專利名稱：多爾蒂放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多爾蒂放大器(Doherty amplifier)，特別是涉及一種適宜于無線通信的放大器。
背景技術(shù)：
近年來的寬帶通信系統(tǒng)使用峰值功率與平均功率(PAR)的比值大約為IOdB的信號。在這樣的情況下，有必要使用高頻放大器，所述高頻放大器能夠發(fā)送具有比在發(fā)送階段的平均發(fā)送功率高至少IOdB的峰值功率的信號。通常，隨著峰值功率與平均發(fā)送功率的比值(回退)增加，放大器功率效率降低。 另一方面，環(huán)境意識趨勢要求在無線電通信系統(tǒng)中功率消耗的降低。尤其是，期望提高高頻放大器的效率，這起因于需要具有至少幾十瓦的高輸出功率的便攜式電話的基站設(shè)備的大部分功率消耗。已討論過對于基站使用多爾蒂型放大器(Doherty-type amplifier)作為具有高效率及高回退的高頻放大器。在多爾蒂型放大器中，在低輸出功率區(qū)域中僅載波放大器工作，但是在高輸出功率區(qū)域中載波放大器和峰值放大器都工作。在峰值放大器開始工作的輸出電平處效率能夠達到最大。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率。而且，可以通過改變載波放大器與峰值放大器的飽和功率電平的比率來改變輸出電平從而使得效率達到最大。在傳統(tǒng)技術(shù)中，用于便攜式電話基站的高頻放大器通常使用作為單元素半導(dǎo)體的硅(Si)材料的LD-M0SFET(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為半導(dǎo)體器件。近年來，由提供具有更高效率的半導(dǎo)體器件的由氮化鎵代表的化合物半導(dǎo)體已用于半導(dǎo)體器件以提高用于便攜式電話基站的多爾蒂型高頻放大器的效率。因此，已實現(xiàn)了更高的效率。但是，存在化合物半導(dǎo)體比單元素半導(dǎo)體貴的問題。能夠應(yīng)對這樣問題的現(xiàn)有技術(shù)的實例包括JP-A 2008-193720 (專利文獻1)。專利文獻1公開了包括使用GaAs FET的載波放大器和使用LD-M0SFET的峰值放大器的多爾蒂放大器以提高AM-PM特性(輸出功率-輸出相位特性)。然而，一般來說，偏置電壓的正電極應(yīng)用于GaAs FET的漏極，偏置電壓的負電極應(yīng)用于GaAs FET的柵極。因此，正負極性都是電源所必要的。結(jié)果，存在用于向放大器供應(yīng)偏置電壓的電源的構(gòu)造變得復(fù)雜的問題。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明的目的是提供一種技術(shù)以解決上述問題。提供具有用于供應(yīng)偏置電壓的電源的簡化構(gòu)造的多爾蒂放大器為本發(fā)明的目的。解決問題的辦法本發(fā)明提供一種多爾蒂放大器，所述放大器具有分配器，其用于將一個輸入信號分成兩個信號；載波放大器，所述信號中的一個信號從分配器輸入至該載波放大器；峰值放大器，所述信號中的另一個信號從分配器輸入至該峰值放大器；以及合成器，其用于將來自載波放大器和峰值放大器的輸出信號合成。所述載波放大器具有化合物半導(dǎo)體器件，其中所述化合物半導(dǎo)體器件具有至少兩個端子。所述峰值放大器具有單元素半導(dǎo)體器件。具有相同極性的偏置電壓施加于化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有用于供應(yīng)偏置電壓的電源的簡化構(gòu)造的多爾蒂放大
ο


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的多爾蒂放大器的構(gòu)造的圖。圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的多爾蒂放大器的構(gòu)造的圖。圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的多爾蒂放大器的構(gòu)造的圖。圖4為示出在其內(nèi)部提供載波放大器和峰值放大器的單一封裝的狀態(tài)(想象的內(nèi)部)的圖。圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的多爾蒂放大器的構(gòu)造的圖。圖6為示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的多爾蒂放大器的構(gòu)造的圖。
