專利名稱：用于壓控振蕩器的開關(guān)電容器陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及用于壓控振蕩器的開關(guān)電容器陣列。
背景技術(shù)：
在射頻電路中(例如，接收器或收發(fā)器)，將壓控振蕩器(VCO)用作頻率合成器，從而對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行降頻變換或升頻變換。頻率合成器可以包括振蕩器，被設(shè)計(jì)為通過由頻率合成器控制系統(tǒng)所生成的接收到的電壓控制頻率，其中，該控制系統(tǒng)由分頻器、頻率和相位檢測(cè)器、充電泵、以及低通濾波器形成。在頻率合成器控制系統(tǒng)中，將分頻器的輸出與在頻率和相位檢測(cè)器處的基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較。將頻率和相位檢測(cè)器的輸出連接至低通濾波器，并且進(jìn)一步連接至振蕩器。因此，響應(yīng)于來自低通濾波器的電壓，振蕩器生成期望信號(hào)。CMOS VCO可以包括第一電感器Lpi、第二電感器LP2、一對(duì)反向型NMOS可變電容 器、一對(duì)n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管Ml和M2、以及偏置電流源Ibias。第一電感Lpi和第二電感Lp2可由通過諸如方形螺旋電感器的晶圓對(duì)方形區(qū)域的感應(yīng)作用而產(chǎn)生?？梢酝ㄟ^一對(duì)NMOS晶體管來實(shí)施這對(duì)反向NMOS可變電容器。更具體地來說，將這對(duì)NMOS晶體管的漏極端和源極端連接在一起作為控制端，用于微調(diào)這對(duì)反向NMOS可變電容器的電容。通過將不同控制電壓施加在控制端，該對(duì)反向NMOS可變電容器的電容進(jìn)行相應(yīng)改變。因此，來自L-C儲(chǔ)能電路(tank)的振蕩頻率可能變換范圍，其中，L-C儲(chǔ)能電路由第一電感器Lpi、第二電感器LP2、以及一對(duì)反向型NMOS可變電容器形成。例如，當(dāng)控制電壓從0伏改變?yōu)镮伏時(shí)，來自L-C儲(chǔ)能電路的振蕩頻率可以從50GHz至54GHz改變4GHz。為了進(jìn)一步微調(diào)L-C儲(chǔ)能電路的振蕩頻率，可以將額外的開關(guān)電容器陣列與這對(duì)反向型NMOS可變電容器并聯(lián)連接。通過導(dǎo)通或關(guān)斷開關(guān)電容器陣列的電容器組，可以實(shí)現(xiàn)L-C儲(chǔ)能電路的微調(diào)步驟。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種系統(tǒng)，包括壓控振蕩器，包括電感器和可變電容器；以及開關(guān)電容器陣列，與可變電容器并聯(lián)連接，包括多個(gè)電容器組，其中，采用溫度計(jì)編碼來控制每個(gè)電容器組。其中，電容器組包括第一電容器；第二電容器，經(jīng)由開關(guān)與第一電容器串聯(lián)連接，其中，開關(guān)的柵極連接至溫度計(jì)編碼的位；反相器，其輸入端連接至溫度計(jì)編碼的位；第一偏置電阻器，連接在開關(guān)的漏極和反相器的輸出端之間；以及第二偏置電阻器，連接在開關(guān)的源極和反相器的輸出端之間。其中，反相器的輸出端連接至第一偏置電阻器和第二偏置電阻器，并且反相器被配置為使得當(dāng)將邏輯高狀態(tài)施加給溫度計(jì)編碼的位時(shí)，從開關(guān)的柵極至源極之間為正電壓；以及當(dāng)將邏輯低狀態(tài)施加給溫度計(jì)編碼的位時(shí)，從開關(guān)的柵極至源極之間為負(fù)電壓。其中，壓控振蕩器為交叉連接的振蕩器，包括L_C儲(chǔ)能電路，由第一電感器、第二電感器、第一電容器、以及第二電容器形成；交叉連接的晶體管對(duì)，其中，第一晶體管的柵極連接至第二晶體管的漏極，并且第二晶體管的柵極連接至第一晶體管的漏極；以及偏置電流源，被連接在交叉連接的晶體管對(duì)和一電壓電勢(shì)之間。