專(zhuān)利名稱(chēng)：信令系統(tǒng)、前置放大器、存儲(chǔ)器裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及用于發(fā)射及/或接收信號(hào)的電路，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及用于在消耗相對(duì)小功率的同時(shí)發(fā)射及接收信號(hào)的電路。
背景技術(shù)：
許多當(dāng)今電子系統(tǒng)為便攜式的且給用戶(hù)提供移動(dòng)性及運(yùn)輸簡(jiǎn)易性。膝上型計(jì)算機(jī)、蜂窩式電話(huà)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式游戲系統(tǒng)、手持式GPS接收器僅僅為便攜式電子系統(tǒng)的幾個(gè)實(shí)例。一般來(lái)說(shuō)，這些系統(tǒng)已變得越來(lái)越輕且形狀因數(shù)越來(lái)越小，然而同時(shí)，這些系統(tǒng)可具有比其前身越來(lái)越大的性能。增加的性能通常一直以較大功率消耗為代價(jià)而達(dá)到。由于這些系統(tǒng)依賴(lài)于電池電力，因此系統(tǒng)設(shè)計(jì)者努力設(shè)計(jì)低功率消耗的系統(tǒng)使得可使系統(tǒng)操作達(dá)較大時(shí)間長(zhǎng)度之后才更換電池或使電池再充電。
作為設(shè)計(jì)較低功率電子系統(tǒng)的努力的一部分，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者通常將電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)成利用以較低功率消耗操作的組件及電路。舉例來(lái)說(shuō)，由于許多當(dāng)今系統(tǒng)包含用于存儲(chǔ)在操作期間使用的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置，因此使用較低功率存儲(chǔ)器裝置可導(dǎo)致由此些系統(tǒng)消耗的總功率的顯著減小。然而，由于較大存儲(chǔ)器容量或性能可能以額外功率消耗為代價(jià)而達(dá)到，因此在以較低功率操作同時(shí)維持或改善性能之間可能存在折衷。電子系統(tǒng)在于個(gè)別組件內(nèi)及不同組件之間耦合信號(hào)時(shí)也可消耗顯著功率，因?yàn)樵隈詈闲盘?hào)的信號(hào)線(xiàn)中可消耗相當(dāng)大的功率。在用于信號(hào)的發(fā)射及接收電路中也可消耗顯著功率。一般來(lái)說(shuō)，所消耗的功率量在某種程度上與正發(fā)射及接收的信號(hào)的量值成比例。因此，減小正耦合的信號(hào)的量值可減小所消耗的功率量。然而，減小在一組件內(nèi)及若干組件之間發(fā)射及接收的信號(hào)的量值可導(dǎo)致多種其它問(wèn)題。因此，在電子系統(tǒng)中的功率可減小到的程度上可存在實(shí)際限制，但改善仍繼續(xù)減小此實(shí)際限制的值
發(fā)明內(nèi)容


圖I是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的信令系統(tǒng)的示意圖。圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可用于圖I的信令系統(tǒng)中或某一其它信令系統(tǒng)實(shí)施例中的信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖。圖3是根據(jù)另一實(shí)施例的可用于圖I的信令系統(tǒng)中或某一其它信令系統(tǒng)實(shí)施例中的前置放大器的示意圖。圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的可用于圖I的信令系統(tǒng)中或某一其它信令系統(tǒng)實(shí)施例中的前置放大器的示意圖。圖5是可用于將偏置電壓供應(yīng)到圖1、3及4中所展示的前置放大器實(shí)施例或根據(jù)某一其它實(shí)施例的前置放大器的偏置電壓電路的示意圖。圖6是可用于將參考電壓供應(yīng)到圖I中所展示的信令電路實(shí)施例中的接收器或根據(jù)某一其它實(shí)施例的信令電路中的接收器的參考電壓電路的示意圖。圖7是使用圖I中所展示或根據(jù)某一其它實(shí)施例的信令系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖。
