專利名稱：電子器件封裝體用密封部件、電子器件封裝體、以及電子器件封裝體用密封部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子器件封裝體用密封部件、采用了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體、以及該電子器件封裝體用密封部件的制造方法，其中，該電子器件封裝體用密封部件被用作為，電子器件元件的電極被面對面配置的第一密封部件和第二密封部件密封的電子器件封裝體的第一密封部件。
背景技術(shù)：
電子器件封裝體的內(nèi)部空間實(shí)施氣密密封，以防止該內(nèi)部空間中裝載的電子器件元件的電極的特性劣化。作為這種內(nèi)部空間實(shí)施了氣密密封的電子器件封裝體，例如有晶·體諧振器等壓電振動(dòng)裝置。作為這種電子器件封裝體，存在由底座和蓋這兩個(gè)密封部件組成、且殼體為長方體構(gòu)造的封裝體。在這樣的封裝體的內(nèi)部空間中，壓電振動(dòng)片等電子器件元件被接合保持在底座上。并且，通過底座與蓋之間的接合，封裝體內(nèi)部空間的電子器件元件的電極被氣密密封(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。在專利文獻(xiàn)I中所示的晶體諧振器封裝體(即，電子器件封裝體)的底座上，設(shè)有貫穿該底座的基材的通孔。并且，底座的兩個(gè)主面上設(shè)置的電極之間通過該通孔而電連接。上述在底座上開設(shè)的通孔中填充有導(dǎo)電構(gòu)件，該導(dǎo)電構(gòu)件與在底座的兩個(gè)主面上設(shè)置的電極相連接，從而使兩個(gè)主面上設(shè)置的電極之間導(dǎo)通，并保持了封裝體的內(nèi)部空間的氣密性。在此，作為導(dǎo)電構(gòu)件，專利文獻(xiàn)I中公開了銀漿以及嵌合于通孔的金屬構(gòu)件。然而，近年來，對壓電振動(dòng)裝置等電子器件封裝體要求小型化，隨之，上述那樣的底座等的密封部件上開設(shè)的通孔也趨向于微小化。但是，如專利文獻(xiàn)I中公開的銀漿那樣的導(dǎo)電漿料一般具有較高的粘性，所以難于填充微小的通孔。另外，在將金屬構(gòu)件作為導(dǎo)電構(gòu)件來填充微小的通孔的情況下，難于制造能與微小的通孔緊密接合的微小金屬構(gòu)件。為此，用導(dǎo)電漿料或金屬構(gòu)件來填充微小的通孔時(shí)，會發(fā)生填充不良的情況。由于這樣的填充不良，通孔不能被完全封住，其結(jié)果，封裝體的內(nèi)部空間的氣密性降低。專利文獻(xiàn)I日本特開2002-124845號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于，提供一種作為電子器件封裝體的密封部件使用則能使該電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性的、電子器件封裝體用密封部件。另外，本發(fā)明的另一個(gè)目的在于，提供一種能充分保持封裝體內(nèi)部的氣密性的電子器件封裝體。另外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種電子器件封裝體用密封部件的制造方法，所制造的電子器件封裝體用密封部件作為電子器件封裝體的密封部件使用則能使該電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件被用作為，用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件，其特征在于，該電子器件封裝體用密封部件包括貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔；在所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上形成的內(nèi)部電極；在所述基材的、與所述相向面相反的面上形成的外部電極；以及在所述通孔的內(nèi)側(cè)面上形成的、使所述內(nèi)部電極與所述外部電極電連接的貫通電極，所述通孔的至少一側(cè)的開口面被樹脂材料密封?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，通過沿著通孔的內(nèi)側(cè)面形成的貫通電極，內(nèi)部電極與外部電極之間能實(shí)現(xiàn)電連接，且該通孔中的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定。另外，通孔的至少一側(cè)的開口面被樹脂材料密封，所以能夠使采用了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性。另外，本發(fā)明中所說的在該電子器件封裝體用密封部件的基材上形成電極(內(nèi)部電極、外部電極以及貫通電極)是指，除了在基材表面上直接形成電極之外，還包括在基材表面上隔著某種物質(zhì)形成電極這樣的廣義概念。 另外，也可以是，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述樹脂材料具有感光性，所述通孔的至少一側(cè)的開口面被配置于該開口面的所述樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖樣密封?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，通孔的至少一側(cè)的開口面能被配置在該開口面上的具有感光性的樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖樣切實(shí)地密封。這樣的樹脂圖樣例如可以采用使用具有感光性的樹脂材料的光刻(Photolithography)法等來簡單且高精度地形成，以使設(shè)置了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性。另外，也可以是，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述通孔的內(nèi)部填充有樹脂材料?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，通孔能夠被填充在該通孔中的樹脂材料切實(shí)地密封，因而，能夠確保采用了該電子器件封裝體用密封部件的電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性。另外，也可以是，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述內(nèi)部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋。基于上述結(jié)構(gòu)，內(nèi)部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋，所以在被樹脂材料覆蓋部分的內(nèi)部電極的電極表面是由Cu等易氧化金屬構(gòu)成的情況下，能夠防止電極表面的氧化。另外，也可以是，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述外部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，外部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋，所以在被樹脂材料覆蓋部分的外部電極的電極表面是由Cu等易氧化金屬構(gòu)成的情況下，能夠防止電極表面的氧化。另外，也可以是，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，所述基材與所述內(nèi)部電極之間、所述基材與所述外部電極之間、所述基材與所述貫通電極之間，分別設(shè)置有樹脂材料?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，該電子器件封裝體用密封部件的基材與內(nèi)部電極、外部電極、貫通電極之間分別設(shè)置有樹脂材料，所以構(gòu)成內(nèi)部電極、外部電極、以及貫通電極的各個(gè)金屬與該電子器件封裝體用密封部件的基材之間不會發(fā)生反應(yīng)，因而不會出現(xiàn)因與構(gòu)成內(nèi)部電極、外部電極、以及貫通電極的各個(gè)金屬發(fā)生反應(yīng)而導(dǎo)致該電子器件封裝體用密封部件的基材劣化的情況。另外，也可以是，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件中，在所述內(nèi)部電極和所述外部電極的至少一方之上，隔著樹脂材料形成有其它的電極?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，在該電子器件封裝體用密封部件的厚度方向上能夠有多個(gè)布線圖樣(pattern)。另外，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體是用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的電子器件封裝體，其特征在于，所述第一密封部件是上述本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件。 基于上述結(jié)構(gòu)，由于采用上述本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件作為第一密封部件，所以通過該電子器件封裝體用密封部件，能夠充分保持封裝體內(nèi)部的氣密性。并且，在該電子器件封裝體用密封部件上開設(shè)的通孔中，能確保穩(wěn)定的導(dǎo)通狀態(tài)。另外，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件的制造方法用于制造一種電子器件封裝體用密封部件，該電子器件封裝體用密封部件被用作為，用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件，其特征在于，該制造方法包括通孔形成工序，形成貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔；電極形成工序，形成內(nèi)部電極、外部電極以及貫通電極，其中，所述內(nèi)部電極位于所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上，所述外部電極位于與所述相向面相反的面上，所述貫通電極沿所述通孔的內(nèi)側(cè)面配置；以及封孔工序，用樹脂材料密封所述通孔的至少一側(cè)的開口面?；谠撝圃旆椒ǎ捎谠陔姌O形成工序中，形成沿著通孔的內(nèi)側(cè)面配置的貫通電極，所以通過該貫通電極，能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)部電極與外部電極之間的電連接，并且，能夠制造通孔內(nèi)部的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定的電子器件封裝體用密封部件。另外，由于有用樹脂材料密封通孔的至少一側(cè)的開口面的封孔工序，所以能夠制造出在被用作電子器件封裝體的第一密封部件時(shí)，能使電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性的電子器件封裝體用密封部件。另外，也可以是，在本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體用密封部件的制造方法中，所述封孔工序包括圖樣形成工序，用于利用使用具有感光性的所述樹脂材料的光刻法，來進(jìn)行用于密封所述通孔的至少一側(cè)的開口面的樹脂圖樣的圖樣形成。基于該制造方法，能夠利用使用具有感光性的樹脂材料的光刻法，簡單且高精度地形成樹脂圖樣，其結(jié)果，能夠用樹脂圖樣切實(shí)地密封通孔的至少一側(cè)的開口面。發(fā)明的效果基于本發(fā)明的電子器件封裝體用密封部件，能夠提供一種在被用作為電子器件封裝體的密封部件時(shí)，能使該電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性的電子器件封裝體用密封部件。另外，基于本發(fā)明的電子器件封裝體，能夠提供一種能充分確保封裝體內(nèi)部的氣密性的電子器件封裝體。另外，基于本發(fā)明的電子器件封裝體用密封部件的制造方法，能夠制造出一種被用作為電子器件封裝體的密封部件時(shí)，能使該電子器件封裝體的內(nèi)部具有充分的氣密性的
