專利名稱：一種正弦波振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及信號產(chǎn)生電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種正弦波振蕩電路。
背景技術(shù)：
正弦波常作為驅(qū)動信號用于驅(qū)動傳感器的線圈。在汽車電子領(lǐng)域中，對正弦波的幅度的溫漂要求很嚴(yán)格。參見圖1，該圖為現(xiàn)有技術(shù)中的一種正弦波振蕩電路的示意圖。圖1所示的正弦波振蕩電路包括相移正弦波振蕩電路IOOa和穩(wěn)幅電路200a。其中，相移正弦波振蕩電路IOOa用于產(chǎn)生正弦波，穩(wěn)幅電路200a用于使正弦波的幅度穩(wěn)定在某一個固定值。其中，相移正弦波振蕩電路IOOa包括第一電阻Rl、第二電阻R2、第三電阻R3、PM0S 管P1、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第一運算放大器Al。第一運算放大器Al的輸出端為相移正弦波振蕩電路IOOa的輸出端。第一運算放大器Al的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第三電阻R3、第三電容C3、第二電容C2、第一電容Cl連接第一運算放大器Al的輸出端。第一運算放大器Al的正輸入端連接參考電壓VCM。第一運算放大器Al的負(fù)輸入端連接Pl的漏極，第一運算放大器Al的輸出端連接 Pl的源極。Pl的柵極連接穩(wěn)幅電路200a的輸出端。穩(wěn)幅電路200a包括第一二極管Dl、第四電阻R4、第四電容C4和第二運算放大器 A2。第二運算放大器A2的負(fù)輸入端和輸出端之間連接并聯(lián)的第四電阻R4和第四電容 C4。第二運算放大器A2的正輸入端連接參考電壓VCM。第二運算放大器A2的輸出端作為穩(wěn)幅電路200a的輸出端。第一運算放大器Al的輸出端通過第一二極管Dl連接第二運算放大器A2的負(fù)輸入端。下面介紹圖1的工作原理。相移正弦波振蕩電路IOOa開始起振時，要求Pl的導(dǎo)通電阻與R3的比值較大，隨著振幅的不斷增大，要求Pl的導(dǎo)通電阻與R3的比值逐漸縮小，從而使正弦波振蕩以穩(wěn)定的幅度輸出。穩(wěn)幅電路200a用于不斷檢測正弦波的振幅，輸出反饋到Pl的柵極，改變Pl的導(dǎo)通電阻以實現(xiàn)正弦波以穩(wěn)定的幅度輸出。當(dāng)Al的輸出電壓VOSC比A2的負(fù)輸入端的電壓VPD高出Dl的正向壓降時，A2的輸出信號VCTRL變低，使Pl的導(dǎo)通電阻降低，從而使VOSC的幅度降低，一旦VOSC與VPD的差值低于Dl的正向壓降的時候，A2的輸出會慢慢升高，VOSC的幅度又會慢慢升高，這樣相移正弦波振蕩電路IOOa和穩(wěn)幅電路200a組成的環(huán)路便形成了一個負(fù)反饋，從而使正弦波的輸出幅度穩(wěn)定在Dl的正向壓降上。圖1所示的電路存在以下缺點由于該電路輸出的正弦波的幅度取決于Dl的正向壓降，而Dl的正向壓降的溫度系數(shù)較大，所以正弦波的幅度會隨溫度的變化而變化，存在較大的溫漂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種正弦波振蕩電路，具有較低的溫漂，能夠使正弦波的幅度滿足要求。本發(fā)明提供一種正弦波振蕩電路，包括相移正弦波振蕩電路和穩(wěn)幅電路；所述相移正弦波振蕩電路，用于輸出振蕩的正弦波；所述穩(wěn)幅電路，用于使所述正弦波穩(wěn)定在預(yù)定的幅度；其特征在于，所述穩(wěn)幅電路包括比較器、第一電流源、第二電流源、NMOS管和第四電容；所述比較器的正輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路的輸出端，所述比較器的負(fù)輸入端連接第一參考電壓；所述比較器的輸出端連接NMOS管的柵極；所述NMOS管的漏極通過第一電流源連接VDD ；所述NMOS管的源極通過第二電流源接地；所述第二電流源大于第一電流源；所述第四電容的一端連接NMOS管的漏極，另一端接地；所述NMOS管的漏極作為反饋端，反饋至所述相移正弦波振蕩電路形成負(fù)反饋。優(yōu)選地，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、PMOS管、 第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第三電阻、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓；第一運算放大器的負(fù)輸入端連接PMOS管的漏極，第一運算放大器的輸出端連接 PMOS管的源極；PMOS管的柵極連接所述NMOS管的漏極；第一電容和第二電容的公共端通過第一電阻接地；第二電容和第三電容的公共端通過第二電阻接地。優(yōu)選地，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二 NMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第二 NMOS管、第三電容、第二電容、 第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓；第三電阻的兩端分別連接第一運算放大器的負(fù)輸入端和輸出端；
