專利名稱：振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及振蕩電路。
背景技術(shù)：
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems :微電子機(jī)械系統(tǒng))是微細(xì)構(gòu)造體形成技術(shù)的一種，例如，指制造微米級(jí)的微細(xì)的電子機(jī)械系統(tǒng)的技術(shù)及其產(chǎn)品。人們正在開發(fā)利用MEMS技術(shù)制作的振動(dòng)兀件(MEMS振子)。另外,也正在開發(fā)使用MEMS振·子的振蕩電路。專利文獻(xiàn)I中公開了一種使用了 MEMS振子的振蕩器。專利文獻(xiàn)I :日本特開2009-200888號(hào)公報(bào)與晶體振子、陶瓷振子相比，MEMS振子在功率大的信號(hào)作為輸入信號(hào)被輸入的情況下，通過特性容易失真。若通過特性失真，則容易引起頻率漂移(頻率不穩(wěn)定)的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些方式的目的之一在于提供一種抑制了輸出信號(hào)的頻率漂移的振蕩電路。本發(fā)明的振蕩電路包括MEMS振子，其具有隔開空隙配置的第I電極以及第2電極；放大部，其包括增益部和增益限制部，該增益部具有第I輸入端子以及第I輸出端子，且增益比I大，該增益限制部具有第2輸入端子以及第2輸出端子，且增益比I??；和輸出端子，其與上述第I輸出端子連接，上述第I電極與上述第I輸入端子連接，上述第I輸出端子與上述第2輸入端子連接，上述第2輸出端子與上述第2電極連接。所謂“連接”是指，電連接，不僅指直流式連接的情況，也包括交流式連接的情況。根據(jù)本發(fā)明，向MEMS振子輸入的信號(hào)是增益比I小的增益限制部的輸出信號(hào)，因此通過特性不易失真。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了輸出信號(hào)的頻率漂移的振蕩電路。另外，根據(jù)本發(fā)明，增益比I大的增益部的輸出信號(hào)為振蕩電路的輸出信號(hào)，因此能夠輸出振幅大的信號(hào)。在本發(fā)明所涉及的振蕩電路中，包括電壓施加部，其向上述第I電極與上述第2電極之間施加偏壓；和控制部，其對(duì)上述增益限制部以及上述電壓施加部進(jìn)行控制，上述控制部能夠?qū)⑸鲜鲈鲆嫦拗撇恐性鲆妗⑴c上述電壓施加部施加的上述偏壓建立關(guān)聯(lián)地控制。MEMS振子的通過特性的失真程度根據(jù)偏壓的大小發(fā)生變化。根據(jù)本發(fā)明，控制部通過將增益限制部中的增益、與電壓施加部施加的偏壓建立關(guān)聯(lián)地控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步抑制了輸出信號(hào)的頻率漂移的振蕩電路。
在本發(fā)明所涉及的振蕩電路中，上述控制部能夠按照上述電壓施加部施加的上述偏壓越大，上述增益限制部中的增益越小的方式進(jìn)行控制。MEMS振子具有偏壓越大通過特性越容易失真的傾向。根據(jù)本發(fā)明，控制部通過按照電壓施加部施加的偏壓越大，增益限制部中的增益越小的方式進(jìn)行控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步抑制了輸出信號(hào)的頻率的漂移的振蕩電路。


圖I是表示第I實(shí)施方式的振蕩電路I的電路圖。圖2是表示放大部20的一個(gè)例子的電路圖。
