感L3和第三電容C3接地，實(shí)現(xiàn)第三級濾波。第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、 C34的并聯(lián)諧振頻率附近的阻帶微波信號，即第三零點(diǎn)頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被 抑制，非第三零點(diǎn)附近的微波頻率信號通過第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34中的第三零點(diǎn)電感 L34和第三零點(diǎn)電容C34到達(dá)第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4種第四電感L4和第四電容C4相 連接的一端及第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4與第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5之間第四零點(diǎn)設(shè) 置電路L34、C34的一端，經(jīng)過第一級、第二級、第三級濾波和第一、第二、第三零點(diǎn)設(shè)置電路 的微波信號，在第四并聯(lián)諧振單元L4、C4諧振頻率附近的微波信號進(jìn)入第四零點(diǎn)設(shè)置電路 L45、C45，其余非第四并聯(lián)諧振單元諧振頻率附近的微波信號通過第四級并聯(lián)諧振單元L4、 C4中的第四電感L4和第四電容C4接地，實(shí)現(xiàn)第四級濾波。第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45的 并聯(lián)諧振頻率附近的阻帶微波信號，即第四零點(diǎn)頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被抑制， 非第四零點(diǎn)附近的微波頻率信號通過第四零點(diǎn)設(shè)置電路L45、C45中的第四零點(diǎn)電感L45和 第四零點(diǎn)電容C45到達(dá)第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5種第五電感L5和第五電容C5相連接的 一端及輸出電感L7的一端，經(jīng)過第一級、第二級、第三級、第四級濾波和第一零點(diǎn)設(shè)置電路 L12、C12、第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23、第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34、第四零點(diǎn)設(shè)置電路的微 波信號L45、C45，在第五并聯(lián)諧振單元L5、C5諧振頻率附近的微波信號通過輸出電感L7接 表面安裝的50歐姆阻抗輸出端口 P2的一端，其余非第五并聯(lián)諧振單元諧振頻率附近的微 波信號通過第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5中的第五電感L5和第五電容C5接地，實(shí)現(xiàn)第五級 濾波。經(jīng)過第一級濾波、第二級濾波、第三級濾波、第四級濾波、第五級濾波、第一零點(diǎn)設(shè)置 電路L12、C12，第二零點(diǎn)設(shè)置電路L23、C23，第三零點(diǎn)設(shè)置電路L34、C34，第四零點(diǎn)設(shè)置電路 L45、C45的微波信號，通過表面安裝的50歐姆阻抗輸出端口 P2的另一端輸出，從而實(shí)現(xiàn)C波段低損耗高抑制微型帶通濾波功能。 C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器由于是采用多層低溫共燒陶瓷工藝實(shí)現(xiàn)，其 低溫共燒陶瓷材料和金屬圖形在大約900°C溫度下燒結(jié)而成，所以具有非常高的可靠性和 溫度穩(wěn)定性，由于結(jié)構(gòu)采用三維立體集成和多層折疊結(jié)構(gòu)以及外表面金屬屏蔽實(shí)現(xiàn)接地和 封裝，從而使體積大幅減小。低溫共燒陶瓷技術(shù)，指的是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成厚度精確而 且致密的生瓷帶，切成一定尺寸后在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿、精密導(dǎo)體漿料印刷 等工藝制作出所需要的電路圖形，并將多個無源組件(如低容值電容、電阻、濾波器、阻抗 變換器、耦合器等)埋入多層陶瓷基板中，然后疊壓在一起，在900°C下燒結(jié)，制成三維空間 互不干擾的高密度電路。它也可制成內(nèi)置無源元件的三維電路基板，在其表面貼裝集成電 路和有源器件，制成無源/有源集成的功能模塊。低溫共燒陶瓷技術(shù)涉及材料科學(xué)、電路 設(shè)計、微波技術(shù)等廣泛的領(lǐng)域，在設(shè)計的靈活性、布線密度和可靠性等方面提供了巨大的潛 能，為當(dāng)代各種電子系統(tǒng)元器件模塊的小型化、輕量化提供了很好的解決途徑，越來越受國 內(nèi)外的重視。
權(quán)利要求
1.一種C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，其特征在于包括表面安裝的50歐姆阻 抗輸入端口(P1)、輸入電感(L6)、第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)、第一零點(diǎn)設(shè)置電路(L12、 C12)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第二零點(diǎn)設(shè)置電路(L23、C23)、第三級并聯(lián)諧振單元 (L3、C3)、第三零點(diǎn)設(shè)置電路(L34、C34)、第四級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、第四零點(diǎn)設(shè)置電路 (L45、C45)、第五級并聯(lián)諧振單元(L5，C5)、輸出電感(L7)、表面安裝的50歐姆阻抗輸出端 口(P2)和接地端；輸入端口(Pl)與輸入電感(L6)連接，輸出端口(P2)與輸出電感(L7) 連接，該輸出電感(L7)與輸入電感(L6)之間并聯(lián)第一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)、第二級并 聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第五 級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)，在第一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)與第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2) 之間串聯(lián)第一零點(diǎn)設(shè)置電路(L12、C12)；第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)與第三級并聯(lián)諧振 單元(L3、C3)之間串聯(lián)第二零點(diǎn)設(shè)置電路(L23、C23)；第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)與第 四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間串聯(lián)第三零點(diǎn)設(shè)置電路(L34、C34)；第四級并聯(lián)諧振單元 (L4、C4)與第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)之間串聯(lián)第四零點(diǎn)設(shè)置電路(L45、C45)；所述的第 一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3) 第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)分別接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，其特征在于表面安 裝的50歐姆阻抗輸入端口(Pl) —端接輸入信號，另一端接輸入電感(L6)的一端，輸入電 感(L6)的另一端分別和第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)的一端與第一零點(diǎn)設(shè)置電路(L12， C12)的一端連接，其中第一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)由第一電感(Li)和第一電容(Cl)并 聯(lián)而成，第一零點(diǎn)設(shè)置電路(L12、C12)由第一零點(diǎn)電感(L12)和第一零點(diǎn)電容(C12)并聯(lián) 而成；第一零點(diǎn)設(shè)置電路(L12、C12)的另一端分別與第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)和第二 零點(diǎn)設(shè)置電路(L23，C23)的一端相連，第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)由第二電感(L2)和 第二電容(C2)并聯(lián)而成，第二零點(diǎn)設(shè)置電路(L23、C23)由第二零點(diǎn)電感(L23)和第二零點(diǎn) 電容(C23)并聯(lián)而成；第二零點(diǎn)設(shè)置電路(L23、C23)的另一端分別與第三級并聯(lián)諧振單元 (L3、C3)和第三零點(diǎn)設(shè)置電路(L34、C34)的一端相連，第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)由第三 電感(L3)和第三電容(C3)并聯(lián)而成，第三零點(diǎn)設(shè)置電路(L34、C34)由第三零點(diǎn)電感(L34) 和第三零點(diǎn)電容(C34)并聯(lián)而成；所述的第三零點(diǎn)設(shè)置電路(L34、C34)的另一端分別與第 四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第四零點(diǎn)設(shè)置電路(L45、C45)的一端相連，第四級并聯(lián)諧振 單元(L4、C4)由第四電感(L4)和第四電容(C4)并聯(lián)而成，第四零點(diǎn)設(shè)置電路(L45、C45) 由第四零點(diǎn)電感(L34)和第四零點(diǎn)電容(C34)并聯(lián)而成；第四零點(diǎn)設(shè)置電路(L45、C45)的 另一端分別與第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)和輸出電感(L7)的一端相連，第五級并聯(lián)諧振 單元(L5、C5)由第五電感(L5)和第五電容(C5)并聯(lián)而成；輸出電感(L7)的另一端與輸出 端口(P2)的一端連接，輸出端口(P2)的另一端輸出信號，第一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)、第 二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4) 和第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)分別接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，其特征在于輸入 端口(Pl)、輸入電感(L6)、第一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)、第一零點(diǎn)設(shè)置電路(L12、C12)、第 二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第二零點(diǎn)設(shè)置電路(L23、C23)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、 第三零點(diǎn)設(shè)置電路(L34、C34)、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)、第四零點(diǎn)設(shè)置電路(L45、C45)、第五并聯(lián)諧振單元(L5、C5)，輸出電感(L7)、輸出端口(P2)和接地端均采用多層低溫 共燒陶瓷工藝實(shí)現(xiàn)，其中輸入電感(L6)、輸出電感(L7)均采用分布參數(shù)的帶狀線實(shí)現(xiàn)，第 一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、 第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)、第五并聯(lián)諧振單元(L5、C5)均采用兩層折疊耦合帶狀線實(shí) 