電子器件封裝體用密封部件。


圖I是示出實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器的內(nèi)部空間的示意剖視圖。圖2A是實(shí)施方式一所涉及的底座的示意俯視圖。圖2B是實(shí)施方式一所涉及的底座的示意剖視圖。圖2C是實(shí)施方式一所涉及的底座的示意仰視圖。圖3A是實(shí)施方式一所涉及的蓋的示意剖視圖。圖3B是實(shí)施方式一所涉及的蓋的示意仰視圖。圖4是實(shí)施方式一所涉及的水晶振動(dòng)片的示意仰視圖。圖5A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。
圖5B是圖5A所示的晶片的示意剖視圖。圖6A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖6B是圖6A所示的晶片的示意剖視圖。圖7A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖7B是圖7A所示的晶片的示意剖視圖。圖8A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖8B是圖8A所示的晶片的示意剖視圖。圖9A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖9B是圖9A所示的晶片的示意剖視圖。圖IOA是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖IOB是圖IOA所示的晶片的示意剖視圖。圖IlA是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖IlB是圖IlA所示的晶片的示意剖視圖。圖12A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖12B是圖12A所示的晶片的示意剖視圖。圖13A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖13B是圖13A所示的晶片的示意剖視圖。圖14A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖14B是圖14A所示的晶片的示意剖視圖。圖15A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖15B是圖15A所示的晶片的示意剖視圖。圖16A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖16B是圖16A所示的晶片的示意剖視圖。圖17A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖17B是圖17A所示的晶片的示意剖視圖。圖18A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖18B是圖18A所示的晶片的示意剖視圖。圖19A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖19B是圖19A所示的晶片的示意剖視圖。圖20A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖20B是圖20A所示的晶片的示意剖視圖。圖21A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖21B是圖21A所示的晶片的示意剖視圖。圖22A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖22B是圖22k所示的晶片的示意剖視圖。圖23A是表不實(shí)施方式一所涉及的底座的制造工序中的一個(gè)工序的晶片的局部不意俯視圖。圖23B是圖23A所示的晶片的示意剖視圖。圖24A是實(shí)施方式二所涉及的底座的示意俯視圖。圖24B是實(shí)施方式二所涉及的底座的示意剖視圖。圖24C是實(shí)施方式二所涉及的底座的示意仰視圖。圖25A是實(shí)施方式三所涉及的底座的示意俯視圖。圖25B是實(shí)施方式三所涉及的底座的示意剖視圖。圖25C是實(shí)施方式三所涉及的底座的示意仰視圖。圖26A是實(shí)施方式四所涉及的底座的示意俯視圖。圖26B是實(shí)施方式四所涉及的底座的示意剖視圖。圖26C是實(shí)施方式四所涉及的底座的示意仰視圖。圖27是示出實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器的內(nèi)部空間的示意側(cè)視圖。
圖28A是實(shí)施方式五所涉及的底座的不意俯視圖。圖28B是實(shí)施方式五所涉及的底座的示意仰視圖。圖29A是實(shí)施方式TK所涉及的底座的不意俯視圖。圖29B是實(shí)施方式六所涉及的底座的示意剖視圖。圖29C是實(shí)施方式六所涉及的底座的示意仰視圖。<附圖標(biāo)記說明>
I晶體諧振器
1I內(nèi)部空間
2水晶振動(dòng)片 2 I 基板
2 2,23 主面24短邊的中間部分
2 6振動(dòng)部
27接合部
3I、3 2 激發(fā)電極
33 , 3 4 端電極
35 , 3 6 引出電極4底座(作為第一密封部件的電子器件封裝體用密封部件)
4 I底部
4 11、4 12 基座部 4 2主面(相向面)
4 3主面
4 4壁部
4 5 , 4 5 A第I接合層 4 5 1、4 5 3 濺射薄膜 4 5 2、4 5 4 鍍膜 4 6腔部 4 6 1底面
4 7 , 4 8 雉堞墻
47A、47B、48A、4 8 B 雉堞墻
49通孔
49 I內(nèi)側(cè)面
49 2、4 9 3 開口面
51,52 電極墊
5 3 , 5 4 外部端電極
53 A、53 B、54 A、5 4 B 外部端電極
55內(nèi)部電極
5 6外部電極
5 6 I 濺射薄膜
56 2 鍍膜
56 3 第二鍍膜
57貫通電極
58樹脂圖樣
59樹脂材料
6蓋(第二密封部件)
6I第二接合層611M ο 膜
6I 2Au膜
7I接合材料
711An / S η膜
712Au膜
8晶片
81、8 2 主面
9I保護(hù)層9 2金屬層9 3電鍍層
9 4正光阻層
9 5樹脂層
1O晶體振蕩器(電子器件封裝體)
2OIC芯片(電子器件元件)
4O I基座部
5O I第一布線圖樣
50 2第二布線圖樣
5O 3第三布線圖樣 9 0 6、9 O 7 導(dǎo)電凸點(diǎn)
L I短邊方向上的邊L 2、L 3 長邊方向上的邊
具體實(shí)施例方式以下，結(jié)合附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式一至六進(jìn)行說明。在以下所示的實(shí)施方式一至四、及六中，示出將本發(fā)明的電子器件封裝體用作壓電振動(dòng)裝置即晶體諧振器的封裝體，并采用壓電振動(dòng)片即AT截面晶體振動(dòng)片作為電子器件元件的情況。另外，在實(shí)施方式五中，示出將本發(fā)明的電子器件封裝體用作壓電振動(dòng)裝置即晶體振蕩器的封裝體，并采用壓電振動(dòng)片即AT截面晶體振動(dòng)片、及IC芯片作為電子器件元件的情況?！磳?shí)施方式一〉圖I是示出實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器的內(nèi)部空間的示意剖視圖。另外，圖2Α 圖2C是表示實(shí)施方式一所涉及的底座的概要結(jié)構(gòu)的示意圖。其中，圖2Α是示意俯視圖；圖2Β是表示沿圖2Α中的虛線切斷底座之后的斷面狀態(tài)的示意剖視圖；圖2C是示意仰視圖。另外，圖3Α及圖3Β是表示實(shí)施方式一所涉及的蓋的概要結(jié)構(gòu)的示意圖。其中，圖3A是不意首I]視圖；圖3B是不意仰視圖。另外，圖4是實(shí)施方式一所涉及的水晶振動(dòng)片的不意仰視圖。如圖I所示，在實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I中，設(shè)置有水晶振動(dòng)片2(本發(fā)明所說的電子器件元件)、底座4(本發(fā)明所說的作為第一密封部件的電子器件封裝體用密封部件)、及蓋6 (本發(fā)明所說的第二密封部件)，其中，水晶振動(dòng)片2由AT截面晶體構(gòu)成；底座4用于保持該水晶振動(dòng)片2，并對水晶振動(dòng)片2進(jìn)行氣密密封；蓋6用于對相向于底座4配置并由底座4保持的水晶振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32(本發(fā)明所說的電子器件元件的電極)進(jìn)行氣密密封。在晶體諧振器I中，底座4與蓋6構(gòu)成封裝體(本發(fā)明所說的電子器件封裝體)，底座4與蓋6通過Au與Sn的合金所構(gòu)成的接合材料71而接合在一起,并形成被氣密密封的內(nèi)部空間11。該內(nèi)部空間11中，水晶振動(dòng)片2采用使用金凸點(diǎn)等導(dǎo)電凸點(diǎn)(未圖示)的FCB法(Flip Chip Bonding，倒裝芯片安裝)，通過超聲波接合而機(jī)電性地接合在底座4上。另外，底座4與水晶振動(dòng)片2之間也可以通過導(dǎo)電性樹脂接合材料而接合在一起。 下面，對該晶體諧振器I的各構(gòu)成進(jìn)行說明。底座4由硼硅酸鹽玻璃等玻璃材料構(gòu)成。如圖I及圖2A 圖2C所示那樣，底座4被形成為由底部41和壁部44構(gòu)成的箱狀體，壁部44沿著底座4的一主面42的外周從底部41向上方延出。底座4是通過用光刻法對長方體實(shí)心板進(jìn)行蝕刻而成形的。底座4的壁部44的頂面是與蓋6接合的接合面，該接合面上設(shè)置有用于與蓋6接合的第I接合層45。如圖2B所示那樣，第I接合層45由在濺射薄膜451上形成了鍍膜452的多層疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。濺射薄膜451是通過在用濺射法濺射形成的、Mo構(gòu)成的Mo膜上，用濺射法濺射形成Au構(gòu)成的Au膜而得到的。另外，鍍膜452是通過在濺射薄膜451上施鍍形成Au構(gòu)成的Au膜而得到的。在底座4上形成有，由底部41和壁部44圍成的腔部46。該腔部46被形成為，如圖I所示那樣，俯視時(shí)呈矩形，腔部46的壁面呈錐形。但在實(shí)施方式一中，腔部46被形成為俯視時(shí)呈長方形。另外，兩個(gè)基座部411、412在腔部46的短邊方向上相對應(yīng)地設(shè)置在腔部46的底面461上。這兩個(gè)基座部411、412被設(shè)置為，分別與腔部46的底面461的短邊方向上的邊LI相接，并與鄰接該短邊方向上的邊LI的、底面461的長邊方向上的邊L2、L3相接。另外，在底座4的、俯視時(shí)呈長方形的殼體的背面(另一主面43)上，形成有兩個(gè)雉堞墻(castellati0n)47、48(參照圖I、圖2B及圖2C)。雉堞墻47被形成于殼體側(cè)面，并且是沿著另一主面43的短邊方向上的一個(gè)側(cè)邊的整體及與該一側(cè)邊相鄰的另一主面43的長邊方向上的兩個(gè)側(cè)邊的一部分而形成。雉堞墻48被形成于殼體側(cè)面，并且是沿著另一主面43的短邊方向上的另一側(cè)邊的整體及與該另一側(cè)邊相鄰的另一主面43的長邊方向上的兩個(gè)側(cè)邊的一部分而形成的。另外，在實(shí)施方式一中，兩個(gè)雉堞墻47、48被形成為，壁面相對于底座4的另一主面43而傾斜。另外，如圖I及圖2A 圖2C所示那樣，在底座4上形成有貫穿底座4的基材的通孔49。該通孔49的內(nèi)側(cè)面491被形成為，相對于底座4的一主面42以及另一主面43而傾斜的維形。通孔49的直徑在底座4的另一主面43側(cè)的端部為最大；在底座4的一主面42側(cè)的端部為最小。
