晶片內(nèi)振蕩裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶片內(nèi)振蕩裝置，包括選擇器、振蕩電路、控制電路以及存儲(chǔ)器。選擇器依據(jù)控制信號選擇輸出外部輸入數(shù)據(jù)或儲(chǔ)存數(shù)據(jù)以作為選中數(shù)據(jù)。振蕩電路接收選中數(shù)據(jù)并產(chǎn)生振蕩輸出信號。振蕩電路依據(jù)選中數(shù)據(jù)調(diào)整振蕩輸出信號的頻率。控制電路接收測試模式啟動(dòng)信號并依據(jù)測試模式啟動(dòng)信號產(chǎn)生控制信號。存儲(chǔ)器用以提供儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。其中，控制電路更產(chǎn)生數(shù)據(jù)寫入命令，并通過數(shù)據(jù)寫入命令將外部輸入數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器。
【專利說明】晶片內(nèi)振蕩裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種晶片內(nèi)振蕩裝置，且特別是有關(guān)于一種可調(diào)整并設(shè)定所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率的晶片內(nèi)振蕩裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的集成電路中，在關(guān)于晶片內(nèi)的振蕩電路所廣生的振蕩輸出信號的頻率的調(diào)整動(dòng)作，通常是在晶片被封裝前就通過晶圓級(Chip Probing, CP)的測試動(dòng)作來完成。但是，由于晶片的封裝過程中，由于晶片接腳上因晶片封裝所增加的寄生電阻、寄生電容以及寄生電感效應(yīng)的影響，晶片在被封裝后，其內(nèi)部的振蕩電路所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率會(huì)產(chǎn)生一定程度的漂移。
[0003]值得注意的是，上述的振蕩輸出信號的頻率漂移并沒有一個(gè)固定的趨勢。因此，并沒有辦法通過簡單的補(bǔ)償方式來對已經(jīng)完成封裝的晶片的內(nèi)建振蕩電路所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膭?dòng)作。也因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，晶片常會(huì)因?yàn)榉庋b而造成內(nèi)建振蕩電路所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率超出規(guī)格，而造成良率下降的現(xiàn)象。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種晶片內(nèi)振蕩裝置，在晶片完成封裝后，可有效進(jìn)行所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率進(jìn)行調(diào)整。
[0005]本發(fā)明提出一種晶片內(nèi)振蕩裝置，包括選擇器、振蕩電路、控制電路以及存儲(chǔ)器。選擇器依據(jù)控制信號選擇輸出外部輸入數(shù)據(jù)或儲(chǔ)存數(shù)據(jù)以作為選中數(shù)據(jù)。振蕩電路耦接選擇器，振蕩電路接收選中數(shù)據(jù)并產(chǎn)生振蕩輸出信號。其中，振蕩電路依據(jù)選中數(shù)據(jù)調(diào)整振蕩輸出信號的頻率?？刂齐娐否罱舆x擇器?？刂齐娐方邮諟y試模式啟動(dòng)信號并依據(jù)測試模式啟動(dòng)信號產(chǎn)生控制信號。存儲(chǔ)器耦接控制器以及選擇器，用以提供儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。其中，控制電路更產(chǎn)生數(shù)據(jù)寫入命令，并通過數(shù)據(jù)寫入命令將外部輸入數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的控制電路器更接收讀取命令，并依據(jù)讀取命令讀取存儲(chǔ)器中的儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的測試模式啟動(dòng)信號指示測試動(dòng)作被啟動(dòng)時(shí),控制電路產(chǎn)生控制信號使選擇器選擇輸出外部輸入數(shù)據(jù)作為選中數(shù)據(jù)。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，其中晶片內(nèi)振蕩裝置更包括內(nèi)部電路。內(nèi)部電路耦接控制電路以及振蕩電路。內(nèi)部電路依據(jù)外部指令以產(chǎn)生測試模式啟動(dòng)信號。