專利名稱：一種點膠搭載的石英晶體諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及石英晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種點膠搭載的石英晶體諧振器。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品上，多數(shù)芯片需要匹配晶體諧振器為其提供基準振蕩頻率。一般的晶體諧振器都是利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體薄片制成的，這種石英晶體薄片受到外加交變電場的作用時會產(chǎn)生機械振動，當交變電場的頻率與石英晶體的固有頻率相同時，振動便變得很強烈，這就是晶體諧振特性的反應(yīng)。利用這種特性，就可以用石英晶體諧振器取代LC(線圈和電容)諧振回路、濾波器等。在石英晶體諧振器的制造工藝中，已鍍膜的石英晶片需要利用導(dǎo)電銀膠將其固定于基座的外界。石英晶片與導(dǎo)電銀膠的點膠搭載位置對產(chǎn)品的阻抗有較大的影響，影響量一般在8歐姆以上。另外，石英晶片與導(dǎo)電銀膠的點膠搭載位置也會影響點膠的牢固度?，F(xiàn)有技術(shù)中，沒有針對不同規(guī)格的石英晶片設(shè)置精確的點膠搭載位置，導(dǎo)致產(chǎn)品的阻抗較大和點膠牢固度不好，而且還會造成DLD2、DLDH2的不穩(wěn)定以及溫測的跳點。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種點膠搭載的石英晶體諧振器，該石英晶體諧振器能夠針對不同規(guī)格的石英晶片進行調(diào)節(jié)點膠搭載位置，從而使產(chǎn)品的阻抗較小和點膠牢固度較好，而且使DLD2、DLDH2較穩(wěn)定以及不出現(xiàn)溫測的跳
點ο其中，DLD2 是指在所特定的功率范圍內(nèi)測量的最大電阻與最小電阻之間的差值。DLDH2 是指在所特定的功率范圍內(nèi)，各個點往返掃描中測量的最大電阻與最小電阻之間的差值中的最大值。溫測是指在不同的溫度下，產(chǎn)品的電參數(shù)幅度變化。為達到上述目的，本實用新型通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。一種點膠搭載的石英晶體諧振器，包括晶片本體和基體，所述晶片本體的上表面、 下表面以及側(cè)面均設(shè)置有鍍膜層，所述上表面的鍍膜層和所述基體共同設(shè)置有第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域和第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域，所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠；所述第一導(dǎo)電膠與晶片本體的左上部搭載，所述第二導(dǎo)電膠與晶片本體的右上部搭載；所述晶片本體為不同頻率時，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠與晶片本體的搭載位置不同。當晶片本體的頻率為12兆兆時，第一導(dǎo)電膠有一半的面積與所述晶片本體的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠有一半的面積與所述晶片本體的右上部搭載；[0014]所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域和所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域均設(shè)置有第一邊，所述第一導(dǎo)電膠與所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域的第一邊相切，所述第二導(dǎo)電膠與所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域的第一邊相切；所述晶片本體的左上部和所述晶片本體的右上部均設(shè)置有第一邊，所述晶片本體的左上部的第一邊穿過所述第一導(dǎo)電膠的中心，所述晶片本體的右上部的第一邊穿過所述第二導(dǎo)電膠的中心。當晶片本體的頻率為M兆-32兆時，第一導(dǎo)電膠有三分之一的面積與所述晶片本體的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠有三分之一的面積與所述晶片本體的右上部搭載；所述第一導(dǎo)電膠設(shè)置于所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域的左上角，所述第二導(dǎo)電膠設(shè)置于所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域的右上角。當晶片本體的頻率為32兆-48兆時，第一導(dǎo)電膠有四分之一至三分之一的面積與所述晶片本體的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠有四分之一至三分之一的面積與所述晶片本體的右上部搭載；所述第一導(dǎo)電膠設(shè)置于所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域的左上角，所述第二導(dǎo)電膠設(shè)置于所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域的右上角。本實用新型的有益效果本實用新型所述的一種點膠搭載的石英晶體諧振器，包括晶片本體和基體，晶片本體的上表面、下表面以及側(cè)面均設(shè)置有鍍膜層，上表面的鍍膜層和基體共同設(shè)置有第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域和第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域，第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠；第一導(dǎo)電膠與晶片本體的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠與晶片本體的右上部搭載；晶片本體為不同頻率時，第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠與晶片本體的搭載位置不同。本實用新型能夠針對不同規(guī)格的石英晶片進行調(diào)節(jié)點膠搭載位置，從而使產(chǎn)品的阻抗較小和點膠牢固度較好，而且使DLD2、DLDH2較穩(wěn)定以及不出現(xiàn)溫測的跳點。

圖1是本實用新型一種點膠搭載的石英晶體諧振器的實施例1的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型一種點膠搭載的石英晶體諧振器的實施例2的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實用新型一種點膠搭載的石英晶體諧振器的實施例3的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖1至圖3的附圖標記1-晶片本體、2—第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域、3—第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域、4一第一導(dǎo)電膠、5—第二導(dǎo)電膠。
具體實施方式
結(jié)合以下實施例對本實用新型作進一步說明。實施例1。本實施例的一種點膠搭載的石英晶體諧振器如圖1所示，包括晶片本體1和基體，晶片本體1的上表面、下表面以及側(cè)面均設(shè)置有鍍膜層，上表面的鍍膜層和所述基體共同設(shè)置有第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域2和第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域3，第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域2設(shè)置有第一導(dǎo)電膠4，第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域3設(shè)置有第二導(dǎo)電膠5 ；第一導(dǎo)電膠4與晶片本體1的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠5與晶片本體1的右上部搭載。其中，所述的第一導(dǎo)電膠4和第二導(dǎo)電膠5均為銀膠。本實用新型所述的搭載是指接觸。晶片本體1為不同頻率時，第一導(dǎo)電膠4和第二導(dǎo)電膠5與晶片本體1的搭載位置不同。