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      一種聲表面波濾波器的制作方法

      文檔序號:7524796閱讀:132來源:國知局
      專利名稱:一種聲表面波濾波器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及一種中頻、大帶寬、高矩形度和高帶外抑制度的移動通訊用的聲表面波濾波器,屬于聲表面波濾波技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      隨著通訊技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,對通訊基站的要求也越來越高。在低頻段,更需要一種相對帶寬較窄、抑制度較高的濾波器來對信號進(jìn)行有效地過濾,同時對帶外的信號進(jìn)行高度的抑制,保證通帶內(nèi)信號的無干擾傳送。而現(xiàn)有的濾波設(shè)備無法實現(xiàn)在通訊領(lǐng)域的中頻、 大帶寬、高矩形度和高抑制度的聲表面波濾波。
      發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種應(yīng)用于通訊領(lǐng)域的中頻、大帶寬、高矩形度和高抑制度的聲表面波濾波器。本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種聲表面波濾波器,包括基片,所述采用42度ST切型的水晶晶片,所述基片采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)設(shè)置。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明所述的聲表面波濾波器,采用42 度ST切型的水晶晶片,實現(xiàn)了產(chǎn)品頻率的零溫飄;芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計上,采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計方案,實現(xiàn)了產(chǎn)品的高抑制度。通過采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計方案和 42度ST切型的水晶晶片,實現(xiàn)了產(chǎn)品的窄帶濾波,使相對帶寬僅為3. 9%。

      圖1是本實用新型具體實施方式
      提供的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本實用新型具體實施方式
      提供的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實施方式
      本實用新型具體實施方式
      提供了一種聲表面波濾波器,如圖1和圖2所示,包括基片,所述采用42度ST切型的水晶晶片,所述基片采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)設(shè)置。具體的,芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計上,采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計方案,實現(xiàn)了產(chǎn)品的高抑制度。在材料的選取上,采用42度ST切型的水晶晶片,實現(xiàn)了產(chǎn)品頻率的零溫飄; 通過芯片結(jié)構(gòu)上的設(shè)計和材料上的選取,實現(xiàn)了產(chǎn)品的窄帶濾波,窄帶濾波的相對帶寬為 3. 9%,抑制大于45dB。制作中要解決的關(guān)鍵問題是工藝問題。聲表面波器件的制作采用的半導(dǎo)體IC器件制作工藝,但又不同于一般的IC制作,不要求多層套刻,但對指條的光刻質(zhì)量和芯片表面質(zhì)量要求比IC高。因此在聲表波器件制作過程中,鍍膜和光刻工藝都是關(guān)鍵工藝。本發(fā)明中的濾波器的頻率為10M。由于頻率較低,故在工藝生產(chǎn)過程中要求產(chǎn)品的鋁膜較厚,達(dá)
      3到了 2萬埃以上。這就對光刻工藝提出了更嚴(yán)格的要求。在實際生產(chǎn)中,我們通過增加曝光能量和延長曝光時間的方法,使產(chǎn)品能夠充分曝光。嚴(yán)格控制顯影和腐蝕的過程時間,最終研制出了合格產(chǎn)品。該產(chǎn)品的電性能指標(biāo)如下
      權(quán)利要求1.一種聲表面波濾波器,其特征在于,包括基片,所述采用42度ST切型的水晶晶片,所述基片采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)設(shè)置。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波濾波器,其特征在于,所述基片的特征頻率為 10. 6 10. 8MHz。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲表面波濾波器,其特征在于,所述聲表面波濾波器的窄帶濾波的相對帶寬為3.9%。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲表面波濾波器,其特征在于,所述聲表面波濾波器的抑制大于45dB。
      專利摘要本實用新型提供了一種聲表面波濾波器,包括基片,所述采用42度ST切型的水晶晶片,所述基片采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)設(shè)置。本實用新型所述的聲表面波濾波器,采用42度ST切型的水晶晶片,實現(xiàn)了產(chǎn)品頻率的零溫飄;芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計上,采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計方案,實現(xiàn)了產(chǎn)品的高抑制度。通過采用雙DCMA對稱結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計方案和42度ST切型的水晶晶片,實現(xiàn)了產(chǎn)品的窄帶濾波,使相對帶寬僅為3.9%。
      文檔編號H03H9/64GK202334457SQ20112048245
      公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
      發(fā)明者張敬鈞, 董啟明 申請人:北京中訊四方科技股份有限公司
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