專利名稱：一種開關電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電路，特別是涉及一種開關電路。
背景技術：
由于開關電路可以控制電源的接入和斷開，電源開關電路已經(jīng)廣泛地應用到很多領域，例如通信、雷達、計算機、自動控制等等。這些開關電路很多時候被應用于保護半導體設備免受過熱狀態(tài)和過量電流的傷害等。模擬開關電路是開關電路的一種，它可以轉換模擬信號或數(shù)字信號，且能使模擬信號通過或阻斷的電路，其在很多技術領域中得到了廣泛的應用。模擬開關的理想狀態(tài)是在接通時電阻為零，模擬信號通過它后不會產(chǎn)生任何損失；在斷開時電阻應為無窮大，阻止模擬信號通過，不產(chǎn)生任何泄漏；并且，模擬開關的開啟和關閉動作應瞬間完成，且可以根據(jù)需要轉換速度。這種特性應與模擬信號的幅度、頻率、傳送方向以及環(huán)境溫度無關，足以保證在各種環(huán)境下轉換各類模擬信號。但是，現(xiàn)有技術中的很多開關電路，會產(chǎn)生靜態(tài)的功率損耗，嚴重影響了開關電路的工作性能。
實用新型內(nèi)容鑒于以上缺陷和不足，本實用新型的目的在于提供一種開關電路，它能夠最大限度地控制靜態(tài)電流，且結構簡單，便于操作，安全省電。本實用新型的開關電路，它包括一 PM0SFET和一 NM0SFET，其中，所述PM0SFET 的柵極通過一第一電阻分別連接到其源極和一電壓輸入端，且通過第二電阻連接到所述 NM0SFET的漏極，所述PM0SFET的漏極與一電壓輸出端相連接；所述NM0SFET的柵極通過一第三電阻連接到一負載節(jié)點，同時通過一第四電阻與其源極相連接且接地。上述的開關電路，其中，所述的PM0SFET為P溝道增強型PM0SFET。上述的開關電路，其中，所述的NM0SFET為N溝道增強型NM0SFET。上述的開關電路，其中，所述的第一電阻、第二電阻、第四電阻的阻值分別為47K 歐姆，所述的第三電阻的阻值為330歐姆。上述的開關電路，其中，所述的電壓輸入端輸入的電壓為9V。采用本實用新型的開關電路具有結構簡單，便于操作等優(yōu)點，它能夠最大限度地控制靜態(tài)電流，安全節(jié)能。
圖1為本實用新型的開關電路的電路圖。
具體實施方式
下面結合說明書附圖來對本實用新型的開關電路做進一步詳細的說明。圖1示出了本實用新型的開關電路的電路圖。本實用新型的開關電路，它包括一 PMOSFET Ml 和一 NMOSFET M2，其中，PMOSFET Ml 和一 NMOSFET M2 分別為 P 溝道增強型 PM0SFET和N溝道增強型NM0SFET ；所述PMOSFET Ml的柵極通過一第一電阻Rl分別連接到其源極和一電壓輸入端1，且通過第二電阻R2連接到所述NMOSFET M2的漏極，所述PMOSFET Ml的漏極與一電壓輸出端2相連接；所述NMOSFET M2的柵極通過一第三電阻R3連接到一負載節(jié)點3，同時通過一第四電阻R4與其源極相連接且接地。其中，本是實例中的第一電阻Rl，第二電阻R2，第三電阻R3皆為47K歐姆，第三電阻R3為330歐姆，所述的輸入端輸入的電壓為9V。采用本實用新型的開關電路，當輸入電壓從輸入端輸入后，電壓輸出端就會輸出一相同的電壓，不會產(chǎn)生失真；同時，在沒有信號輸入時，可以最大限度地控制靜態(tài)電流，減少電能的損耗，維持開關電路的良好性能，提高了其工作的可靠性；并且，其還具有結構簡單，便于操作等優(yōu)點。應當指出的是，對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本實用新型的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應認為仍屬本實用新型的意圖和范圍內(nèi)。
權利要求1.一種開關電路，它包括一 PM0SFET和一 NM0SFET，其特征在于所述PM0SFET的柵極通過一第一電阻分別連接到其源極和一電壓輸入端，且通過第二電阻連接到所述NM0SFET 的漏極，所述PM0SFET的漏極與一電壓輸出端相連接；所述NM0SFET的柵極通過一第三電阻連接到一負載節(jié)點，同時通過一第四電阻與其源極相連接且接地。
2.如權利要求1所述的開關電路，其特征在于所述的PM0SFET為P溝道增強型 PM0SFET。
3.如權利要求1所述的開關電路，其特征在于所述的NMOSFE為N溝道增強型 NM0SFETO
4.如權利要求1或2或3所述的開關電路，其特征在于所述的第一電阻、第二電阻、 第四電阻的阻值分別為47K歐姆，所述的第三電阻的阻值為330歐姆。
5.如權利要求1所述的開關電路，其特征在于所述的電壓輸入端輸入的電壓為9V。
專利摘要本實用新型公開了一種開關電路，它包括一PMOSFET和一NMOSFET，其中，所述PMOSFET的柵極通過一第一電阻分別連接到其源極和一電壓輸入端，且通過第二電阻連接到所述NMOSFET的漏極，所述PMOSFET的漏極與一電壓輸出端相連接；所述NMOSFET的柵極通過一第三電阻連接到一負載節(jié)點，同時通過一第四電阻與其源極相連接且接地。采用本實用新型結構的開關電路具有結構簡單，便于操作等優(yōu)點，它能夠最大限度地控制靜態(tài)電流，安全節(jié)能。
文檔編號H03K19/0944GK202043093SQ20112009861
公開日2011年11月16日 申請日期2011年4月7日 優(yōu)先權日2011年4月7日
發(fā)明者戚張富, 焦永強, 王培勝, 繆袁泉 申請人:上海達華測繪有限公司