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      一種射頻信號(hào)源的制作方法

      文檔序號(hào):7540904閱讀:244來(lái)源:國(guó)知局
      一種射頻信號(hào)源的制作方法
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種射頻信號(hào)源,包括:分頻模塊、倍頻模塊及一控制單元,所述的倍頻模塊包括:倍頻器、多路射頻開(kāi)關(guān)及多個(gè)帶通濾波器,所述多路開(kāi)關(guān)用于在所述控制單元的控制下,選擇連接其中一個(gè)所述帶通濾波器;所述控制單元與所述多路開(kāi)關(guān)之間的信號(hào)控制線上設(shè)有濾波單元。本發(fā)明的射頻信號(hào)源可以解決分頻模塊和倍頻模塊由于射頻信號(hào)串入控制電路所帶來(lái)的干擾問(wèn)題。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】一種射頻信號(hào)源
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及測(cè)量測(cè)試【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是關(guān)于一種射頻信號(hào)源。
      【背景技術(shù)】
      [0002]射頻信號(hào)源,又叫做射頻信號(hào)發(fā)生器,是集多參數(shù)為一體的綜合型測(cè)量?jī)x器,可以輸出一定范圍內(nèi)的射頻信號(hào),為蜂窩通信、無(wú)線連接、音頻/視頻廣播和航空/國(guó)防等行業(yè)中的基帶和射頻測(cè)試應(yīng)用提供高達(dá)6GHz的標(biāo)準(zhǔn)連續(xù)波、模擬調(diào)制和數(shù)字調(diào)制參考信號(hào)。它們具有低相位噪聲、高輸出功率、優(yōu)異的電平精度和先進(jìn)的基帶功能等特性,可為射頻收發(fā)信機(jī)系統(tǒng)和包含這些系統(tǒng)的元器件生成所需的功能和參數(shù)測(cè)試信號(hào)。借助高輸出功率、小信號(hào)輸出,低相位噪聲、內(nèi)置基帶發(fā)生器、數(shù)字I/O等選件,滿(mǎn)足各種特定的需求。
      [0003]圖1為射頻信號(hào)源基本原理框圖,如圖1所示,為射頻信號(hào)源主要包括:VC0模塊101,分頻模塊102,倍頻模塊103,頻率響應(yīng)補(bǔ)償模塊104,脈沖調(diào)制模塊105、I/Q調(diào)制模塊106、自動(dòng)增益控制模塊107、衰減器模塊108及高功率放大模塊109。
      [0004]VCO模塊101包括VCO (壓控振蕩器)及頻率鑒相模塊110,產(chǎn)生頻率范圍為f2到f3的射頻信號(hào)。
      [0005]分頻模塊102和倍頻模塊103通過(guò)選擇開(kāi)關(guān)來(lái)選擇,通過(guò)分頻模塊102擴(kuò)展頻率范圍為fl〈fc〈f2,通過(guò)倍頻模塊103擴(kuò)展頻率范圍為f3〈fc〈f4(fc為最終輸出的頻率,f4為射頻信號(hào)源的最高輸出頻率)。
      [0006]由于不同的頻率范圍采用不同的鏈路通道,會(huì)帶來(lái)頻率響應(yīng)的惡化,故而采用頻率響應(yīng)補(bǔ)償模塊104對(duì)不同頻率的信號(hào)的功率進(jìn)行補(bǔ)償,使其在通過(guò)頻率響應(yīng)補(bǔ)償模塊104之后輸出功率基本一致。
      [0007]脈沖調(diào)制模塊和I/Q調(diào)制:信號(hào)從頻率響應(yīng)補(bǔ)償模塊104輸出之后進(jìn)入脈沖調(diào)制模塊105和I/Q調(diào)制模塊106進(jìn)行脈沖調(diào)制和I/Q調(diào)制,也可以不調(diào)制直接輸出。
      [0008]為了避免溫度變化造成的器件差異,從而導(dǎo)致信號(hào)功率變化,信號(hào)需要通過(guò)自動(dòng)增益控制模塊107,保證其輸出功率的穩(wěn)定性。
      [0009]信號(hào)從自動(dòng)增益控制模塊107輸出為一個(gè)固定的功率P2 (dBm),而實(shí)際上射頻信號(hào)源的輸出功率為可變的,其范圍為:Pl (dBm)到P3 (dBm)之間,即有高功率的輸出,也有小信號(hào)的輸出,衰減器模塊108的作用就是將固定的P2控制通過(guò)改變衰減器模塊的衰減量使其輸出的功率可以在Pl和P2之間變化。
