專利名稱：鋁基封裝大功率雙向可控硅的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種雙向可控硅，尤其是一種微型封裝的大功率雙向可控硅。
背景技術(shù)：
雙向可控硅是目前一種比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件，主要用于電源的調(diào)節(jié)等。目前 市場(chǎng)上這種封裝的大功率雙向可控硅都采用銅底板上焊接陶瓷片的結(jié)構(gòu)形式，然后再引出 功能電極，雖然使用效果還可以，但生產(chǎn)工藝復(fù)雜，材料成本高，在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中優(yōu)勢(shì)越來(lái)越 小。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種工藝簡(jiǎn)單，成本低，體積小的鋁基封裝 大功率雙向可控硅。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種鋁基封裝大功率雙向可控 硅，具有鋁基板，所述的鋁基板上絕緣設(shè)置有覆銅板，所述的覆銅板上焊接有兩個(gè)并聯(lián)連接 的雙向可控硅，兩個(gè)雙向可控硅通過(guò)本體引出第一外電極，通過(guò)上電極引出第二外電極，通 過(guò)門極跳線引出第三外電極，所述的鋁基板上通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂灌封有封裝雙向可控硅的PBT塑殼。具體的說(shuō)，本實(shí)用新型所述的第一外電極、第二外電極和第三外電極作為功能端 引出設(shè)置在PBT塑殼的外部。進(jìn)一步的說(shuō)，為了便于安裝，本實(shí)用新型在所述的鋁基板的近兩端設(shè)置有圓形安 裝孔。本實(shí)用新型的有益效果是，解決了背景技術(shù)中存在的缺陷，作為相同類型的大功 率雙向可控硅來(lái)講，本實(shí)用新型適用功率不低于同類產(chǎn)品，不僅熱阻低，損耗小，而且生產(chǎn) 工藝簡(jiǎn)單，周期短，生產(chǎn)成本顯著降低。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的外形主視圖；圖3是圖2的俯視圖；圖4是本實(shí)用新型雙向可控硅的電路連接圖；圖中1、鋁基板；2、雙向可控硅；3、上電極；4、門極跳線；5、PBT塑殼；61、第一外 電極；62、第二外電極；63、第三外電極；7、安裝孔。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān) 的構(gòu)成。如圖1、2、3所示的一種鋁基封裝大功率雙向可控硅，具有鋁基板1，所述的鋁基板1上絕緣設(shè)置有覆銅板，所述的覆銅板上焊接有兩個(gè)并聯(lián)連接的雙向可控硅2，其電路連接 如圖4所示，兩個(gè)雙向可控硅2通過(guò)本體引出第一外電極61，通過(guò)上電極3引出第二外電 極62，通過(guò)門極跳線4引出第三外電極63，所述的鋁基板1上通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂灌封有封裝雙 向可控硅3的PBT塑殼5。所述的第一外電極61、第二外電極62和第三外電極63作為功 能端引出設(shè)置在PBT塑殼5的外部。鋁基板1的近兩端設(shè)置有圓形安裝孔7。本實(shí)用新型在使用時(shí)通過(guò)鋁基板近兩端的安裝孔將此大功率雙向可控硅緊固于 散熱器上，將三個(gè)外電極分別與其他相應(yīng)線路連接。其中一個(gè)電極作為可控硅的陽(yáng)極，另一 個(gè)作為可控硅負(fù)極，還有一個(gè)作為可控硅控制極。以上說(shuō)明書(shū)中描述的只是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，各種舉例說(shuō)明不對(duì)本實(shí)用 新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說(shuō)明書(shū)后可以對(duì)以前所 述的具體實(shí)施方式
做修改或變形，而不背離實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求一種鋁基封裝大功率雙向可控硅，其特征在于具有鋁基板(1)，所述的鋁基板(1)上絕緣設(shè)置有覆銅板，所述的覆銅板上焊接有兩個(gè)并聯(lián)連接的雙向可控硅(2)，兩個(gè)雙向可控硅(2)通過(guò)本體引出第一外電極(61)，通過(guò)上電極(3)引出第二外電極(62)，通過(guò)門極跳線(4)引出第三外電極(63)，所述的鋁基板(1)上通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂灌封有封裝雙向可控硅(2)的PBT塑殼(5)。
2.如權(quán)利要求1所述的鋁基封裝大功率雙向可控硅，其特征在于所述的第一外電極 (61)、第二外電極(62)和第三外電極(63)作為功能端引出設(shè)置在PBT塑殼(5)的外部。
3.如權(quán)利要求1所述的鋁基封裝大功率雙向可控硅，其特征在于所述的鋁基板(1) 的近兩端設(shè)置有圓形安裝孔(7)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種鋁基封裝大功率雙向可控硅，具有鋁基板，所述的鋁基板上絕緣設(shè)置有覆銅板，所述的覆銅板上焊接有兩個(gè)并聯(lián)連接的雙向可控硅，兩個(gè)雙向可控硅通過(guò)本體引出第一外電極，通過(guò)上電極引出第二外電極，通過(guò)門極跳線引出第三外電極，所述的鋁基板上通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂灌封有封裝雙向可控硅的PBT塑殼。本實(shí)用新型適用功率不低于同類產(chǎn)品，不僅熱阻低，損耗小，而且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，周期短，生產(chǎn)成本顯著降低。
文檔編號(hào)H03K17/72GK201774511SQ201020269560
公開(kāi)日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2010年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月22日
發(fā)明者沈富德 申請(qǐng)人:江蘇矽萊克電子科技有限公司