具體實(shí)施例方式圖I中展示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的信令系統(tǒng)10。信令系統(tǒng)10可包含耦合到可能未由任何阻抗匹配裝置端接的信號(hào)路徑(例如線(xiàn)16)的發(fā)射器12。其中可不需要阻抗匹配的未端接線(xiàn)可相對(duì)短，例如芯片上互連件及芯片到芯片互連件(如穿硅通孔)。發(fā)射器12可從任何數(shù)字電路(例如可執(zhí)行將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)串行數(shù)據(jù)流的功能的串行化器(未展示))接收數(shù)字信號(hào)。發(fā)射器12接著可在輸出節(jié)點(diǎn)處將對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)的所發(fā)射信號(hào)施加到信號(hào)線(xiàn)16。如上文所提及，通過(guò)將信號(hào)從一個(gè)位置耦合到另一位置所消耗的功率量可為正耦合的信號(hào)的量值的函數(shù)。發(fā)射器12可經(jīng)設(shè)計(jì)以通過(guò)產(chǎn)生具有相對(duì)小量值的信號(hào)而使功率消耗最小化。在一個(gè)實(shí)施例中，由發(fā)射器12發(fā)射的信號(hào)的峰到峰振幅可為約50毫伏，但在其它實(shí)施例中所述信號(hào)的振幅可大于或小于50毫伏。 由發(fā)射器12發(fā)射的信號(hào)的相對(duì)小量值可能使得難以在所發(fā)射信號(hào)被發(fā)射到的位置處適當(dāng)?shù)亟邮账鲂盘?hào)。因此，耦合到信號(hào)線(xiàn)16的接收器系統(tǒng)20可包含用于在將所發(fā)射信號(hào)施加到接收器28之前放大所述信號(hào)的前置放大器24。雖然前置放大器24可能消耗功率，但可通過(guò)將具有相對(duì)小振幅的信號(hào)從發(fā)射器12耦合到接收器系統(tǒng)20所消耗功率的減小有余地補(bǔ)償由前置放大器24消耗的額外功率量。前置放大器24可為具有經(jīng)耦合以從信號(hào)線(xiàn)16接收所發(fā)射信號(hào)的第一輸入節(jié)點(diǎn)及經(jīng)耦合以接收偏置電壓Vn的第二輸入節(jié)點(diǎn)的放大器。在操作中，前置放大器24可在輸出節(jié)點(diǎn)處輸出對(duì)應(yīng)于由前置放大器24從信號(hào)線(xiàn)16接收的所發(fā)射信號(hào)的經(jīng)放大信號(hào)。偏置電壓Vn的振幅可極大地影響由前置放大器24放大的信號(hào)的振幅。所述偏置電壓的最優(yōu)量值可取決于前置放大器24中的電路的特性。前置放大器24可經(jīng)配置以使得經(jīng)放大信號(hào)的信號(hào)擺幅大致等于由前置放大器24接收的所發(fā)射信號(hào)的信號(hào)擺幅。然而，前置放大器的增益可大于I或小于1，使得由前置放大器24放大的信號(hào)的信號(hào)擺幅分別大于或小于由前置放大器24接收的所發(fā)射信號(hào)的信號(hào)擺幅。在圖I中所展示的信令系統(tǒng)10的實(shí)施例中，可使用具有被施加偏置電壓Vn的柵極的共用柵極放大晶體管(例如NMOS晶體管30)來(lái)實(shí)施前置放大器24。晶體管30的漏極可經(jīng)由負(fù)載阻抗(例如電阻32)耦合到供應(yīng)電壓(例如Vcc)?？稍陔娮?2與晶體管30的漏極之間的接合處提供輸出節(jié)點(diǎn)34，且其可耦合到接收器28的輸入。晶體管30的源極可耦合到輸入節(jié)點(diǎn)36及泄放器阻抗38 (例如第二晶體管(例如NMOS晶體管40)的漏極)。輸入節(jié)點(diǎn)36可經(jīng)耦合以從線(xiàn)16接收所發(fā)射信號(hào)。晶體管40可具有經(jīng)耦合以接收偏置電壓(例如供應(yīng)電壓Vcc)的柵極及耦合到第二供應(yīng)電壓(例如接地)的源極。耦合到晶體管40的柵極的供應(yīng)電壓Vcc與晶體管40的電特性組合而將泄放器阻抗的量值設(shè)定為適合值。然而，在其它實(shí)施例中，可將除Vcc之外的偏置電壓施加到晶體管40的柵極。