內(nèi)部電路并在當(dāng)振蕩輸出信號的頻率進(jìn)入預(yù)設(shè)規(guī)格的頻率范圍時(shí)，使控制電路產(chǎn)生數(shù)據(jù)寫入命令以將外部輸入數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的振蕩電路包括電流源、第一充電電路、第二充電電路以及輸出信號產(chǎn)生電路。電流源提供充電電流。第一充電電路及第二充電電路耦接該電流源，其中，第一充電電路及第二充電電路交替接收充電電流以進(jìn)行充電動(dòng)作，并藉以分別產(chǎn)生第一充電電壓及第二充電電壓。輸出信號產(chǎn)生電路I禹接第一充電電路以及第二充電電路，接收第一及第二充電電壓以及預(yù)設(shè)電壓。輸出信號產(chǎn)生電路針對預(yù)設(shè)電壓與第一及第二充電電壓進(jìn)行比較并藉以設(shè)定振蕩輸出信號的邏輯電平。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電流源接收并依據(jù)選中數(shù)據(jù)以調(diào)整充電電流的電流值。
[0011 ] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的振蕩電路更包括參考電流源。參考電流源耦接電流源，并依據(jù)參考電壓以產(chǎn)生參考電流，以提供至電流源以使電流源依據(jù)鏡射參考電流以產(chǎn)生充電電流。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的振蕩電路更包括電壓產(chǎn)生器。電壓產(chǎn)生器耦接參考電流源，用以依據(jù)選中數(shù)據(jù)來產(chǎn)生參考電壓。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電壓產(chǎn)生器更耦接至輸出信號產(chǎn)生電路。電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生預(yù)設(shè)電壓以提供至輸出信號產(chǎn)生電路。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一充電電路包括第一開關(guān)、第一可變電容以及第二開關(guān)。第一開關(guān)的第一端耦接至電流源。第一開關(guān)受控于開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開。第一可變電容串接在第一開關(guān)的第二端以及參考接地電壓間。第二開關(guān)同樣串接在第一開關(guān)的第二端以及參考接地電壓間。第二開關(guān)受控于開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開。其中，第一及第二開關(guān)的導(dǎo)通及斷開動(dòng)作相反。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二充電電路包括第三開關(guān)、第二可變電容以及第四開關(guān)。第三開關(guān)的第一端耦接至電流源，第三開關(guān)受控于開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開。第二可變電容串接在第三開關(guān)的第二端以及參考接地電壓間。第四開關(guān)與第二可變電容并連，第四開關(guān)受控于開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開。其中，第三及第四開關(guān)的導(dǎo)通及斷開動(dòng)作相反，且第三及第一開關(guān)的導(dǎo)通及斷開動(dòng)作相反。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一可變電容以及第二可變電容的至少其中的一的電容值依據(jù)選中數(shù)據(jù)而改變。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的輸出信號產(chǎn)生電路提供振蕩輸出信號以作為開關(guān)控制信號。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的輸出信號產(chǎn)生電路包括第一比較器、第二比較器以及SR円鎖器。第一比較器的一輸入端接收預(yù)設(shè)電壓，其另一輸入端接收第一充電電壓。第二比較器的一輸入端接收預(yù)設(shè)電壓，其另一輸入端接收第二充電電壓。SR閂鎖器具有設(shè)定端、重置端以及輸出端，其設(shè)定端耦接至第一比較器的輸出端，SR閂鎖器的重置端耦接至第二比較器的輸出端，SR円鎖器的輸出端產(chǎn)生振蕩輸出信號。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的存儲(chǔ)器為非易失性存儲(chǔ)器。