第二 NMOS管的柵極連接所述NMOS管的漏極。本發(fā)明還提供一種正弦波振蕩電路，包括相移正弦波振蕩電路和穩(wěn)幅電路；所述相移正弦波振蕩電路，用于輸出振蕩的正弦波；所述穩(wěn)幅電路，用于使所述正弦波穩(wěn)定在預(yù)定的幅度；所述穩(wěn)幅電路包括比較器、第一電流源、第二電流源、第二 PMOS管和第四電容；所述比較器的負(fù)輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路的輸出端，所述比較器的正輸入端連接第一參考電壓；所述比較器的輸出端連接第二 PMOS管的柵極；所述第二 PMOS管的源極通過第一電流源連接VDD ；所述第二 PMOS管的漏極通過第二電流源接地；所述第一電流源大于第二電流源；所述第四電容并聯(lián)在所述第二電流源的兩端；第二 PMOS管的漏極作為反饋端，反饋至所述相移正弦波振蕩電路形成負(fù)反饋。優(yōu)選地，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一 PMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第三電阻、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓；第一運算放大器的負(fù)輸入端連接第一 PMOS管的漏極，第一運算放大器的輸出端連接第一 PMOS管的源極；第一 PMOS管的柵極連接所述第二 PMOS管的漏極；第一電容和第二電容的公共端通過第一電阻接地；第二電容和第三電容的公共端通過第二電阻接地。優(yōu)選地，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二 NMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第二 NMOS管、第三電容、第二電容、 第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓；第三電阻的兩端分別連接第一運算放大器的負(fù)輸入端和輸出端；第二 NMOS管的柵極連接所述第二 PMOS管的漏極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路包括相移正弦波振蕩電路和穩(wěn)幅電路，相移正弦波振蕩電路和穩(wěn)幅電路，形成的負(fù)反饋系統(tǒng)使正弦波的輸出幅度被穩(wěn)定在第一參考電壓VREF 上面。相移正弦波振蕩電路的輸出電壓的溫漂取決于VREF的溫漂。由于本發(fā)明提供的電路中的VREF可以使用帶隙基準(zhǔn)實現(xiàn)，可以做到很低的溫度系數(shù)，實現(xiàn)低溫漂的功能，因此， 本發(fā)明提供的電路適用于對正弦波的幅度溫漂要求很嚴(yán)格的場合。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種正弦波振蕩電路的示意圖；圖2是本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例一示意圖；圖3是本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例二示意圖；圖4是本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例三示意圖；圖5是本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例四示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。參見圖2，該圖為本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例一示意圖。本實施例提供的正弦波振蕩電路，包括相移正弦波振蕩電路100和穩(wěn)幅電路 200 ；所述相移正弦波振蕩電路100，用于輸出振蕩的正弦波；所述穩(wěn)幅電路200，用于使所述正弦波穩(wěn)定在預(yù)定的幅度；所述穩(wěn)幅電路200包括比較器A2、第一電流源II、第二電流源12、NMOS管附和第四電容C4 ；所述比較器A2的正輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路100的輸出端，所述比較器A2的負(fù)輸入端連接第一參考電壓VREF ；所述比較器A2的輸出端連接NMOS管m的柵極；所述NMOS管附的漏極通過第一電流源11連接VDD ；所述NMOS管附的源極通過第二電流源12接地；所述第二電流源12大于第一電流源Il ；所述第四電容C4的一端連接NMOS管附的漏極，另一端接地；所述NMOS管m的漏極作為反饋端，反饋至所述相移正弦波振蕩電路100形成負(fù)反饋。