低功耗的平方電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種低功耗的平方電路；包括：信號(hào)檢測(cè)電路，信號(hào)檢測(cè)電路連接檢測(cè)信號(hào)輸入端；偏置電路，偏置電路連接至信號(hào)檢測(cè)電路；MOS管，MOS管柵極連接偏置電路；電流電壓轉(zhuǎn)化電路，電流電壓轉(zhuǎn)化電路連接MOS管，輸出與檢測(cè)信號(hào)平方成正比的電壓信號(hào)。本發(fā)明降低線路復(fù)雜程度，減小了成本；降低了功耗，減小了供電系統(tǒng)的負(fù)荷；線路通過(guò)分離器件或者集成電路均可實(shí)現(xiàn)，應(yīng)用更靈活、方便。
【專利說(shuō)明】低功耗的平方電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種對(duì)信號(hào)進(jìn)行平方處理電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的平方器所采用的方法是將內(nèi)部為吉爾伯托單元或者對(duì)數(shù)-指數(shù)函數(shù)發(fā)生器的模擬乘法器的兩個(gè)輸入短接實(shí)現(xiàn)平方功能。這兩種結(jié)構(gòu)的平方器中采用吉爾伯托結(jié)構(gòu)的線路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗大，很難通過(guò)分立器件實(shí)現(xiàn)；利用對(duì)數(shù)-指數(shù)函數(shù)發(fā)生器結(jié)構(gòu)的平方器對(duì)元器件匹配度要求高、集成化難以實(shí)現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種低功耗的平方電路，它可以降低線路復(fù)雜程度減小成本；降低功耗，減小供電系統(tǒng)的負(fù)荷。
[0004]為了解決以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種低功耗的平方電路；包括:信號(hào)檢測(cè)電路，信號(hào)檢測(cè)電路連接檢測(cè)信號(hào)輸入端；偏置電路，偏置電路連接至信號(hào)檢測(cè)電路;M0S管，MOS管柵極連接偏置電路；電流電壓轉(zhuǎn)化電路，電流電壓轉(zhuǎn)化電路連接MOS管，輸出與檢測(cè)信號(hào)平方成正比的電壓信號(hào)。
[0005]本發(fā)明的有益效果在于:采用本線路結(jié)構(gòu)后，降低線路復(fù)雜程度減小了成本；降低了功耗，減小了供電系統(tǒng)的負(fù)荷；線路通過(guò)分離器件或者集成電路均可實(shí)現(xiàn)，應(yīng)用更靈活、方便。
[0006]通過(guò)偏置電路將MOS管柵初始電平設(shè)置為Ves=VTH。
[0007]利用檢測(cè)線路將需要檢測(cè)的信號(hào)疊加到MOS管的柵上。
[0008]再通過(guò)電流電壓轉(zhuǎn)化電路輸出一個(gè)與檢測(cè)信號(hào)平方成正比的電壓信號(hào)。
[0009]所述平方電路通過(guò)分離器件組合而成或?yàn)榧呻娐贰?br> [0010]平方電路初始態(tài)時(shí)刻:設(shè)置偏置
【權(quán)利要求】
1.一種低功耗的平方電路；其特征在于，包括: 信號(hào)檢測(cè)電路，信號(hào)檢測(cè)電路連接檢測(cè)信號(hào)輸入端； 偏置電路，偏置電路連接至信號(hào)檢測(cè)電路； MOS管，MOS管柵極連接偏置電路； 電流電壓轉(zhuǎn)化電路，電流電壓轉(zhuǎn)化電路連接MOS管，輸出與檢測(cè)信號(hào)平方成正比的電壓信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的低功耗的平方電路，其特征在于，通過(guò)偏置電路將MOS管柵初始電平設(shè)置為ves=vTH。
3.如權(quán)利要求2所述的低功耗的平方電路，其特征在于，利用檢測(cè)線路將需要檢測(cè)的信號(hào)疊加到MOS管的柵上。
4.如權(quán)利要求3所述的低功耗的平方電路，其特征在于，再通過(guò)電流電壓轉(zhuǎn)化電路輸出一個(gè)與檢測(cè)信號(hào)平方成正比的電壓信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的低功耗的平方電路，其特征在于，所述平方電路通過(guò)分離器件組合而成。
6.如權(quán)利要求4所述的低功耗的平方電路，其特征在于，所述平方電路為集成電路。
7.如權(quán)利要求1至6中任何一項(xiàng)所述的低功耗的平方電路，其特征在于，平方電路初始態(tài)時(shí)刻:設(shè)置偏置I以
【文檔編號(hào)】H03K19/094GK103731137SQ201210382800
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月10日
【發(fā)明者】喬紅瑗, 謝維奇, 劉紅超, 丁佳卿 申請(qǐng)人:上海得倍電子技術(shù)有限公司