其中，第一電容器和第二電容器是通過漏極端連接至源極端的NMOS晶體管對(duì)形成的。其中，第一電容器和第二電容器具有響應(yīng)于施加給控制端的控制電壓而改變的電容值，控制端位于在第一電容器和第二電容器之間的接合點(diǎn)處。其中，控制電壓從零伏改變至電壓電勢(shì)。此外，本發(fā)明還提供了一種開關(guān)電容器陣列，包括電容器組，包括第一電容器；第二電容器，經(jīng)由開關(guān)與第一電容器串聯(lián)連接，其中，開關(guān)的柵極連接至溫度計(jì)編碼的位；反相器，其輸入端連接至溫度計(jì)編碼的位；第一偏置電阻器，連接在開關(guān)的漏極和反相器的輸出端之間；以及第二偏置電阻器，連接在開關(guān)的源極和反相器的輸出端之間。
其中，第一電容器的電容值等于第二電容器的電容值。其中，當(dāng)將邏輯高狀態(tài)施加給連接至開關(guān)的柵極的溫度計(jì)編碼的位時(shí)，第一電容器和第二電容器與L-C儲(chǔ)能電路的可變電容器并聯(lián)連接。其中，由反相器、第一偏置電阻器和第二偏置電阻器形成的偏置電路配置為使得當(dāng)將邏輯高狀態(tài)施加在溫度計(jì)編碼的位時(shí)，從開關(guān)的柵極至源極之間為正電壓；以及當(dāng)將邏輯低狀態(tài)施加在溫度計(jì)編碼的位時(shí)，從開關(guān)的柵極至源極之間為負(fù)電壓。開關(guān)為NMOS晶體管。其中，當(dāng)通過n位溫度計(jì)編碼控制開關(guān)電容器陣列時(shí)，開關(guān)電容器陣列包括N個(gè)電
容器組。其中，當(dāng)通過n位溫度計(jì)編碼控制開關(guān)電容器陣列時(shí)，開關(guān)電容器陣列提供了 N個(gè)調(diào)節(jié)步驟。此外，還提供了一種方法，包括將開關(guān)電容器陣列與壓控振蕩器的L-C儲(chǔ)能電路的可變電容器并聯(lián)連接；在包括N個(gè)電容器組的開關(guān)電容器陣列處接收n位溫度計(jì)編碼，其中，通過n位溫度計(jì)編碼中的一位控制每個(gè)電容器組；以及根據(jù)n位溫度計(jì)編碼的相應(yīng)位導(dǎo)通或關(guān)斷開關(guān)，開關(guān)與電容器組的第一電容器和第二電容器串聯(lián)連接。該方法進(jìn)一步包括當(dāng)將邏輯高狀態(tài)施加在溫度計(jì)編碼的位時(shí)，提供正柵極至源極電壓；以及當(dāng)將邏輯低狀態(tài)施加在溫度計(jì)編碼的位時(shí)，提供負(fù)柵極至源極電壓。該方法進(jìn)一步包括根據(jù)選擇的溫度計(jì)編碼微調(diào)壓控振蕩器。該方法進(jìn)一步包括根據(jù)控制電壓調(diào)節(jié)壓控振蕩器。該方法進(jìn)一步包括當(dāng)n位溫度計(jì)編碼的相應(yīng)位為邏輯高狀態(tài)時(shí)，導(dǎo)通開關(guān)，開關(guān)與電容器組的第一電容器和第二電容器串聯(lián)連接；以及當(dāng)n位溫度計(jì)編碼的相應(yīng)位為邏輯低狀態(tài)時(shí)，關(guān)斷開關(guān)，開關(guān)與電容器組的第一電容器和第二電容器串聯(lián)連接。該方法進(jìn)一步包括提供偏置電路，偏置電路由反相器、第一偏置電阻器和第二偏置電阻器形成；當(dāng)將邏輯高狀態(tài)施加在溫度計(jì)編碼的位時(shí)，提供從開關(guān)的柵極端至源極端之間的正電壓；當(dāng)將邏輯低狀態(tài)施加在溫度計(jì)編碼的位時(shí)，提供從開關(guān)的柵極端至源極端之間的負(fù)電壓。