本實施例提供的相移正弦波振蕩電路100與現(xiàn)有技術(shù)中的相移正弦波振蕩電路相同。具體結(jié)構(gòu)參見圖2。所述相移正弦波振蕩電路100包括第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、PM0S 管P1、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第一運算放大器Al ；第一運算放大器Al的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器Al的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第三電阻R3、第三電容C3、第二電容C2、第一電容Cl連接第一運算放大器Al的輸出端；第一運算放大器Al的正輸入端連接第二參考電壓VCM ；第一運算放大器Al的負(fù)輸入端連接PMOS管Pl的漏極，第一運算放大器Al的輸出端連接PMOS管Pl的源極；PMOS管Pl的柵極連接所述NMOS管附的漏極。第一電容Cl和第二電容C2的公共端通過第一電阻Rl接地；第二電容C2和第三電容C3的公共端通過第二電阻R2接地。下面介紹圖2所示電路的工作原理當(dāng)Al的輸出電壓VOSC的峰值比VREF高時，A2輸出高電平，Nl導(dǎo)通，由于12大于II，所以C4放電，C4的放電電流為(12-11)；從而導(dǎo)致m漏極的電壓VCTRL降低，從而使相移正弦波振蕩電路100中Pl的導(dǎo)通電阻降低，這樣VOSC的峰值就會降低。當(dāng)VOSC的峰值比VREF低時，A2輸出低電平，附截止，C4通過Il充電，導(dǎo)致VCTRL 升高，從而使Pl的導(dǎo)通電阻增大，相移正弦波振蕩電路的環(huán)路增益增大，所以VOSC的幅度就會跟著變大，這樣VOSC的峰值就會升高，形成一個負(fù)反饋。這樣的負(fù)反饋系統(tǒng)使正弦波的輸出幅度被穩(wěn)定在VREF上面。VOSC的溫漂取決于VREF的溫漂。由于本發(fā)明提供的電路中的VREF可以使用帶隙基準(zhǔn)實現(xiàn)，可以做到很低的溫度系數(shù)，實現(xiàn)低溫漂的功能，因此，本發(fā)明提供的電路適用于對正弦波的幅度溫漂要求很嚴(yán)格的場合。而現(xiàn)有技術(shù)中的電路輸出的正弦波的輸出幅度被穩(wěn)定在二極管的正向壓降上，溫漂較大。而且現(xiàn)有技術(shù)中的二極管不易實現(xiàn)單片集成，所以一般放在片外，這樣將增加整個電路的成本。而本發(fā)明提供的電路消除了外接的二極管，容易實現(xiàn)單片集成，所以降低了整個電路的成本。參見圖3，該圖為本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例二示意圖。本實施例提供的正弦波振蕩電路與實施例一的區(qū)別是相移正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)發(fā)生了改變。本實施例提供的相移正弦波振蕩電路如圖3所示，包括第一電阻R1、第二電阻 R2、第三電阻R3、第二 NMOS管N2、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第一運算放大器Al ；第一運算放大器Al的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器Al的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第二 NMOS管N2、第三電容C3、第二電容C2、第一電容C1連接第一運算放大器Al的輸出端；第一運算放大器Al的正輸入端連接第二參考電壓；第三電阻R3的兩端分別連接第一運算放大器Al的負(fù)輸入端和輸出端；N2的柵極連接所述NMOS管附的漏極；第一電容Cl和第二電容C2的公共端通過第一電阻Rl接地；第二電容C2和第三電容C3的公共端通過第二電阻R2接地。下面結(jié)合圖4和圖5介紹本發(fā)明提供的另外兩個正弦波振蕩電路的實施例，這兩個實施例與實施例一的最大區(qū)別是，穩(wěn)幅電路中的NMOS管改為了 PMOS管。圖2和圖3中的相移正弦波振蕩電路輸出的正弦波的波峰與VREF進(jìn)行比較。但是在圖4和圖5中是相移正弦波振蕩電路輸出的正弦波的波谷與VREF進(jìn)行比較。其他工作原理與實施例一的相同，在此不再詳細(xì)說明，僅介紹電路結(jié)構(gòu)。參見圖4，該圖為本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例三示意圖。本實施例提供的正弦波振蕩電路，包括相移正弦波振蕩電路100和穩(wěn)幅電路 200 ；所述相移正弦波振蕩電路100，用于輸出振蕩的正弦波；所述穩(wěn)幅電路200，用于使所述正弦波穩(wěn)定在預(yù)定的幅度；所述穩(wěn)幅電路200包括比較器A2、第一電流源II、第二電流源12、第二 PMOS管 P2和第四電容C4 ；