圖3是表示MEMS振子10的通過特性的示意圖。圖4是表示第2實(shí)施方式的振蕩電路2的電路圖。圖5是表示電壓施加部40的一個(gè)例子的電路圖。圖6是表示增益限制部24的一個(gè)例子的電路圖。圖7是表示MEMS振子10的通過特性的示意圖。圖8是示意性地表示MEMS振子10的構(gòu)成例的俯視圖。 圖9是示意性地表示MEMS振子10的構(gòu)成例的剖視圖。符號(hào)說明1、2振蕩電路，10MEMS振子，11第I電極，12第2電極，20放大部，22增益部，24增益限制部，30輸出端子，40電壓施加部，41第I電壓端子，42第2電壓端子，50控制部，61、62電容器，71、72電容器，122支承部，124梁部，221第I輸入端子，222第I輸出端子，224、226倒相電路，241第2輸入端子，242第2輸出端子，402基準(zhǔn)電壓源，404運(yùn)算放大器，1010基板，1012支承基板，1014第I基底層，1016第2基底層，GND接地電位，Icl, Ic2恒流源，Rl、R2、R3、RIO、R200、R201、R202、R20n、R300、R301、R302、R30n 電阻，R20、R30 可變電阻，SI、S2、S11、S12、S13、Sln 控制信號(hào)，TNU TN2、TN3、TNlU TN12、TN13、TNln, TN21、TN22、TN23、TN2n、TN31、TN32、TN33、TN34NM0S 晶體管，TP1、TP2、TP3、TP31、TP32、TP33PM0S 晶體管，Vdd電源電位。
具體實(shí)施例方式以下，使用附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。其中，以下說明的實(shí)施方式并沒有不當(dāng)?shù)叵薅?quán)利要求書所記載的本發(fā)明的內(nèi)容。另外，以下所說明的構(gòu)成的全部并非是本發(fā)明的必須構(gòu)成要件。I.第I實(shí)施方式的振蕩電路圖I是表示第I實(shí)施方式的振蕩電路I的電路圖。第I實(shí)施方式的振蕩電路I包括MEMS振子10，其具有隔著空隙配置的第I電極11以及第2電極12 ;放大部20，其包括增益部22和增益限制部24，該增益部22具有第I輸入端子221以及第I輸出端子222，且增益比I大，該增益限制部24具有第2輸入端子241以及第2輸出端子242，且增益比I?。惠敵龆俗?0，其與第I輸出端子222連接，第I電極11與第I輸入端子221連接，第I輸出端子222與第2輸入端子241連接，第2輸出端子242與第2電極12連接。
在第I實(shí)施方式中，MEMS振子10是具有隔著空隙配置的第I電極11以及第2電極12的靜電型的MEMS振子。關(guān)于MEMS振子10的構(gòu)成例，將在“3. MEMS振子的構(gòu)成例”項(xiàng)中詳述。
放大部20利用比I大的增益對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大，以滿足所希望的振蕩條件。放大部20可以組合多個(gè)倒相電路(反轉(zhuǎn)電路)、放大電路而構(gòu)成。在圖I所示的例子中，放大部20被構(gòu)成為，以串聯(lián)的方式連接增益比I大的增益部22、和增益比I小的增益限制部24。在圖I所示的例子中，MEMS振子10的第I電極11與增益部22的第I輸入端子221連接，增益部22的第I輸出端子222與增益限制部24的第2輸入端子241連接，增益限制部24的第2輸出端子242與MEMS振子10的第2電極12連接。另外，輸出端子30與增益部22的第I輸出端子222和增益限制部24的第2輸入端子241連接。圖2是表示放大部20的一個(gè)例子的電路圖。在圖2所示的例子中，增益部22由倒相電路224與倒相電路226串聯(lián)連接而構(gòu)成，該倒相電路224被構(gòu)成為，在從電源電位Vdd至接地電位GND之間，PMOS晶體管TPl與NMOS晶體管TNl串聯(lián)連接，且PMOS晶體管TPl與NMOS晶體管TNl的柵極相互連接；該倒相電路226被構(gòu)成為，在從電源電位Vdd至接地電位GND值之間，PMOS晶體管TP2與NMOS晶體管TN2串聯(lián)連接，且PMOS晶體管TP2與NMOS晶體管TN2的柵極相互連接。