為了更好地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中圖I示出了根據(jù)實(shí)施例的交叉連接的壓控振蕩器的原理圖；圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的n位開關(guān)電容器陣列的原理圖；圖3示出了根據(jù)實(shí)施例的電容器組的原理圖；圖4詳細(xì)示出了根據(jù)實(shí)施例的7位開關(guān)電容器陣列的原理圖；圖5詳細(xì)示出了在圖4中所示的溫度計(jì)編碼控制7位開關(guān)電容器陣列的操作；以及圖6示出了基于在圖4中所示的溫度計(jì)編碼控制7位開關(guān)電容器陣列的實(shí)驗(yàn)結(jié) 果。除非另有說明，否則在不同圖中的相應(yīng)數(shù)值和符號(hào)通常指的是相應(yīng)部件。為了清楚示出各個(gè)實(shí)施例的相關(guān)方面繪制了附圖，但是沒有必要按比例繪制。
具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)討論本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本公開的范圍。在具體上下文中，將關(guān)于用于微調(diào)交叉連接壓控振蕩器(VCO)的溫度計(jì)編碼控制開關(guān)電容器陣列的優(yōu)選實(shí)施例描述本發(fā)明。然而，還可以將本發(fā)明應(yīng)用于各種VCO電路。首先，參照?qǐng)D1，根據(jù)實(shí)施例示出了交叉連接的壓控振蕩器的原理圖。交叉連接的壓控振蕩器100包括第一電感器Lp1、第二電感器Lp2、第一可變電容器Cp1、第二可變電容器Cp2、一對(duì)n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管Ml和M2、以及偏置電流源Ibias。經(jīng)由在一端處的偏置電流源Ibias將第一電感器Lpi和第二電感器Lp2連接至電壓電勢(shì)VDD。第一電感器Lpi具有連接至第一可變電容器Cpi的另一端。同樣地，第二電感器Lp2具有連接至第二可變電容器Cp2的另一端。此外，串聯(lián)連接第一可變電容器Cpi和第二可變電容器Cp2，并且在第一可變電容器Cp1和第二可變電容器Cp2之間的接合點(diǎn)用作電壓控制端VrtM如本領(lǐng)域中已知的，通過將不同電壓施加在電壓控制端，每個(gè)可變電容器(例如，第一可變電容器Cp1)的電容會(huì)隨之改變。應(yīng)該注意，電感Lp1和Lp2可以由通過諸如方形螺旋電感器的晶圓對(duì)方形區(qū)域的感應(yīng)作用的產(chǎn)生。通過將每個(gè)NMOS晶體管的漏極和源極連接在一起，這兩個(gè)可變電容器Cpi和Cp2可以由作為一對(duì)反向NMOS可變電容器運(yùn)行的一對(duì)NMOS晶體管產(chǎn)生。反向NMOS可變電容器的工作原理在本領(lǐng)域中眾所周知，故本文中不再贅述。L-C儲(chǔ)能電路由第一電感器Lpi、第二電感器Lp2、第一可變電容器CP1、以及第二可變電容器Cp2形成，將該儲(chǔ)能電路進(jìn)一步連接至一對(duì)NMOS晶體管Ml和M2。將NMOS晶體管Ml和NMOS晶體管M2交叉連接至相對(duì)端部。更具體地來說，將NMOS晶體管Ml的柵極連接至NMOS晶體管M2的漏極，并且將NMOS晶體管M2的柵極連接至NMOS晶體管Ml的漏極。將NMOS晶體管Ml和M2的源極連接在一起并且接地。如本領(lǐng)域中已知的，通過由調(diào)節(jié)在Vctri處的電壓微調(diào)可變電容器Cpi和Cp2的值，交叉連接的VCO 100能夠具有更寬的調(diào)節(jié)范圍。然而，為了進(jìn)一步微調(diào)交叉連接的VCO 100的振蕩頻率，需要為開關(guān)電容器陣列110提供額外的微調(diào)步驟。圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的n位開關(guān)電容器陣列的原理圖。如圖2所示，將n位開關(guān)電容器陣列與交叉連接的VCO 100的可變電容器并聯(lián)連接?？