具體實施例方式下面將參考附圖來說明本發(fā)明的實施例。(第一實施例)下面將參考圖1說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的多爾蒂放大器的構(gòu)造。根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的多爾蒂放大器100具有高頻信號輸入端子1、分配器 2、移相器3、載波放大器4、峰值放大器5、移相器6、合成器7、和高頻信號輸出端子8。在多爾蒂放大器100中，在低輸出功率區(qū)域中僅載波放大器4工作，而且在高輸出功率區(qū)域中載波放大器4和峰值放大器5都工作。載波放大器4由高效率的化合物半導(dǎo)體元件構(gòu)成。另一方面，峰值放大器5由便宜的單元素半導(dǎo)體元件構(gòu)成。載波放大器4的化合物半導(dǎo)體器件可以是場效應(yīng)晶體管或雙極性晶體管?；衔锇雽?dǎo)體器件的實例包括增強型GaAs HEMT (高電子遷移率晶體管)、增強型氮化鎵HEMT、硅鍺HBT (異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)、AWaAs HBT和磷化銦基HBT。然而，化合物半導(dǎo)體器件不限于這些實例。而且，載波放大器4具有化合物半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子9和化合物半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子10。具體地，載波放大器4由化合物半導(dǎo)體器件構(gòu)成，并且在化合物半導(dǎo)體器件上設(shè)置化合物半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子9和化合物半導(dǎo)體柵極 /基極電壓施加端子10。此外，在化合物半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子9和化合物半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子10之間連接電壓轉(zhuǎn)換電路11。例如，電壓轉(zhuǎn)換電路11是可工作而將約30V 的電壓轉(zhuǎn)換為約IV的電壓的電路。電壓轉(zhuǎn)換電路11由一般的穩(wěn)壓器IC或電阻式分壓器電路(未圖示)、或兩者的組合來實現(xiàn)。
電源電壓12經(jīng)由電壓轉(zhuǎn)換電路11、化合物半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子9和化合物半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子10而施加于載波放大器4 (化合物半導(dǎo)體器件)。 因此，具有相同極性的偏置電壓施加于由化合物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的載波放大器4的兩個端子(化合物半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子9和化合物半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子 10)。通常，偏置電壓的極性為正極性。然而，在本發(fā)明的實施例中，偏置電壓的極性不限于正極性，其可以是負極極性。
通常，在用于高頻放大器的半導(dǎo)體器件(半導(dǎo)體晶體管)中，正電壓施加于漏極 (集電極)而源極(發(fā)射極)接地。正電壓或負電壓施加于柵極(基極)。例如，參考文獻 (MOTOROLA Freescale Jnc. SEMICONDUCTOR APPLICATION NOTE AN211A，摩托羅拉飛思卡爾半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體使用說明AN211A)在圖9中公開了其中負電壓施加于柵極的耗盡型FET 和其中正電壓施加于柵極的增強型FET。通常，在此以前用作用于高頻放大器的化合物半導(dǎo)體的GaAs基FET是其中負電壓施加于柵極的耗盡型。
在本發(fā)明的第一實施例中，其中正電壓施加于柵極的增強型FET用作化合物半導(dǎo)體的實例。在雙極晶體管的情況下，例如，使用硅鍺HBT、AlGaAs HBT、或磷化銦基HBT，并且相同的正極性應(yīng)用于基極和集電極。
同時，由單元素半導(dǎo)體器件構(gòu)成的峰值放大器5具有單元素半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子13和單元素半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子14。具體地，峰值放大器5由單元素半導(dǎo)體器件構(gòu)成，并且單元素半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子13和單元素半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子14設(shè)置在單元素半導(dǎo)體器件上。預(yù)定的偏置電壓施加在單元素半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子13和單元素半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子14之間。