現(xiàn)，第一零點(diǎn)電容(C12)、第二零點(diǎn)電容(C23)、第三零點(diǎn)電容(C34)、第四零點(diǎn)電容(C45) 均分別采用第一并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)與第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)之間、第二級并聯(lián) 諧振單元(L2、C2)與第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)之間、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)與 第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)與第五級并聯(lián)諧振單元 (L5、C5)之間空間耦合和分布參數(shù)電容實(shí)現(xiàn)，第一零點(diǎn)電感(L12)、第二零點(diǎn)電感(L23)、第 三零點(diǎn)電感(L34)、第四零點(diǎn)電感(L45)均分別采用第一并聯(lián)諧振單元(L1、C1)與第二級并 聯(lián)諧振單元(L2、C2)之間、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)與第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3) 之間、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)與第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間、第四級并聯(lián)諧振 單元(L4、C4)與第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所要求的C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，其特征在于第 一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、 第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)采用分布參數(shù)兩層折疊耦合 帶狀線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，其中每層帶狀線一端懸空，另一端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所要求的C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，其特征在于其 中第一零點(diǎn)設(shè)置電路(L12、C12)中，第一零點(diǎn)電感(L12)采用第一并聯(lián)諧振單元(Li、Cl) 和第二并聯(lián)諧振單元(L2、C2)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)，第一零點(diǎn)電容(C12)采 用第一并聯(lián)諧振單元(L1、C1)和第二并聯(lián)諧振單元(L2、C2)之間空間耦合和分布參數(shù)電容 實(shí)現(xiàn)；第二零點(diǎn)設(shè)置電路(L23、C23)中，第二零點(diǎn)電感(L23)采用第二并聯(lián)諧振單元(L2、 C2)和第三并聯(lián)諧振單元(L3、C3)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)，第二零點(diǎn)電容(C23) 采用第二并聯(lián)諧振單元(L2、C2)和第三并聯(lián)諧振單元(L3、C3)之間空間耦合和分布參數(shù) 電容實(shí)現(xiàn)；第三零點(diǎn)設(shè)置電路(L34、C34)中，第三零點(diǎn)電感(L34)采用第三并聯(lián)諧振單元 (L3、C3)和第四并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)，第三零點(diǎn)電容 (C34)采用第三并聯(lián)諧振單元(L3、C3)和第四并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間空間耦合和分布 參數(shù)電容實(shí)現(xiàn)；第四零點(diǎn)設(shè)置電路(L45、C45)中，第四零點(diǎn)電感(L45)采用第四并聯(lián)諧振單 元(L4、C4)和第五并聯(lián)諧振單元(L5、C5)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實(shí)現(xiàn)，第四零點(diǎn)電 容(C45)采用第四并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第五并聯(lián)諧振單元(L5、C5)之間空間耦合和分 布參數(shù)電容實(shí)現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種C波段低損耗高抑制微型帶通濾波器，包括適用于表面安裝的輸入/輸出接口、采用兩層折疊耦合帶狀線實(shí)現(xiàn)的五個并聯(lián)諧振單元、四個零點(diǎn)設(shè)置電路、輸入和輸出電感，上述結(jié)構(gòu)均采用多層低溫共燒陶瓷工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明具有體積小、重量輕、電性能優(yōu)異、可靠性高、相位頻率特性線性度好、溫度穩(wěn)定性好、電性能批量一致性好、成本低、可大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，特別適用于雷達(dá)、通信、箭載、機(jī)載、彈載、宇宙飛船、單兵移動通信終端等無線通信手持和便攜終端產(chǎn)品中，以及對體積、重量、電性能及可靠性等有苛刻要求的相應(yīng)頻段系統(tǒng)中。
文檔編號H03H7/09GK102006027SQ201010555948
公開日2011年4月6日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者周聰, 張紅, 徐利, 戴冰清, 戴永勝, 於秋杉, 楊健, 王立杰, 盛衛(wèi)星, 郭永新, 陳少波, 陳曦 申請人:南京理工大學(xué)