一種航天器高可靠感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種航天器高可靠感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)，該驅(qū)動(dòng)技術(shù)包括由第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管構(gòu)成的OC門、第五NMOS管和第六NMOS管，通過(guò)控制所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)、第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)、第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)使得控制所述第一NMOS管和第二NMOS管先于第三NMOS管和第四NMOS管斷開(kāi)，第三NMOS管和第四NMOS管先于第一NMOS管和第二NMOS管導(dǎo)通，從而，解決串聯(lián)的第一NMOS管和第三NMOS管或者第二NMOS管和第四NMOS管在通斷時(shí)產(chǎn)生漏柵極反電壓的問(wèn)題，又由于采用OC門，所以，可靠性高。
【專利說(shuō)明】一種航天器高可靠感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，尤其涉及航天器上的感性負(fù)載的高可靠性驅(qū)動(dòng)技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]航天器上感性負(fù)載的驅(qū)動(dòng)一般都采取場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)的技術(shù)，由于現(xiàn)航天器的壽命及可靠性要求越來(lái)越高，因此采用單場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)、單串或者單并場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)只能適應(yīng)在比較特殊的場(chǎng)合，其可靠性未達(dá)到最優(yōu)。而使用場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)實(shí)現(xiàn)兩并兩串的驅(qū)動(dòng)方式時(shí)，串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)管在通斷時(shí)產(chǎn)生漏柵極反電壓，這會(huì)使得驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載的可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是以O(shè)C門驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載存在漏柵極反電壓的問(wèn)題。
[0004]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明揭露一種航天器高可靠性感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)，在本發(fā)明中是一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路包括由第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管構(gòu)成的OC門、第五NMOS管、第一分壓電路、第二分壓電路和第六NMOS管，其中，所述第一匪OS管的柵極通過(guò)第一分壓電路連接于一次電源，還連接于第五NMOS管的漏極；所述第五NMOS管的源極接地，柵極接收第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)；所述第二 NMOS管的柵極通過(guò)第二分壓電路連接于一次電源，還連接于第六NMOS管的漏極；所述第六NMOS管的源極接地，柵極接收第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)；所述第三NMOS管的源極接地，柵極接收第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)；所述第四NMOS管的源極接地，柵極接收第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)；所述第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別控制所述第三NMOS管和第四NMOS管導(dǎo)通或截止，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別控制所述第一NMOS管和第二 NMOS管導(dǎo)通或截止，所述第三NMOS管和第四NMOS管先于第一 NMOS管和第二 NMOS管導(dǎo)通，所述第一 NMOS管和第二 NMOS管先于第三NMOS管和第四NMOS管截止。
[0005]作為一種改進(jìn)方案，所述第一分壓電路包括串聯(lián)的第一電阻和第二電阻，該第一電阻連接于所述一次電源，該第二電阻接地，所述第二分壓電路包括串聯(lián)的第三電阻和第四電阻，該第三電阻連接所述一次電源，第四電阻接地。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果是:
由于采用OC門作為主驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)所述感性負(fù)載，這樣，實(shí)現(xiàn)了感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路的高可靠性，對(duì)航天器長(zhǎng)壽命及高可靠工作提供了增益；另外，由于在導(dǎo)通時(shí)，使得第三NMOS管和第四NMOS管導(dǎo)通先于第一 NMOS管和第二 NMOS管導(dǎo)通，在關(guān)斷時(shí)使得第一 NMOS管和第二匪SO管先于第三NMOS管和第四NMOS管關(guān)斷，所以，避免漏柵極反電壓使得管子處于能耗，甚至燒毀管子的問(wèn)題，再者，由于電路為分立器件組成，因此其電路組成簡(jiǎn)單，便于應(yīng)用，同時(shí)，分立器件組成的電路也可用應(yīng)用于厚膜電路，實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]以下將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0008]圖1為驅(qū)動(dòng)電路的連接示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0009]如圖1所示，本發(fā)明的航天器高可靠性感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)(電路)用于驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載，該感性負(fù)載可以是閥門，該驅(qū)動(dòng)電路包括有第一 NMOS管Q1、第二 NMOS管Q2、第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4構(gòu)成的OC門1、第五NMOS管Q5、第一分壓電路、第二分壓電路和第六NMOS管Q6。所述第一 NMOS管Ql的柵極通過(guò)第一分壓電路連接于一次電源，還連接于第五NMOS管Q5的漏極，具體的，該第一分壓電路包括；所述第五NMOS管Q5的源極接地，柵極接收第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SI，該第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SI控制所述第一 NMOS管Ql的導(dǎo)通或截止。所述第二 NMOS管Q2的柵極通過(guò)第二分壓電路連接于一次電源，還連接于第六NMOS管Q6的漏極，具體的，所述第二分壓電路包括:所述第六NMOS管Q6的源極接地，柵極接收第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)S2，該第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)S2控制所述第二 NMOS管Q2的導(dǎo)通或者截止。所述第三NMOS管Q3的柵極接收第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)S3，源極接地，該第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)S3控制所述第三NMOS管Q3的導(dǎo)通或截止。所述第四NMOS管Q4的柵極接收第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)S4，源極接地，該第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)S4控制所述第四NMOS管Q4的導(dǎo)通或截止。所述第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別控制所述第三NMOS管和第四NMOS管導(dǎo)通或截止，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別控制所述第一NMOS管和第二 NMOS管導(dǎo)通或截止，所述第三NMOS管和第四NMOS管先于第一 NMOS管和第二 NMOS管導(dǎo)通，所述第一 NMOS管和第二 NMOS管先于第三NMOS管和第四NMOS管截止。