另外，在底座4的基材上形成有分別與水晶振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32進(jìn)行機(jī)電接合的一對電極墊51、52 ;與外部部件、外部器件電連接的外部端電極53、54 ;以及使電極墊51與外部端電極53及電極墊52與外部端電極54電連接的布線圖樣(圖示省略)。通過這些電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣而構(gòu)成底座4的電極55、56、57。電極墊51、52形成在基座部411、412的表面；外部端電極53、54形成在雉堞墻47、48上。布線圖樣被形成為，經(jīng)由通孔49的內(nèi)側(cè)面491，從底座4的一主面42的電極墊51、52延伸至另一主面43的外部端電極53、54。另外，在底座4的基材上形成的電極55、56、57中，將底座4的基材的一主面42 (通孔49的開口面492除外)上形成的電極55稱為內(nèi)部電極(以下，在有必要與其它的電極56、57區(qū)別時(shí)，記載為內(nèi)部電極55);將底座4的基材的另一主面43 (通孔49的開口面493除外)上形成的電極56稱為外部電極(以下，在有必要與其它的電極55、57區(qū)別時(shí)，記載為外部電極56);將被形成為從通孔49的內(nèi)側(cè)面491延伸至通孔49的開口面492、493的電極57稱為貫通電極(以下，在有必要與其它的電極55、56區(qū)別時(shí)，記載為貫通電極57)。換言之，在本實(shí)施方式一中，貫通電極57被形成在通孔49的內(nèi)側(cè)面491的整體、以及貫通 孔49的開口面492和493的周邊部。包括電極墊51、52在內(nèi)的內(nèi)部電極55、包括外部端電極53、54在內(nèi)的外部電極56、以及貫通電極57由與第I接合層45相同的材料構(gòu)成，并與第I接合層45同時(shí)被形成。另外，在底座4的一主面42上的腔部46的底面461的一半以上部分的區(qū)域，全都配置有樹脂圖樣58 (樹脂材料)，通過樹脂圖樣58，位于底座4的一主面42側(cè)的開口面 492被密封，并且，除電極墊51、52之外的內(nèi)部電極55的一部分表面被樹脂覆蓋。在此，作為構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料，可以采用任何與構(gòu)成底座4的材料(例如，玻璃材料)之間有良好的附著性的樹脂材料，可以適當(dāng)使用苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、或氟系樹脂構(gòu)成的樹脂材料。另外，在實(shí)施方式一中，用光刻法將樹脂圖樣58形成在腔部46的底面461上，作為構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料，可以采用具有感光性的樹脂材料。另外，本發(fā)明所說的具有感光性的樹脂材料是指，除了由具有感光性的樹脂構(gòu)成的樹脂材料之外，還包括含有光增敏劑和樹脂的感光性樹脂組合物這樣的廣義概念。如圖I、圖3A及圖3B所示，蓋6由硼硅酸鹽玻璃等玻璃材料構(gòu)成，并被形成為長方體實(shí)心板。在該蓋6上，沿著內(nèi)面的外周形成有第二接合層61。如圖3A所示，蓋6的第二接合層61是由在形成了由Mo構(gòu)成的Mo膜611上形成由Au構(gòu)成的Au膜612而得到的多層疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的。Mo膜611是通過濺射法而濺射形成的。Au膜612是通過濺射法而濺射形成的。另外，在蓋6的第二接合層61上，在與底座4接合之前，如圖3A及圖3B所示那樣疊層著接合材料71。接合材料71由在第二接合層61上疊層的Au/Sn膜711、和在八11/511膜711上疊層而形成的Au膜712構(gòu)成。在此，Au/Sn膜711由在第二接合層61上疊層并施鍍而形成的Au膜、和在該Au膜上施鍍而形成的Sn膜構(gòu)成。Au膜712由在Au/Sn膜711上疊層并施鍍而形成的Au觸擊電鍍膜i、和在Au觸擊電鍍膜上疊層并施鍍而形成的Au鍍膜構(gòu)成。在這樣的接合材料71中,Au/Sn膜711通過加熱而融化成為AuSn合金膜。另外，也可以通過在蓋6的第二接合層61上鍍AuSn合金來構(gòu)成接合材料71。水晶振動(dòng)片2由AT截面晶體片的基板21構(gòu)成，其外形如圖I及圖4所示那樣，是兩主面22、23被形成為大致矩形的長方體實(shí)心板。該水晶振動(dòng)片2上設(shè)置有構(gòu)成振動(dòng)區(qū)域的振動(dòng)部26、以及與底座4的電極墊51、52相接合的接合部27。振動(dòng)部26與接合部27形成為一體而構(gòu)成基板21。另外，在接合部27中，基板21的俯視圖中的短邊的中間部分24被切出。該水晶振動(dòng)片2上形成有進(jìn)行激發(fā)的一對激發(fā)電極31、32 ;與底座4的電極墊51、52機(jī)電接合的一對端電極33、34 ;將一對激發(fā)電極31、32引到一對端電極33、34的引出電極35、36。一對激發(fā)電極31、32通過引出電極35、36引接而分別與一對端電極33、34電連接。一對激發(fā)電極31、32背對背地形成在基板21的兩個(gè)主面22、23即振動(dòng)部26的中央(俯視圖的中央)。這一對激發(fā)電極31、32例如由從基板21側(cè)開始按Cr、Au的順序疊層而形成的Cr-Au膜構(gòu)成。 一對端電極33、34形成在接合部27的另一主面23上。一對端電極33、34中的一個(gè)端電極33被形成在,基板21的長邊方向上的一側(cè)邊的一端部附近；另一端電極34被形成在，基板21的長邊方向上的另一側(cè)邊的一端部附近。這一對端電極33、34例如與激發(fā)電極31、32 —樣，由從基板21側(cè)開始按Cr、Au的順序疊層而形成的Cr-Au膜構(gòu)成。另外,一對端電極33、34如圖4所示那樣，具有由上層和下層組成的二層結(jié)構(gòu)，上層由Au構(gòu)成；下層由Cr-Au構(gòu)成。下層的主面(俯視時(shí)的面)的面積比上層的主面(俯視時(shí)的面)的面積大。引出電極35、36被形成在振動(dòng)部26和接合部27上，即，從振動(dòng)部26跨越到接合部27，且相互非對應(yīng)地被形成在基板21的兩個(gè)主面22、23上。該引出電極35、36例如與激發(fā)電極31、32 —樣，由從基板21側(cè)開始按Cr、Au的順序疊層而形成的Cr-Au膜構(gòu)成。在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶體諧振器I中，如圖I所示那樣，底座4與水晶振動(dòng)片2之間通過導(dǎo)電凸點(diǎn)(未圖示)，利用FCB法實(shí)現(xiàn)了機(jī)電上的超聲波接合。通過該接合，水晶振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32經(jīng)由引出電極35、36、端電極33、34以及導(dǎo)電凸點(diǎn)而與底座4的電極墊51、52機(jī)電接合，從而在底座4上裝載水晶振動(dòng)片2。然后，在裝載了水晶振動(dòng)片2的底座4上，用FCB法暫時(shí)將蓋6接合，其后，通過在氮?dú)夥諊录訜?，接合材?1、第I接合層45及第二接合層61融化，使得底座4的第I接合層45通過接合材料71而與蓋6的第二接合層61接合，從而制造出將水晶振動(dòng)片2氣密密封的晶體諧振器I。作為導(dǎo)電凸點(diǎn)，可采用為非流動(dòng)性構(gòu)件的電鍍凸點(diǎn)(plating bump)。下面，結(jié)合圖5A 圖23B，對該晶體諧振器I及底座4的制造方法進(jìn)行說明。其中，在圖5A 圖23B的各圖中，附圖的圖號中含有A的圖(以下，稱為A圖)是底座4的制造工序中的一個(gè)工序中的晶片的局部示意俯視圖，附圖的圖號中含有B的圖是表示將A圖所示的晶片沿A圖中的虛線切斷后的斷面的狀態(tài)的示意剖視圖。首先，對形成多個(gè)底座4的玻璃材料所構(gòu)成的晶片8的兩個(gè)主面進(jìn)行清洗(參照圖5A及圖5B)。晶片8的清洗完畢之后，如圖6A及圖6B所示那樣，在其兩個(gè)主面81、82上形成保護(hù)層91。具體而言，在晶片8的兩個(gè)主面81、82上用濺射法濺射形成由Mo構(gòu)成的Mo層之后，在Mo層上用濺射法濺射形成Au層，從而形成由Mo層和Au層構(gòu)成的保護(hù)層91。在晶片8的兩個(gè)主面81、82上形成了保護(hù)層91之后，如圖7A及圖7B所示那樣，用旋涂法在保護(hù)層91上涂布光阻劑(resist)，以形成正光阻層94。然后，在保護(hù)層91上形成了正光阻層94之后，對形成圖2A 圖2C所示的底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的正光阻層94進(jìn)行曝光及顯影。接著，對通過曝光及顯影而露出的、形成底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的保護(hù)層91進(jìn)行蝕刻。對形成底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的保護(hù)層91進(jìn)行了蝕刻之后，用旋涂法在晶片8上涂布光阻劑，以形成新的正光阻層94。