用作泄放器阻抗的晶體管40可減小可使施加到輸出節(jié)點(diǎn)34的輸出信號(hào)降級(jí)的內(nèi)部信號(hào)干擾。所述泄放器阻抗還可減小注入到輸入節(jié)點(diǎn)36中的電流的量值。接收器28可具有第一輸入節(jié)點(diǎn)，其經(jīng)耦合以從前置放大器24的輸出節(jié)點(diǎn)34接收經(jīng)放大信號(hào)；及第二輸入節(jié)點(diǎn)，其經(jīng)耦合以接收參考電壓Vref。接收器28可經(jīng)配置以在輸出節(jié)點(diǎn)處提供(例如，施加、供應(yīng)、輸出等)對(duì)應(yīng)于從前置放大器24接收的經(jīng)放大信號(hào)的
數(shù)字信號(hào)。圖2圖解說(shuō)明可用作圖I中所展示的發(fā)射器12或某一其它信令系統(tǒng)實(shí)施例的發(fā)射器50的實(shí)施例。發(fā)射器50包含具有耦合到輸出節(jié)點(diǎn)58的漏極及耦合到參考節(jié)點(diǎn)(例如接地)的源極的第一晶體管54。發(fā)射器50進(jìn)一步包含具有耦合到輸出節(jié)點(diǎn)58的源極的第二晶體管62?？蓪⑤斎胄盘?hào)“in”施加到第一晶體管54的柵極且可將互補(bǔ)輸入信號(hào)“inB”施加到第二晶體管62的柵極?？墒褂盟鶎兕I(lǐng)域的技術(shù)人員已知的常規(guī)電路及技術(shù)來(lái)產(chǎn)生互補(bǔ)輸入信號(hào)inB。晶體管54充當(dāng)下拉晶體管以在被激活時(shí)將輸出節(jié)點(diǎn)58下拉到參考節(jié)點(diǎn)(例如，接地)，且晶體管62充當(dāng)上拉晶體管以在被激活時(shí)將輸出節(jié)點(diǎn)58上拉到VHigh電壓。晶體管54及62用作開(kāi)關(guān)以根據(jù)in及inB信號(hào)而耦合及解耦輸出節(jié)點(diǎn)58。可在輸出節(jié)點(diǎn)58處提供具有根據(jù)in(及inB)信號(hào)的邏輯電平的邏輯電平的輸出信號(hào)Vout。第三晶體管70可耦合到供應(yīng)電壓(例如Vcc)及第二晶體管62的漏極。晶體管70的柵極 可耦合到電壓比較器電路60的輸出，電壓比較器電路60具有耦合到輸出節(jié)點(diǎn)58的第一輸入及經(jīng)耦合以接收電壓參考信號(hào)Vref的第二輸入。晶體管70可由電壓比較器電路60響應(yīng)于Vout電壓與參考電壓Vref的比較而產(chǎn)生的控制電壓AVn控制。在圖2中所圖解說(shuō)明的本發(fā)明實(shí)施例中，晶體管54、62、70為η溝道晶體管，舉例來(lái)說(shuō)，η溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(“NM0S”)晶體管。在其它實(shí)施例中，晶體管54、62、70也可為其它類(lèi)型的晶體管。圖3中展示可代替圖I中所展示的前置放大器24而使用的前置放大器80的另一實(shí)施例。前置放大器80使用在前置放大器24中所使用的大部分相同組件。因此，為簡(jiǎn)潔及清晰起見(jiàn)，將不再重復(fù)這些共用組件的特性及操作的解釋。前置放大器80與圖I中所展示的前置放大器24的不同在于使用電阻器84而非晶體管40作為泄放器阻抗38。在所有其它方面中，前置放大器80可與圖I中所展示的前置放大器24相同。圖4中展示可代替圖I中所展示的前置放大器24使用的前置放大器90的另一實(shí)施例。同樣，前置放大器90使用在前置放大器24中所使用的大部分相同組件，因而將不再重復(fù)這些共用組件的特性及操作。前置放大器90與圖I中所展示的前置放大器24的不同在于使用晶體管94而非在圖I的前置放大器24中用作負(fù)載阻抗的電阻器32作為負(fù)載阻抗。晶體管94具有耦合到偏置電壓(例如供應(yīng)電壓Vcc)的柵極以將所述負(fù)載阻抗的量值設(shè)定為適合值。然而，在其它實(shí)施例中，可將除Vcc之外的電壓施加到晶體管94的柵極。圖5是可用于將偏置電壓Vn供應(yīng)到圖1、3及4中所展示的前置放大器實(shí)施例或根據(jù)某一其它實(shí)施例的前置放大器的偏置電壓電路100的示意圖。偏置電壓電路100包含可與圖I中所展示的前置放大器24基本上相同(只不過(guò)晶體管30的源極耦合到參考電壓(例如接地)而非耦合到輸入節(jié)點(diǎn)36 (圖I))的電路。因此，偏置電壓電路100的特性可以前置放大器24的特性變化的相同方式隨工藝、供應(yīng)電壓及/或溫度而變化。