利用上述構(gòu)造，來自高頻信號輸入端子1的高頻信號輸入到分配器2并由分配器 2分割。來自分配器2的分割的信號之一由載波放大器4放大，然后由移相器3調(diào)整相位。 來自分配器2的另一個分割的信號在通過移相器6之后，由峰值放大器5放大。之后，這些信號由合成器7進行合成，并從高頻信號輸出端子8輸出。
在功率增益由于不同的半導(dǎo)體處理而在載波放大器4與峰值放大器5之間不同的情況下，改變分配器2的信號分配比來補償。例如，當(dāng)峰值放大器5的功率增益為載波放大器4的功率增益的兩倍時，分配器2的信號分配比設(shè)置為如下，S卩，載波放大器峰值放大器=2 1。因此，使得從分配器2的輸入到載波放大器4的輸出的功率增益等于從分配器 2的輸入到峰值放大器5的輸出的功率增益。
具體地，在普通多爾蒂放大器中，分配器的分配比設(shè)置為1 1。在其中僅載波放大器工作的低輸出功率區(qū)域中，從高頻信號輸入端子輸入的高頻信號的功率電平由分配器減半(減少3dB)。然后信號由載波放大器放大，并且在通過移相器和合成器之后，從高頻輸出端子輸出。從而，多爾蒂放大器的從高頻信號輸入端子到高頻輸出端子的功率增益從載波放大器的功率增益減少了 3dB。
相比之下，在根據(jù)本實施例的多爾蒂放大器100中，例如，當(dāng)峰值放大器5的功率增益為載波放大器4的功率增益的兩倍時(高3dB)，分配器2的分配比設(shè)置為載波放大器峰值放大器=2 1。在那時，在其中僅載波放大器4工作的低輸出功率區(qū)域中，由高頻信號輸入端子1輸入的高頻信號的功率電平在分配器2處變成2/3，(減少1. 8dB)。接著信號由載波放大器4放大，并且在其經(jīng)過移相器3和合成器7之后，從高頻信號輸出端子8 輸出。因此，多爾蒂放大器100的從高頻信號輸入端子1到高頻信號輸出端子8的功率增益從載波放大器的功率增益僅減少約1.8dB。因此，相對于普通多爾蒂放大器，期望功率增益提高1. 2dB。
此外，通過改變對載波放大器4和峰值放大器5的電源電壓，調(diào)整多爾蒂放大器 100，使得在多爾蒂放大器100的工作點效率達到最大。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，相對于使用一般的Si-LDMOS的多爾蒂放大器，使用主導(dǎo)著多爾蒂放大器100的效率特性的用于載波放大器4的高效率化合物半導(dǎo)體器件，提高了放大器的效率。
此外，對于峰值放大器5使用便宜的單元素半導(dǎo)體器件防止了多爾蒂放大器100 的價格更加。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，由于具有相同極性的偏置電壓施加于由化合物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的載波放大器4的兩個端子(化合物半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子9 和化合物半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子10)，所以相對于需要正負兩個極性作為電源的多爾蒂放大器，用于供給偏置電壓的電源的構(gòu)造能夠簡化。
如上所述，專利文獻1公開了使用用于載波放大器的GaAs FET以及用于峰值放大器的LD-M0SFET (橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)以便提高AM-PM特性(輸出功率-輸出相位特性)的多爾蒂型放大器。
然而，一般來說，偏置電壓的正電極施加于作為化合物半導(dǎo)體器件的GaAs FET的漏極，并且偏置電壓的負電極施加于GaAs FET的柵極。因此，正負極性都是電源所必要的。 結(jié)果，用于向多爾蒂放大器供給偏置電壓的電源的構(gòu)造變得復(fù)雜。
相應(yīng)地，在本發(fā)明的第一實施例中，具有相同極性的偏置電壓施加于構(gòu)成載波放大器4的化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子9和10，以簡化用于供給偏置電壓的電源的構(gòu)造。 在那時，選擇適宜于將具有相同極性的偏置電壓供給給兩個端子9和10的化合物半導(dǎo)體器件。例如，在正極性的偏置電壓施加于兩個端子9和10的情況下，優(yōu)選地使用磷化銦基化合物半導(dǎo)體器件等作為化合物半導(dǎo)體器件。
因此，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，能夠簡化電源的構(gòu)造。展現(xiàn)出高效性能的化合物半導(dǎo)體能夠用于載波放大器4，并且便宜的單元素半導(dǎo)體能夠用于峰值放大器5.