在圖2所示的例子中，增益限制部24由倒相電路構(gòu)成，該倒相電路被構(gòu)成為，在從電源電位Vdd至接地電位GND之間，恒流源IcUPMOS晶體管TP3、NM0S晶體管TN3、恒流源Ic2依次串聯(lián)連接，且PMOS晶體管TP3與NMOS晶體管TN3的柵極相互連接。通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定恒流源Icl以及恒流源Ic2的電流值，能夠?qū)⒃鲆嫦拗撇?4的增益設(shè)定為比I小。第I實(shí)施方式所涉及的振蕩電路I可以構(gòu)成為包括針對(duì)放大部20的反饋電阻。在圖2所示的例子中，倒相電路224的輸入端子與輸出端子經(jīng)由電阻Rl而連接，倒相電路226的輸入端子與輸出端子經(jīng)由電阻R2而連接，增益限制部24的第2輸入端子241與第2輸出端子242經(jīng)由電阻R3而連接。圖3是表示MEMS振子10的通過特性的示意圖。橫軸表示輸入信號(hào)的頻率,縱軸表示S參數(shù)[S21]中的通過特性。另外，將輸入信號(hào)的功率為功率Pl時(shí)的通過特性設(shè)為通過特性Al，將輸入信號(hào)的功率為功率P2時(shí)的通過特性設(shè)為通過特性A2，將輸入信號(hào)的功率為功率P3時(shí)的通過特性設(shè)為通過特性A3。其中，功率Pl <功率P2 <功率P3的大小關(guān)系成立。如圖3所示，在功率Pl是在MEMS振子10能夠進(jìn)行線性動(dòng)作的功率范圍內(nèi)的功率的情況下，通過特性Al在諧振頻率(通過特性為最大的頻率)附近，相對(duì)于頻率的增減呈對(duì)稱的形狀。然而，功率P2以及功率P3是超過MEMS振子10能夠進(jìn)行線性動(dòng)作的功率范圍的大功率的情況下，通過特性A2以及通過特性A3成為與通過特性Al不同的諧振頻率。在圖3所示的例子中，通過特性A2以及通過特性A3的諧振頻率成為比通過特性Al小的頻率。另外，通過特性A2以及通過特性A3在諧振頻率附近，相對(duì)于頻率的增減呈非對(duì)稱的形狀。另外，功率P2以及功率P3是超過MEMS振子10能夠進(jìn)行線性動(dòng)作的功率范圍的大功率的情況下，MEMS振子10的損失變大。在圖3所示的例子中，通過特性A2以及通過特性A3中的最大值比通過特性Al中的最大值小。
這樣，若超過MEMS振子10能夠進(jìn)行線性動(dòng)作的功率范圍的大功率的信號(hào)被輸入MEMS振子10，則通過特性容易失真。通過特性失真成為振蕩電路的輸出信號(hào)的頻率漂移(頻率不穩(wěn)定)的原因。 根據(jù)第I實(shí)施方式所涉及的振蕩電路1，由于向MEMS振子10輸入的信號(hào)是增益比I小的增益限制部24的輸出信號(hào)，所以通過特性不易失真。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了輸出信號(hào)的頻率漂移的振蕩電路。另外，根據(jù)第I實(shí)施方式所涉及的振蕩電路1，由于增益比I大的增益部22的輸出信號(hào)成為振蕩電路的輸出信號(hào)，所以能夠輸出振幅大的信號(hào)。第I實(shí)施方式的振蕩電路I還可以包括向MEMS振子10的第I電極11與第2電極12之間施加偏壓的電壓施加部40。在圖I所示的例子中，電壓施加部40被構(gòu)成為包括第I電壓端子41和第2電壓端子42。第I電壓端子41與MEMS振子10的第I電極11連接，第2電壓端子42與MEMS振子10的第2電極12連接。在使用靜電型的MEMS振子作為MEMS振子10的情況下，需要向構(gòu)成MEMS振子的電極間賦予電位差(偏壓)。在圖I所示的例子中，電壓施加部40使第I電壓端子41與第2電壓端子42之間產(chǎn)生電位差，從而能夠向MEMS振子10的第I電極11與第2電極12之間施加偏壓。MEMS振子10的第I電極11可以經(jīng)由電容器61與增益部22的第I輸入端子221連接。另外，MEMS振子10的第2電極12可以經(jīng)由電容器62與增益限制部24的第2輸出端子242連接。