在形成了新的正光阻層94之后，對形成底座4的外形、腔部46的底面(包含形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的正光阻層94進(jìn)行曝光及顯影，從而如圖8A及圖SB所示那樣，使形成底座的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的部分的晶片8露出，并使形成基座部411、412的位置上的保護(hù)層91露出。然后，如圖9A及圖9B所示那樣，將保護(hù)層91及正光阻層94作為防護(hù)罩(mask)，采用使用蝕刻液的濕蝕刻法，進(jìn)行蝕刻而形成底座4的外形的一部分、腔部46的一部分、及通孔49的一部分(內(nèi)側(cè)面491的一部分)。晶片8的蝕刻完畢之后，如圖IOA及圖IOB所示那樣，對形成基座部411、412的位置上存在(露出)的保護(hù)層91進(jìn)行金屬蝕刻。對形成基座部411、412的位置上存在的保護(hù)層91進(jìn)行了金屬蝕刻之后，如圖IlA及圖IlB所示那樣，將保護(hù)層91及正光阻層94作為防護(hù)罩，采用使用蝕刻液的濕蝕刻法，進(jìn)行蝕刻而形成底座4的外形的整體、腔部46的整體(包含基座部411、412)、及通孔49的整體(內(nèi)側(cè)面491的整體)。晶片8的蝕刻完畢之后，如圖12A及圖12B所示那樣，將正光阻層94剝離去除。將正光阻層94剝離去除之后，如圖13A及圖13B所示那樣，對露出的保護(hù)層91進(jìn)行金屬蝕刻，以將其去除，使晶片8的兩個(gè)主面81、82全部露出。對保護(hù)層91進(jìn)行了金屬蝕刻之后，如圖14A及圖14B所示那樣，在晶片8(兩主面81、82及通孔49的內(nèi)側(cè)面491)上形成金屬層92。具體而言，用濺射法在晶片8 (兩主面81、82以及通孔49的內(nèi)側(cè)面491)上濺射形成由Mo構(gòu)成的Mo層之后，用濺射法在Mo層上濺射形成并疊層由Au構(gòu)成的Au層，從而形成由Mo層和Au層構(gòu)成的金屬層92。在此形成的金屬層92便成為構(gòu)成第I接合層45的濺射薄膜451 (參照圖2B)。在晶片8的兩個(gè)主面81、82上形成了金屬層92之后，用浸潰涂布法在金屬層92上涂布光阻劑，以形成新的正光阻層94。在金屬層92上形成了正光阻層94之后，對形成底座4的第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置上的正光阻層94進(jìn)行曝光及顯影，從而如圖15A及圖15B所示那樣，使形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置上的金屬層92露出。然后，如圖16A及圖16B所示那樣，在通過曝光及顯影而露出的金屬層92上鍍Au而形成電鍍層93,并形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的外層膜。在此形成的電鍍層93便成為第I接合層45的鍍膜452(參照圖2B)。在形成了第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣之后，如圖17A及圖17B所示那樣，將正光阻層94剝離去除。然后，如圖18A及圖18B所示那樣，用浸潰涂布法在晶片8上涂布光阻劑，以形成新的正光阻層94。在晶片8上形成了正光阻層94之后，為了形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣，而對形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置以外的晶片8上的正光阻層94進(jìn)行曝光及顯影，從而如圖19A及圖19B所示那樣，使形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣的位置以外的金
屬層92露出。然后，如圖20A及圖20B所示那樣，對通過曝光及顯影而露出的金屬層92進(jìn)行金屬蝕刻，以將其去除，便形成第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣。形成了第I接合層45、電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣之后，如圖2IA 及圖21B所示那樣，將正光阻層94剝離去除。從晶片8上剝離去除了正光阻層94之后，如圖22A及圖22B所示那樣，用浸潰涂布法或噴涂法在晶片8的兩個(gè)主面81、82及通孔49的開口面492、493上涂布具有感光性的樹脂材料，以形成樹脂層95。在晶片8上形成了樹脂層95之后，如圖23A及圖23B所示那樣，對形成樹脂圖樣58的位置以外的位置上的樹脂層95進(jìn)行曝光及顯影，以形成樹脂圖樣58。通過該樹脂圖樣58，晶片8的一主面81側(cè)存在的通孔49的開口面492被樹脂密封，并且，在晶片8的一主面81上形成的布線圖樣(內(nèi)部電極55的一部分)的表面被覆蓋。在形成了樹脂圖樣58之后，將在晶片8上大量形成的底座4 一個(gè)一個(gè)地分割成單片，從而制造出多個(gè)圖2A 圖2C所示的底座4。在圖2A 圖2C所示的底座4上，放置圖4所示的水晶振動(dòng)片2，用FCB法通過導(dǎo)電凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)水晶振動(dòng)片2與底座4之間的機(jī)電上的超聲波接合，從而在底座4上裝載固定水晶振動(dòng)片2。另外，在別的工序中，在蓋6的第二接合層61上進(jìn)行接合材料71的疊層(參照圖3A及圖3B)。其后，通過FCB法，將蓋6暫時(shí)接合在裝載固定了水晶振動(dòng)片2的底座4上，然后，在氮?dú)夥諊录訜幔菇雍喜牧?1、第I接合層45及第二接合層61融化，以通過接合材料71將底座4的第I接合層45與蓋6的第二接合層61正式接合，從而制造出圖I所示的晶體諧振器I。另外，在上述底座4的制造工序中，將蝕刻晶片8而在底座4的基材上形成通孔49的工序稱為通孔形成工序。另外，將利用通過上述光刻法而形成的金屬層92及電鍍層93，來在底座4的基材上形成電極墊51、52、外部端電極53、54及布線圖樣(S卩，內(nèi)部電極55、外部電極56和貫通電極57)的工序稱為電極形成工序。并且，將通過光刻法形成樹脂圖樣58，并用樹脂材料(樹脂圖樣58)來密封通孔49的開口面492、493的至少一方的工序稱為封孔工序。在本實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I中，由于在通孔49的整個(gè)內(nèi)側(cè)面491形成有貫通電極57，所以通過該貫通電極57，底座4的一主面42上形成的內(nèi)部電極55與底座4的另一主面43上形成的外部電極56實(shí)現(xiàn)了電連接，通孔49中的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定。另外，由于位于底座4的一主面42側(cè)的通孔49的開口面492被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，所以外氣不會通過通孔49而進(jìn)入晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部的氣密性。進(jìn)一步，由于腔部46的底面461的一半以上形成有樹脂圖樣58，所以通過該樹脂圖樣58，底座4的面方向上的強(qiáng)度得到加強(qiáng)。另外，在本實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I中，由于在位于底座4的一主面42側(cè)的通孔49的開口面492、及該開口面492的周圍廣泛(具體而言，腔部46的底面461的一半以上的區(qū)域)形成了樹脂圖樣58，所以能夠充分確保樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材(玻璃材料)之間直接接觸的接觸面積。因此，能夠充分確保樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材之間的接合強(qiáng)度，從而能夠充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩(wěn)定性?！磳?shí)施方式二〉實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成基本相同。因此，以下只對不同于實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I之處進(jìn)行說明。實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I的底座4的構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的構(gòu)成不同。圖24A 圖24C是表示實(shí)施方式二所涉及的底座4的概要結(jié)構(gòu)的示意圖，圖24A是示意俯視圖，圖24B是表示沿圖24A的虛線切斷底座4之后的切斷面的狀態(tài)的示意剖視圖，圖24C是意仰視圖。在實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I的底座4中，在俯視時(shí)為長方形的殼體背面(另一主面43)上，如圖24B及圖24C所示那樣，設(shè)置有四個(gè)雉堞墻47A、47B、48A、48B。具體而言，雉堞墻47A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側(cè)邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側(cè)邊的一端部而設(shè)置的；雉堞墻47B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側(cè)邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側(cè)邊的另一端部而設(shè)置的。另夕卜，雉堞墻48A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側(cè)邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側(cè)邊的一端部而設(shè)置的；雉堞墻48B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側(cè)邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側(cè)邊的另一端部而設(shè)置的。并且，在這四個(gè)雉堞墻47A、47B、48A、48B上分別形成有外部端電極53A、53B、54A、54B。其中，外部端電極53A與電極墊51之間通過布線圖樣而實(shí)現(xiàn)電連接；外部端電極54B與電極墊52之間通過布線圖樣而實(shí)現(xiàn)電連接。另外，如圖24A 圖24C所示那樣，樹脂圖樣58不是形成在構(gòu)成腔部46的底面461的、底座4的一主面42，而是形成在構(gòu)成殼體背面的、底座4的另一主面43。具體而言，在底座4的另一主面43上，背對著腔部46底面的位置上設(shè)置樹脂圖樣58，通過該樹脂圖樣58，位于另一主面43的通孔49的開口面493被密封。除了在圖23A及圖23B所示的制造工序中，不是將樹脂圖樣58形成在晶片8的一主面81，而是將樹脂圖樣58形成在晶片8的另一主面82，上述實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。在本實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I中，由于通孔49的整個(gè)內(nèi)側(cè)面491形成有貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內(nèi)部電極55與在底 座4的另一主面43上形成的外部電極56之間實(shí)現(xiàn)了電連接，通孔49內(nèi)部的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定。