[0020]基于上述，本發(fā)明利用選擇器來接收外部輸入數(shù)據(jù)以調(diào)整振蕩電路所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率，并在振蕩輸出信號的頻率符合設(shè)計(jì)所需的規(guī)格時(shí)，將對應(yīng)的外部輸入數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器中。再通過選擇器改選用存儲(chǔ)器中的儲(chǔ)存數(shù)據(jù)以設(shè)定振蕩電路所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率。如此一來，振蕩輸出信號的頻率可以有效的被控制在符合預(yù)設(shè)規(guī)格的范圍中，提升晶片的生廣良率。
[0021]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下?！緦＠綀D】
【附圖說明】
[0022]圖1繪示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片內(nèi)振蕩裝置100的示意圖；
[0023]圖2繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片內(nèi)振蕩裝置200的示意圖；
[0024]圖3繪示本發(fā)明實(shí)施例的振蕩電路120的一實(shí)施方式；
[0025]圖4繪示本發(fā)明實(shí)施例的振蕩電路120的另一實(shí)施方式。
[0026]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0027]100、200:晶片內(nèi)振蕩裝置；
[0028]110、210:選擇器；
[0029]120、220:振蕩電路；
[0030]130、230:控制電路；
[0031]140:存儲(chǔ)器；
[0032]240:非易失性存儲(chǔ)器；
[0033]250:內(nèi)部電路；
[0034]321、421:電流源；
[0035]322、323、422、423:充電電路；
[0036]324,424:輸出信號產(chǎn)生電路；
[0037]427:參考電流源；
[0038]429:電壓產(chǎn)生器；
[0039]VDD:操作電壓；
[0040]Ir2:充電電流；
[0041]OINS:外部指令；
[0042]CTR:控制信號；
[0043]ODAT:外部輸入數(shù)據(jù)；
[0044]SDAT:儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；
[0045]SELD:選中數(shù)據(jù)；
[0046]CKOUT:振蕩輸出信號；
[0047]TEN:測試模式啟動(dòng)信號；
[0048]WCMD:數(shù)據(jù)寫入命令；
[0049]RCMD:讀取命令；
[0050]SV1、SV2:充電電壓；
[0051]Vrl:預(yù)設(shè)電壓；
[0052]SCTR、SCTRB:開關(guān)控制信號；
[0053]SffrSff4:開關(guān)；
[0054]C1、C2:可變電容；
[0055]GND:參考接地電壓；
[0056]SRl:SR 閂鎖器；
[0057]S:設(shè)定端；
[0058]R:重置端；
[0059]Q、QN:輸出端；[0060]CMP1、CMP2:比較器；
[0061]CKOUTN:反向信號。
【具體實(shí)施方式】
[0062]請參照圖1，圖1繪示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片內(nèi)振蕩裝置100的示意圖。晶片內(nèi)振蕩裝置100包括選擇器110、振蕩電路120、控制電路130以及存儲(chǔ)器140。選擇器110依據(jù)控制信號CTR選擇輸出外部輸入數(shù)據(jù)ODAT或儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT以作為選中數(shù)據(jù)SELD。其中，外部輸入數(shù)據(jù)ODAT可以是在晶片的測試模式被啟動(dòng)時(shí)，由晶片外部所輸入的數(shù)據(jù)。也就是說，外部輸入數(shù)據(jù)ODAT可以通過選擇器110在晶片的測試模式被啟動(dòng)時(shí)作為選中數(shù)據(jù)SELD被傳送至振蕩電路120。而振蕩電路120則依據(jù)所接受的選中數(shù)據(jù)SELD而改變其所產(chǎn)生的振蕩輸出信號CKOUT的頻率。因此，在測試模式被啟動(dòng)時(shí)，通過對晶片輸入多種不同的數(shù)值的外部輸入數(shù)據(jù)0DAT，可以測出振蕩電路120所產(chǎn)生的振蕩輸出信號CKOUT的頻率與選中數(shù)據(jù)SELD間的對應(yīng)關(guān)系。