由此，不會(huì)向增益部22的第I輸入端子221與增益限制部24的第2輸出端子242之間賦予不需要的電位差。第I實(shí)施方式的振蕩電路I可以被構(gòu)成為，包括電容器71，其連接在MEMS振子10的第I電極11與接地電位GND之間；電容器72，其連接在MEMS振子10的第2電極12與接地電位GND之間。根據(jù)這樣的振蕩電路1，能夠形成由MEMS振子10、電容器71以及電容器72構(gòu)成諧振電路的振蕩電路。2.第2實(shí)施方式所涉及的振蕩電路圖4是表示第2實(shí)施方式的振蕩電路2的電路圖。以下，對(duì)與第I實(shí)施方式的振蕩電路I不同的構(gòu)成進(jìn)行詳述，對(duì)與第I實(shí)施方式的振蕩電路I相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其說明。第2實(shí)施方式的振蕩電路2包括電壓施加部40，其向第I電極11與第2電極12之間施加偏壓；控制部50，其對(duì)增益限制部24以及電壓施加部40進(jìn)行控制，控制部50將增益限制部24中的增益、與電壓施加部40施加的偏壓建立關(guān)聯(lián)地控制。在圖4所示的例子中，控制部50通過向電壓施加部40輸出控制信號(hào)SI，從而對(duì)電壓施加部40施加的偏壓進(jìn)行控制。另外，在圖4所示的例子中，控制部50通過向增益限制部24輸出控制信號(hào)S2，從而對(duì)增益限制部24中的增益進(jìn)行控制。此外，在圖4所示的例子中，雖然控制部50直接對(duì)增益限制部24以及電壓施加部40進(jìn)行控制，但控制部50也可以間接對(duì)增益限制部24以及電壓施加部40中的至少一方進(jìn)行控制。例如，控制部50可以經(jīng)由電壓施加部40對(duì)增益限制部24進(jìn)行控制。圖5是表示電壓施加部40的一個(gè)例子的電路圖。在圖5所示的例子中，使用n位控制信號(hào)作為控制信號(hào)SI，將與各位對(duì)應(yīng)的信號(hào)作為Sll、S12、S13、…、Sin。圖5所示的電壓施加部40被構(gòu)成為包括基準(zhǔn)電壓源402 ;運(yùn)算放大器404 ;電阻RlO ;可變電阻R20。另外，第I電壓端子41與接地電位GND連接，第2電壓端子42與運(yùn)算放大器404的輸出端子連接。基準(zhǔn)電壓源402生成作為電壓施加部40施加的偏壓的基準(zhǔn)的、基準(zhǔn)電壓Vref。運(yùn)算放大器404的非反轉(zhuǎn)輸入端子與基準(zhǔn)電壓源402的輸出端子連接。即、基準(zhǔn)電壓源402生成的基準(zhǔn)電壓Vref被輸入運(yùn)算放大器404的非反轉(zhuǎn)輸入端子。運(yùn)算放大器404的反轉(zhuǎn)輸出端子經(jīng)由電阻RlO與運(yùn)算放大器404的輸出端子連接，并且，經(jīng)由可變電阻R20與接地電位GND連接。 可變電阻R20被構(gòu)成為包括從離運(yùn)算放大器404的非反轉(zhuǎn)輸入端子較近的一側(cè)開始依次串聯(lián)連接的電阻R200、電阻R201、電阻R202、…、電阻R20n。另外，可變電阻R20被構(gòu)成為還包括使電阻R201至電阻R20n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TN11、使電阻R202至電阻R20n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TN12、使電阻R203 (未圖示)至電阻R20n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TN13、…、使電阻R20n_l (未圖示)至電阻R20n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TNln。向NMOS晶體管TNll的柵極輸入控制信號(hào)S11，向NMOS晶體管TNl2的柵極輸入控制信號(hào)S12，向NMOS晶體管TN13的柵極輸入控制信號(hào)S13，…，向NMOS晶體管TNln的柵極輸入控制信號(hào)Sin。因此，利用控制信號(hào)Sll Sln，能夠選擇電阻R201R20n中的被短路的電阻，因此能夠變更可變電阻R20的電阻值。另外，運(yùn)算放大器404的輸出電壓(電壓施加部40施加的偏壓)Vp利用以下的算