赡芫哂袀鬏斂刂菩盘?hào)的n個(gè)控制位，將其連接至每個(gè)相應(yīng)的電容器組。應(yīng)該注意，整數(shù)n大于等于2。如圖2所示，每個(gè)電容器組可以具有相同結(jié)構(gòu)。將所有的n個(gè)電容器組并聯(lián)連接，從而形成開關(guān)電容器陣列110。響應(yīng)于連接至電容器組的控制信號(hào)的邏輯狀態(tài)，電容器組與可變電容器Cpi和Cp2并聯(lián)連接，或者從交叉連接的VCO 100的L-C儲(chǔ)能電路去除該電容器組。因此，在具體控制電壓施加在Vrtri處的時(shí)候，具有通過使n位開關(guān)電容器陣列110與L-C儲(chǔ)能電路并聯(lián)連接可用的至少n個(gè)額外的調(diào)節(jié)步驟。圖3示出了根據(jù)實(shí)施例的電容器組的示意圖。如以上關(guān)于圖2所述的，在開關(guān)電容器陣列110中的每個(gè)電容器阻具有相同結(jié)構(gòu)。因此，將電容器組(例如，第一電容器組) 用于示出電容器組的工作原理。電容器組可以包括經(jīng)由開關(guān)Mswl串聯(lián)連接的兩個(gè)相同電容器。開關(guān)Mswl可以為NMOS晶體管，該晶體管具有連接至一電容器的漏極；連接至另一電容器的源極、以及連接至控制信號(hào)的柵極(例如，第一控制位Vbi)。開關(guān)Mswl與地線浮置。為了適當(dāng)偏置開關(guān)Mswl，采用兩個(gè)偏置電阻器Rl、R2和反相器，從而形成用于驅(qū)動(dòng)開關(guān)Mswl的偏置電路。更具體地來說，當(dāng)Vbi為邏輯高狀態(tài)，例如，VDD時(shí)，反相器的輸出為0伏。通過偏置電阻器R2，將開關(guān)Mswl的源極也設(shè)置為0伏。因此，開關(guān)Mswl的柵源電壓為VDD,該柵源電壓高于開關(guān)Mswl的閾值,從而保證開關(guān)Mswl接通。另一方面，當(dāng)控制信號(hào)Vbi為邏輯低狀態(tài)時(shí)，反相器的輸出生成邏輯高狀態(tài)，例如VDD0通過偏置電阻器R2，將開關(guān)Mswl的源極設(shè)置為VDD。因此，將負(fù)電壓VDD施加給開關(guān)Mswl的柵極和源極。如本領(lǐng)域中已知的，開關(guān)Mswl的負(fù)柵源電壓可以確定地使開關(guān)Mswl截止。具有圖3中所示的電容器組的有益特征是可以可靠地將電容器與交叉連接的VCO 100的L-C儲(chǔ)能電路連接或斷開，從而使得振蕩器可以根據(jù)n位控制信號(hào)精確地生成指定的高頻信號(hào)。圖4詳細(xì)示出了根據(jù)實(shí)施例的7位開關(guān)電容器陣列的原理圖。開關(guān)電容器陣列110包括七個(gè)電容器組。所有的七個(gè)電容器組具有相同結(jié)構(gòu)，已經(jīng)參考圖3詳細(xì)描述了電容器組。通過7位溫度計(jì)編碼來控制開關(guān)電容器陣列110的操作。如本領(lǐng)域中已知的，溫度計(jì)編碼采用多個(gè)相等權(quán)重的元素。即，通過溫度計(jì)編碼所控制的每個(gè)電容器組具有相等的電容器值。例如，為了實(shí)現(xiàn)溫度計(jì)編碼值“2”，使能溫度計(jì)編碼的最先的兩個(gè)輸入(例如，Vbi和Vb2)。因此，將最先的兩個(gè)電容器組與L-C儲(chǔ)能電路并聯(lián)連接，并且每個(gè)電容器組將相等的電容值添加到L-C儲(chǔ)能電路的可變電容器。下文中，關(guān)于圖5討論了通過7位溫度計(jì)編碼所控制的開關(guān)電容器陣列110的詳細(xì)操作。圖5詳細(xì)示出了在圖4中所示的溫度計(jì)編碼控制7位開關(guān)電容器陣列的操作。例如，當(dāng)7位溫度計(jì)編碼(VB1，VB2, VB3，VB4, VB5, VB6，VB7)為“0000000”時(shí)，關(guān)斷七個(gè)電容器組的每個(gè)開關(guān)。因此，沒有將額外的電容器添加到L-C儲(chǔ)能電路中。另一方面，當(dāng)7位溫度計(jì)
