專利名稱：降低漏電流的電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種電路結(jié)構(gòu)，特別是涉及ー種可以降低漏電流的電路。
背景技術(shù)：
漏電流是指半導(dǎo)體的PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流，即指沒信號狀態(tài)或待機狀態(tài)下的電流。漏電流的大小直接決定了該產(chǎn)品的待機時間，當(dāng)漏電流越大，產(chǎn)品的待機時間越短，當(dāng)漏電流越小，產(chǎn)品的待機時間越長。因此需要設(shè)計ー種電路來降低漏電流，從而能夠延長產(chǎn)品的待機時間。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種降低漏電流的電路，可以降低待機電流。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種降低漏電流的電路，包括第一金氧半場效應(yīng)管和第二金氧半場效應(yīng)管，所述第一金氧半場效應(yīng)管的柵極與第二金氧半場效應(yīng)管的漏極相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管和第二金氧半場效應(yīng)管的源極均接地；所述第一金氧半場效應(yīng)管的漏極通過第一電阻與供電端相連；所述第二金氧半場效應(yīng)管的漏極通過第二電阻與供電端相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管的漏極還與后端電路的開關(guān)控制端相連。所述的第一金氧半場效應(yīng)管和第二金氧半場效應(yīng)管均為N溝道的金氧半場效應(yīng)管。所述第一電阻的阻值為O. 95ΜΩ-1. 05ΜΩ。所述第二電阻的阻值為O. 95ΜΩ-1. 05ΜΩ。 有益效果由于采用了上述的技術(shù)方案，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點和積極效果本實用新型通過場效應(yīng)管的輸入阻抗和關(guān)斷阻抗都很大的特性，同時選用比較大的外部電阻，在供電電壓不變的情況下，使得2個場效應(yīng)管上的關(guān)斷電流和導(dǎo)通電流都顯著減少，從而達到大幅降低待機電流和該電路上的工作電流。

圖I是本實用新型的電路圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例，進ー步闡述本實用新型。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。[0012]本實用新型的實施方式涉及ー種降低漏電流的電路，如圖I所示，包括第一金氧半場效應(yīng)管Ul和第二金氧半場效應(yīng)管U2，所述第一金氧半場效應(yīng)管Ul的柵極與第二場金氧半效應(yīng)管U2的漏極相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管Ul和第二金氧半場效應(yīng)管U2的源極均接地；所述第一金氧半場效應(yīng)管Ul的漏極通過第一電阻Rl與供電端相連；所述第二金氧半場效應(yīng)管U2的漏極通過第二電阻R2與供電端相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管Ul的漏極還與后端電路的開關(guān)控制端相連。圖I中的第一金氧半場效應(yīng)管Ul和第二金氧半場效應(yīng)管U2均為N溝道的金氧半場效應(yīng)管。第一電阻Rl的阻值范圍在O. 95ΜΩ-1.05ΜΩ ;第ニ電阻R2的阻值范圍在O. 95ΜΩ-1.05ΜΩ。本實用新型通過選用金氧半場效應(yīng)管開關(guān)管器件以及合適的外部電阻，可以將待機電流降低至20uA左右(具體數(shù)值和選用的器件有關(guān))，也可以大幅減低該電路上的工作電流。由于N溝道的金氧半場效應(yīng)管的輸入阻抗和關(guān)斷阻抗都很大，利用這個特性，可以選用比較大的外部電阻，在電壓供電不變的情況下，在兩個金氧半場效應(yīng)管上的關(guān)斷電流和導(dǎo)通電流都顯著減少，從而達到大幅降低待機電流和該電路上的工作電流。
權(quán)利要求1.一種降低漏電流的電路，包括第一金氧半場效應(yīng)管(UI)和第二金氧半場效應(yīng)管(U2)，其特征在于，所述第一金氧半場效應(yīng)管(Ul)的柵極與第二金氧半場效應(yīng)管(U2)的漏極相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管(Ul)和第二金氧半場效應(yīng)管(U2)的源極均接地；所述第一金氧半場效應(yīng)管(Ul)的漏極通過第一電阻(Rl)與供電端相連；所述第二金氧半場效應(yīng)管(U2)的漏極通過第二電阻(R2)與供電端相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管(Ul)的漏極還與后端電路的開關(guān)控制端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的降低漏電流的電路，其特征在于，所述的第一金氧半場效應(yīng)管(Ul)和第二金氧半場效應(yīng)管(U2)均為N溝道的金氧半場效應(yīng)管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的降低漏電流的電路，其特征在于，所述第一電阻(Rl)的阻值為 O. 95ΜΩ-1. 05ΜΩ。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的降低漏電流的電路，其特征在于，所述第二電阻(R2)的阻值為 O. 95ΜΩ-1. 05ΜΩ。
專利摘要本實用新型涉及一種降低漏電流的電路，包括第一金氧半場效應(yīng)管和第二金氧半場效應(yīng)管，所述第一金氧半場效應(yīng)管的柵極與第二金氧半場效應(yīng)管的漏極相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管和第二金氧半場效應(yīng)管的源極均接地；所述第一金氧半場效應(yīng)管的漏極通過第一電阻與供電端相連；所述第二金氧半場效應(yīng)管的漏極通過第二電阻與供電端相連；所述第一金氧半場效應(yīng)管的漏極還與后端電路的開關(guān)控制端相連。本實用新型可以大幅降低待機電流和該電路上的工作電流。
文檔編號H03K17/687GK202395734SQ20112054141
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月21日
發(fā)明者張瑜, 謝小毛 申請人:上海博泰悅臻電子設(shè)備制造有限公司