專利名稱:一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器的制作方法
技術領域:
本實用新型涉及放大器技術領域,特別涉及一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大
O
背景技術:
中頻放大器作為增益調節(jié)單元廣泛應用于各種通信系統(tǒng)中,在收發(fā)信機的接收鏈路中,中頻放大器處于混頻器與模數(shù)轉換器之間,其輸出信號幅度較大,信號容易失真,因此為了不影響系統(tǒng)性能,對中頻放大器的線性度指標有著較高的要求。
實用新型內容為此本實用新型設計一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器利用新的雙反饋結構實現(xiàn)高線性度中頻可變增益,從而可大大提高放大器的線性度,為達到此目的,本實用新型提供一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器,包括放大器、共集共基晶體管、反饋電阻和隔直電容,所述放大器包括第一放大器和第二放大器,所述第一放大器的正輸入端為正極輸入端,第一放大器的負輸入端與連接節(jié)點A相連,第一放大器的輸出端與第一共集共基晶體管的基極相連,所述第一共集共基晶體管的發(fā)射極連在第三連接電阻與連接節(jié)點A之間,第一共集共基晶體管的集電極與第三共集共基晶體管的發(fā)射極相連,所述第二放大器的負輸入端為負極輸入端,第二放大器的正輸入端與連接節(jié)點B相連,第二放大器的輸出端與第二共集共基晶體管的基極相連,所述第二共集共基晶體管的發(fā)射極連在第三連接電阻與連接節(jié)點B之間,第二共集共基晶體管的集電極與第四共集共基晶體管的發(fā)射極相連,所述第三共集共基晶體管的集電極與連接節(jié)點C相連,所述四共集共基晶體管的集電極與連接節(jié)點D相連,所述連接節(jié)點A與連接節(jié)點D相連,連接節(jié)點A與連接節(jié)點D之間連有第一隔直電容和第一反饋電阻,所述連接節(jié)點B與連接節(jié)點C相連,連接節(jié)點B與連接節(jié)點C之間連有第二隔直電容和第二反饋電阻,所述第三共集共基晶體管連接節(jié)點C與第四共集共基晶體管連接節(jié)點D相連。作為本實用新型的另一種改進,所述第三共集共基晶體管連接節(jié)點C與第四共集共基晶體管連接節(jié)點D之間連有保護電阻,通過保護電阻對電路起保護。本實用新型設計一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器利用新的雙反饋結構實現(xiàn)高線性度中頻可變增益,在功耗和電路復雜度不增加的情況下,可以獲得極高的線性度性能,反之,在給定指標的應用中,本專利所述電路結構可以減低系統(tǒng)功耗,因此在節(jié)能降耗的社會發(fā)展趨勢中具有十分廣闊的應用前景。
圖1為本實用新型結構框圖;圖中的構件為1-1、第一放大器;1-2、第二放大器;[0009]2-1、第一共集共基晶體管;2-3、第三共集共基晶體管;
2-2、第二共集共基晶體管;
2-4、第四共集共基晶體管;
3-2、第二隔直電容;
4-2、第二反饋電阻; 5、保護電阻;3-1、第一隔直電容4-1、第一反饋電阻4-3、第三連接電阻
具體實施方式
以下結合附圖和實施例對實用新型做詳細的說明本實用新型設計一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器利用新的雙反饋結構實現(xiàn)高線性度中頻可變增益,從而可大大提高放大器的線性度。作為本專利一種具體實施例本實用新型提供實現(xiàn)框圖如圖1所示一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器,包括放大器、共集共基晶體管、反饋電阻和隔直電容,所述放大器包括第一放大器1和第二放大器2,所述第一放大器1的正輸入端為正極輸入端,第一放大器1的負輸入端與連接節(jié)點A相連,第一放大器1的輸出端與第一共集共基晶體管2-1 的基極相連,所述第一共集共基晶體管2-1的發(fā)射極連在第三連接電阻4-3與連接節(jié)點A 之間,第一共集共基晶體管2-1的集電極與第三共集共基晶體管2-3的發(fā)射極相連,所述第二放大器2的負輸入端為負極輸入端,第二放大器2的正輸入端與連接節(jié)點B相連,第二放大器2的輸出端與第二共集共基晶體管2-2的基極相連,所述第二共集共基晶體管2-2的發(fā)射極連在第三連接電阻4-3與連接節(jié)點B之間,第二共集共基晶體管2-2的集電極與第四共集共基晶體管2-4的發(fā)射極相連,所述第三共集共基晶體管2-3的集電極與連接節(jié)點 C相連,所述四共集共基晶體管2-4的集電極與連接節(jié)點D相連,所述連接節(jié)點A與連接節(jié)點D相連,連接節(jié)點A與連接節(jié)點D之間連有第一隔直電容3-1和第一反饋電阻4-1,所述連接節(jié)點B與連接節(jié)點C相連,連接節(jié)點B與連接節(jié)點C之間連有第二隔直電容3-2和第二反饋電阻4-2,所述第三共集共基晶體管2-3連接節(jié)點C與第四共集共基晶體管2-4連接節(jié)點D相連,所述第三共集共基晶體管2-3連接節(jié)點C與第四共集共基晶體管2-4連接節(jié)點D之間連有保護電阻5,通過保護電阻5對電路起保護。