一種觸發(fā)器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種觸發(fā)器，包括：高電平閾值比較器、低電平閾值比較器、帶使能控制的或非門電路及反相器；其中，所述高電平閾值比較器的輸出端與所述帶使能控制的或非門電路的第一輸入端電性連接；所述低電平閾值比較器的輸出端與所述帶使能控制的或非門電路的第二輸入端電性連接；所述帶使能控制的或非門電路的輸出端與所述反相器的輸入端電性連接，所述反相器的輸出端反饋至所述帶使能控制的或非門電路的第三輸入端，從而可以使觸發(fā)器的前后沿觸發(fā)電壓不受電源電壓和溫度的影響。
【專利說明】一種觸發(fā)器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種觸發(fā)器。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，施密特觸發(fā)器是一種脈沖波形整形電路，它可以把變化緩慢的信號(hào)或變化不規(guī)則的信號(hào)轉(zhuǎn)換為陡變信號(hào)。圖1所示為理想施密特觸發(fā)器的直流電壓傳輸特性曲線圖，這種曲線類似于遲滯回線，其特性的兩個(gè)重要參數(shù)是前沿觸發(fā)電壓V+和后沿觸發(fā)電壓V—。前沿觸發(fā)電壓V+是輸入電壓增加過程中引起電路翻轉(zhuǎn)動(dòng)作的觸發(fā)點(diǎn)壓，后沿觸發(fā)電壓r是輸入電壓減小過程中引起電路翻轉(zhuǎn)動(dòng)作的觸發(fā)點(diǎn)壓。
[0003]圖2所示為一種采用NMOS管實(shí)現(xiàn)的施密特觸發(fā)器。作為一級(jí)近似，且忽略體效應(yīng)，可以認(rèn)為M2開始導(dǎo)通時(shí)出現(xiàn)觸發(fā)點(diǎn)。當(dāng)M2的電流為零時(shí)，如果輸入電壓為V+，則反饋電壓Vfb為:Vfb=V+-Vto，其中Vto是N溝晶體管的開啟電壓。對(duì)于觸發(fā)點(diǎn)處的輸入電壓，下拉管Ml處在飽和區(qū)的邊緣。Vfb決定于M3與Ml的W / L之比。求解觸發(fā)電壓，可以得到:
【權(quán)利要求】
1.一種觸發(fā)器，其特征在于，包括: 高電平閾值比較器、低電平閾值比較器、帶使能控制的或非門電路及反相器； 其中，所述高電平閾值比較器的輸出端與所述帶使能控制的或非門電路的第一輸入端電性連接； 所述低電平閾值比較器的輸出端與所述帶使能控制的或非門電路的第二輸入端電性連接； 所述帶使能控制的或非門電路的輸出端與所述反相器的輸入端電性連接， 所述反相器的輸出端反饋至所述帶使能控制的或非門電路的第三輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)器，其特征在于:所述高電平閾值比較器的正向輸入端與信號(hào)輸入端電性連接，所述高電平閾值比較器的反向輸入端與高閾值電壓輸入端電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)器，其特征在于:所述低電平閾值比較器的正向輸入端與信號(hào)輸入端電性連接，所述高電平閾值比較器的反向輸入端與低閾值電壓輸入端電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)器，其特征在于:所述帶使能控制的或非門電路包括:第一 ？108管、第二 ？103管、第三？103管、第一匪03管、第二腳03管、第三腳03管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸發(fā)器，其特征在于:所述第一？103管的源極與第二？103管的源極電性連接至電源，所述第一？103管的漏極與第二？103管的漏極電性連接，所述第一 ？108管的漏極與第三？103管的源極電性連接，所述第三？103管的漏極與第一匪03管的源極電性連接，第一匪03管的漏極與第三匪03管的源極電性連接，第二匪03管的源極與第一匪03管的源極電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸發(fā)器，其特征在于:所述反相器的輸入端與所述第三？103管的漏極、所述第一匪03管的源極及所述第二匪03管的源極同時(shí)電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸發(fā)器，其特征在于:所述第三1^03管的柵極與所述第二匪03管的柵極電性連接，其中，所述第三？103管的柵極與所述第二匪03管的柵極的電性連接點(diǎn)為所述的第一輸入端。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸發(fā)器，其特征在于的柵極電性連接，其中，所述第一？103管的柵極與第三匪03管的柵極的電性連接點(diǎn)為所述的第二輸入端。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸發(fā)器，其特征在于:所述第一匪03管的柵極與第二？103管的柵極電性連接，其中，所述第一匪03管的柵極與第二 ？103管的柵極電性連接為所述的第三輸入端。
【文檔編號(hào)】H03K3/3565GK103840798SQ201210491246
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月27日
【發(fā)明者】劉敬波, 王斌, 趙秋奇, 劉俊秀, 石嶺 申請(qǐng)人:深圳艾科創(chuàng)新微電子有限公司, 深圳集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地管理中心