輸出節(jié)點(diǎn)34可稱(chēng)合到差分放大器110的第一輸入,差分放大器110可為與用于圖I的信令系統(tǒng)10中的接收器28基本上相同的電路。差分接收器110的第二輸入可耦合到參考電壓源114，參考電壓源114可供應(yīng)具有特定量值的參考電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，所述參考電壓可具有等于供應(yīng)電壓Vcc的量值的約20%的量值。最后，差分放大器110的輸出產(chǎn)生可耦合到晶體管30的柵極且在圖5的實(shí)施例中可耦合到具有特定增益(例如單位增益)的緩沖器120的電壓Vn’。然而，在其它實(shí)施例中，可不使用緩沖器120，且可在差分放大器110的輸出處提供偏置電壓Vn。在操作中，電壓Vn’可將電壓施加到晶體管30的柵極，所述電壓設(shè)定經(jīng)由節(jié)點(diǎn)34施加到差分放大器110的第一輸入的電壓的量值。如果此電壓大于來(lái)自參考電壓源__ 4的電壓，那么增加電壓Vn’，借此增加流動(dòng)穿過(guò)晶體管30的電流。因此，朝向來(lái)自參考電壓源114的電壓降低施加到節(jié)點(diǎn)34的電壓。如果施加到節(jié)點(diǎn)34的電壓小于來(lái)自參考電壓源114的電壓，那么電路100以相反方式操作以朝向來(lái)自參考電壓源114的電壓增加施加到節(jié)點(diǎn)34的電壓。經(jīng)由晶體管30及差分放大器110的環(huán)路增益可足夠高使得施加到節(jié)點(diǎn)34的電壓大致等于由參考電壓源114提供的電壓?？梢虼藢⑻峁┑綀D1、3及4的前置放大器實(shí)施例的偏置電壓Vn設(shè)定為由參考電壓源114提供的電壓。圖6中展示可用于將參考電壓Vref供應(yīng)到接收器28(圖I)的參考電壓產(chǎn)生器140。參考電壓產(chǎn)生器140也可類(lèi)似于圖I中所展示的前置放大器24，且因此也可具有緊密追蹤由工藝、供應(yīng)電壓及/或溫度改變產(chǎn)生的前置放大器24的特性變化的特性。然而，并非如在圖I中所展示的前置放大器24中將晶體管40的柵極耦合到Vcc，晶體管40的柵極 可耦合到晶體管30的柵極，且因此還接收偏置電壓Vn。此外，可經(jīng)由低通濾波器144將偏置電壓Vn施加到晶體管30的柵極，低通濾波器144包含具有適合值以選擇使偏置電壓Vn中的噪聲裳減所處的頻率的電阻146及電容148。另外，晶體管40可為可調(diào)諧的以使晶體管40的阻抗特性變化且因此使參考電壓Vref的量值變化。圖7是使用如圖I中所展示或根據(jù)某一其它實(shí)施例的信令系統(tǒng)實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)200的實(shí)施例的框圖。存儲(chǔ)器系統(tǒng)200可包含存儲(chǔ)器單元陣列202，所述存儲(chǔ)器單元可為(舉例來(lái)說(shuō))DRAM存儲(chǔ)器單元、SRAM存儲(chǔ)器單元、快閃存儲(chǔ)器單元或一些其它類(lèi)型的存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器系統(tǒng)200可包含命令解碼器206，命令解碼器206經(jīng)由命令總線(xiàn)208接收存儲(chǔ)器命令并在存儲(chǔ)器系統(tǒng)200內(nèi)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)控制信號(hào)以執(zhí)行各種存儲(chǔ)器操作?？山?jīng)由地址總線(xiàn)220將行及列地址信號(hào)施加到存儲(chǔ)器系統(tǒng)200且將其提供到地址鎖存器210。地址鎖存器210接著可輸出單獨(dú)列地址及單獨(dú)行地址?？捎傻刂锋i存器210將行及列地址分別提供到行地址解碼器222及列地址解碼器228。列地址解碼器228可選擇延伸穿過(guò)陣列202的對(duì)應(yīng)于相應(yīng)列地址的位線(xiàn)。行地址解碼器222可連接到字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器224，字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器224激活陣列202中的對(duì)應(yīng)于所接收行地址的相應(yīng)存儲(chǔ)器單元行。