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      一種低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路的制作方法

      文檔序號:7518667閱讀:317來源:國知局
      專利名稱:一種低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及激光通信領(lǐng)域的激光器調(diào)制電流輸出驅(qū)動電路,具體說是一種低電壓 自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路。
      背景技術(shù)
      激光驅(qū)動器作為光通信系統(tǒng)不可缺少的組成部分,廣泛地應(yīng)用于同步數(shù)字復(fù)接、 高速以太網(wǎng)、光纖到戶等各個(gè)方面,并成為眾多國內(nèi)外眾多學(xué)者的研究領(lǐng)域。光通信系統(tǒng)對激光驅(qū)動器有多項(xiàng)要求,主要包括輸入信號幅度、輸出上升/下降 時(shí)間、激光功率控制、偏置電流和調(diào)制電流控制、溫度補(bǔ)償、失效監(jiān)控等多個(gè)方面?,F(xiàn)有的用于光通信的激光驅(qū)動器典型調(diào)制電流驅(qū)動電路如圖1所示。晶體管Q5 和Q6構(gòu)成第一級限幅差分放大器。這樣,只要輸入信號的幅度在設(shè)計(jì)的范圍之內(nèi),在電阻 R4和R5上將得到固定幅度的調(diào)制信號。由晶體管Q3和Q4構(gòu)成的射級跟隨器起到直流電 平位移的作用,以匹配下一級電路的共模輸入電平的要求。晶體管Q7和Q8構(gòu)成的第二級 限幅差分放大器主要用于信號整形,同時(shí)驅(qū)動由晶體管Q9和QlO構(gòu)成的射級跟隨器。晶體 管Ql和Q2構(gòu)成差分功率輸出級,驅(qū)動激光器(Laser)。晶體管M1-M7為各級放大電路提供 偏置,其中,改變Ml的柵級電壓可以控制激光器調(diào)制電流的大小。然而圖1所示的典型電路在高速和低電壓供電的場合會有不夠適用的地方。一方 面,由晶體管Q3和Q4構(gòu)成的射級跟隨器在高頻率的場合會呈現(xiàn)出電感的特性,很大程度上 降低了其高頻傳輸特性。另一方面,晶體管Ml和Ql及Q2串聯(lián)后再驅(qū)動激光二極管,使得 電源供電電壓不能太低,至少得保證兩個(gè)晶體管加上激光二極管,這三個(gè)器件串聯(lián)后的供 電工作區(qū)間。故當(dāng)出現(xiàn)低電源供電電壓應(yīng)用時(shí),激光驅(qū)動器無法正常工作。

      發(fā)明內(nèi)容
      針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,本發(fā)明的目的在于提供一種低電壓自適應(yīng)光通信激 光驅(qū)動器電路,以解決低電源供電電壓應(yīng)用時(shí),激光驅(qū)動器無法正常工作的問題。為達(dá)到以上目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路,其特征在于包括依次連接的差分調(diào)制電流放大器Al、差分電壓跟隨器A2、差分調(diào)制電流驅(qū)動器 A3,其中,差分調(diào)制電流放大器Al用于放大輸入調(diào)制電流信號Din,并與差分電壓跟隨器A2 的阻抗及電平相匹配; 差分電壓跟隨器A2用于放大差分調(diào)制電流放大器Al處理后的輸入調(diào)制電流信 號,并與差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3的阻抗及電平相匹配;差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3用于輸出調(diào)制電流信號Dout,調(diào)制電流信號Dout用于驅(qū)
      動激光二級管;調(diào)制電流控制電路Ml用于控制差分調(diào)制電流放大器Al的調(diào)制電流。