式表不。Vp = (1+電阻RlO的電阻值/可變電阻R20的電阻值) Vref因此，能夠通過變更可變電阻R20的電阻值，來變更電壓施加部40施加的偏壓Vp。圖6是表示增益限制部24的一個(gè)例子的電路圖。在圖6所示的例子中，使用n位控制信號(hào)作為控制信號(hào)S2，將與各位對(duì)應(yīng)的信號(hào)作為S21、S22、S23、->S2n0圖6所示的增益限制部24被構(gòu)成為，代替了圖2所示的恒流源Icl以及恒流源Ic2，而包括PMOS晶體管TP31 TP33、NM0S晶體管TN31 TN34、和可變電阻R30。PMOS晶體管TP31的源極與電源電位Vdd連接，漏極與NMOS晶體管TN31的漏極連接，并且與PMOS晶體管TP31 TP33的柵極連接。TN31的源極經(jīng)由可變電阻R30與接地電位GND連接。PMOS晶體管TP32的源極與電源電位Vdd連接，漏極與NMOS晶體管TN32的漏極連接，并且與NMOS晶體管TN31 TN32的柵極連接。NMOS晶體管TN32的源極與NMOS晶體管TN33的漏極連接，并且與NMOS晶體管TN33 TN34的柵極連接。NMOS晶體管TN33的源極與接地電位GND連接。PMOS晶體管TP33的源極與電源電位Vdd連接，漏極與PMOS晶體管TP3的源極連接。NMOS晶體管TN34的漏極與NMOS晶體管TN3連接，源極與接地電位GND連接。S卩、成為流過PMOS晶體管TP31的電流被PMOS晶體管TP32 TP33反射的電流反射鏡電路、成為流過NMOS晶體管TN32電流被NMOS晶體管TN31反射的電流反射鏡電路、和流過NMOS晶體管TN33的電流被NMOS晶體管TN34反射的電流反射鏡電路。
可變電阻R30被構(gòu)成為，包括從離NMOS晶體管TN31的源極較近一側(cè)依次串聯(lián)連接的電阻R300、電阻R301、電阻R302、...、電阻R30n。另外，可變電阻R30被構(gòu)成為還包括使電阻R301至電阻R30n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TN21 ;使電阻R302至電阻R30n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TN22 ;使電阻R303 (未圖示)至電阻R30n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TN23、…、使電阻R30n_l (未圖示)至電阻R30n在接地電位GND處短路的NMOS晶體管TN2n。向NMOS晶體管TN21的柵極輸入控制信號(hào)S21，向NMOS晶體管TN22的柵極輸入控制信號(hào)S22，向NMOS晶體管TN23的柵極輸入控制信號(hào)S23，…，向NMOS晶體管TN2n的柵極輸入控制信號(hào)S2n。因此，利用控制信號(hào)S21 S2n，能夠選擇電阻R301 R30n中的被短路的電阻，進(jìn)而能夠變更可變電阻R30的電阻值。 另外，可變電阻R30的電阻值越大，流過PMOS晶體管TN33的電流以及流過NMOS晶體管TN34的電流越小。因此，能夠通過變更可變電阻R30的電阻值，來變更增益限制部24的增益。圖7是表示MEMS振子10的通過特性的示意圖。橫軸表示輸入信號(hào)的頻率、縱軸表示S參數(shù)[S21]中的通過特性。