專利名稱：單片功率運算放大器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種運算放大器，尤其是單片功率運算放大器。
背景技術：
通用運算放大器封裝形式一般為金屬圓殼，陶瓷雙列直插；金屬圓殼封裝結 到環(huán)境的熱阻為e = 150°c /w,陶瓷雙列直插封裝結到環(huán)境的熱阻為e M = ioo 187°C /ff ；通用運算放大器在士 15V電源電壓下安全工作電流為5mA 10mA，不能滿足電壓 調節(jié)器、音頻放大器、伺服放大電路和功率驅動電路的要求。
發(fā)明內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種輸出電流大的單片功率運算放大器，以 滿足電壓調節(jié)器、音頻放大器、伺服放大電路和功率驅動電路的要求。本實用新型涉及的單片功率運算放大器，包括金屬管殼和單片運算放大器芯片， 其特殊之處是所述的金屬管殼為菱形功率管殼，在單片運算放大器芯片背面設有鈦鎳銀 多層電極，所述的單片運算放大器芯片通過鉛錫銀合金粘片粘接在金屬管殼上，在金屬管 殼上還設有二個薄膜過渡基片，在薄膜過度基片上面設有導帶，在單片運算放大器芯片上 對應鍵合點和導帶之間以及在管腿和對應的導帶之間鍵合有硅鋁絲。本實用新型的優(yōu)點是一、通過在單片運算放大器芯片背面濺射鈦鎳銀多層電極并且采用鉛錫銀合金粘 片，減少了管芯到管殼的熱阻，使該單片功率運算放大器在士 15V電源電壓下可以長時間 工作在150mA 200mA的輸出電流的狀態(tài)，并且可以輸出大于325mA的電流，完全滿足了電 壓調節(jié)器、音頻放大器、伺服放大電路和功率驅動電路的要求。二、選用菱形功率管殼封裝，該封裝形式在合金粘片工藝下，殼到環(huán)境的熱阻大大 降低，僅為9 JA = 35°C /ff0三、通過沉積在薄膜過渡基片的導帶，縮短了鍵合引線的長度，提高了產(chǎn)品的可靠 性。

圖1是本實用新型的結構示意圖；圖2是圖1的俯視圖。圖中金屬管殼1，單片運算放大器芯片2，鉛錫銀合金粘片3，硅鋁絲4，過渡基片 5，硅鋁絲6，過渡基片7，導帶8，膜粘片9。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型有一個金屬管殼1和單片運算放大器芯片2，所述的金屬管 殼1為菱形功率管殼，所述的單片運算放大器芯片2的厚度為300 士 20 y m，且在單片運算放大器芯片2背面設有鈦鎳銀多層電極，單片運算放大器芯片2通過鉛錫銀合金粘片3粘接 在金屬管殼1上，在金屬管殼1上通過膜粘片9設有過渡基片5和過渡基片7，所述的過渡 基片5、7采用微晶玻璃且在其表面設有導帶8，在單片運算放大器芯片2上對應鍵合點和導 帶8之間以及在管腿和對應的導帶8之間鍵合有硅鋁絲4、6。
權利要求一種單片功率運算放大器，包括金屬管殼和單片運算放大器芯片，其特征是所述的金屬管殼為菱形功率管殼，在單片運算放大器芯片背面設有鈦鎳銀多層電極，所述的單片運算放大器芯片通過鉛錫銀合金粘片粘接在金屬管殼上，在金屬管殼上還設有二個薄膜過渡基片，在薄膜過度基片上面設有導帶，在單片功率運算放大器芯片上對應鍵合點和導帶之間以及在管腿和對應的導帶之間鍵合有硅鋁絲。
專利摘要一種單片功率運算放大器，包括金屬管殼和單片運算放大器芯片，其特殊之處是所述的金屬管殼為菱形功率管殼，在單片運算放大器芯片背面設有鈦鎳銀多層電極，所述的單片運算放大器芯片通過鉛錫銀合金粘片粘接在金屬管殼上，在金屬管殼上還設有二個薄膜過渡基片，在薄膜過度基片上面設有導帶，在單片功率運算放大器芯片上對應鍵合點和導帶之間以及在管腿和對應的導帶之間鍵合有硅鋁絲。其優(yōu)點是輸出電流大，可靠性高，在±15V電源電壓下可以長時間工作在150mA～200mA的輸出電流的狀態(tài)，并且可以輸出大于325mA的電流，完全滿足了電壓調節(jié)器、音頻放大器、伺服放大電路和功率驅動電路的要求。
文檔編號H03F3/20GK201601656SQ201020100559
公開日2010年10月6日 申請日期2010年1月19日 優(yōu)先權日2010年1月19日
發(fā)明者彭煥先, 羅志勇 申請人:錦州七七七微電子有限責任公司