(第二實施例)
下面，將參考圖2來說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例多爾蒂放大器的構(gòu)造。
根據(jù)第二實施例的多爾蒂放大器200(反向的多爾蒂型)具有幾乎與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100(見圖1)相同的構(gòu)造。但是，多爾蒂放大器200與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100的不同之處在于移相器3配置在載波放大器4的上行側(cè)，并且移相器6配置在峰值放大器5的下行側(cè)。其它的配置與圖1中所示的根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100的相同，并在這里省略對其的解釋。在圖2中，與圖1中所示的相同的元件用相同的參考數(shù)字表示。
對于上述構(gòu)造，來自高頻信號輸入端子1的高頻信號輸入到分配器2，并由分配器2分割。來自分配器2的分割的信號之一由移相器3調(diào)整相位，然后由載波放大器4放大。 來自分配器2的另一個分割的信號由峰值放大器5放大，然后由移相器6調(diào)整相位。此后， 這些信號由合成器7合成，并從高頻信號輸出端子8輸出。
根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，電源構(gòu)造能夠和第一實施例一樣簡化。展現(xiàn)出高效性能的化合物半導(dǎo)體能夠用于載波放大器4，并且便宜的單元素半導(dǎo)體能夠用于峰值放大器 5。
(第三實施例)
下面，將參考圖3來說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的多爾蒂放大器300。
根據(jù)第三實施例的多爾蒂放大器300具有幾乎與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100(見圖1)相同的構(gòu)造。但是，多爾蒂放大器300與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器 100的不同之處在于在單一封裝30的內(nèi)部提供載波放大器4和峰值放大器5。
在根據(jù)第三實施例的多爾蒂放大器300中，僅載波放大器4和峰值放大器5配置在單一封裝30的內(nèi)部。分配器2、移相器3、移相器6和合成器7配置在封裝30的外部。
其它配置和工作與圖1中所示的根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100的相同，并且在這里省略對其的解釋。在圖3中，使用相同的參考數(shù)字來表示與圖1中所示相同的元件。
將參考圖4來說明在其內(nèi)部提供載波放大器4和峰值放大器5的單一封裝30的狀態(tài)(想象的內(nèi)部)。
化合物半導(dǎo)體器件401 (其構(gòu)成載波放大器4)、載波放大器輸入匹配電路402、載波放大器輸出匹配電路403、高頻輸入/柵極(基極)電壓兩用端子404以及高頻輸入/漏極(集電極)電壓兩用端子405配置在金屬板400上。
此外，單元素半導(dǎo)體器件406 (其構(gòu)成峰值放大器幻、峰值放大器輸入匹配電路 407、峰值放大器輸出匹配電路408、高頻輸入/柵極(基極)電壓兩用端子409以及高頻輸出/漏極(集電極)電壓兩用端子410配置在金屬板400上。
通過鍵合線411或金屬布圖以高頻方式將這些元件相連接。此外，通過釬料金屬等將化合物半導(dǎo)體器件401和單元素半導(dǎo)體器件406連接到金屬板400。
這里，構(gòu)成載波放大器4的化合物半導(dǎo)體器件401和構(gòu)成峰值放大器5的單元素半導(dǎo)體器件406可以具有不同的半導(dǎo)體線性膨脹系數(shù)。在那時，如果選擇對于化合物半導(dǎo)體器件401的線性膨脹系數(shù)來說最佳的材料，并且用于上面安裝著化合物半導(dǎo)體器件401 和單元素半導(dǎo)體器件406的金屬板400，則由于單元素半導(dǎo)體器件406和化合物半導(dǎo)體器件 401之間的線性膨脹系數(shù)的大的差異，機械變形累積在化合物半導(dǎo)體器件401、單元素半導(dǎo)體器件406或金屬板400上，從而長期使用的可靠性降低。
因此，在本實施例中，具有構(gòu)成載波放大器4的化合物半導(dǎo)體器件401的線性膨脹系數(shù)與構(gòu)成峰值放大器5的單元素半導(dǎo)體器件406的線性膨脹系統(tǒng)之間的中間值的線性膨脹系數(shù)的材料用于金屬板400。由于此選擇，能夠減少機械累積變形，使得能夠提高可靠性。
這里，金屬板400不限于圖4中所示的形式，并且可以是在印制電路板上或在內(nèi)層中形成的金屬板。
根據(jù)本發(fā)明的第三實施例，和第一實施例一樣能夠簡化電源的構(gòu)造。展現(xiàn)出高效性能的化合物半導(dǎo)體能夠用于載波放大器4，并且便宜的單元素半導(dǎo)體能夠用于峰值放大
此外，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例，由于在單一封裝30內(nèi)部提供載波放大器4和峰值放大器5，所以相對于在不同的封裝上提供載波放大器4和峰值放大器5的情況，能夠使多爾蒂放大器300在尺寸上更小。
(第四實施例)
下面，將參考圖5來說明根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的多爾蒂放大器500。
第四實施例為其中通過諸如F級或逆F級的諧波處理來提高載波放大器4的效率的實例。