[0063]另外，儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT則是由存儲(chǔ)器140所提供，選擇器110在晶片的測試模式被關(guān)閉時(shí)選擇儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT作為選中數(shù)據(jù)SELD被傳送至振蕩電路120。也就是說，在晶片的測試模式被關(guān)閉時(shí)(也就是晶片處于正常模式時(shí))，選擇器110會(huì)提供儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT以作為選中數(shù)據(jù)SELD來使振蕩電路120產(chǎn)生振蕩輸出信號CK0UT。
[0064]控制電路130耦接至選擇器110以及存儲(chǔ)器140?？刂齐娐?30接收測試模式啟動(dòng)信號TEN并依據(jù)測試模式啟動(dòng)信號TEN來產(chǎn)生控制信號CTR，并將控制信號CTR傳送至選擇器110。具體來說明，當(dāng)測試模式啟動(dòng)信號TEN指示晶片的測試模式是被啟動(dòng)的狀態(tài)時(shí)，控制電路130會(huì)傳送控制信號CTR使選擇器110選擇外部輸入數(shù)據(jù)ODAT以作為選中數(shù)據(jù)SELD。相反的，當(dāng)測試模式啟動(dòng)信號TEN指示晶片的測試模式是被關(guān)閉的狀態(tài)時(shí)，控制電路130會(huì)傳送控制信號CTR使選擇器110選擇儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT以作為選中數(shù)據(jù)SELD。
[0065]在此同時(shí)，當(dāng)測試模式啟動(dòng)信號TEN指示晶片的測試模式由啟動(dòng)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為關(guān)閉的狀態(tài)時(shí)，控制電路130則會(huì)對應(yīng)產(chǎn)生數(shù)據(jù)寫入命令WCMD，并將數(shù)據(jù)寫入命令WCMD傳送至存儲(chǔ)器130以使此時(shí)的外部輸入數(shù)據(jù)ODAT被寫入存儲(chǔ)器130中以成為儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT。也就是說，在晶片的測試模式被關(guān)閉而恢復(fù)為正常模式時(shí)，振蕩電路120所產(chǎn)生的振蕩輸出信號CKOUT的頻率是依據(jù)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT所設(shè)定的。
[0066]附帶一提的，測試模式啟動(dòng)信號TEN可以通過晶片上設(shè)置的測試腳位(test pin)由晶片外部的測試機(jī)臺(tái)(未繪示)來供應(yīng)。測試模式啟動(dòng)信號TEN也可以通過晶片內(nèi)振蕩裝置100的內(nèi)部電路依據(jù)由晶片外部的測試機(jī)臺(tái)所接收到的命令數(shù)據(jù)來解碼獲得。當(dāng)然，上述的命令數(shù)據(jù)同樣可以通過晶片上的一個(gè)或多個(gè)接腳來由晶片外部的測試機(jī)臺(tái)來接收。
[0067]關(guān)于晶片內(nèi)振蕩裝置100的整體動(dòng)作，首先，控制電路130接收到指示晶片要啟動(dòng)測試模式的測試模式啟動(dòng)信號TEN后，對應(yīng)傳送例如邏輯電平“I”的控制信號CTR至選擇器110。并且，測試者(例如測試機(jī)臺(tái))由晶片外部傳送外部輸入數(shù)據(jù)0DAT，并通過選擇器110選擇外部輸入數(shù)據(jù)ODAT以成為選中數(shù)據(jù)SELD來控制振蕩電路120所產(chǎn)生的振蕩輸出信號CKOUT的頻率。接著，測試機(jī)臺(tái)可以通過檢測振蕩輸出信號CKOUT的頻率與預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍，來對應(yīng)調(diào)整所提供的外部輸入數(shù)據(jù)0DAT，以使振蕩輸出信號CKOUT的頻率可以進(jìn)入預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍。[0068]舉例來說，若選中數(shù)據(jù)SELD (此時(shí)等于外部輸入數(shù)據(jù)0DAT)與振蕩輸出信號CKOUT的頻率是成正比的，當(dāng)振蕩輸出信號CKOUT的頻率低于預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍的下限時(shí)，則對應(yīng)調(diào)高外部輸入數(shù)據(jù)ODAT的值，相對的，當(dāng)振蕩輸出信號CKOUT的頻率高于預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍的上限時(shí)，則對應(yīng)調(diào)低外部輸入數(shù)據(jù)ODAT的值。當(dāng)然，若選中數(shù)據(jù)SELD(此時(shí)等于外部輸入數(shù)據(jù)0DAT)與振蕩輸出信號CKOUT的頻率是成反比的，當(dāng)振蕩輸出信號CKOUT的頻率低于預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍的下限時(shí)，則對應(yīng)調(diào)低外部輸入數(shù)據(jù)ODAT的值，相對的，當(dāng)振蕩輸出信號CKOUT的頻率高于預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍的上限時(shí)，則對應(yīng)調(diào)高外部輸入數(shù)據(jù)ODAT的值。