編碼為“1111111”時(shí)，導(dǎo)通七個(gè)電容器組中的每個(gè)開關(guān)。因此，每個(gè)電容器組將*添加到
L-C儲(chǔ)能電路。如表所示的，完全將電容值—添加到L-C儲(chǔ)能電路。當(dāng)7位溫度計(jì)編碼在“0000000”和“1111111”之間時(shí)，如圖5所示意性地標(biāo)示出的，導(dǎo)通或關(guān)斷多個(gè)開關(guān)。
根據(jù)溫度計(jì)編碼的工作原理，當(dāng)按“I”增大溫度計(jì)編碼時(shí)，添加等量電容。即，每個(gè)電容器組可以具有相同布局，這可以簡(jiǎn)化開關(guān)電容器陣列110的設(shè)計(jì)。此外，與二進(jìn)制編碼控制開關(guān)電容器陣列相比較，該開關(guān)電容器陣列可能需要用于通過第nth位所控制的電容器組的電容值2NC。用于每個(gè)電容器組的等量電容進(jìn)一步以在大于IGHz范圍內(nèi)的頻率提升了開關(guān)電容器的性能。如本領(lǐng)域中已知的，較大電容器不足以實(shí)現(xiàn)諸如50GHz的額外高頻的品質(zhì)因數(shù)。因此，因?yàn)樵谥T如第nth位控制位的控制位處，需要等于C(而不是2nC)的電容值，所以溫度計(jì)編碼控制開關(guān)電容器陣列可以實(shí)現(xiàn)比通過二進(jìn)制編碼所控制的對(duì)應(yīng)部件更好的效果。圖6示出了基于圖4中所示的溫度計(jì)編碼控制7位開關(guān)電容器陣列110的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖6的水平軸表示在Vrfri處的控制電壓。圖6的垂直軸表示通過交叉連接的VCO 100所生成的振蕩頻率。具有與通過7位溫度計(jì)編碼(在圖5中沒有示出，但是說明了)所設(shè)置的8個(gè)不同模式相對(duì)應(yīng)的八條曲線。如圖6所示，在具體模式中，當(dāng)控制電壓從OV增大至I. OV時(shí)，交叉連接的VCO 100的振蕩頻率也相應(yīng)地以近似線性關(guān)系增大。例如，在模式0中，當(dāng)控制電壓從OV增大至I. OV時(shí)，振蕩頻率可以從50GHz改變至54GHz。另一方面，可以通過由給出不同溫度計(jì)編碼值將操作模式從模式0改變至模式7來進(jìn)一步調(diào)節(jié)振蕩頻率。 例如，在固定控制電壓(例如，Vctrl = 0. 3V)處，通過從模式7改變至模式0，振蕩頻率具有從46GHz至51GHz的調(diào)節(jié)范圍。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明的實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變、替換、和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明的公開，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述的相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包括 壓控振蕩器，包括電感器和可變電容器；以及 開關(guān)電容器陣列，與所述可變電容器并聯(lián)連接，包括 多個(gè)電容器組，其中，采用溫度計(jì)編碼來控制每個(gè)電容器組。