      在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,所述差分調(diào)制電流放大器Al包括晶體管Ql,Q2,Q7, Q8,Ql 1,電阻R1-R5 ;所述差分電壓跟隨器A2包括晶體管Q3,Q4,Q9,QlO ;所述差分調(diào)制電 流驅(qū)動器A3包括晶體管Q5,Q6 ;調(diào)制電流控制電路Ml為一個(gè)晶體管。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,調(diào)制信號輸入端Din與相等的差分對管Ql和Q2的基 極相連;Ql和Q2的發(fā)射級與晶體管Q8的集電極相連;Ql和Q2的集電極分別與相等的電阻 R4和R5的一端以及相等的晶體管Q4和Q3的基極相連;電阻R4和R5的另一端分別與相等的電阻R2和R3相連;電阻R2和R3的另一端 與電阻Rl的一端以及晶體管Ml的漏級相連;晶體管Ml的源級接電源VDD,柵極接調(diào)制電流控制信號輸入Ctrl ;晶體管Q7-Q10的基極都連在一起,并與Q7的集電極以及Qll的發(fā)射極相連;晶體管Qll的集電極和基極均與電阻Rl的另一端相連;相等的晶體管Q9和QlO的集電極分別與晶體管Q3和Q4的發(fā)射極以及相等的晶 體管Q5和Q6的基極相連; 晶體管Q3和Q4的集電極接電源VDD ;晶體管Q5和Q6的集電極作為調(diào)制電流的差分輸出信號,分別與電阻R6、激光二極 管Dl的負(fù)極相連;電阻R6的另一端與電源VDD和激光二極管Dl的正極連接;晶體管Q5-Q10的發(fā)射極接地VSS。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,設(shè)晶體管Q7和Q8的發(fā)射級面積分別為S7和S8,則電 阻R1-R3及晶體管Q7和Q8的發(fā)射級面積S7和S8的取值滿足以下比例關(guān)系R1/S7 = S8/R2,電阻R4及R5的取值范圍在電阻R2的1/2到1/10之間。本發(fā)明所述的低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路,具有以下優(yōu)點(diǎn)1、能夠在很低的電源電壓供電條件下工作,工作電壓只需要滿足單個(gè)驅(qū)動晶體管 和激光二極管串聯(lián)后的電壓工作區(qū)間。2、能夠回避典型調(diào)制電流驅(qū)動電路的電感特性的影響,提高驅(qū)動電路的工作速率。3、能夠根據(jù)要求輸出電流的不同,自主調(diào)節(jié)推動級的驅(qū)動電流的大小,以起到降 低總體功耗的效果。


      本發(fā)明有如下附圖圖1用于光通信的激光驅(qū)動器典型調(diào)制電流驅(qū)動電路;圖2本發(fā)明的系統(tǒng)框圖;圖3本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)方式;圖4本發(fā)明的電路仿真結(jié)果。
      具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明提供了 一種低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器調(diào)制電流輸出電路,可用于在低供電電壓工作條件下的高速調(diào)制電流輸出,以驅(qū)動光通信激光器/激光二極管。圖2是 本發(fā)明的系統(tǒng)框圖,它包含一個(gè)差分調(diào)制電流放大器Al,用于放大輸入調(diào)制電流信號Din,并與后級(差分電 壓跟隨器A2)的阻抗及電平相匹配;一個(gè)差分電壓跟隨器A2,作為差分調(diào)制電流放大器Al的后級,用于放大差分調(diào)制 電流放大器Al處理后的輸入調(diào)制電流信號,并與后級(差分調(diào)制電流驅(qū)動器??; )的阻抗及 電平相匹配;一個(gè)差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3,作為差分電壓跟隨器A2的后級,用于輸出調(diào)制電流 信號Dout,調(diào)制電流信號Dout用于驅(qū)動激光二級管; 一個(gè)調(diào)制電流控制電路Ml,調(diào)制電流控制電路Ml用于控制差分調(diào)制電流放大器 Al的調(diào)制電流的大??;差分調(diào)制電流放大器Al、差分電壓跟隨器A2、差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3依次連接。圖3是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施電路圖。其中,晶體管Ql,Q2,Q7,Q8,Ql 1,電阻R1-R5 組成差分調(diào)制電流放大器Al ;晶體管Q3,Q4,Q9,Q10組成差分電壓跟隨器A2 ;晶體管Q5和 Q6組成差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3 ;調(diào)制電流控制電路Ml為一個(gè)晶體管。