[0069]當(dāng)振蕩輸出信號CKOUT的頻率被調(diào)整至落入預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍時(shí)(通常會(huì)將振蕩輸出信號CKOUT的頻率調(diào)整至等于預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍的中心點(diǎn))，測試模式啟動(dòng)信號TEN指示測試模式被關(guān)閉?？刂齐娐?30對應(yīng)產(chǎn)生并傳送邏輯電平“O”的控制信號CTR至選擇器110。在此同時(shí)，控制電路130并產(chǎn)生數(shù)據(jù)寫入命令WCMD，并傳送數(shù)據(jù)寫入命令WCMD至存儲(chǔ)器140以使此時(shí)的外部輸入數(shù)據(jù)ODAT可以被寫入至存儲(chǔ)器140。
[0070]附帶一提的，上述被寫入至存儲(chǔ)器140中外部輸入數(shù)據(jù)ODAT是可以設(shè)定使振蕩電路120所產(chǎn)生的振蕩輸出信號CKOUT的頻率落于預(yù)設(shè)規(guī)格中的頻率范圍的。因此，在晶片處于正常模式下，依據(jù)等于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT的選中數(shù)據(jù)SELD來設(shè)定的振蕩輸出信號CKOUT的頻率，就可以符合預(yù)設(shè)規(guī)格所制定的頻率范圍。
[0071]以下請參照圖2，圖2繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片內(nèi)振蕩裝置200的示意圖。晶片內(nèi)振蕩裝置200包括選擇器210、振蕩電路220、控制電路230、非易失性存儲(chǔ)器240以及內(nèi)部電路250。與其一實(shí)施例不相同的，晶片內(nèi)振蕩裝置200更包括內(nèi)部電路250。內(nèi)部電路250耦接至控制電路230以及振蕩電路220。內(nèi)部電路250依據(jù)外部指令OINS以產(chǎn)生測試模式啟動(dòng)信號TEN。內(nèi)部電路250并接收振蕩輸出信號CKOUT以進(jìn)行振蕩輸出信號CKOUT的頻率與振蕩頻率的預(yù)設(shè)規(guī)格的頻率范圍的比對動(dòng)作。內(nèi)部電路250在當(dāng)振蕩輸出信號CKOUT的頻率進(jìn)入預(yù)設(shè)規(guī)格的頻率范圍時(shí)，通過測試模式啟動(dòng)信號TEN使控制電路230產(chǎn)生數(shù)據(jù)寫入命令WCMD以將外部輸入數(shù)據(jù)ODAT寫入至作為存儲(chǔ)器的非易失性存儲(chǔ)器240。
[0072]在另一方面，內(nèi)部電路250還可以傳送讀取命令RCMD，并驅(qū)使控制電路230對非易失性存儲(chǔ)器240進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取的動(dòng)作，并將非易失性存儲(chǔ)器240中所儲(chǔ)存的儲(chǔ)存數(shù)據(jù)SDAT傳送至控制電路230 (或更傳送至內(nèi)部電路250)。
[0073]以下請參照圖3，圖3繪示本發(fā)明實(shí)施例的振蕩電路120的一實(shí)施方式。振蕩電路120包括電流源321、充電電路322、323以及輸出信號產(chǎn)生電路324。電流源321耦接至操作電壓VDD并提供充電電流Ir2，充電電路322、323共同耦接電流源321并交替接收充電電流Ir2以進(jìn)行充電動(dòng)作。充電電路322、323交替的在不同的時(shí)間區(qū)間中依據(jù)充電電流Ir2進(jìn)行充電，并藉以產(chǎn)生充電電壓SVl以及SV2。
[0074]輸出信號產(chǎn)生電路324耦接充電電路322以及323，并接收充電電壓SV1、SV2以及預(yù)設(shè)電壓Vrl。輸出信號產(chǎn)生電路324分別針對預(yù)設(shè)電壓Vrl與充電電壓SVl及SV2進(jìn)行比較并藉以設(shè)定振蕩輸出信號CKOUT的邏輯電平。
[0075]具體一點(diǎn)來說明，當(dāng)充電電路322接收充電電流Ir2以進(jìn)行充電動(dòng)作時(shí)，充電電路323接收充電電流Ir2的路徑是被切斷的。此時(shí)，充電電路322所提供的充電電壓SVl逐漸上升而充電電路323所提供的充電電壓SV2則維持在固定的電壓電平上(例如O伏特)。輸出信號產(chǎn)生電路324則進(jìn)行充電電壓SVl與預(yù)設(shè)電壓Vrl的比對動(dòng)作，并且，當(dāng)充電電壓SVl大于預(yù)設(shè)電壓Vrl時(shí)，輸出信號產(chǎn)生電路324設(shè)定振蕩輸出信號CKOUT的邏輯電平例如等于邏輯電平“I”。