對(duì)應(yīng)于所接收列地址的選定數(shù)據(jù)線(xiàn)(例如，一位線(xiàn)或若干位線(xiàn))可耦合到讀取/寫(xiě)入電路230以經(jīng)由輸入-輸出數(shù)據(jù)總線(xiàn)240將讀取數(shù)據(jù)提供到數(shù)據(jù)輸出緩沖器234?？山?jīng)由數(shù)據(jù)輸入緩沖器244及存儲(chǔ)器陣列讀取/寫(xiě)入電路230將寫(xiě)入數(shù)據(jù)施加到存儲(chǔ)器陣列202。命令解碼器206可響應(yīng)于施加到命令總線(xiàn)208的存儲(chǔ)器命令而在存儲(chǔ)器陣列202中執(zhí)行各種操作。特定來(lái)說(shuō)，命令解碼器206可用于產(chǎn)生內(nèi)部控制信號(hào)以從存儲(chǔ)器陣列202讀取數(shù)據(jù)及將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器陣列202。存儲(chǔ)器系統(tǒng)200中可包含根據(jù)各種實(shí)施例的信令系統(tǒng)。在存儲(chǔ)器系統(tǒng)200的一些實(shí)施例中，信令系統(tǒng)可經(jīng)配置以將內(nèi)部或芯片上信號(hào)從一個(gè)內(nèi)部組件驅(qū)動(dòng)到另一內(nèi)部組件，舉例來(lái)說(shuō)，將內(nèi)部控制信號(hào)從命令解碼器206驅(qū)動(dòng)到存儲(chǔ)器系統(tǒng)200的其它內(nèi)部組件。在其它實(shí)例中，信令系統(tǒng)的實(shí)施例可耦合來(lái)自地址解碼器222、228的內(nèi)部地址信號(hào)且經(jīng)由輸入-輸出總線(xiàn)240耦合內(nèi)部數(shù)據(jù)信號(hào)。在存儲(chǔ)器系統(tǒng)200的其它實(shí)施例中，信令系統(tǒng)實(shí)施例經(jīng)配置以耦合施加到存儲(chǔ)器系統(tǒng)200的數(shù)據(jù)信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，輸入緩沖器234可包含根據(jù)各種實(shí)施例的前置放大器及接收器以在將外部施加的數(shù)據(jù)信號(hào)耦合到讀取/寫(xiě)入電路230之前接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)。還可在除存儲(chǔ)器系統(tǒng)之外的應(yīng)用中利用根據(jù)各種實(shí)施例的信令系統(tǒng)。雖然已參考所揭示的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可在不背離本發(fā)明的情況下在形式及細(xì)節(jié)上做出改變。此些修改充分在所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員的技能范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明不受除所附權(quán)利要求書(shū)之外的限制?！?br> 權(quán)利要求
1.一種信令系統(tǒng)，其包括 信號(hào)路徑； 發(fā)射器，其經(jīng)配置以接收第一數(shù)字信號(hào)并在輸出節(jié)點(diǎn)處將對(duì)應(yīng)于所述數(shù)字信號(hào)的所發(fā)射信號(hào)提供到所述信號(hào)路徑；及接收器系統(tǒng)，其包括 前置放大器，其經(jīng)耦合以從所述信號(hào)路徑接收所述所發(fā)射信號(hào)，所述前置放大器經(jīng)配置以提供對(duì)應(yīng)于由所述前置放大器接收的所述所發(fā)射信號(hào)的經(jīng)放大信號(hào)，所述前置放大器包括共用柵極放大晶體管；及 接收器，其經(jīng)耦合以從所述前置放大器接收所述經(jīng)放大信號(hào)，所述接收器經(jīng)配置以提供對(duì)應(yīng)于由所述接收器接收的所述經(jīng)放大信號(hào)的第二數(shù)字信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的信令系統(tǒng)，其中所述信號(hào)路徑包括未由任何阻抗匹配裝置端接的信號(hào)線(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的信令系統(tǒng)，其中所述信號(hào)路徑包括穿硅通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的信令系統(tǒng)，其中所述前置放大器進(jìn)一步包括 