所有的晶體管及電 阻采用集成器件,其具體連接關(guān)系是調(diào)制信號輸入端Din與相等的差分對管Ql和Q2的基極相連;Ql和Q2的發(fā)射級 與晶體管Q8的集電極相連;Ql和Q2的集電極分別與相等的電阻R4和R5的一端以及相等 的晶體管Q4和Q3的基極相連;電阻R4和R5的另一端分別與相等的電阻R2和R3相連;電阻R2和R3的另一端 與電阻Rl的一端以及晶體管Ml的漏級相連;晶體管Ml的源級接電源VDD,柵極接調(diào)制電流控制信號輸入Ctrl ;Q7-Q10的基極都連在一起,并與Q7的集電極以及Qll的發(fā)射極相連;晶體管Qll的集電極和基極均與電阻Rl的另一端相連;相等的晶體管Q9和QlO的集電極分別與晶體管Q3和Q4的發(fā)射極以及相等的晶 體管Q5和Q6的基極相連;晶體管Q3和Q4的集電極接電源VDD ;晶體管Q5和Q6的集電極作為調(diào)制電流的差分輸出信號,分別與電阻R6、激光二極 管Dl的負(fù)極相連;電阻R6的另一端與電源VDD和激光二極管Dl的正極連接;晶體管Q5-Q10的發(fā)射極接地VSS。上述晶體管Ql-Qll采用的型號可以是LN232,電阻R1-R5采用的型號可以是 rnp3t-b,晶體管Ml采用的型號可以是pfets。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,設(shè)晶體管Q7和Q8的發(fā)射級面積分別為S7和S8,則電 阻R1-R3及晶體管Q7和Q8的發(fā)射級面積S7和S8的取值滿足以下比例關(guān)系R1/S7 = S8/R2,電阻R4及R5的取值范圍在電阻R2的1/2到1/10之間。例如,可以取Rl = IOK Ω , S7 = 2um2,則R2可以取1ΚΩ,S8可以取20um2,R4及R5的可以取500 Ω。如圖3所示,調(diào)制信號由輸入端Din加載到調(diào)制電流放大器Al中差分輸入管Ql 和Q2的基極,限幅放大后的調(diào)制信號通過Q3和Q4傳遞到輸出管Q5和Q6的基極。調(diào)制電流由Q5和Q6的集電極輸出。輸出調(diào)制電流的大小由調(diào)制電流控制信號輸入Ctrl來控制, 通過調(diào)整調(diào)制電流控制信號輸入Ctrl電壓的高低,可以調(diào)整晶體管Ml的漏極的電壓,從而 改變包括Ql和Q2的差分調(diào)制電流放大器Al的供電電壓,引起通過Q3和Q4傳遞到Q5和 Q6的基極的信號的大小,最終改變Q5和Q6輸出的調(diào)制電流。由于Ml的漏極的電位越高,流過Rl,Qll和Q7的電流會越大,引起作為尾電流源 的電流鏡Q8-Q10的電流增加,整個(gè)輸出推動電路的功耗增加,輸出的調(diào)制電流也增加;Ml 的漏極的電位越低,則相反。因而這個(gè)是一個(gè)自適應(yīng)的驅(qū)動電路,能夠隨著輸出電流的大小 來調(diào)整自身的功耗,起到降低整體功耗的效果。為了保證輸出的調(diào)制電流信號有足夠的速度,輸出晶體管Q5和Q6的工作區(qū)應(yīng)當(dāng) 是從臨界開啟狀態(tài)到放大區(qū)之間,因而基極電位不能低到使晶體管Q5和Q6進(jìn)入截至區(qū)。為 了滿足這個(gè)要求,電阻R1-R3及晶體管Q7和Q8的取值需按以下規(guī)則設(shè)晶體管Q7和Q8的 發(fā)射級面積分別為S7和S8,則電阻R1-R3及晶體管Q7和Q8的發(fā)射級面積S7和S8的取值 滿足R1/S7 = S8/R2。這樣無論調(diào)制電流控制信號Ctrl變化而引起Ml的漏極點(diǎn)位如何變 化變化,若Ql工作于開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),Qll的集電極點(diǎn)位與R2的下端點(diǎn)位總是相等,也就 是等于Q7和Qll的b-e結(jié)電壓之和。因而晶體管Q6基極點(diǎn)位就近似等于Q7的b_e結(jié)電 壓與R4的壓降之差。仔細(xì)選取R4的值,可以使無論Ctrl端的控制電壓如何取值,Q7的基 極電位都略低于Q7的開啟電壓,使Q7處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),保證輸出的零電平足夠低,從而 保證激光器輸出的消光比。參考圖4是本發(fā)明電路工作于1. 8V低電壓下的仿真結(jié)果。可見在當(dāng)調(diào)制電流輸 出達(dá)到約50mA時(shí),上升/下降時(shí)間都在90ps以內(nèi),并且調(diào)制電流的零點(diǎn)不超過1mA,保證了 消光比的要求。
      權(quán)利要求
