專利名稱：Hc-49s型石英晶體諧振器用晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種石英晶體諧振器，具體地說是一種HC-49S型石英晶體諧振器用
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背景技術(shù)：
石英晶片是石英晶體諧振器的主體，在晶體諧振器制造中，需要在晶片部分表面鍍上一層銀層，以形成晶片的電極即通常所說的鍍銀電極，使晶體在電場的作用下形成逆壓電效應(yīng)，其電性能主要是由晶片及其搭配的電極共同決定。為了保護(hù)晶片，一般是將晶片放置在基座內(nèi)，用導(dǎo)電膠將晶片固定在基座上，再將外殼與基座壓封。其牢固程度直接影響了晶體諧振器的可靠性。目前常用的HC-49S型石英晶體諧振器所用晶片，如圖1所示，晶片本體I表面中間區(qū)域?yàn)殄冦y電極2，鍍銀電極2 —側(cè)設(shè)有過渡帶3和電極引出端4。當(dāng)用導(dǎo)電膠覆蓋在電極引出端區(qū)域時(shí)，可將晶片固定在基座上。為了增加電極引出端與導(dǎo)電膠電連接的可靠性和導(dǎo)電性能，電極引出端4設(shè)有兩側(cè)凸`起的凸出部41，以增加與導(dǎo)電膠的接觸面積。這種設(shè)計(jì)雖然電極引出端與外電極電連接的可靠性和導(dǎo)電性能增強(qiáng)，然而，由于導(dǎo)電膠主要覆蓋在晶片的電極引出端4、41 (鍍層區(qū)域)上，導(dǎo)電膠只能在電極引出端邊緣區(qū)域11與晶體本體I接觸，晶片與基座的粘結(jié)強(qiáng)度相對(duì)較差，在受到撞擊后，容易引起電極引出端鍍層與晶片分層、甚至脫落，從而引起晶片松動(dòng)，造成石英晶體諧振器產(chǎn)品的可靠性下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種HC-49S型石英晶體諧振器用晶片，可以提高晶片與基座間的粘接強(qiáng)度，可以提高石英晶體諧振器產(chǎn)品的可靠性。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的晶片本體表面設(shè)有通過蒸鍍工藝形成的鍍銀電極、電極引出端以及連接鍍銀電極與電極引出端的過渡帶，所述電極引出端中間設(shè)有開口于晶片本體側(cè)端的非鍍層區(qū)域，使得晶片本體在電極引出端中間及兩側(cè)區(qū)域形成導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。點(diǎn)膠后，導(dǎo)電膠不僅覆蓋在電極引出端表面，同時(shí)也覆蓋電極引出端兩側(cè)及中間非鍍層區(qū)域，導(dǎo)電膠不僅與晶片本體直接接觸，而且將電極引出端的兩塊金屬鍍層區(qū)域分別包夾在晶體本體上，極大的加強(qiáng)了晶片與基座的粘結(jié)強(qiáng)度。由于電極引出端中間的非鍍層區(qū)域面積較小，并且導(dǎo)電膠覆蓋了周圍和下表面的有鍍層區(qū)域，不會(huì)對(duì)晶體諧振器的電性能造成影響。所述電極引出端鍍層區(qū)域呈U形。這種U形結(jié)構(gòu)的電極引出端鍍層區(qū)域?qū)ΨQ性好，過電流均勻。經(jīng)跌落試驗(yàn)，使用本發(fā)明晶片的晶體諧振器產(chǎn)品在Im高度3次自由跌落在厚度為3cm的木地板上，頻率變化在3ppm內(nèi)，電阻變化在5 Ω之內(nèi)。而現(xiàn)有HC-49S型石英晶體諧振器頻率變化一般在5ppm內(nèi)。振動(dòng)試驗(yàn)中，在振動(dòng)頻率10 55Hz、振幅1. 5mm、周期1. 5分鐘的條件下，循環(huán)在X、Y、Z軸方向各30分鐘，放置I小時(shí)后測試變化值。頻率變化在5ppm以內(nèi)。而現(xiàn)有HC-49S型石英晶體諧振器頻率變化一般在8ppm內(nèi)。上述實(shí)驗(yàn)表明其耐跌落和振動(dòng)的頻率變化范圍均小于現(xiàn)有產(chǎn)品，其可靠性好于現(xiàn)有廣品。


圖1為現(xiàn)有HC-49S型石英晶體諧振器用晶片結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖2所示，本發(fā)明晶片本體I表面設(shè)有通過蒸鍍工藝形成的鍍銀電極2、電極引出端4以及連接鍍銀電極2與電極引出端4的過渡帶3，所述電極引出端4的中間設(shè)有開口于晶片本體I側(cè)端的非鍍層區(qū)域14，電極引出端兩側(cè)鍍層區(qū)域42、43平行，使得電極引出端4呈U形。使得晶片本體I在電極引出端中間14及兩側(cè)區(qū)域12、13形成導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。圖2中虛線5圍成的區(qū)域表示點(diǎn)膠后導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。點(diǎn)膠后，導(dǎo)電膠不僅覆蓋在電極引出端42、43表面，同時(shí)也覆蓋電極引出端兩側(cè)12、13及中間非鍍層區(qū)域14，導(dǎo)電膠不僅與晶片本體直接接觸，而且將電極引出端的兩塊金屬鍍層區(qū)域42、43分別包夾在晶體本體上，極大的加強(qiáng)了晶片與基座的粘結(jié)強(qiáng)度。
權(quán)利要求
1.HC-49S型石英晶體諧振器用晶片，晶片本體(I)表面設(shè)有通過蒸鍍工藝形成的鍍銀電極(2)、電極引出端⑷以及連接鍍銀電極⑴與電極引出端⑷的過渡帶(3)，其特征在于所述電極引出端(4)的中間設(shè)有開口于晶片本體(I)側(cè)端的非鍍層區(qū)域(14)，使得晶片本體(I)在電極引出端中間及兩側(cè)區(qū)域形成導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HC-49S型石英晶體諧振器用晶片，其特征在于所述電極引出端⑷鍍層區(qū)域呈U形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種HC-49S型石英晶體諧振器用晶片，晶片本體表面設(shè)有通過蒸鍍工藝形成的鍍銀電極、電極引出端以及連接鍍銀電極與電極引出端的過渡帶，所述電極引出端的中間設(shè)有開口于晶片側(cè)端的非鍍層區(qū)域，使得晶片本體在電極引出端中間及兩側(cè)區(qū)域形成導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于導(dǎo)電膠有一部分直接與晶片本體接觸，既不影響產(chǎn)品的導(dǎo)電性能，又加強(qiáng)了晶片與基座之間的粘接強(qiáng)度，從而提高晶體諧振器的可靠性。
文檔編號(hào)H03H9/02GK103036526SQ20121053226
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者吳成秀, 吳亞華 申請(qǐng)人:安徽銅峰電子股份有限公司