負(fù)載阻抗，其耦合于所述共用柵極放大晶體管的漏極與第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間； 泄放器阻抗，其耦合于所述共用柵極放大晶體管的源極與第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；且 其中所述共用柵極放大晶體管的柵極經(jīng)配置以耦合到偏置電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信令系統(tǒng)，其中所述負(fù)載阻抗包括電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信令系統(tǒng)，其中所述負(fù)載阻抗包括具有柵極、源極及漏極的第二晶體管，所述漏極耦合到所述第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)，所述源極耦合到所述共用柵極放大晶體管的所述漏極，且所述柵極經(jīng)配置以耦合到另一偏置電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信令系統(tǒng)，其中所述泄放器阻抗包括耦合于所述共用柵極放大晶體管的所述源極與所述第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間的電阻器。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信令系統(tǒng)，其中所述泄放器阻抗包括具有柵極、源極及漏極的第二晶體管，所述源極耦合到所述第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)，所述漏極耦合到所述共用柵極放大晶體管的所述源極，且所述柵極被配置成經(jīng)耦合以接收另一偏置電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信令系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以提供所述偏置電壓的偏置電壓源，其中所述偏置電壓源包括 第二晶體管，其具有柵極、源極及漏極，所述源極耦合到所述第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)且所述漏極耦合到輸出電壓節(jié)點(diǎn)； 第二負(fù)載阻抗，其耦合于所述第二晶體管的所述漏極與所述第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；第二泄放器阻抗，其耦合于所述第二晶體管的所述源極與所述第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；及 差分放大器，其具有耦合到所述輸出電壓節(jié)點(diǎn)的第一輸入節(jié)點(diǎn)、經(jīng)耦合以接收參考電壓的第二輸入節(jié)點(diǎn)及耦合到所述第二晶體管的所述柵極的輸出節(jié)點(diǎn)，所述差分放大器經(jīng)配置以產(chǎn)生具有對(duì)應(yīng)于所述第一與第二輸入節(jié)點(diǎn)處的電壓之間的差的量值的所述偏置電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信令系統(tǒng)，其中所述共用柵極放大晶體管包括NMOS晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的信令系統(tǒng)，其中所述接收器包括 差分放大器，其具有經(jīng)耦合以從所述前置放大器接收所述經(jīng)放大信號(hào)的第一輸入節(jié)點(diǎn)及經(jīng)耦合以接收參考電壓的第二輸入節(jié)點(diǎn)，所述差分放大器經(jīng)配置以在輸出節(jié)點(diǎn)處提供具有對(duì)應(yīng)于所述第一與第二輸入節(jié)點(diǎn)處的電壓之間的差的量值的所述第二數(shù)字信號(hào)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的信令系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以提供所述參考電壓的參考電壓源，其中所述參考電壓源包括 