專利名稱：雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電子開關(guān)，尤其是涉及一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)。
背景技術(shù)：
顧名思義，高電壓大電流是電壓比較高、能量比較大的脈沖電流，現(xiàn)在常規(guī)的的開關(guān)是電磁繼電器，或者電磁水銀開關(guān)接觸器。這些開關(guān)的普遍缺點(diǎn)是機(jī)械開關(guān)，造成電壓脈沖波形抖動(dòng)，控制時(shí)序精度不高，波形不穩(wěn)，一致性差特別是電壓在低端100V至300V左右時(shí)，波形前沿不光滑，有毛刺，導(dǎo)致電流波的波形不穩(wěn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種適用范圍廣、穩(wěn)定性高的雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)。本實(shí)用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，其特征在于，包括高壓處理模塊、晶閘管控制模塊、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路，所述的高壓處理模塊與晶閘管控制模塊連接，所述的晶閘管控制模塊與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。所述的高壓處理模塊由至少兩個(gè)IGBT串聯(lián)而成。所述的IGBT為2 100個(gè)。所述的晶閘管控制模塊包括由至少兩個(gè)單向晶閘管串聯(lián)而成，即前一個(gè)單向晶閘管的負(fù)極接在后一個(gè)單向晶閘管的正極，每個(gè)單向晶閘管的門極都接一個(gè)晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。所述的單向晶閘管為2 100個(gè)。所述的晶閘管驅(qū)動(dòng)電路包括依次連接的DC/AC單元、變壓器、整流單元、存能電容和開關(guān)，所述的開關(guān)與每一個(gè)單向晶閘管的門極連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)I、可以實(shí)現(xiàn)雷擊浪涌發(fā)生器的所有參數(shù)要求；2、更能體現(xiàn)出電壓穩(wěn)定性，波形一致性；3、可以實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎ@個(gè)是普通MOS管無法實(shí)現(xiàn)的功能。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)框圖；圖2為本實(shí)用新型的晶閘管控制模塊電路圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例[0019]如圖1，一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，包括高壓處理模塊I、晶閘管控制模塊2、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路3，所述的高壓處理模塊I與晶閘管控制模塊2連接，所述的晶閘管控制模塊2 與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路3。所述的高壓處理模塊由至少兩個(gè)IGBT串聯(lián)而成。同時(shí)導(dǎo)通時(shí)每個(gè)管子將同時(shí)分壓，這樣可以不至于器件損壞。每個(gè)管子之間的引腳要加粗，以達(dá)到電流的需要，防止發(fā)熱。 最后用環(huán)氧樹脂膠灌封，做到耐高壓。晶閘管驅(qū)動(dòng)是根據(jù)晶閘管的導(dǎo)通特性量身設(shè)計(jì)的。晶閘管的一次導(dǎo)通之后就不會(huì)關(guān)斷，關(guān)斷方法有兩種一是流過晶閘管的電流關(guān)斷，或者是驅(qū)動(dòng)腳的驅(qū)動(dòng)電壓反向。如圖 2所示，所述的晶閘管控制模塊包括由至少兩個(gè)單向晶閘管串聯(lián)而成，即前一個(gè)單向晶閘管的負(fù)極接在后一個(gè)單向晶閘管的正極，每個(gè)單向晶閘管的門極G都接一個(gè)晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。所述的晶閘管驅(qū)動(dòng)電路包括依次連接的DC/AC單元、變壓器、整流單元、存能電容和開關(guān)，所述的開關(guān)與每一個(gè)單向晶閘管的門極連接。
權(quán)利要求1.一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，其特征在于，包括高壓處理模塊、晶閘管控制模塊、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路，所述的高壓處理模塊與晶閘管控制模塊連接，所述的晶閘管控制模塊與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，其特征在于，所述的高壓處理模塊由至少兩個(gè)IGBT串聯(lián)而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，其特征在于，所述的IGBT為2 100 個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，其特征在于，所述的晶閘管控制模塊包括由至少兩個(gè)單向晶閘管串聯(lián)而成，即前一個(gè)單向晶閘管的負(fù)極接在后一個(gè)單向晶閘管的正極，每個(gè)單向晶閘管的門極都接一個(gè)晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，其特征在于，所述的單向晶閘管為2 100個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，其特征在于，所述的晶閘管驅(qū)動(dòng)電路包括依次連接的DC/AC單元、變壓器、整流單元、存能電容和開關(guān)，所述的開關(guān)與每一個(gè)單向晶閘管的門極連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種雙向?qū)ǖ碾娮娱_關(guān)，包括高壓處理模塊、晶閘管控制模塊、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路，所述的高壓處理模塊與晶閘管控制模塊連接，所述的晶閘管控制模塊與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有適用范圍廣、穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03K17/16GK202353538SQ20112029623
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月15日
發(fā)明者毛文斌, 顧建軍 申請(qǐng)人:上海普銳馬電子有限公司