[0076]在此同時(shí)，充電電路322的充電動(dòng)作結(jié)束，并開始充電電路323的充電動(dòng)作。而在充電電路323充電的過程中，充電電路322則進(jìn)行放電的動(dòng)作，并使充電電壓SVl下降至例如等于O伏特。另外，輸出信號產(chǎn)生電路324進(jìn)行充電電壓SV2與預(yù)設(shè)電壓VrI的比對動(dòng)作，并且，當(dāng)充電電壓SV2大于預(yù)設(shè)電壓Vrl時(shí)，輸出信號產(chǎn)生電路324設(shè)定振蕩輸出信號CKOUT的邏輯電平例如等于邏輯電平“O”。
[0077]由上述的說明可以得知，振蕩電路120通過充電電路322及323的交替充電動(dòng)作，就可以使輸出信號產(chǎn)生電路324產(chǎn)生振蕩輸出信號CK0UT。而通過控制充電電壓SVl及SV2上升至大于預(yù)設(shè)電壓Vrl所需的時(shí)間，就可以控制振蕩輸出信號CKOUT的頻率。
[0078]附帶一提的，在本實(shí)施例中，充電電路322及323可以分別依據(jù)開關(guān)控制信號SCTR及SCTRB來判斷是否進(jìn)行充電的動(dòng)作，其中，開關(guān)控制信號SCTR為開關(guān)控制信號SCTRB的反向信號。
[0079]請參照圖4，圖4繪示本發(fā)明實(shí)施例的振蕩電路120的另一實(shí)施方式。其中,振蕩電路120包括電流源421、充電電路422、423、輸出信號產(chǎn)生電路424、參考電流源427以及電壓產(chǎn)生器429。充電電路422包括開關(guān)SW1、SW2以及可變電容Cl。開關(guān)SWl的第一端耦接至電流源421，開關(guān)SWl受控于開關(guān)控制信號SCTR以導(dǎo)通或斷開?？勺冸娙軨l串接在開關(guān)SWl的第二端以及參考接地電壓GND間。開關(guān)SW2則串接在開關(guān)SWl的第二端以及參考接地電壓GND間。開關(guān)SW2同樣受控于開關(guān)控制信號SCTR以導(dǎo)通或斷開。其中，開關(guān)SWl以及SW2的導(dǎo)通及斷開的動(dòng)作是相反的。
[0080]充電電路423則包括開關(guān)SW3、SW4以及可變電容C2。開關(guān)SW3的第一端耦接至電流源421，開關(guān)SW3受控于開關(guān)控制信號SCTRB以導(dǎo)通或斷開。可變電容C2串接在開關(guān)SW3的第二端以及參考接地電壓GND間。開關(guān)SW4則串接在開關(guān)SW3的第二端以及參考接地電壓GND間。開關(guān)SW4同樣受控于開關(guān)控制信號SCTRB以導(dǎo)通或斷開。其中，開關(guān)SW3以及SW4的導(dǎo)通及斷開的動(dòng)作是相反的，且開關(guān)SWl以及開關(guān)SW3的導(dǎo)通及斷開的動(dòng)作是相反的。
[0081]也就是說，當(dāng)開關(guān)SWl是導(dǎo)通的狀態(tài)時(shí)(開關(guān)SW2是斷開的)，充電電路422接收充電電流Ir2以使可變電容Cl進(jìn)行并使充電電壓SVl逐漸上升。同時(shí)，開關(guān)SW3為斷開，開關(guān)SW4是導(dǎo)通的。此時(shí)的可變電容C2被放電，并使充電電壓SV2等于參考接地電壓GND。相對的，當(dāng)開關(guān)SW3是導(dǎo)通的狀態(tài)時(shí)(開關(guān)SW4是斷開的)，充電電路423接收充電電流Ir2以使可變電容C2進(jìn)行并使充電電壓SV2逐漸上升。同時(shí)，開關(guān)SWl為斷開，開關(guān)SW2是導(dǎo)通的。此時(shí)的可變電容Cl被放電，并使充電電壓SVl等于參考接地電壓GND。
[0082]本實(shí)施方式中的輸出信號產(chǎn)生電路424則包括比較器CMP1、CMP2以及SR閂鎖器SR1。比較器CMPl的一輸入端接收預(yù)設(shè)電壓Vrl，其另一輸入端接收充電電壓SV1。比較器CMP2的一輸入端接收預(yù)設(shè)電壓Vrl，其另一輸入端接收充電電壓SV2。SR閂鎖器SRl具有設(shè)定端S、重置端R以及輸出端Q及QN。SR閂鎖器SRl的設(shè)定端S耦接至比較器CMPl的輸出端，SR閂鎖器SRl的重置端R耦接至比較器CMP2的輸出端，SR閂鎖器SRl的輸出端Q產(chǎn)生振蕩輸出信號CK0UT，而SR閂鎖器SRl的輸出端QN則產(chǎn)生振蕩輸出信號CKOUT的反向信號CKOUTN。本實(shí)施例中的預(yù)設(shè)電壓Vrl則由電壓產(chǎn)生器429所產(chǎn)生。
[0083]SR閂鎖器SRl在比較器CMPl比較出充電電壓SVl大于預(yù)設(shè)電壓Vrl時(shí)，設(shè)定振蕩輸出信號CKOUT為邏輯電平“1”，SR閂鎖器SRl并在比較器CMP2比較出充電電壓SV2大于預(yù)設(shè)電壓Vrl時(shí)，設(shè)定振蕩輸出信號CKOUT為邏輯電平“O”。
