專利名稱：一種石英晶振的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種石英晶振。
背景技術(shù)：
晶振Crystal，是時(shí)鐘電路中最重要的部件之一。晶振主要作用是向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準(zhǔn)頻率，晶振就如一標(biāo)尺，如果晶振的工作頻率不穩(wěn)定會(huì)造成相關(guān)設(shè)備工作頻率不穩(wěn)定。因此，必須首先保證晶振的品質(zhì)。晶振通常由石英晶片和銀電極構(gòu)成，但是，石英晶片與銀電極之間附著不牢固，容易脫落。此外，還存在產(chǎn)品的頻率老化率低、DLD不良多的缺陷。因此，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種電極牢靠、產(chǎn)品老化率良好、能夠改善DLD不良的石英晶振甚為必要。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種石英晶振，該石英晶振的電極牢靠、產(chǎn)品老化率良好、能夠改善DLD不良現(xiàn)象。本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)措施實(shí)現(xiàn)。本實(shí)用新型的一種石英晶振，設(shè)有石英晶片、設(shè)置于石英晶片兩面的第一銀電極層和第二銀電極層，所述第一銀電極層與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的一面之間鍍有第一鉻層，所述第二銀電極與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的另一面之間鍍有第二鉻層，所述第一鉻層的厚度設(shè)置為30 60埃，所述第二鉻層的厚度設(shè)置為30 60埃。優(yōu)選的，上述第一鉻層的厚度與所述第二鉻層的厚度相等。進(jìn)一步的，上述第一鉻層的厚度設(shè)置為40 55埃，所述第二鉻層的厚度設(shè)置為 40 55埃。更進(jìn)一步的，上第一鉻層的厚度和所述第二鉻層的厚度均設(shè)置為50埃。優(yōu)選的，上述第一銀電極層的厚度設(shè)置為2000 7000埃，所述第二銀電極層的厚度設(shè)置為2000 7000埃。進(jìn)一步的，上述第一銀電極層的厚度與所述第二銀電極層的厚度相等。進(jìn)一步的，上述第一銀電極層的厚度設(shè)置為3000 5000埃，所述第二銀電極層的厚度設(shè)置為3000 5000埃。本實(shí)用新型的一種石英晶振，設(shè)有石英晶片、設(shè)置于石英晶片兩面的第一銀電極層和第二銀電極層，所述第一銀電極層與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的一面之間鍍有第一鉻層，所述第二銀電極與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的另一面之間鍍有第二鉻層，所述第一鉻層的厚度設(shè)置為30 60埃，所述第二鉻層的厚度設(shè)置為30 60埃。該石英晶振涂布設(shè)置有鉻層，使石英晶片與銀電極附著更牢固，不易脫落，且第一鉻層和第二鉻層厚度的設(shè)置，使得該石英晶振的電極附著更牢靠、產(chǎn)品老化率良好、并能夠改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的DLD不良現(xiàn)象。
利用附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明，但附圖中的內(nèi)容不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的任何限制。圖1是本實(shí)用新型一種石英晶振的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖1中包括石英晶片100、第一鉻層200、第一銀電極層300、第二鉻層400、第二銀電極層500、第一鉻層的厚度HI、第二鉻層的厚度H2、第一銀電極層的厚度D1、第二銀電極層的厚度D2。
具體實(shí)施方式
結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。實(shí)施例1。一種石英晶振，如圖1所示，設(shè)有石英晶片100、以及設(shè)置于石英晶片100兩面的第一銀電極層300和第二銀電極層500，第一銀電極層300與石英晶片100對(duì)應(yīng)的一面之間鍍有第一鉻層200，第二銀電極與石英晶片100對(duì)應(yīng)的另一面之間鍍有第二鉻層400，第一鉻層200的厚度Hl設(shè)置為50埃，第二鉻層400的厚度H2設(shè)置為50埃。第一銀電極層300的厚度Dl通常設(shè)置為2000 7000埃，第二銀電極層500的厚度D2通常設(shè)置為2000 7000埃，第一銀電極層300和第二銀電極層500的厚度具體根據(jù)實(shí)際需要可靈活設(shè)置。該石英晶振通過(guò)在石英晶振與第一銀電極層300之間設(shè)置50埃的第一鉻層200， 在石英晶振與第二銀電極層500之間設(shè)置50埃的第二鉻層400，鉻層的設(shè)置，使得石英晶片 100與電極能夠牢固附著，防止電極脫落。