另外,位于底座4的另一主面43側(cè)的通孔49的開口面493被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，所以外氣不會通過通孔49而進(jìn)入到晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部的氣密性。進(jìn)一步，在底座4的另一主面43上，背對腔部46底面的位置上形成有樹脂圖樣58，所以通過該樹脂圖樣58，底座4的面方向上的強(qiáng)度得到加強(qiáng)。另外，在本實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I中，由于在位于底座4的另一主面43側(cè)的通孔49的開口面493及該開口面493的周圍廣泛(具體而言，底座4的另一主面43上的、與腔部46的底面相對應(yīng)的部分的一半以上區(qū)域)形成了樹脂圖樣58，所以能夠充分確保樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材(玻璃材料)之間直接接觸的接觸面積。因此，能夠充分確保樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材之間的接合強(qiáng)度，從而充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩(wěn)定性。在本實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成中，除上述說明過的構(gòu)成之外，其它構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的相同，因此，實(shí)施方式二所涉及的晶體諧振器I能產(chǎn)生與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。 〈實(shí)施方式三〉實(shí)施方式三所涉及的晶體諧振器I具有與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，因此，能夠產(chǎn)生與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。以下，只對不同于實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的部分進(jìn)行說明。實(shí)施方式三所涉及的晶體諧振器I的底座4的構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的構(gòu)成不同。圖25A 圖25C是表示實(shí)施方式三所涉及的底座4的概要結(jié)構(gòu)的示意圖，圖25A是示意俯視圖，圖25B是表示沿圖25A的虛線切斷底座4之后的切斷面的狀態(tài)的示意剖視圖，圖25C是示意仰視圖。在實(shí)施方式三所涉及的晶體諧振器I的底座4中，如圖25A 圖25C所示那樣，在構(gòu)成腔部46的底面461的、底座4的一主面42上存在的通孔49的開口面492及該開口面492的附近，以及構(gòu)成殼體背面的、底座4的另一主面43上存在的通孔49的開口面493及該開口面493附近形成有樹脂圖樣58。換言之，在本實(shí)施方式三中，通孔49的兩側(cè)的開口面492、493被樹脂圖樣58密封。進(jìn)一步，在本實(shí)施方式三中，通孔49的內(nèi)部填充了用于形成樹脂圖樣58的樹脂材料59。除了在圖22A及圖22B所示的制造工序中，用浸潰涂布法在晶片8的兩個(gè)主面81、82及通孔49的開口面492、493上涂布含有光增敏劑的樹脂以形成樹脂層95，同時(shí)將樹脂材料59填充到通孔49中，以及在圖23A及圖23B所示的制造工序中，只在位于晶片8的一主面81上的通孔49的開口面492及該開口面492的附近、及位于晶片8的另一主面82上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近形成樹脂圖樣58以外，上述實(shí)施方式三所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。在本實(shí)施方式三所涉及的晶體諧振器I中，由于通孔49的整個(gè)內(nèi)側(cè)面491形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內(nèi)部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56之間實(shí)現(xiàn)了電連接，通孔49的內(nèi)部的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定。另外，通孔49的兩側(cè)的開口面492、493被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，而且通孔49的內(nèi)部填充了樹脂材料59，所以外氣不會通過通孔49而進(jìn)入晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部的氣密性。另外，在實(shí)施方式三中，作為填充到通孔49內(nèi)部的樹脂材料59，使用了與構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料相同的、不含導(dǎo)電性物質(zhì)的材料，但不局限于此，例如，也可以使用與構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料不同的、含導(dǎo)電性物質(zhì)的材料，來作為填充到通孔49內(nèi)部的樹脂材料59。若通孔49的內(nèi)部填充有含導(dǎo)電性物質(zhì)的樹脂材料，則通孔49中的導(dǎo)通狀態(tài)更加穩(wěn)定。在本實(shí)施方式三所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成中，除了上述說明過的構(gòu)成之外，其它構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成相同，因此，本實(shí)施方式三所涉及的晶體諧振器I能產(chǎn)生與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果?！磳?shí)施方式四〉
實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I具有與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，因此，能夠產(chǎn)生與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。以下，只對不同于實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的部分進(jìn)行說明。實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的構(gòu)成不同。圖26A 圖26C是表示實(shí)施方式四所涉及的底座4的概要結(jié)構(gòu)的示意圖，圖26A是示意俯視圖，圖26B是表示沿圖26A的虛線切斷底座4之后的切斷面的狀態(tài)的示意剖視圖，圖26C是示意仰視圖。在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4中，在俯視時(shí)為長方形的殼體背面(另一主面43)上，如圖26B及圖26C所示那樣，設(shè)置了四個(gè)雉堞墻47A、47B、48A、48B。具體而言，雉堞墻47A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側(cè)邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側(cè)邊的一端部而設(shè)置的；雉堞墻47B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側(cè)邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側(cè)邊的另一端部而設(shè)置的。另夕卜，雉堞墻48A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側(cè)邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側(cè)邊的一端部而設(shè)置的；雉堞墻48B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側(cè)邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側(cè)邊的另一端部而設(shè)置的。并且，在這四個(gè)雉堞墻47A、47B、48A、48B上分別形成有外部端電極53A、53B、54A、54B。其中，外部端電極53A與電極墊51之間通過布線圖樣而實(shí)現(xiàn)電連接，外部端電極54B與電極墊52之間通過布線圖樣而實(shí)現(xiàn)電連接。另外，在底座4的一主面上形成的第I接合層45A如圖26A 圖26C所示那樣，與實(shí)施方式一相同，是通過在濺射薄膜453上進(jìn)行鍍膜454的疊層而構(gòu)成的。不過，濺射薄膜453和鍍膜454的構(gòu)成與實(shí)施方式一不同。S卩，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的第I接合層45A中，濺射薄膜453是通過在用濺射法形成的由Ti構(gòu)成的Ti膜上，用濺射法濺射形成由Cu構(gòu)成的Cu膜而構(gòu)成的。另外，鍍膜454是通過在濺射薄膜453上施鍍形成由Ni構(gòu)成的Ni膜，再在該Ni膜上施鍍形成由Au構(gòu)成的Au膜而構(gòu)成的。另外，構(gòu)成底座4的電極55、56、57的金屬層92是由與構(gòu)成上述第I接合層45A的濺射薄膜453的材料相同的材料構(gòu)成的。因而，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序中，是通過用濺射法在晶片8的兩個(gè)主面81、82上濺射形成由Ti構(gòu)成的Ti層以形成Ti層之后，在Ti層上用濺射法濺射形成Cu層，來形成保護(hù)層91及金屬層92的(參照圖6A、圖6B、圖14A及圖14B)。另外，在實(shí)施方式四中，內(nèi)部電極55中的、與水晶振動(dòng)片的激發(fā)電極相連接的電極墊51、52部分的內(nèi)部電極55由金屬層92和電鍍層93構(gòu)成，電極墊51、52以外的內(nèi)部電極55如圖26A 圖26C所示那樣，只由金屬層92構(gòu)成。另外，包括外部端電極53A、53B、54A、54B的整個(gè)外部電極56由金屬層92和電鍍層93構(gòu)成。另外，在實(shí)施方式四中，構(gòu)成電極55、56、57的電鍍層93是由與構(gòu)成上述第I接合層45A的鍍膜454的材料相同的材料構(gòu)成的。因而，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序中，是通過在金屬層92上施鍍形成由Ni構(gòu)成的Ni層以形成Ni層之 后，在Ni層上施鍍形成Au層，來形成電鍍層93的(參照圖16A及圖16B)。