根據(jù)第四實施例的多爾蒂放大器500具有幾乎與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100(見圖1)相同的構(gòu)造。但是，多爾蒂放大器500與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器 100的不同之處在于載波放大器4和峰值放大器5的內(nèi)部構(gòu)造。
具體地，載波放大器4包括化合物半導(dǎo)體器件50、配置在化合物半導(dǎo)體器件50的上行側(cè)的輸入匹配電路51以及配置在化合物半導(dǎo)體器件50的下行側(cè)的輸出匹配電路52。 輸入匹配電路51具有諧波處理電路53，并且輸出匹配電路52具有諧波處理電路M。
此外，峰值放大器5包括單元素半導(dǎo)體器件55、配置在單元素半導(dǎo)體器件55的上行側(cè)的輸入匹配電路56以及配置在單元素半導(dǎo)體器件55的下行側(cè)的輸出匹配電路57。
其它配置和工作與圖1中所示的根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100的相同，并且這里省略對它們的解釋。在圖5中，使用相同的參考數(shù)字表示與圖1所示相同的元件。
根據(jù)本發(fā)明的第四實施例，和第一實施例一樣能夠簡化電源的構(gòu)造。展現(xiàn)出高效性能的化合物半導(dǎo)體能夠用于載波放大器4，并且便宜的單元素半導(dǎo)體能夠用于峰值放大5 ο
此外，根據(jù)本發(fā)明的第四實施例，能夠通過在載波放大器4上執(zhí)行諧波處理能夠進一步提高多爾蒂放大器500的效率。
(第五實施例)
下面，將參考圖6來說明根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的多爾蒂放大器600。
根據(jù)第五實施例的多爾蒂放大器600具有幾乎與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100(見圖1)相同的構(gòu)造。但是，多爾蒂放大器600與根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器 100的不同之處在于在移相器6的上行側(cè)提供高頻衰減器60。其它配置和工作與圖1中所示的根據(jù)第一實施例的多爾蒂放大器100的相同，并且在這里省略對它們的解釋。在圖6 中，使用相同的參考數(shù)字表示與圖1中所示相同的元件。
根據(jù)本發(fā)明的第五實施例，和第一實施例一樣能夠簡化電源的構(gòu)造。展現(xiàn)出高效性能的化合物半導(dǎo)體能夠用于載波放大器4，并且便宜的單元素半導(dǎo)體能夠用于峰值放大5 ο
此外，根據(jù)本發(fā)明的第五實施例，當(dāng)載波放大器4的功率增益比峰值放大器5的功率增益大時，能夠校正這些功率增益的差。
從而，已具體說明了本發(fā)明的實施例。本發(fā)明不限于上述實施例?；诒景l(fā)明的技術(shù)思想能夠做出各種修改。
例如，具有相同極性的偏置電壓施加于由化合物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的載波放大器4 的兩個端子(化合物半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子9和化合物半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子10)。這些偏置電壓通常具有正極性，但也可以具有負極極性。
此外，具有相同極性(例如，正極)的偏置電壓通常施加于由單元素半導(dǎo)體器件構(gòu)成的峰值放大器5的兩個端子(單元素半導(dǎo)體漏極/集電極電壓施加端子13和單元素半導(dǎo)體柵極/基極電壓施加端子14)。在那時，可以將施加于單元素半導(dǎo)體器件的兩個端子 13和14的偏置電壓設(shè)置為具有與施加于化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子9和10的偏置電壓相同的極性(例如，正極)。此配置能夠提供具有用于供給偏置電壓的電源的進一步簡化構(gòu)造的多爾蒂放大器。
工業(yè)實用性
本發(fā)明能夠廣泛地應(yīng)用于用于諸如LTE (Long Term Evolution，長期演進)、 WiMAX(Worldwide Interoperability for Microwave Access，全球微波互聯(lián)接入)和第四代移動通信系統(tǒng)(IMT-Advanced，高級國際移動通信)的移動寬帶通信的基站，以及廣泛地應(yīng)用于這些基站之間的通信。
本發(fā)明基于2009年9月28日提交的日本專利申請No. 2009-222033，其公開通過引用的方式結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種多爾蒂放大器，包括分配器，其將輸入信號分成兩個信號；載波放大器，其被提供來自所述分配器的信號中的一個；峰值放大器，其被提供來自所述分配器的信號中的另一個；和合成器，其將來自所述載波放大器和所述峰值放大器的輸出信號合成，其中所述載波放大器包括具有至少兩個端子的化合物半導(dǎo)體器件，所述峰值放大器包括單元素半導(dǎo)體器件，并且具有相同極性的偏置電壓施加于所述化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子。