[0010]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，本發(fā)明的航天器高可靠感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)(電路)用于驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載LI，在本發(fā)明中，由第一 NMOS管Ql、第二 NMOS管Q2、第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4構(gòu)成的OC門作為主驅(qū)動(dòng)電路，這樣，可以保證驅(qū)動(dòng)的高可靠性。另外，在采用OC門作為主驅(qū)動(dòng)時(shí)，由于第一 WOS管Ql和第三NMOS管Q3采用串聯(lián)結(jié)構(gòu)，由于感性負(fù)載LI的工作電流比較大，所以，在第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2導(dǎo)通時(shí)，第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2導(dǎo)通的壓降較大，這樣，會(huì)造成第三NMOS管Q3存在壓降，由此，第一 NMOS管的柵極和源極的電壓之差較小，導(dǎo)致第一 NMOS管Ql處于能耗狀態(tài)，功耗增加，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成器件燒毀。所以，為了避免柵極和源極之間的電壓差(漏柵存在反電壓)而影響器件的問(wèn)題，本發(fā)明設(shè)置了第五NMOS管Q5和第六NMOS管Q6,并通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SI和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)S2控制所述第五NMOS管Q5和第六NMOS管Q6的導(dǎo)通或者截止而控制第一 NMOS管Ql和第二NMOS管Q2的導(dǎo)通或者截止，解決了上述問(wèn)題，另外，考慮到第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2的柵極電壓最大為20V，所以，為第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2設(shè)置第一分壓電路和第二分壓電路，通過(guò)第一分壓電路和第二分壓電路將一次電源進(jìn)行分壓后驅(qū)動(dòng)該第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2。
[0011]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，本發(fā)明航天器可靠感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)的驅(qū)動(dòng)方式如下:
1.在需要驅(qū)動(dòng)所述負(fù)載LI，先通過(guò)第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)S3和第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)S4驅(qū)動(dòng)第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4導(dǎo)通，然后，通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SI和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)S2使得第五NMOS管Q5導(dǎo)通和第六NMOS管Q6導(dǎo)通，進(jìn)而，可以使得第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4先于第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2導(dǎo)通，避免因?yàn)槁〇艠O反電壓造成的NMOS管處于能耗狀態(tài)，甚至使得NMOS管毀壞的問(wèn)題。
[0012]2.在需要關(guān)斷所述負(fù)載LI，先通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SI和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)S2控制所述第五NMOS管Q5和第六NMOS管Q6關(guān)斷，進(jìn)而，使得所述第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2關(guān)斷，然后，通過(guò)第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)S3和第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)S4控制所述第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4關(guān)斷。
[0013]綜上所述，本發(fā)明通過(guò)OC門作為主驅(qū)動(dòng)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述感性負(fù)載，由于采用OC門采用兩串和兩并的方式，當(dāng)左側(cè)(第一 NMOS管Ql和第三NMOS管Q3)作為一路或(第二 NMOS管Q2和第三NMOS管Q3)作為一路發(fā)生故障時(shí)，另一路還能正常工作，所以，提高了可靠性，另外，通過(guò)在關(guān)斷時(shí)候，通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SI和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)S2控制第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2先于第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4關(guān)斷，而在導(dǎo)通時(shí)，先導(dǎo)通第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2，然后再導(dǎo)通第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4，這樣，避免漏柵極反電壓。
【權(quán)利要求】
1.一種航天器高可靠感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)，其特征在于:包括由第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管構(gòu)成的OC門、第五NMOS管、第一分壓電路、第二分壓電路和第六NMOS管，其中， 所述第一 NMOS管的柵極通過(guò)第一分壓電路連接于一次電源，還連接于第五NMOS管的漏極； 所述第五NMOS管的源極接地，柵極接收第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 所述第二 NMOS管的柵極通過(guò)第二分壓電路連接于一次電源，還連接于第六NMOS管的漏極； 所述第六NMOS管的源極接地，柵極接收第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 所述第三NMOS管的源極接地，柵極接收第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 所述第四NMOS管的源極接地，柵極接收第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 所述第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第四驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別控制所述第三NMOS管和第四NMOS管導(dǎo)通或截止，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別控制所述第一 NMOS管和第二 NMOS管導(dǎo)通或截止，所述第三NMOS管和第四NMOS管先于第一 NMOS管和第二 NMOS管導(dǎo)通，所述第一 NMOS管和第二 NMOS管先于第三NMOS管和第四NMOS管截止。
2.如權(quán)利要求1所述的航天器高可靠感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)，其特征在于:所述第一分壓電路包括串聯(lián)的第一電阻和第二電阻，該第一電阻連接于所述一次電源，該第二電阻接地，所述第二分壓電路包括串聯(lián)的第三電阻和第四電阻，該第三電阻連接所述一次電源，第四電阻接地。
【文檔編號(hào)】H03K19/094GK103684415SQ201210326363
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月6日
【發(fā)明者】嚴(yán)丹, 丁承華 申請(qǐng)人:上海航天控制工程研究所