另外，在實(shí)施方式四中，如圖26A 圖26C所示那樣，樹脂圖樣58被形成在底座4的兩個(gè)主面42、43上。具體而言，在腔部46底面461、及殼體背面的背對著腔部46底面461的部分形成了樹脂圖樣58。因此，通孔49的兩側(cè)的開口面492、493被樹脂材料密封，并且內(nèi)部電極55的電極墊51、52以外的部分，即只由電鍍層93構(gòu)成的部分的內(nèi)部電極55表面被樹脂覆蓋。此外，外部電極56的一部分的表面被樹脂覆蓋。因而，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序中，是將樹脂圖樣58形成在晶片8的兩個(gè)主面81、82上。除了上述之處以外，本實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造工序相同。在本實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I中，與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I一樣，由于通孔49的整個(gè)內(nèi)側(cè)面491上形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內(nèi)部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56實(shí)現(xiàn)了電連接，通孔49的內(nèi)部的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定。另外，由于通孔49的兩側(cè)的開口面492、493被樹脂圖樣58(樹脂材料)密封，所以外氣不會通過通孔49而進(jìn)入晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部的氣密性。進(jìn)一步，由于底座4的兩個(gè)主面42、43，具體而言是腔部46的底面461、及殼體背面的背對著腔部46底面461的部分形成了樹脂圖樣58，所以通過該樹脂圖樣58，底座4的面方向的強(qiáng)度得到加強(qiáng)。另外，在本實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I中，由于在位于底座4的兩個(gè)主面42,43側(cè)的通孔49的開口面492、493和該開口面493的周圍(具體而言是在腔部46的底面461的一半以上的區(qū)域，以及另一主面43上的與腔部46的底面相對應(yīng)的部分的一半以上的區(qū)域)廣泛形成了樹脂圖樣58，所以能夠充分確保樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材(玻璃材料)直接接觸的接觸面積。因此，能夠確保樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材之間的接合強(qiáng)度，從而能夠充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩(wěn)定性。另外，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I中，由于電極墊51、52以外的內(nèi)部電極55被樹脂圖樣58覆蓋了表面，所以電極墊51、52以外的內(nèi)部電極55的電極表面(Cu層)不會被氧化。另外，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I中，由于在電極墊51、52以外的內(nèi)部電極55，具體而言是被樹脂圖樣58覆蓋的部分的內(nèi)部電極55上使用了 Au，所以與實(shí)施方式一相比，形成電極所必需的Au的使用量較少，能夠降低生產(chǎn)成本。
另外，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I中，在蓋(未圖示)的內(nèi)面上形成的第二接合層是通過從蓋一側(cè)開始依次疊層由Ti構(gòu)成的Ti膜、由Cu構(gòu)成的Cu膜、由Ni構(gòu)成的Ni膜而構(gòu)成的。Ti膜是用濺射法濺射形成的，在該Ti膜上用濺射法濺射形成了 Cu膜。另外，Ni膜是通過在Cu膜上進(jìn)行施鍍處理而形成的。另外，與底座4接合之前，在蓋的第二接合層上疊層了接合材料。接合材料由在第二接合層上疊層的Au/Sn膜、和在Au/Sn膜上疊層而形成的Au膜構(gòu)成。在此，Au/Sn膜由在第二接合層上疊層并施鍍形成的Au膜、和在該Au膜上施鍍形成的Sn膜構(gòu)成。另外，Au膜由在Au/Sn膜上疊層并施鍍形成的Au觸擊電鍍膜、和在Au觸擊電鍍膜上疊層并施鍍形成的Au鍍膜構(gòu)成。在這樣的接合材料中，Au/Sn膜被加熱而融化成為AuSn合金膜。此外，也可以通過在蓋的第二接合層上鍍AuSn合金來形成接合材料。在本實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成中，除上述之外的構(gòu)成，與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成相同，因此，實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I能夠產(chǎn)生與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。另外，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I的底座4中，外部電極56中，表面被樹脂圖樣58覆蓋的部分的外部電極56也可以只用由Ti層和Cu層構(gòu)成的金屬層92來構(gòu)成?；谏鲜鰳?gòu)成，電極的形成所必需的Au的使用量可進(jìn)一步減少，能進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。、另外，在實(shí)施方式四所涉及的晶體諧振器I中，構(gòu)成第I接合層45的金屬膜的Ti膜、構(gòu)成金屬層92及保護(hù)層91的基底的Ti層、以及構(gòu)成第二接合層的基底的Ti膜也可以由，與構(gòu)成晶片8的材料(例如，玻璃材料)及構(gòu)成Cu層的Cu有良好的接合性的金屬層(金屬膜)，例如，W、Cr、或Mo所構(gòu)成的接觸型金屬層(接觸型金屬膜,contact metal film)來代替。〈實(shí)施方式五〉圖27是不出實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器的內(nèi)部空間的不意側(cè)視圖。另外，圖28A及圖28B是表不實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器的底座的概要結(jié)構(gòu)的圖。圖28A是不意俯視圖，圖28B是意仰視圖。如圖27所示，實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器10中設(shè)置有IC芯片20(本發(fā)明所說的電子器件元件)；*AT截面晶體構(gòu)成的水晶振動(dòng)片2(本發(fā)明所說的電子器件元件)；用于保持IC芯片20和水晶振動(dòng)片2，并對水晶振動(dòng)片2進(jìn)行氣密密封的底座4 (作為本發(fā)明所說的第一密封部件的電子器件封裝體用密封部件)；面對底座4配置、用于對保持在底座4上的水晶振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32(本發(fā)明所說的電子器件元件的電極)進(jìn)行氣密密封的蓋6 (本發(fā)明所說的第二密封部件)。在該晶體振蕩器10中，與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I 一樣，由底座4和蓋6構(gòu)成封裝體(本發(fā)明所說的電子器件封裝體)，底座4與蓋6通過由Au和Sn的合金構(gòu)成的接合材料71而接合，形成被氣密密封的內(nèi)部空間11。在該內(nèi)部空間11中，水晶振動(dòng)片2通過使用了金凸點(diǎn)等導(dǎo)電凸點(diǎn)906的FCB法而與底座4之間實(shí)現(xiàn)機(jī)電上的超聲波接合。并且，如圖27所示那樣，IC芯片20與內(nèi)部空間11的底座4之間，通過使用金凸點(diǎn)等導(dǎo)電凸點(diǎn)907的FCB法而實(shí)現(xiàn)超聲波接合及電連接。下面，對該晶體振蕩器10的各構(gòu)成進(jìn)行說明。其中，有關(guān)蓋6和水晶振動(dòng)片2的構(gòu)成，由于與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的蓋6和水晶振動(dòng)片2的構(gòu)成相同，所以省略其說明。IC芯片20與內(nèi)部空間11的底座4之間，通過使用了金凸點(diǎn)等導(dǎo)電凸點(diǎn)907的FCB法而實(shí)現(xiàn)了超聲波接合及電連接。更具體而言，IC芯片20具備六個(gè)端電極(未圖示)，這六個(gè)端電極中的兩個(gè)端電極經(jīng)由后述的電極墊51、52及第一布線圖樣501與水晶振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32電連接，剩余的四個(gè)端電極經(jīng)由底座4的后述第二布線圖樣502或第三布線圖樣503而與底座4的殼體背面設(shè)置的外部端電極53A、53B、54A、54B電連接。晶體振蕩器10的底座4與實(shí)施方式一的底座4 一樣，由玻璃材料構(gòu)成，并如圖27所示那樣，被形成為由底部41、和沿底座4的一主面42的外周從底部41向上方延出的壁部44構(gòu)成的箱狀體。底座4是通過用光刻法對長方體實(shí)心板進(jìn)行蝕刻而成形的。 底座4的壁部44的頂面是與蓋6接合的接合面，在該接合面上設(shè)置有用于與蓋6接合的第I接合層45。第I接合層45的構(gòu)成與實(shí)施方式一的底座4上的第I接合層45的構(gòu)成相同，由在濺射薄膜上形成了鍍膜的多層疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。換言之，濺射薄膜是通過在用濺射法濺射形成的由Mo構(gòu)成的Mo膜上，用濺射法濺射形成由Au構(gòu)成的Au膜而得到的。另夕卜，鍍膜是通過在濺射薄膜上施鍍形成由Au構(gòu)成的Au膜而得到的。與實(shí)施方式一的底座4 一樣,在晶體振蕩器10的底座4上形成了由底部41和壁部44圍成的腔部46。該腔部46被形成為，如圖27、圖28A及圖28B所示那樣，俯視時(shí)為長方形，且腔部46的壁面為錐形。在該腔部46的底面461上設(shè)置有I個(gè)基座部401，該基座部401只與短邊方向上的邊LI的中間部分相接。另外，在底座4的俯視時(shí)為長方形的殼體背面(另一主面43)上形成了四個(gè)雉堞墻47A、47B、48A、48B。具體而言，雉堞墻47A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側(cè)邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側(cè)邊的一端部而設(shè)置的；雉堞墻47B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側(cè)邊的一端部及與該一端部相鄰接的短邊方向上的一側(cè)邊的另一端部而設(shè)置的。