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      一種高線性度cmos自舉采樣開關(guān)的制作方法

      文檔序號:7504457閱讀:773來源:國知局
      專利名稱:一種高線性度cmos自舉采樣開關(guān)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及一種比較器電路,尤其涉及模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一種高線性度CMOS自 舉采樣開關(guān)。
      背景技術(shù)
      對于ADC電路的實現(xiàn),需要用到大量的數(shù)據(jù)采樣開關(guān)。作為ADC系統(tǒng)與外界的接 口,采樣開關(guān)的性能優(yōu)劣直接決定了 ADC所接收到的信號純度和真實性。對于CMOS工藝, 采樣開關(guān)一般通過MOS管來實現(xiàn)。高線性度的CMOS開關(guān)可以極大程度上抑制采樣時間不 確定、時鐘饋通和電荷注入等非線性誤差。圖la、圖Ib所示為兩個簡單的采樣保持電路,它們包括一個開關(guān)和一個電容。其 中,Vin為輸入信號,MOS管Ml (或開關(guān)Si)為采樣開關(guān),C為保持電容,Vout為采樣保持電 路的輸出信號。CK為采樣控制時鐘信號,其高電平為電源電壓AVDD,低電平為AGND。在采樣階段,CK為高電平,Ml導(dǎo)通,Vin對電容C充電,Vout跟蹤輸入信號,隨Vin 變化而變化;在保持階段,CK為低電平,Ml截至,C將保持采樣結(jié)束時刻的電壓值Vin,從而 完成一次采樣過程。由于MOS開關(guān)具有的非理想因素,對采樣電路在速度和精度上產(chǎn)生影 響。當(dāng)電路處于采樣期間時,晶體管Ml導(dǎo)通,且工作在線性區(qū),可以將MOS管Ml視作 一個阻值為Ron電阻,其大小為
      權(quán)利要求1. 一種高線性度CMOS自舉采樣開關(guān)電路,其特征是包括第一 PMOS管(Ml)、第NMOS 管(M》的源極分別接電源電壓和地電壓,漏極分別與第一電容(Cl)的上下極板相接于第 二節(jié)點(diǎn)⑵和第一節(jié)點(diǎn)(1),柵極分別接第三節(jié)點(diǎn)(G)和時鐘(CK);第五PMOS管(M5)的源 極、柵極、漏極和襯底分別接到第二節(jié)點(diǎn)O)、時鐘(CK)、第三節(jié)點(diǎn)(G)和第二節(jié)點(diǎn)( ;第 四匪OS管(M4)、第七PMOS管(M7)的漏極和第六NMOS管(M6)的漏極相接于第四節(jié)點(diǎn); 第四NMOS管(M4)的柵極、源極分別接到電源電壓和第三節(jié)點(diǎn)(G);第七PMOS管(M7)的柵 極、源極分別接到時鐘(CK)和電源電壓;第六NMOS管(M6)的柵極、源極分別接到時鐘(CK) 和地電壓;第三NMOS管(ΙΟ)的源極、柵極、漏極分別接到第一節(jié)點(diǎn)(1)、第三節(jié)點(diǎn)(G)和信 號輸入節(jié)點(diǎn)(Vin);第零開關(guān)NMOS管(Ms)的源極、漏極、柵極分別接輸入節(jié)點(diǎn)(Vin)、輸出 節(jié)點(diǎn)(Vout)、第三節(jié)點(diǎn)(G);第八NMOS管(M8)的漏極、柵極、源極分別接到第二電容(C2)的底極板、時鐘(CK)和地 電壓;第九PMOS管(M9)的漏極與第二電容(以)的上極板相接于第五節(jié)點(diǎn)(5),第九PMOS 管(M9)柵極、源極分別接到第三節(jié)點(diǎn)(G)和電源電壓;第十NMOS管(MlO)的漏極、柵極、源 極分別接到第五節(jié)點(diǎn)(5)、第三節(jié)點(diǎn)(G)和第一節(jié)點(diǎn)(1);第十一 NMOS管(Mil)的漏極、柵極、源極分別接到第零開關(guān)NMOS管(Ms)的襯底、第三 節(jié)點(diǎn)(G)和輸入節(jié)點(diǎn)(Vin);第十NMOS管(M12)的漏極、柵極、源極分別接到第零開關(guān)NMOS 管(Ms)的襯底、時鐘CK和地電壓;其中第一 PMOS管(Ml)、第七PMOS管(M7)和第九PMOS管(M9)的襯底均接電源電壓; 第零匪OS管(Ms)為深N阱NMOS管。
      專利摘要本實用新型提供了一種應(yīng)用于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高線性度CMOS自舉開關(guān)電路,高線性度CMOS自舉開關(guān)的導(dǎo)通電阻只與電源電壓、MOS管載流子遷移率、單位面積柵氧化層電容、MOS管寬長比和MOS管襯偏電壓為0時閾值電壓有關(guān),在開關(guān)導(dǎo)通時的過驅(qū)動電壓為兩倍電源電壓。與現(xiàn)有的基本柵壓自舉開關(guān)相比,本實用新型高線性度CMOS自舉開關(guān)有更好的線性度和更小的導(dǎo)通電阻,具有更快的采樣速度,可以采樣更高頻的信號,非常適合與應(yīng)用于高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器中。
      文檔編號H03K17/567GK201887738SQ201020562558
      公開日2011年6月29日 申請日期2010年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月9日
      發(fā)明者于宗光, 季惠才, 陳珍海, 黃嵩人 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
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