所述比較器A2的負(fù)輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路100的輸出端，所述比較器A2的正輸入端連接第一參考電壓VREF ；所述比較器A2的輸出端連接第二 PMOS管P2的柵極；所述第二 PMOS管P2的源極通過第一電流源Il連接VDD ；所述第二 PMOS管P2的漏極通過第二電流源12接地；所述第一電流源Il大于第二電流源12;所述第四電容C4并聯(lián)在所述第二電流源12的兩端；第二 PMOS管P2的漏極作為反饋端，反饋至所述相移正弦波振蕩電路100形成負(fù)反饋。本實施例提供的所述相移正弦波振蕩電路100與現(xiàn)有技術(shù)中的相同，包括第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一 PMOS管P1、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3 和第一運算放大器Al ；第一運算放大器Al的輸出端為相移正弦波振蕩電路100的輸出端；第一運算放大器Al的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第三電阻R3、第三電容C3、第二電容C2、第一電容Cl連接第一運算放大器Al的輸出端；第一運算放大器Al的正輸入端連接第二參考電壓VCM ；第一運算放大器Al的負(fù)輸入端連接的第一 PMOS管Pl的漏極，第一運算放大器Al 的輸出端連接的第一 PMOS管Pl的源極；第一 PMOS管Pl的柵極連接所述第一 PMOS管Pl的漏極；第一電容Cl和第二電容C2的公共端通過第一電阻Rl接地；第二電容C2和第三電容C3的公共端通過第二電阻R2接地。本實施例提供的正弦波振蕩電路提供的負(fù)反饋系統(tǒng)使正弦波的輸出幅度被穩(wěn)定在VREF上面。VOSC的溫漂取決于VREF的溫漂。由于本發(fā)明提供的電路中的VREF可以使用帶隙基準(zhǔn)實現(xiàn)，可以做到很低的溫度系數(shù)，實現(xiàn)低溫漂的功能，因此，本發(fā)明提供的電路適用于對正弦波的幅度溫漂要求很嚴(yán)格的場合。而現(xiàn)有技術(shù)中的電路輸出的正弦波的輸出幅度被穩(wěn)定在二極管的正向壓降上，溫漂較大。參見圖5，該圖為本發(fā)明提供的正弦波振蕩電路的實施例四示意圖。本實施例提供的正弦波振蕩電路與實施例三的區(qū)別是相移正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)發(fā)生了改變。所述相移正弦波振蕩電路100包括第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第二 NMOS管N2、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第一運算放大器Al ；第一運算放大器Al的輸出端為相移正弦波振蕩電路100的輸出端；第一運算放大器Al的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第二 NMOS管N2、第三電容C3、第二電容C2、第一電容C1連接第一運算放大器Al的輸出端；第一運算放大器Al的正輸入端連接第二參考電壓VCM ；第三電阻R3的兩端分別連接第一運算放大器Al的負(fù)輸入端和輸出端；第二 NMOS管N2的柵極連接所述第二 PMOS管P2的漏極；第一電容Cl和第二電容C2的公共端通過第一電阻Rl接地；
第二電容C2和第三電容C3的公共端通過第二電阻R2接地。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種正弦波振蕩電路，包括相移正弦波振蕩電路和穩(wěn)幅電路；所述相移正弦波振蕩電路，用于輸出振蕩的正弦波；所述穩(wěn)幅電路，用于使所述正弦波穩(wěn)定在預(yù)定的幅度；其特征在于，所述穩(wěn)幅電路包括比較器、第一電流源、第二電流源、NMOS管和第四電容； 所述比較器的正輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路的輸出端，所述比較器的負(fù)輸入端連接第一參考電壓；所述比較器的輸出端連接NMOS管的柵極；所述NMOS管的漏極通過第一電流源連接VDD ；所述NMOS管的源極通過第二電流源接地；所述第二電流源大于第一電流源；所述第四電容的一端連接NMOS管的漏極，另一端接地；所述NMOS管的漏極作為反饋端，反饋至所述相移正弦波振蕩電路形成負(fù)反饋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、PMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第三電阻、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓；第一運算放大器的負(fù)輸入端連接PMOS管的漏極，第一運算放大器的輸出端連接PMOS 管的源極；PMOS管的柵極連接所述NMOS管的漏極； 第一電容和第二電容的公共端通過第一電阻接地； 第二電容和第三電容的公共端通過第二電阻接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二 NMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第二 NMOS管、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓； 第三電阻的兩端分別連接第一運算放大器的負(fù)輸入端和輸出端； 第二 NMOS管的柵極連接所述NMOS管的漏極。
4.一種正弦波振蕩電路，包括相移正弦波振蕩電路和穩(wěn)幅電路；所述相移正弦波振蕩電路，用于輸出振蕩的正弦波；所述穩(wěn)幅電路，用于使所述正弦波穩(wěn)定在預(yù)定的幅度；其特征在于，所述穩(wěn)幅電路包括比較器、第一電流源、第二電流源、第二 PMOS管和第四電容； 所述比較器的負(fù)輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路的輸出端，所述比較器的正輸入端連接第一參考電壓；所述比較器的輸出端連接第二 PMOS管的柵極；所述第二 PMOS管的源極通過第一電流源連接VDD ；所述第二 PMOS管的漏極通過第二電流源接地；所述第一電流源大于第二電流源； 所述第四電容并聯(lián)在所述第二電流源的兩端；第二 PMOS管的漏極作為反饋端，反饋至所述相移正弦波振蕩電路形成負(fù)反饋。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一 PMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第三電阻、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓；第一運算放大器的負(fù)輸入端連接第一 PMOS管的漏極，第一運算放大器的輸出端連接第一 PMOS管的源極；第一 PMOS管的柵極連接所述第二 PMOS管的漏極； 第一電容和第二電容的公共端通過第一電阻接地； 第二電容和第三電容的公共端通過第二電阻接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述相移正弦波振蕩電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二 NMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器；第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端；第一運算放大器的負(fù)輸入端依次通過串聯(lián)的第二 NMOS管、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端；第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓；第三電阻的兩端分別連接第一運算放大器的負(fù)輸入端和輸出端；第二 NMOS管的柵極連接所述第二 PMOS管的漏極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種正弦波振蕩電路，包括相移正弦波振蕩電路和穩(wěn)幅電路；相移正弦波振蕩電路輸出振蕩的正弦波；穩(wěn)幅電路使正弦波穩(wěn)定在預(yù)定的幅度；穩(wěn)幅電路包括比較器、第一電流源、第二電流源、NMOS管和第四電容；比較器正輸入端連接相移正弦波振蕩電路的輸出端，比較器負(fù)輸入端連接第一參考電壓；比較器輸出端連接NMOS管的柵極；NMOS管的漏極通過第一電流源連接VDD；NMOS管的源極通過第二電流源接地；第二電流源大于第一電流源；第四電容的一端連接NMOS管的漏極，另一端接地；NMOS管的漏極作為反饋端，反饋至相移正弦波振蕩電路形成負(fù)反饋。第一參考電壓使用帶隙基準(zhǔn)實現(xiàn)，做到很低的溫度系數(shù)，實現(xiàn)低溫漂功能。
文檔編號H03B5/04GK102427328SQ20111029564
公開日2012年4月25日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者王東旺, 王帥旗 申請人:北京經(jīng)緯恒潤科技有限公司