另外，雉堞墻48A是沿著另一主面43的長邊方向上的一側(cè)邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側(cè)邊的一端部而設(shè)置的；雉堞墻48B是沿著另一主面43的長邊方向上的另一側(cè)邊的另一端部及與該另一端部相鄰接的短邊方向上的另一側(cè)邊的另一端部而設(shè)置的。另外，如圖27、圖28A及圖28B所示那樣，在底座4中，腔部46的底面461的四個(gè)角落上分別形成了貫穿底座4的基材的通孔49。該通孔49的內(nèi)側(cè)面491被形成為相對于底座4的一主面42及另一主面43傾斜的錐形。通孔49的直徑在底座4的另一主面43側(cè)的端部為最大，在底座4的一主面42側(cè)的端部為最小。另外，在底座4的基材上形成有分別與水晶振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32機(jī)電接合的一對電極墊51、52 ;與外部部件、外部器件電連接的外部端電極53A、53B、54A、54B ;使電極墊51、52與IC芯片20的電極(未圖示)之間電連接的第一布線圖樣501 ;使外部端電極53A、53B與IC芯片20的電極(未圖示)之間電連接的第二布線圖樣502 ;使外部端電極54A、54B與IC芯片20的電極(未圖示)之間電連接的第三布線圖樣503。這些電極墊51、52、外部端電極53A、53B、54A、54B、第一布線圖樣501、第二布線圖樣502及第三布線圖樣503構(gòu)成了底座4的電極55、56、57。電極墊51、52被形成在基座部401的表面。并且，在電極墊51、52上設(shè)置了用于使水晶振動(dòng)片2接合的導(dǎo)電凸點(diǎn)906。另外，外部端電極53A、53B、54A、54B被形成在雉堞墻47A、47B、48A、48B上。另外，第一布線圖樣501被形成為，從底座4的一主面42的電極墊51、52延伸到IC芯片20被接合的接合部。并且，第二布線圖樣502及第三布線圖樣503被形成為，從底座4的一主面42的IC芯片20被接合的接合部經(jīng)由通孔49的內(nèi)側(cè)面491而延伸到另一主面43的外部端電極53A、53B、54A、54B。在此，電極墊51、52、外部端電極53A、53B、54A、54B、第一布線圖樣501、第二布線圖樣502以及第三布線圖樣503由與第I接合層45的材料相同的材料構(gòu)成。另外，在開設(shè)有腔部46的底面461 (底座4的一主面42)的通孔49的四個(gè)角落；底座4的殼體背面(另一主面43)的各通孔49的開口面493 ;以及這些開口面493的附近，配置有樹脂圖樣58(樹脂材料)。即，通過樹脂圖樣58，位于底座4的一主面42側(cè)的各通孔49的開口面492與位于底座4的另一主面43側(cè)的各通孔49的開口面493被密封，并且，第二布線圖樣502及第三布線圖樣503的一部分的表面被樹脂覆蓋。進(jìn)一步，通孔49的內(nèi)部被樹脂材料填充。在此，構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料及填充在通孔49內(nèi)部的樹脂材料可以采用與實(shí)施方式一的底座4中構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料相同的樹脂材料。并且，如圖27、圖28A及圖28B所示那樣，第一布線圖樣501和第二布線圖樣502被形成為相互交差，在其交差部分，在第一布線圖樣501與第二布線圖樣502之間隔著樹脂圖樣58。換言之，在構(gòu)成一部分第二布線圖樣502的內(nèi)部電極55上，隔著樹脂圖樣58而形成了構(gòu)成一部分第一布線圖樣501的電極(本發(fā)明所說的其它的電極)。在上述本實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器10中，由于在通孔49的整個(gè)內(nèi)側(cè)面491 形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內(nèi)部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56之間電連接，通孔49中的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定。另外，位于底座4的一主面42側(cè)的各通孔49的開口面492與位于底座4的另一主面43側(cè)的各通孔49的開口面493被樹脂圖樣58 (樹脂材料)密封，且各通孔49的內(nèi)部被樹脂材料填充，所以外氣完全不會通過通孔49而進(jìn)入晶體振蕩器10的封裝體內(nèi)部，能夠充分保持晶體振蕩器10的封裝體內(nèi)部的氣密性。并且，在構(gòu)成一部分第二布線圖樣502的內(nèi)部電極55上，隔著樹脂圖樣58形成了構(gòu)成一部分第一布線圖樣501的電極,所以，底座4被構(gòu)成為，在底座4的厚度方向上具有多個(gè)布線圖樣。除了具備在樹脂圖樣58形成之后，進(jìn)一步在樹脂圖樣58上形成電極的工序之外，上述本實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器10的底座4的制造方法與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。另外，在本實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器10的構(gòu)成中，除了上述構(gòu)成以外的構(gòu)成，與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成相同，因此，實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器10能產(chǎn)生與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的效果。〈實(shí)施方式六〉實(shí)施方式六所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成基本相同。因此，以下只對與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I不同之處進(jìn)行說明。實(shí)施方式六所涉及的晶體諧振器I的底座4的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的結(jié)構(gòu)不同。圖29A 圖29C是表示實(shí)施方式六所涉及的底座4的概要結(jié)構(gòu)的示意圖，圖29A是示意俯視圖；圖29B是表示沿圖29A的虛線將底座4切斷之后的切斷面的狀態(tài)的示意剖視圖，圖29C是不意仰視圖。如圖29A 圖29C所示那樣，樹脂圖樣58不是形成于構(gòu)成腔部46底面461的底座4的一主面42，而是形成于構(gòu)成殼體背面的底座4的另一主面43上。具體而言，如圖29A 圖29C所示那樣，樹脂圖樣58被形成于，位于構(gòu)成殼體背面的底座4的另一主面43上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近，及除形成了另一主面43的外部電極56 (外部端電極53、54)的區(qū)域以外的整個(gè)區(qū)域上。換言之，在本實(shí)施方式六中，通孔49的開口面493被樹脂圖樣58密封，并且另一主面43的整體被樹脂圖樣58或外部電極56覆蓋。另外，與上述實(shí)施方式一的底座4上形成的兩個(gè)通孔49 (參照圖2A 圖2C)相比，在本實(shí)施方式六中，底座4上形成的兩個(gè)通孔49被設(shè)置得較近接。另外，在本實(shí)施方式六中，通孔49的內(nèi)部填充有用于形成樹脂圖樣58的樹脂材料59。另外，外部電極56被構(gòu)成為，在與第I接合層45的濺射薄膜451及鍍膜452相同 的材料所構(gòu)成的濺射薄膜561及鍍膜562上，進(jìn)一步疊層了第二鍍膜563的構(gòu)造。換言之，外部電極56的濺射薄膜561是通過在用濺射法濺射形成的由Mo構(gòu)成的Mo膜上，用濺射法濺射形成由Au構(gòu)成的Au膜而得到的。另外，鍍膜562是通過在濺射薄膜561上施鍍形成由Au構(gòu)成的Au膜而得到的。另外，第二鍍膜563是通過在鍍膜562上進(jìn)一步施鍍形成金屬膜而得到的。作為構(gòu)成該第二鍍膜563的金屬膜的具體例子，比如有在鍍膜562上施鍍形成的Au膜；在鍍膜562上施鍍形成的AuCu合金所構(gòu)成的AuCu合金膜；或在鍍膜562上施鍍形成的Ni膜上施鍍形成Au膜而得到的Ni/Au膜等。除了在圖22A及圖22B所示的制造工序中，在晶片8的兩個(gè)主面81、82及通孔49的開口面492、493上用浸潰涂布法涂布含有光增敏劑的樹脂以形成樹脂層95，并對通孔49進(jìn)行樹脂材料59的填充；在圖23A及圖23B所示的制造工序中，在位于晶片8的另一主面82上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近、及除形成了另一主面43的外部電極56(外部端電極53、54)的區(qū)域以外的整個(gè)區(qū)域上形成樹脂圖樣58;進(jìn)一步在構(gòu)成外部電極56的鍍膜562的金屬層93 (參照圖23B)上，施鍍形成構(gòu)成上述外部電極56的第二鍍膜563的、第2金屬層之外，上述實(shí)施方式六所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的底座4的制造方法相同。在本實(shí)施方式六所涉及的晶體諧振器I中，由于通孔49的整個(gè)內(nèi)側(cè)面491形成了貫通電極57，所以通過該貫通電極57，在底座4的一主面42上形成的內(nèi)部電極55與在底座4的另一主面43上形成的外部電極56之間實(shí)現(xiàn)了電連接，通孔49的內(nèi)部的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定。另外，由于通孔49的一側(cè)的開口面493被樹脂圖樣58(樹脂材料)密封，且通孔49的內(nèi)部填充了樹脂材料59，所以外氣不會通過通孔49而進(jìn)入晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部，能夠充分保持晶體諧振器I的封裝體內(nèi)部的氣密性。另外，在本實(shí)施方式六所涉及的底座4中，從位于構(gòu)成殼體背面的底座4的另一主面43上的通孔49的開口面493及該開口面493的附近起，直到除形成有另一主面43的外部電極56(外部端電極53、54)的區(qū)域之外的整個(gè)區(qū)域都形成了樹脂圖樣58，所以充分確保了樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材(玻璃材料)直接接觸的接觸面積。因此，能夠充分確保樹脂圖樣58與構(gòu)成底座4的基材之間的接合強(qiáng)度，從而能充分確保晶體諧振器I的封裝體的氣密穩(wěn)定性。