在本文中提出了一種新的雙反饋結構實現(xiàn)高線性度中頻可變增益放大器,包括兩個反饋電路,由第一放大器1-1和第一共集共基晶體管2-1組成反饋環(huán)路一,由差分輸出信號經(jīng)由第一隔直電容3-1和第一反饋電阻4-1、第二隔直電容3-2和第二反饋電阻4-2分別進入節(jié)點A、B,形成反饋環(huán)路二。其中反饋環(huán)路一能將輸入信號轉換為電流輸出,由于該環(huán)路具有極高的帶寬,因此可以極大的減小輸出電流的失真,該輸出電流再經(jīng)四個共集共基晶體管在放大器的輸出端再次轉換成電壓,完成信號放大的功能;而反饋環(huán)路二則在進一步改善放大器的線性度的同時使放大器的差分輸出阻抗值穩(wěn)定為Rf,Rf為第一反饋電阻 4-1與第二反饋電阻4-2的阻值。本實用新型正是這樣利用新的雙反饋結構實現(xiàn)高線性度中頻可變增益,在功耗和電路復雜度不增加的情況下,可以獲得極高的線性度性能,由于在給定指標的應用中,本專利所述電路結構可以減低系統(tǒng)功耗,因此在節(jié)能降耗的社會發(fā)展趨勢中具有十分廣闊的應用前景。以上所述,僅是本實用新型的較佳實施例而已,并非是對本實用新型作任何其他形式的限制,而依據(jù)本實用新型的技術實質所作的任何修改或等同變化,仍屬于本實用新型所要求保護的范圍。
權利要求1.一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器,包括放大器、共集共基晶體管、反饋電阻和隔直電容,其特征在于所述放大器包括第一放大器(1)和第二放大器(2),所述第一放大器(1)的正輸入端為正極輸入端,第一放大器(1)的負輸入端與連接節(jié)點A相連,第一放大器(1)的輸出端與第一共集共基晶體管(2-1)的基極相連,所述第一共集共基晶體管(2-1) 的發(fā)射極連在第三連接電阻(4-3)與連接節(jié)點A之間,第一共集共基晶體管(2-1)的集電極與第三共集共基晶體管(2-3)的發(fā)射極相連,所述第二放大器(2)的負輸入端為負極輸入端,第二放大器(2)的正輸入端與連接節(jié)點B相連,第二放大器(2)的輸出端與第二共集共基晶體管(2-2)的基極相連,所述第二共集共基晶體管(2-2)的發(fā)射極連在第三連接電阻(4-3)與連接節(jié)點B之間,第二共集共基晶體管(2-2)的集電極與第四共集共基晶體管 (2-4)的發(fā)射極相連,所述第三共集共基晶體管(2-3)的集電極與連接節(jié)點C相連,所述四共集共基晶體管(2-4)的集電極與連接節(jié)點D相連,所述連接節(jié)點A與連接節(jié)點D相連,連接節(jié)點A與連接節(jié)點D之間連有第一隔直電容(3-1)和第一反饋電阻(4-1),所述連接節(jié)點 B與連接節(jié)點C相連,連接節(jié)點B與連接節(jié)點C之間連有第二隔直電容(3-2)和第二反饋電阻(4-2),所述第三共集共基晶體管(2-3)連接節(jié)點C與第四共集共基晶體管(2-4)連接節(jié)點D相連。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器,其特征在于所述第三共集共基晶體管(2-3)連接節(jié)點C與第四共集共基晶體管(2-4)連接節(jié)點D之間連有保護電阻(5)。
專利摘要本實用新型提供一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器,包括放大器、共集共基晶體管、反饋電阻和隔直電容。本實用新型設計一種雙環(huán)反饋高線性度可變增益放大器利用新的雙反饋結構實現(xiàn)高線性度中頻可變增益,在功耗和電路復雜度不增加的情況下,可以獲得極高的線性度性能,反之,在給定指標的應用中,本專利所述電路結構可以減低系統(tǒng)功耗,因此在節(jié)能降耗的社會發(fā)展趨勢中具有十分廣闊的應用前景。
文檔編號H03F1/32GK202309624SQ20112045094
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月15日 優(yōu)先權日2011年11月15日
發(fā)明者姜亞偉, 鄒閩中 申請人:南京國睿嘉源微電子有限公司