另外，將偏壓為電壓Vpl時(shí)的通過特性設(shè)為通過特性BI、將偏壓為電壓Vp2時(shí)的通過特性設(shè)為通過特性B2、將偏壓為電壓Vp3時(shí)的通過特性設(shè)為通過特性B3。另外，電壓Vpl <電壓Vp2 <電壓Vp3的大小關(guān)系成立。此外，向MEMS振子10輸入的信號(hào)的功率是相同的。如圖7所示，由于偏壓越大損失越小，所以通過特性的峰值變大。因此，向MEMS振子10輸入的信號(hào)的功率變大。如圖7所示，在偏壓為電壓Vpl以及電壓Vp2情況下，向MEMS振子10輸入的信號(hào)的功率成為在MEMS振子10能夠進(jìn)行線性動(dòng)作的功率范圍內(nèi)的功率，通過特性BI以及通過特性B2在諧振頻率(通過特性為最大的頻率)附近，相對(duì)于頻率的增減呈對(duì)稱的形狀。然而，在偏壓為電壓Vp3的情況下，向MEMS振子10輸入的信號(hào)的功率超過MEMS振子10能夠進(jìn)行線性動(dòng)作的功率范圍，而成為大功率，因此通過特性B3在諧振頻率附近相對(duì)于頻率的增減呈非對(duì)稱的形狀。由于損失的大小根據(jù)偏壓的大小而發(fā)生變化，所以MEMS振子10的通過特性的失真程度發(fā)生變化。根據(jù)第2實(shí)施方式的振蕩電路2，控制部50將增益限制部24中的增益、與電壓施加部40施加的偏壓建立關(guān)聯(lián)地控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步抑制了輸出信號(hào)的頻率漂移的振蕩電路?？刂撇?0可以按照電壓施加部40施加的偏壓越大，增益限制部24中的增益越小的方式進(jìn)行控制。在圖5以及圖6所示的例子中，控制部50將電壓施加部40的可變電阻R20的電阻值控制得越小，增益限制部24的可變電阻R30的電阻值則被控制得越大。如圖7所示，MEMS振子10具有偏壓越大損失越大、通過特性越容易失真的傾向?？刂撇?0通過按照電壓施加部40施加的偏壓越大，增益限制部24中的增益越小的方式進(jìn)行控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步抑制了輸出信號(hào)的頻率的漂移的振蕩電路。3. MEMS振子的構(gòu)成例圖8是示意性地表示MEMS振子10的構(gòu)成例的俯視圖。圖9是示意性地表示MEMS振子10的構(gòu)成例的剖視圖。此外，圖9是圖8的I-I線剖視圖。此外，本實(shí)施方式的記載中，將“上方”這樣的語句例如使用為在“特定物體(以下，稱為“A”)的“上方 ”形成其他特定物體(以下，稱為“B”)”等的情況下，包括在A上直接形成B這樣的情況、和在A上經(jīng)由其他的物體形成B這樣的情況，使用“上方“這樣的語句。如圖8所示，MEMS振子10被構(gòu)成為，包括設(shè)置在基板1010的上方的第I電極11以及第2電極12。如圖9所示，第I電極11以及第2電極12隔著空隙配置。如圖9所示，基板1010能夠具有支承基板1012、第I基底層1014、和第2基底層1016。作為支承基板1012,例如可使用娃基板等的半導(dǎo)體基板。作為支承基板1012可以使用陶瓷基板、玻璃基板、藍(lán)寶石基板、金剛石基板、合成樹脂基板等各種基板。第I基底層1014形成在支承基板1012的上方(更具體而言，為支承基板1012上)。作為第I基底層1014,可使用例如溝槽絕緣層、LOCOS (local oxidation of silicon 硅的局部氧化物)絕緣層、半埋入式L0C0S絕緣層。第I基底層1014能夠?qū)EMS振子10、和形成在支承基板1012上的其他的元件(未圖示)電隔離。第2基底層1016形成在第I基底層1014上。作為第2基底層1016的材質(zhì)例舉了例如，氮化硅。MEMS振子10的第I電極11形成在基板1010上。第I電極11的形狀例如為層狀