另外，在本實(shí)施方式六所涉及的底座4中，沿另一主面43的外周緣的整個(gè)端部被樹脂圖樣58覆蓋。即，在用與實(shí)施方式一中相同的方法來制造本實(shí)施方式六所涉及的底座4的情況下，將晶片8分割以使底座4成為單片時(shí)，在晶片8的切斷部形成樹脂圖樣58，用樹脂材料覆蓋晶片8的切斷部。因此，在本實(shí)施方式六所涉及的底座4的制造中，通過覆蓋晶片8的切斷部的樹脂材料，可以抑制因切割而造成的晶片(玻璃材料)破片的產(chǎn)生。另外，在實(shí)施方式六中，使用了與構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料相同的、不含導(dǎo)電性物質(zhì)的材料作為填充到通孔49內(nèi)部的樹脂材料59，但不局限于此，例如，也可以使用與構(gòu)成樹脂圖樣58的樹脂材料不同的、含導(dǎo)電性物質(zhì)的材料來作為填充到通孔49內(nèi)部的樹脂材料59。若通孔49內(nèi)部填充有含導(dǎo)電性物質(zhì)的樹脂材料，則通孔49中的導(dǎo)通狀態(tài)更加穩(wěn)定。在本實(shí)施方式六所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成中，除了上述構(gòu)成以外的構(gòu)成與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的構(gòu)成相同，因此，本實(shí)施方式六所涉及的晶體諧振器I能產(chǎn)生與實(shí)施方式一所涉及的晶體諧振器I的效果相同的効果。 另外，在上述實(shí)施方式一 六所涉及的底座4中，樹脂圖樣58是通過使用具有感光性的樹脂材料的光刻法來形成的，但這只是優(yōu)選的例子，并不局限于此。例如，樹脂圖樣58也可以是通過在形成樹脂圖樣58的位置上涂布樹脂材料而形成的。換言之，在上述的實(shí)施方式一 六所涉及的底座4的制造中，作為樹脂圖樣58的形成方法，采用了在晶片8的兩個(gè)主面81、82上用浸潰涂布法或噴涂法涂布具有感光性的樹脂材料以形成樹脂層95之后(參照圖22A及圖22B)，對樹脂層95進(jìn)行曝光及顯影來形成樹脂圖樣58 (參照圖23A及圖23B)的方法，但也可以采用其它的方法。例如，作為樹脂圖樣58的形成方法，也可以采用在晶片8的兩個(gè)主面81、82上的樹脂圖樣58的形成位置上用噴墨打印法、絲網(wǎng)印刷法或滴涂(dispenser)法來排出樹脂以形成樹脂圖樣58的方法。這樣的不依靠光刻法而形成的樹脂圖樣58也可以利用不具備感光性的樹脂材料來構(gòu)成。另外，通過噴墨打印法、絲網(wǎng)印刷法或滴涂法，能夠向通孔49填充含有導(dǎo)電性物質(zhì)的樹脂。另外，在上述實(shí)施方式一 六所涉及的底座4中，內(nèi)部電極55、外部電極56、及貫通電極57中的每一個(gè)與底座4的基材(兩主面42、43及通孔49的內(nèi)側(cè)面491)之間，也可以配置樹脂材料。即，也可以在圖14A及圖14B所示的制造工序中，在形成金屬層92之前，在形成晶片8的兩個(gè)主面81、82及通孔49的內(nèi)側(cè)面491上的電極墊51、52、外部端電極53、54、及布線圖樣(S卩，內(nèi)部電極55、外部電極56、及貫通電極57)的部分涂布樹脂材料，然后在所涂布的樹脂材料上形成金屬層92。由此，內(nèi)部電極55、外部電極56、及貫通電極57中的每一個(gè)與底座4的基材之間隔著樹脂材料，所以不會出現(xiàn)因底座4的基材(例如，玻璃材料構(gòu)成的基材)與構(gòu)成各電極55、56、57的金屬發(fā)生反應(yīng)而使底座4的基材劣化的情況。另外，有關(guān)上述實(shí)施方式一 五所涉及的底座4的制造，在形成樹脂圖樣58的工序(參照圖23A及圖23B)中，也可以在將底座4單個(gè)分割時(shí)切斷的部分的晶片8表面上形成樹脂圖樣58。這樣，在晶片8的切斷部分形成樹脂圖樣58，能夠防止因切斷晶片8時(shí)所施加的外力而使底座4的側(cè)面或外部端電極53、54破損的情況。另外，也可以如同在實(shí)施方式五所涉及的底座4中，在構(gòu)成一部分第二布線圖樣502的內(nèi)部電極55上隔著樹脂圖樣58形成構(gòu)成一部分第一布線圖樣501的電極那樣,在上述實(shí)施方式一 四及六所涉及的底座4的內(nèi)部電極55及外部電極56中的至少一方上，隔著樹脂圖樣(樹脂材料)來形成其它的電極。由此，能夠在底座4的厚度方向上具備多個(gè)布線圖樣。另外，在實(shí)施方式一 六中，米用玻璃作為底座4及蓋6的材料,但是不限于用玻璃來構(gòu)成底座4，也不限于用玻璃來構(gòu)成蓋6，例如，也可以采用水晶來構(gòu)成。另外,在實(shí)施方式一 六中，主要用AuSn來作為接合材料71,但對接合材料71無限制，只要能使底座4與蓋6相接合即可,例如，也可以采用CuSn等Sn釬料合金(Sn alloybrazing filler metal)構(gòu)成的材料。另外，在上述實(shí)施方式一 四及六所涉及的晶體諧振器I、以及實(shí)施方式五所涉及的晶體振蕩器10中，使用AT截面晶體振動(dòng)片2作為水晶振動(dòng)片，但也可以使用音叉型的水晶振動(dòng)片。
以上，示出了將本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體應(yīng)用于晶體諧振器(crystalresonator)或晶體振蕩器(crystal oscillator)的情況下的實(shí)施方式,但這只是優(yōu)選的實(shí)施方式，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體可以是任何能用面對面配置的密封部件密封電子器件元件的電極的封裝體。因而，本發(fā)明所涉及的電子器件封裝體也可以是用面對面配置的密封部件對水晶以外的壓電材料，例如，對由鉭酸鋰或鈮酸鋰等構(gòu)成的壓電振動(dòng)片的激發(fā)電極進(jìn)行氣密密封的壓電振動(dòng)裝置的封裝體。本發(fā)明可以在不超越其構(gòu)思或主要特征的范圍內(nèi)用其它各種各樣的形式來實(shí)施。因此，上述實(shí)施方式只不過是各方面的示例而已，不能將其作為限定來解釋。本發(fā)明的范圍是權(quán)利要求書所表達(dá)的范圍，說明書中不存在任何限定。而且，屬于權(quán)利要求書的同等范圍內(nèi)的變形或變更，均在本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外，本申請要求基于2010年3月4日向日本提出了申請的特愿2010-48099的優(yōu)先權(quán)。因而，其所有內(nèi)容被導(dǎo)入本申請。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明能夠應(yīng)用于對壓電振動(dòng)片等的電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的電子器件的封裝體。
權(quán)利要求
1.一種電子器件封裝體用密封部件，被用作為用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件，其特征在干， 該電子器件封裝體用密封部件包括 貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔； 在所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上形成的內(nèi)部電極； 在所述基材的、與所述相向面相反的面上形成的外部電極；以及 在所述通孔的內(nèi)側(cè)面上形成的、使所述內(nèi)部電極與所述外部電極電連接的貫通電扱， 所述通孔的至少ー側(cè)的開ロ面被樹脂材料密封。
2.如權(quán)利要求I所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述樹脂材料具有感光性， 所述通孔的至少ー側(cè)的開ロ面被配置于該開ロ面的所述樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖樣密封。
3.如權(quán)利要求I或2所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述通孔的內(nèi)部填充有樹脂材料。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述內(nèi)部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述外部電極的至少一部分的表面被樹脂材料覆蓋。
6.如權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 所述基材與所述內(nèi)部電極之間、所述基材與所述外部電極之間、所述基材與所述貫通電極之間，分別設(shè)置有樹脂材料。
7.如權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝體用密封部件，其特征在干， 在所述內(nèi)部電極和所述外部電極的至少一方之上，隔著樹脂材料形成有其它的電扱。
8.一種電子器件封裝體，是用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的電子器件封裝體，其特征在干， 所述第一密封部件是權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝體用密封部件。
9.一種電子器件封裝體用密封部件的制造方法，用于制造作為用面對面配置的第一密封部件和第二密封部件對電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的電子器件封裝體的所述第一密封部件的所述電子器件封裝體用密封部件，其特征在于，該制造方法包括 通孔形成エ序，形成貫穿該電子器件封裝體用密封部件的基材的通孔； 電極形成エ序，形成內(nèi)部電極、外部電極以及貫通電極，其中，所述內(nèi)部電極位于所述基材的、與所述第二密封部件相向的相向面上，所述外部電極位干與所述相向面相反的面上，所述貫通電極沿所述通孔的內(nèi)側(cè)面配置；以及 封孔エ序，用樹脂材料密封所述通孔的至少ー側(cè)的開ロ面。
10.如權(quán)利要求9所述的電子器件封裝體用密封部件的制造方法，其特征在干， 所述封孔エ序包括圖樣形成エ序，用于利用使用具有感光性的所述樹脂材料的光刻法，來進(jìn)行用于密封所述通孔的至少ー側(cè)的開ロ面的樹脂圖樣的圖樣形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子器件封裝體用密封部件、電子器件封裝體、以及電子器件封裝體用密封部件的制造方法。該電子器件封裝體能確保設(shè)在密封部件上的通孔中的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定，并能充分確保封裝體內(nèi)部的氣密性。電子器件封裝體包括對電子器件元件(2)的電極(31、32)進(jìn)行氣密密封的、面對面配置的第一密封部件(電子器件封裝體用密封部件)(4)及第二密封部件(6)；在第一密封部件(4)的基材的、與第二密封部件(6)相向的相向面(42)上形成的內(nèi)部電極(55)；在第一密封部件(4)的基材的、與相向面(42)相反的面(43)上形成的外部電極(56)；貫穿第一密封部件(4)的基材的通孔(49)；以及使內(nèi)部電極(55)與外部電極(56)之間電連接的、在通孔(49)的內(nèi)側(cè)面上形成的貫通電極(57)。并且，通孔(49)的至少一側(cè)的開口面被樹脂材料(58)密封。
文檔編號H03H3/02GK102714489SQ20118000598
公開日2012年10月3日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月4日
發(fā)明者幸田直樹 申請人:株式會社大真空