當晶片本體1的頻率為12兆兆時，第一導(dǎo)電膠4有一半的面積與所述晶片本體1的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠5有一半的面積與所述晶片本體1的右上部搭載；第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域2和第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域3均設(shè)置有第一邊，第一導(dǎo)電膠4 與第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域2的第一邊相切，第二導(dǎo)電膠5與第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域3的第一邊相切；晶片本體1的左上部和晶片本體1的右上部均設(shè)置有第一邊，晶片本體1的左上部的第一邊穿過第一導(dǎo)電膠4的中心，晶片本體1的右上部的第一邊穿過第二導(dǎo)電膠5的中心。晶片本體1的頻率為12兆兆時，采取本實施例的搭載位置，能使產(chǎn)品的阻抗較小，產(chǎn)品阻抗為5歐姆-8歐姆，另外，產(chǎn)品的點膠牢固度較好，而且使DLD2、DLDH2較穩(wěn)定以及不出現(xiàn)溫測的跳點。實施例2。本實用新型的一種點膠搭載的石英晶體諧振器的實施例2，如圖2所示，本實施例的其他結(jié)構(gòu)與實施例1相同，不同之處在于當晶片本體1的頻率為M兆-32兆時，第一導(dǎo)電膠4有三分之一的面積與晶片本體1的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠5有三分之一的面積與晶片本體1的右上部搭載；第一導(dǎo)電膠4設(shè)置于第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域2的左上角，第二導(dǎo)電膠5設(shè)置于第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域3的右上角。實施例3。本實用新型的一種點膠搭載的石英晶體諧振器的實施例3，如圖3所示，本實施例的其他結(jié)構(gòu)與實施例1相同，不同之處在于當晶片本體1的頻率為32兆-48兆時，第一導(dǎo)電膠4有四分之一至三分之一的面積與晶片本體1的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠5有四分之一至三分之一的面積與晶片本體1的右上部搭載；第一導(dǎo)電膠(4)設(shè)置于第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域2的左上角，第二導(dǎo)電膠5設(shè)置于第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域3的右上角。以上實施例僅用于說明本實用新型的技術(shù)方案而非對本實用新型保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型作了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，可以對本實用新型的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術(shù)方案的實質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種點膠搭載的石英晶體諧振器，包括晶片本體(1)和基體，所述晶片本體(1)的上表面、下表面以及側(cè)面均設(shè)置有鍍膜層，其特征在于所述上表面的鍍膜層和所述基體共同設(shè)置有第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(2)和第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(3)，所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(2) 設(shè)置有第一導(dǎo)電膠(4)，所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(3)設(shè)置有第二導(dǎo)電膠(5)；所述第一導(dǎo)電膠(4)與晶片本體(1)的左上部搭載，所述第二導(dǎo)電膠(5)與晶片本體 (1)的右上部搭載。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種點膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于當晶片本體 (1)的頻率為12兆兆時，第一導(dǎo)電膠(4)有一半的面積與所述晶片本體(1)的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠(5)有一半的面積與所述晶片本體(1)的右上部搭載；所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(2)和所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(3)均設(shè)置有第一邊，所述第一導(dǎo)電膠(4)與所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(2)的第一邊相切，所述第二導(dǎo)電膠(5)與所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(3)的第一邊相切；所述晶片本體(1)的左上部和所述晶片本體(1)的右上部均設(shè)置有第一邊，所述晶片本體(1)的左上部的第一邊穿過所述第一導(dǎo)電膠(4)的中心，所述晶片本體(1)的右上部的第一邊穿過所述第二導(dǎo)電膠(5)的中心。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種點膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于當晶片本體 (1)的頻率為M兆-32兆時，第一導(dǎo)電膠(4)有三分之一的面積與所述晶片本體(1)的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠(5)有三分之一的面積與所述晶片本體(1)的右上部搭載；所述第一導(dǎo)電膠(4)設(shè)置于所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(2)的左上角，所述第二導(dǎo)電膠 (5)設(shè)置于所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(3)的右上角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種點膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于當晶片本體 (1)的頻率為32兆-48兆時，第一導(dǎo)電膠(4)有四分之一至三分之一的面積與所述晶片本體(1)的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠(5)有四分之一至三分之一的面積與所述晶片本體(1)的右上部搭載；所述第一導(dǎo)電膠(4)設(shè)置于所述第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(2)的左上角，所述第二導(dǎo)電膠 (5)設(shè)置于所述第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域(3)的右上角。
專利摘要本實用新型涉及石英晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種點膠搭載的石英晶體諧振器，其包括晶片本體和基體，晶片本體的上表面、下表面以及側(cè)面均設(shè)置有鍍膜層，上表面的鍍膜層和基體共同設(shè)置有第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域和第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域，第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠；第一導(dǎo)電膠與晶片本體的左上部搭載，第二導(dǎo)電膠與晶片本體的右上部搭載；晶片本體為不同頻率時，第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠與晶片本體的搭載位置不同。本實用新型能夠針對不同規(guī)格的石英晶片進行調(diào)節(jié)點膠搭載位置，從而使產(chǎn)品的阻抗較小和點膠牢固度較好，而且使DLD2、DLDH2較穩(wěn)定以及不出現(xiàn)溫測的跳點。
文檔編號H03H9/19GK202261194SQ20112036845
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者范泰宏 申請人:廣東惠倫晶體科技股份有限公司