2.如權(quán)利要求1所述的多爾蒂放大器，其中所述化合物半導(dǎo)體器件為場效應(yīng)晶體管， 并且所述化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子為所述場效應(yīng)晶體管的漏極端子和柵極端子。
3.如權(quán)利要求2所述的多爾蒂放大器，其中所述場效應(yīng)晶體管為HEMT，并且所述單元素半導(dǎo)體器件為LD-M0SFET。
4.如權(quán)利要求3所述的多爾蒂放大器，其中所述HEMT為氮化鎵基HEMT，并且所述 LD-M0SFET 為硅基 LD-M0SFET。
5.如權(quán)利要求1所述的多爾蒂放大器，其中所述化合物半導(dǎo)體器件為雙極性晶體管， 并且所述化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子為所述雙極性晶體管的集電極端子和基極端子。
6.如權(quán)利要求5所述的多爾蒂放大器，其中所述雙極性晶體管為HBT，并且所述單元素半導(dǎo)體器件為LD-M0SFET。
7.如權(quán)利要求6所述的多爾蒂放大器，其中所述HBT為磷化銦基HBT，并且所述 LD-M0SFET 為硅基 LD-M0SFET。
8.如權(quán)利要求1至7中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中當(dāng)所述載波放大器的功率增益與所述峰值放大器的功率增益不同時，將用于所述載波放大器和所述峰值放大器的分配器的分配比設(shè)置為彼此不同。
9.如權(quán)利要求8所述的多爾蒂放大器，其中當(dāng)所述峰值放大器的功率增益比所述載波放大器的功率增益大時，將用于所述載波放大器的分配器的分配比設(shè)置為高于用于所述峰值放大器的分配器的分配比。
10.如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中所述載波放大器和所述峰值放大器配置在單一半導(dǎo)體封裝中。
11.如權(quán)利要求10所述的多爾蒂放大器，其中所述化合物半導(dǎo)體器件和所述單元素半導(dǎo)體器件連接到所述半導(dǎo)體封裝的金屬板，并且所述金屬板的材料的線性膨脹系數(shù)具有在所述化合物半導(dǎo)體器件的線性膨脹系數(shù)與所述單元素半導(dǎo)體器件的線性膨脹系數(shù)之間的中間值。
12.如權(quán)利要求1至11中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中第一移相器配置在所述載波放大器的下行側(cè)，并且第二移相器配置在所述峰值放大器的上行側(cè)。
13.如權(quán)利要求12所述的多爾蒂放大器，其中高頻衰減器配置在所述第二移相器的上行側(cè)。
14.如權(quán)利要求1至11中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中所述第一移相器配置在所述載波放大器的上行側(cè)，并且所述第二移相器配置在所述峰值放大器的下行側(cè)。
15.如權(quán)利要求1至14中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中所述載波放大器還包括CN 102549915 A配置在所述化合物半導(dǎo)體器件的上行側(cè)的輸入匹配電路和配置在所述化合物半導(dǎo)體器件的下行側(cè)的輸出匹配電路。
16.如權(quán)利要求1至15中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中所述峰值放大器還包括配置在所述單元素半導(dǎo)體器件的上行側(cè)的輸入匹配電路和配置在所述單元素半導(dǎo)體器件的下行側(cè)的輸出匹配電路
17.如權(quán)利要求1至16中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中通過改變所述載波放大器和所述峰值放大器的電源電壓來調(diào)整所述多爾蒂放大器的效率以便使其在工作點達到最大。
18.如權(quán)利要求1至17中任意一項所述的多爾蒂放大器，其中所述單元素半導(dǎo)體器件具有至少兩個端子，并且具有相同極性的偏置電壓施加于所述單元素半導(dǎo)體器件的兩個端子。
19.如權(quán)利要求18所述的多爾蒂放大器，其中施加于所述單元素半導(dǎo)體器件的兩個端子的偏置電壓具有與施加于所述化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子的偏置電壓相同的極性。
20.如權(quán)利要求19所述的多爾蒂放大器，其中施加于所述單元素半導(dǎo)體器件的兩個端子的偏置電壓和施加于所述化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子的偏置電壓具有正極性。
全文摘要
多爾蒂放大器具有將輸入信號分成兩個信號的分配器、來自分配器的信號中的一個被輸入至的載波放大器、來自分配器的信號中的另一個信號被輸入至的峰值放大器、和用于將來自載波放大器和峰值放大器的輸出信號合成的合成器。載波放大器具有化合物半導(dǎo)體器件，其中所述化合物半導(dǎo)體器件具有至少兩個端子。峰值放大器具有單元素半導(dǎo)體器件。具有相同極性的偏置電壓施加于化合物半導(dǎo)體器件的兩個端子。
文檔編號H03F3/24GK102549915SQ20108004331
公開日2012年7月4日 申請日期2010年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日
發(fā)明者村尾洋二 申請人:日本電氣株式會社