晶體管，其具有經(jīng)配置以接收偏置電壓的柵極、源極及漏極，所述漏極耦合到參考電壓輸出節(jié)點(diǎn)； 負(fù)載阻抗，其耦合于所述晶體管的所述漏極與第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；及 泄放器阻抗，其耦合于所述晶體管的所述源極與第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的信令系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括低通濾波器，所述低通濾波器經(jīng)配置以將所述偏置電壓耦合到所述晶體管的所述柵極。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的信令系統(tǒng)，其中所述發(fā)射器經(jīng)配置以提供具有小于約50毫伏的振幅的所述所發(fā)射信號(hào)。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的信令系統(tǒng)，其中所述發(fā)射器包括 第一晶體管，其具有柵極及漏極以及耦合于第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)與第一電路節(jié)點(diǎn)之間的源極； 第二晶體管，其具有漏極及耦合于所述第一電路節(jié)點(diǎn)與所述發(fā)射器的所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的源極，所述第二晶體管進(jìn)一步具有經(jīng)耦合以接收從所述第一數(shù)字信號(hào)導(dǎo)出的第一信號(hào)的柵極； 第三晶體管，其具有漏極及耦合于所述發(fā)射器的所述輸出節(jié)點(diǎn)與第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間的源極，所述第三晶體管進(jìn)一步具有經(jīng)耦合以接收所述第一數(shù)字信號(hào)的柵極；及 電壓比較器，其具有耦合到所述發(fā)射器的所述輸出節(jié)點(diǎn)的第一輸入、經(jīng)配置以接收參考電壓的第二輸入及耦合到所述第一晶體管的所述柵極的輸出節(jié)點(diǎn)，所述電壓比較器經(jīng)配置以響應(yīng)于相對(duì)于所述參考電壓的所述輸出節(jié)點(diǎn)的電壓而控制所述第一晶體管的傳導(dǎo)性。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的信令系統(tǒng)，其中所述前置放大器經(jīng)配置以具有大于I的增益，使得所述前置放大器經(jīng)配置以提供具有大于由所述前置放大器接收的所述所發(fā)射信號(hào)的振幅的經(jīng)放大信號(hào)。
17.—種前置放大器,其包括 晶體管，其具有經(jīng)配置以接收偏置電壓的柵極、源極及漏極，所述源極耦合到輸入節(jié)點(diǎn)且所述漏極耦合到輸出節(jié)點(diǎn)； 負(fù)載阻抗，其耦合于所述晶體管的所述漏極與第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；及 泄放器阻抗，其耦合于所述晶體管的所述源極與第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的前置放大器，其中所述負(fù)載阻抗包括電阻。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的前置放大器，其中所述負(fù)載阻抗包括第二晶體管。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的前置放大器，其中所述泄放器阻抗包括電阻。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的前置放大器，其中所述泄放器阻抗包括第二晶體管。