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，所述電容器組包括 第一電容器； 第二電容器，經(jīng)由開關(guān)與所述第一電容器串聯(lián)連接，其中，所述開關(guān)的柵極連接至所述溫度計(jì)編碼的位； 反相器，其輸入端連接至所述溫度計(jì)編碼的所述位； 第一偏置電阻器，連接在所述開關(guān)的漏極和所述反相器的輸出端之間；以及 第二偏置電阻器，連接在所述開關(guān)的源極和所述反相器的所述輸出端之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述反相器的輸出端連接至所述第一偏置電阻器和所述第二偏置電阻器，并且所述反相器被配置為使得 當(dāng)將邏輯高狀態(tài)施加給所述溫度計(jì)編碼的所述位時(shí)，從所述開關(guān)的所述柵極至所述源極之間為正電壓；以及 當(dāng)將邏輯低狀態(tài)施加給所述溫度計(jì)編碼的所述位時(shí)，從所述開關(guān)的所述柵極至所述源極之間為負(fù)電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，所述壓控振蕩器為交叉連接的振蕩器，包括 L-C儲(chǔ)能電路，由第一電感器、第二電感器、第一電容器、以及第二電容器形成； 交叉連接的晶體管對(duì)，其中，第一晶體管的柵極連接至第二晶體管的漏極，并且所述第二晶體管的柵極連接至所述第一晶體管的漏極；以及 偏置電流源，被連接在所述交叉連接的晶體管對(duì)和一電壓電勢(shì)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電容器和所述第二電容器是通過漏極端連接至源極端的NMOS晶體管對(duì)形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電容器和所述第二電容器具有響應(yīng)于施加給控制端的控制電壓而改變的電容值，所述控制端位于在所述第一電容器和所述第二電容器之間的接合點(diǎn)處。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述控制電壓從零伏改變至所述電壓電勢(shì)。
8.一種開關(guān)電容器陣列，包括 電容器組，包括 第一電容器； 第二電容器，經(jīng)由開關(guān)與所述第一電容器串聯(lián)連接， 其中，所述開關(guān)的柵極連接至溫度計(jì)編碼的位； 反相器，其輸入端連接至所述溫度計(jì)編碼的所述位； 第一偏置電阻器，連接在所述開關(guān)的漏極和所述反相器的輸出端之間；以及 第二偏置電阻器，連接在所述開關(guān)的源極和所述反相器的所述輸出端之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的開關(guān)電容器陣列，其中，所述第一電容器的電容值等于所述第二電容器的電容值。
10.一種方法，包括將開關(guān)電容器陣列與壓控振蕩器的L-C儲(chǔ)能電路的可變電容器并聯(lián)連接； 在包括N個(gè)電容器組的所述開關(guān)電容器陣列處接收η位溫度計(jì)編碼，其中，通過所述η位溫度計(jì)編碼中的一位控制每個(gè)電容器組；以及 根據(jù)所述η位溫度計(jì)編碼的相應(yīng)位導(dǎo)通或關(guān)斷開關(guān)，所述開關(guān)與電容器組的第一電容器和第二電容器串聯(lián)連接。
全文摘要
一種系統(tǒng)，包括壓控振蕩器，具有電感器和可變電容器；以及控制電容器陣列，與可變電容器并聯(lián)連接。控制電容器陣列進(jìn)一步包括多個(gè)電容器組，其中，采用溫度計(jì)編碼來控制每個(gè)電容器組。另外，當(dāng)通過n位溫度計(jì)編碼控制開關(guān)電容器陣列時(shí)，開關(guān)電容器陣列提供用于壓控振蕩器的振蕩頻率的N個(gè)調(diào)節(jié)步驟。
文檔編號(hào)H03B5/08GK102780453SQ20111039113
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月9日
發(fā)明者葉子禎, 周淳樸, 蔡銘憲, 薛福隆, 謝協(xié)宏 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司