或者薄薄膜狀。MEMS振子10的第2電極12與第I電極11空出間隔地形成。第2電極12具有形成在基板10上的支承部122 ;被支承部122支承、且配置在第I電極11的上方的梁部124。支承部122例如，與第I電極11空出空間地對(duì)置配置。第2電極12形成為懸臂狀。若向第I電極11以及第2電極12之間施加電壓，則梁部124能夠通過第I電極11與第2電極12之間產(chǎn)生的靜電力而振動(dòng)。S卩、圖8以及圖9所示的MEMS振子10是靜電型的MEMS振子。此外，MEMS振子10還可以具有覆蓋構(gòu)造體，該覆蓋構(gòu)造體將第I電極11以及第2電極12在減壓狀態(tài)下氣密地密封。由此，能夠使梁部124振動(dòng)時(shí)的空氣電阻減少。作為第I電極11以及第2電極12的材質(zhì)，例舉了例如，通過摻雜規(guī)定的雜質(zhì)而被賦予了導(dǎo)電性的多晶硅。其中，作為MEMS振子10，并不局限于上述的構(gòu)成，還可采用各種的公知的MEMS振子。其中，上述的實(shí)施方式以及變形例是一個(gè)例子，并非限定于此。例如還能夠適當(dāng)?shù)亟M合多個(gè)各實(shí)施方式以及各變形例。本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施方式，還能夠進(jìn)行各種的變形。例如，本發(fā)明包括實(shí)際上與實(shí)施方式中說明的構(gòu)成相同的構(gòu)成(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的構(gòu)成、或者目的以及效果相同的構(gòu)成)。另外，本發(fā)明包括將實(shí)施方式中說明的構(gòu)成的非本質(zhì)部分替換后的構(gòu)成。另外，本發(fā)明包括與實(shí)施方式中說明的構(gòu)成起到相同作用效果的構(gòu)成、或者能夠?qū)崿F(xiàn)相同目的的構(gòu)成。另外，本發(fā)明還包括在實(shí)施方式中說明的構(gòu)成中附加了公知技術(shù)的構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種振蕩電路，其特征在于，包括 MEMS振子，其具有隔著空隙配置的第I電極以及第2電極； 放大部，其包括增益部和增益限制部，該增益部具有第I輸入端子以及第I輸出端子，且增益比I大，該增益限制部具有第2輸入端子以及第2輸出端子，且增益比I??；以及輸出端子，其與上述第I輸出端子連接， 上述第I電極與上述第I輸入端子連接， 上述第I輸出端子與上述第2輸入端子連接， 上述第2輸出端子與上述第2電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的振蕩電路，其特征在于，還包括 電壓施加部，其向上述第I電極與上述第2電極之間施加偏壓；和 控制部，其對(duì)上述增益限制部以及上述電壓施加部進(jìn)行控制， 上述控制部使上述增益限制部中的增益與上述電壓施加部施加的上述偏壓建立關(guān)聯(lián)來進(jìn)行控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩電路，其特征在于， 上述控制部按照上述電壓施加部施加的上述偏壓越大，上述增益限制部中的增益越小的方式進(jìn)行控制。
全文摘要
本發(fā)明涉及振蕩電路。該振蕩電路包括MEMS振子，其具有隔著空隙配置的第1電極以及第2電極；放大部，其包括增益部和增益限制部，該增益部具有第1輸入端子以及第1輸出端子，且增益比1大，該增益限制部具有第2輸入端子以及第2輸出端子，且增益比1小；和輸出端子，其與上述第1輸出端子連接，上述第1電極與上述第1輸入端子連接，上述第1輸出端子與上述第2輸入端子連接，上述第2輸出端子與上述第2電極。
文檔編號(hào)H03B5/30GK102751947SQ20121011520
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月20日
發(fā)明者渡邊徹 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社