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的前置放大器，其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以提供所述偏置電壓的偏置電壓源，且其中所述偏置電壓源包括 第二晶體管，其具有柵極、源極及漏極，所述源極耦合到所述第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)且所述漏極耦合到輸出電壓節(jié)點(diǎn)；第二負(fù)載阻抗，其耦合于所述第二晶體管的所述漏極與所述第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；第二泄放器阻抗，其耦合于所述第二晶體管的所述源極與所述第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；及 差分放大器，其具有耦合到所述輸出電壓節(jié)點(diǎn)的第一輸入節(jié)點(diǎn)、經(jīng)耦合以接收參考電壓的第二輸入及耦合到所述第二晶體管的所述柵極的輸出節(jié)點(diǎn)，所述差分放大器經(jīng)配置以產(chǎn)生具有對(duì)應(yīng)于所述第一與第二輸入節(jié)點(diǎn)處的電壓之間的差的量值的所述偏置電壓。
23.一種存儲(chǔ)器裝置，其包括 存儲(chǔ)器單元陣列； 至少一個(gè)發(fā)射器，其經(jīng)配置以接收第一數(shù)字信號(hào)且將對(duì)應(yīng)于所述數(shù)字信號(hào)的所發(fā)射信號(hào)提供到信號(hào)路徑 '及 至少一個(gè)接收器系統(tǒng)，每一接收器系統(tǒng)包括 前置放大器，其經(jīng)耦合以從所述信號(hào)路徑接收所述所發(fā)射信號(hào)，所述前置放大 器經(jīng)配置以提供對(duì)應(yīng)于由所述前置放大器接收的所述所發(fā)射信號(hào)的經(jīng)放大信號(hào)，所 述前置放大器包括共用柵極放大晶體管；及 接收器，其經(jīng)耦合以從所述前置放大器接收所述經(jīng)放大信號(hào)，所述接收器經(jīng)配置以提供對(duì)應(yīng)于由所述接收器接收的所述經(jīng)放大信號(hào)的第二數(shù)字信號(hào)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述前置放大器進(jìn)一步包括 負(fù)載阻抗，其耦合于所述共用柵極放大晶體管的漏極與第一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間； 泄放器阻抗，其耦合于所述共用柵極放大晶體管的源極與第二供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間；且 其中所述共用柵極放大晶體管的柵極經(jīng)配置以耦合到偏置電壓。
25.一種接收數(shù)字信號(hào)的方法，其包括 接收所述數(shù)字信號(hào)； 放大所述數(shù)字信號(hào)以產(chǎn)生經(jīng)放大信號(hào)；及 將電流從輸入節(jié)點(diǎn)泄放到供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述放大所述數(shù)字信號(hào)以產(chǎn)生經(jīng)放大信號(hào)的動(dòng)作包括使用共用柵極放大晶體管來(lái)放大所述數(shù)字信號(hào)以產(chǎn)生所述經(jīng)放大信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明揭示信令系統(tǒng)、前置放大器、存儲(chǔ)器裝置及方法，例如包含經(jīng)配置以接收第一數(shù)字信號(hào)的發(fā)射器的信令系統(tǒng)。所述發(fā)射器將對(duì)應(yīng)于所述數(shù)字信號(hào)的所發(fā)射信號(hào)提供到信號(hào)路徑。耦合到信號(hào)線(xiàn)的接收器系統(tǒng)包含經(jīng)耦合以從所述信號(hào)路徑接收所述所發(fā)射信號(hào)的前置放大器。所述前置放大器包含經(jīng)配置以提供經(jīng)放大信號(hào)的共用柵極放大晶體管。所述接收器系統(tǒng)還包含經(jīng)耦合以從所述前置放大器接收所述經(jīng)放大信號(hào)的接收器。所述接收器經(jīng)配置以提供對(duì)應(yīng)于由所述接收器接收的所述經(jīng)放大信號(hào)的第二數(shù)字信號(hào)。此信令系統(tǒng)可用于存儲(chǔ)器裝置中或任何其它電子電路中。
文檔編號(hào)H03K19/0175GK102884579SQ201180023082
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者李成勛 申請(qǐng)人:美光科技公司