      1.一種低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路,其特征在于包括依次連接的差分調(diào)制電流放大器Al、差分電壓跟隨器A2、差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3,其中,差分調(diào)制電流放大器Al用于放大輸入調(diào)制電流信號Din,并與差分電壓跟隨器A2的阻 抗及電平相匹配;差分電壓跟隨器A2用于放大差分調(diào)制電流放大器Al處理后的輸入調(diào)制電流信號,并 與差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3的阻抗及電平相匹配;差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3用于輸出調(diào)制電流信號Dout,調(diào)制電流信號Dout用于驅(qū)動激 光二級管;調(diào)制電流控制電路Ml用于控制差分調(diào)制電流放大器Al的調(diào)制電流。
      2.如權(quán)利要求1所述的低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路,其特征在于所述差分 調(diào)制電流放大器Al包括晶體管Ql,Q2,Q7,Q8,Ql 1,電阻R1-R5 ;所述差分電壓跟隨器A2包 括晶體管Q3,Q4,Q9,Q10 ;所述差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3包括晶體管Q5,Q6 ;調(diào)制電流控制電 路Ml為一個(gè)晶體管。
      3.如權(quán)利要求2所述的低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路,其特征在于調(diào)制信號 輸入端Din與相等的差分對管Ql和Q2的基極相連;Ql和Q2的發(fā)射級與晶體管Q8的集電 極相連;Ql和Q2的集電極分別與相等的電阻R4和R5的一端以及相等的晶體管Q4和Q3的 基極相連;電阻R4和R5的另一端分別與相等的電阻R2和R3相連;電阻R2和R3的另一端與電 阻Rl的一端以及晶體管Ml的漏級相連;晶體管Ml的源級接電源VDD,柵極接調(diào)制電流控制信號輸入Ctrl ;晶體管Q7-Q10的基極都連在一起,并與Q7的集電極以及Qll的發(fā)射極相連;晶體管Qll的集電極和基極均與電阻Rl的另一端相連;相等的晶體管Q9和QlO的集電極分別與晶體管Q3和Q4的發(fā)射極以及相等的晶體管 Q5和Q6的基極相連;晶體管Q3和Q4的集電極接電源VDD ;晶體管Q5和Q6的集電極作為調(diào)制電流的差分輸出信號,分別與電阻R6、激光二極管 Dl的負(fù)極相連;電阻R6的另一端與電源VDD和激光二極管Dl的正極連接;晶體管Q5-Q10的發(fā)射極接地VSS。
      4.如權(quán)利要求3所述的低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路,其特征在于設(shè)晶體管 Q7和Q8的發(fā)射級面積分別為S7和S8,則電阻R1-R3及晶體管Q7和Q8的發(fā)射級面積S7 和S8的取值滿足以下比例關(guān)系R1/S7 = S8/R2,電阻R4及R5的取值范圍在電阻R2的1/2到1/10之間。
      全文摘要
      本發(fā)明是一種低電壓自適應(yīng)光通信激光驅(qū)動器電路,包括依次連接的差分調(diào)制電流放大器A1、差分電壓跟隨器A2、差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3,其中,差分調(diào)制電流放大器A1用于放大輸入調(diào)制電流信號Din,并與后級的阻抗及電平相匹配;差分電壓跟隨器A2用于放大差分調(diào)制電流放大器A1處理后的輸入調(diào)制電流信號,并與后級的阻抗及電平相匹配;差分調(diào)制電流驅(qū)動器A3用于輸出調(diào)制電流信號Dout,調(diào)制電流信號Dout用于驅(qū)動激光二級管;調(diào)制電流控制電路M1用于調(diào)整差分調(diào)制電流放大器A1的調(diào)制電流。本發(fā)明所述激光驅(qū)動器電路,能夠在很低的電源電壓供電條件下工作;提高了驅(qū)動電路的工作速率;可自主調(diào)節(jié)推動級的驅(qū)動電流的大小。
      文檔編號H03F3/45GK102064468SQ20101058787
      公開日2011年5月18日 申請日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
      發(fā)明者周華, 蔣湘 申請人:烽火通信科技股份有限公司
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