[0084]輸出信號產(chǎn)生電路424并提供振蕩輸出信號CKOUT以作為開關(guān)控制信號SCTR，并提供振蕩輸出信號CKOUT的反向信號CKOUTN以作為開關(guān)控制信號SCTRB。
[0085]由上述的說明不難發(fā)現(xiàn)，本實(shí)施方式中的振蕩電路120的振蕩輸出信號CKOUT的頻率可以通過控制充電電路422及423的至少其中之一的充電時(shí)間來完成。其中，通過控制電流源421所產(chǎn)生的充電電流Ir2的大小、可變電容Cl以及可變電容C2的電容值等至少其中之一，都可以有效控制振蕩輸出信號CKOUT的頻率。
[0086]在本實(shí)施方式中，電流源421所產(chǎn)生的充電電流Ir2是依據(jù)鏡射參考電流源427所產(chǎn)生的參考電流所產(chǎn)生的，而參考電流源427則耦接至電壓產(chǎn)生器429以接收電壓產(chǎn)生器429所產(chǎn)生的參考電壓Vr2。此外，電壓產(chǎn)生器429可接收選中數(shù)據(jù)SELD，并依據(jù)選中數(shù)據(jù)SELD來產(chǎn)生參考電壓Vr2。也就是說，本實(shí)施方式中的振蕩電路120可依據(jù)選中數(shù)據(jù)SELD來調(diào)整電流源421所產(chǎn)生的充電電流Ir2，并藉以調(diào)整振蕩輸出信號CKOUT的頻率。
[0087]另外，可變電容Cl及C2的電容值也可以依據(jù)選中數(shù)據(jù)SELD來進(jìn)行調(diào)整，并藉以控制振蕩輸出信號CKOUT的頻率。
[0088]綜上所述，本發(fā)明通過外部輸入數(shù)據(jù)來調(diào)整振蕩電路所產(chǎn)生的振蕩輸出信號的頻率，并在振蕩輸出信號的頻率落入預(yù)設(shè)規(guī)格的頻率范圍時(shí)，將外部輸入數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器中。在晶片進(jìn)入正常模式時(shí)，則讀取存儲(chǔ)器中的儲(chǔ)存數(shù)據(jù)來設(shè)定振蕩輸出信號的頻率。如此一來，可以使各個(gè)晶片內(nèi)振蕩裝置可以產(chǎn)生符合規(guī)格的振蕩輸出信號，以確保晶片可以正常的運(yùn)作，有效提升封裝后晶片的良率。
[0089]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的申請專利權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片內(nèi)振蕩裝置，包括: 一選擇器，依據(jù)一控制信號選擇輸出一外部輸入數(shù)據(jù)或一儲(chǔ)存數(shù)據(jù)以作為一選中數(shù)據(jù)； 一振蕩電路，耦接該選擇器，接收該選中數(shù)據(jù)并產(chǎn)生一振蕩輸出信號，其中該振蕩電路依據(jù)該選中數(shù)據(jù)調(diào)整該振蕩輸出信號的頻率； 一控制電路，耦接該選擇器，該控制電路接收一測試模式啟動(dòng)信號并依據(jù)該測試模式啟動(dòng)信號產(chǎn)生該控制信號；以及 一存儲(chǔ)器，耦接該控制電路以及該選擇器，用以提供該儲(chǔ)存數(shù)據(jù)， 其中，該控制電路更產(chǎn)生一數(shù)據(jù)寫入命令，并通過該數(shù)據(jù)寫入命令將該外部輸入數(shù)據(jù)寫入至該存儲(chǔ)器。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該控制電路器更接收一讀取命令，并依據(jù)該讀取命令讀取該存儲(chǔ)器中的該儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該測試模式啟動(dòng)信號指示一測試動(dòng)作被啟動(dòng)時(shí)，該控制電路產(chǎn)生該控制信號使該選擇器選擇輸出該外部輸入數(shù)據(jù)作為該選中數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求3所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中更包括: 一內(nèi)部電路，耦接該控制電路以及該振蕩電路，該內(nèi)部電路依據(jù)一外部指令以產(chǎn)生該測試模式啟動(dòng)信號，該內(nèi)部電路并在當(dāng)該振蕩輸出信號的頻率進(jìn)入一預(yù)設(shè)規(guī)格的頻率范圍時(shí)，使該控制電路產(chǎn)生該數(shù)據(jù)寫入命令以將該外部輸入數(shù)據(jù)寫入至該存儲(chǔ)器。`