將第一鉻層200和第二鉻層400的厚度H2設(shè)置為50埃，能夠改善產(chǎn)品的產(chǎn)品老化率不良、并能夠改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的DLD不良現(xiàn)象，且使得第一銀電極和第二銀電極附著更牢靠。實(shí)施例2。一種石英晶振，其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，不同之處在于第一鉻層200和第二鉻層400的厚度H2不同。第一鉻層200的厚度Hl設(shè)置為30 60埃，第二鉻層400的厚度 H2設(shè)置為30 60埃。優(yōu)選將第一鉻層200和第二鉻層400的厚度H2鍍?yōu)橄嗤穸?，以增?qiáng)產(chǎn)品的可靠性。第一鉻層200和第二鉻層400在此厚度范圍內(nèi)，石英晶振的銀電極附著牢靠，產(chǎn)品的老化率良好，DLD不良現(xiàn)象有明顯改善。實(shí)施例3。[0037]—種石英晶振，其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，不同之處在于第一鉻層200和第二鉻層400的厚度H2不同。第一鉻層200的厚度Hl設(shè)置為40 55埃，第二鉻層400的厚度 H2設(shè)置為40 55埃。需要說(shuō)明的是，第一銀電極層300的厚度Dl通常設(shè)置為2000 7000埃，第二銀電極層500的厚度D2設(shè)置為2000 7000埃。為了增強(qiáng)可靠性，優(yōu)選將第一銀電極層300 的厚度Dl與第二銀電極層500的厚度D2設(shè)置為相等。第一銀電極層300的厚度Dl也可以設(shè)置為3000 5000埃，第二銀電極層500的
厚度D2也可以設(shè)置為3000 5000埃，具體的厚度根據(jù)實(shí)際需要和實(shí)際產(chǎn)品靈活設(shè)置。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種石英晶振，其特征在于設(shè)有石英晶片、設(shè)置于石英晶片兩面的第一銀電極層和第二銀電極層，所述第一銀電極層與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的一面之間鍍有第一鉻層，所述第二銀電極與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的另一面之間鍍有第二鉻層，所述第一鉻層的厚度設(shè)置為 30 60埃，所述第二鉻層的厚度設(shè)置為30 60埃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶振，其特征在于所述第一鉻層的厚度與所述第二鉻層的厚度相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英晶振，其特征在于所述第一鉻層的厚度設(shè)置為40 55 埃，所述第二鉻層的厚度設(shè)置為40 55埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石英晶振，其特征在于所述第一鉻層的厚度和所述第二鉻層的厚度均設(shè)置為50埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石英晶振，其特征在于所述第一銀電極層的厚度設(shè)置為 2000 7000埃，所述第二銀電極層的厚度設(shè)置為2000 7000埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求4任意一項(xiàng)所述的石英晶振，其特征在于所述第一銀電極層的厚度與所述第二銀電極層的厚度相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶振，其特征在于所述第一銀電極層的厚度設(shè)置為 3000 5000埃，所述第二銀電極層的厚度設(shè)置為3000 5000埃。
專利摘要一種石英晶振，設(shè)有石英晶片、設(shè)置于石英晶片兩面的第一銀電極層和第二銀電極層，所述第一銀電極層與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的一面之間鍍有第一鉻層，所述第二銀電極與所述石英晶片對(duì)應(yīng)的另一面之間鍍有第二鉻層，所述第一鉻層的厚度設(shè)置為30～60埃，所述第二鉻層的厚度設(shè)置為30～60埃。第一鉻層的厚度與所述第二鉻層的厚度相等。第一鉻層的厚度和第二鉻層的厚度均設(shè)置為50埃。該石英晶振鍍有鉻層，使石英晶片與銀電極附著更牢固，不易脫落，且第一鉻層和第二鉻層厚度的設(shè)置，使得該石英晶振的電極附著更牢靠、產(chǎn)品老化率良好、并能夠改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的DLD不良現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H03H9/19GK202197255SQ201120271058
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者杜自甫 申請(qǐng)人:廣東惠倫晶體科技股份有限公司