5.如權(quán)利要求1所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該振蕩電路包括: 一電流源，提供一充電電流； 一第一充電電路，耦接該電流源； 一第二充電電路，耦接該電流源，其中，該第一充電電路及該第二充電電路交替接收該充電電流以進(jìn)行充電動(dòng)作，并藉以分別產(chǎn)生一第一充電電壓及一第二充電電壓；以及 一輸出信號產(chǎn)生電路，耦接該第一充電電路以及該第二充電電路，接收該第一及該第二充電電壓以及一預(yù)設(shè)電壓，該輸出信號產(chǎn)生電路針對該預(yù)設(shè)電壓與該第一及該第二充電電壓進(jìn)行比較并藉以設(shè)定該振蕩輸出信號的邏輯電平。
6.如權(quán)利要求5所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該電流源接收并依據(jù)該選中數(shù)據(jù)以調(diào)整該充電電流的電流值。
7.如權(quán)利要求5所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該振蕩電路更包括: 一參考電流源，耦接該電流源，該參考電流源依據(jù)一參考電壓以產(chǎn)生一參考電流，以提供該電流源依據(jù)鏡射該參考電流以產(chǎn)生該充電電流。
8.如權(quán)利要求6所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該振蕩電路更包括: 一電壓產(chǎn)生器，耦接該參考電流源，用以依據(jù)該選中數(shù)據(jù)來產(chǎn)生該參考電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該電壓產(chǎn)生器更耦接至該輸出信號產(chǎn)生電路，該電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生該預(yù)設(shè)電壓以提供至該輸出信號產(chǎn)生電路。
10.如權(quán)利要求5所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該第一充電電路包括: 一第一開關(guān)，其第一端耦接至該電流源，該第一開關(guān)受控于一開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開；一第一可變電容，串接在該第一開關(guān)的第二端以及一參考接地電壓間；以及一第二開關(guān)，串接在該第一開關(guān)的第二端以及該參考接地電壓間，該第二開關(guān)受控于該開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開， 其中，該第一開關(guān)與該第二開關(guān)的導(dǎo)通及斷開動(dòng)作相反。
11.如權(quán)利要求10所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該第二充電電路包括: 一第三開關(guān)，其第一端耦接至該電流源，該第三開關(guān)受控于該開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開； 一第二可變電容，串接在該第三開關(guān)的第二端以及該參考接地電壓間；以及一第四開關(guān)，串接在該第三開關(guān)的第二端以及該參考接地電壓間，該第四開關(guān)受控于該開關(guān)控制信號以導(dǎo)通或斷開， 其中，該第三開關(guān)與該第四開關(guān)的導(dǎo)通及斷開動(dòng)作相反，且該第三開關(guān)與該第一開關(guān)的導(dǎo)通及斷開動(dòng)作相反。
12.如權(quán)利要求11所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該第一可變電容以及該第二可變電容的至少其中之一的電容值依據(jù)該選中數(shù)據(jù)而改變。
13.如權(quán)利要求10所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該輸出信號產(chǎn)生電路提供該振蕩輸出信號以作為該開關(guān)控制信號。
14.如權(quán)利要求5所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該輸出信號產(chǎn)生電路包括: 一第一比較器，其一輸入端接收該預(yù)設(shè)電壓，其另一輸入端接收該第一充電電壓； 一第二比較器，其一輸入端接收該預(yù)設(shè)電壓，其另一輸入端接收該第二充電電壓；以及 一 SR閂鎖器，具有設(shè)定端、重置端以及輸出端，其設(shè)定端耦接至該第一比較器的輸出`端，該SR閂鎖器的重置端耦接至該第二比較器的輸出端，該SR閂鎖器的輸出端產(chǎn)生該振蕩輸出信號。
15.如權(quán)利要求1所述的晶片內(nèi)振蕩裝置，其中該存儲(chǔ)器為非易失性存儲(chǔ)器。
【文檔編號】H03H3/013GK103516323SQ201210229648
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月28日
【發(fā)明者】侯粵梅, 楊志偉, 黃全興 申請人:盛群半導(dǎo)體股份有限公司