      [0010]高功率放大模塊109的作用是將固定的信號(hào)功率P2,通過(guò)該模塊的放大,擴(kuò)展其輸出為P3,再配合衰減器模塊108的使用,即可實(shí)現(xiàn)輸出功率在P2和P3之間變化。
      [0011]上述各個(gè)功能模塊之間存在相互干擾,為了避免干擾,各個(gè)功能模塊均需要作隔離。一般情況下,將各個(gè)功能模塊做物理隔離,即將各個(gè)模塊分別封裝,互相之間用接地模塊來(lái)區(qū)分,分頻模塊和倍頻模塊的隔離如圖2所示。
      [0012]對(duì)于高頻率信號(hào)來(lái)說(shuō),將分頻模塊和倍頻模塊分別封裝降低了高頻信號(hào)由于空間的輻射帶來(lái)的互相之間的干擾。然而,高頻信號(hào)空間輻射之外,還會(huì)通過(guò)分頻模塊和倍頻模塊的控制電路進(jìn)行串?dāng)_,導(dǎo)致整機(jī)的性能指標(biāo)惡化。
      [0013]另外,現(xiàn)有倍頻模塊103的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)如圖2所示,如果要做二選一的選擇,一般由兩個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)形成,兩個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)選擇一個(gè)濾波器I或者是濾波器2。若如圖2所示選擇了濾波器I,而假如存在其他信號(hào),其頻率正好處于濾波器2的通帶內(nèi),則信號(hào)會(huì)通過(guò)濾波器2進(jìn)入S3,導(dǎo)致S3之后的通道內(nèi)均帶有該信號(hào)。而對(duì)該信號(hào)的幅度的抑制,為S2,S3的隔離度,即兩個(gè)開(kāi)關(guān)的隔離度,隔離度較低。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0014]本發(fā)明提供一種射頻信號(hào)源,以解決分頻模塊和倍頻模塊由于射頻信號(hào)串入控制電路不夠所帶來(lái)的干擾問(wèn)題。
      [0015]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種射頻信號(hào)源,包括:分頻模塊、倍頻模塊及一控制單元,所述的倍頻模塊包括:倍頻器、多路射頻開(kāi)關(guān)及多個(gè)帶通濾波器,所述多路開(kāi)關(guān)用于在所述控制單元的控制下,選擇連接其中一個(gè)所述帶通濾波器;所述控制單元與所述多路開(kāi)關(guān)之間的信號(hào)控制線上設(shè)有濾波單元。
      [0016]進(jìn)一步地,所述的濾波單元包括非門(mén)及低通濾波器。
      [0017]進(jìn)一步地,所述的非門(mén)和低通濾波器依次設(shè)置在所述控制單元和多路開(kāi)關(guān)之間。
      [0018]進(jìn)一步地,所述的非門(mén)設(shè)置為兩級(jí)非門(mén)。
      [0019]進(jìn)一步地,所述低通濾波器包括:一電感、第一電容及第二電容,所述第一電容及第二電容分別連接所述的電感。
      [0020]進(jìn)一步地,所述的分頻模塊包含:多個(gè)低通濾波器及多個(gè)二極管組,每一所述的低通濾波器通過(guò)一個(gè)所述的二極管組進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。
      [0021]進(jìn)一步地,所述多路射頻開(kāi)關(guān)包括多個(gè)輸入端開(kāi)關(guān)及多個(gè)輸出端開(kāi)關(guān),分設(shè)在所述帶通濾波器的兩側(cè);所述的多個(gè)輸入端開(kāi)關(guān)通過(guò)一金屬腔封裝在所述射頻信號(hào)源的電路板上,所述的多個(gè)輸出端開(kāi)關(guān)通過(guò)另一金屬腔封裝在所述射頻信號(hào)源的電路板上。
      [0022]進(jìn)一步地,所述多路開(kāi)關(guān)中的每一個(gè)開(kāi)關(guān)分別通過(guò)所述的濾波單元與所述控制單元連接。
      [0023]進(jìn)一步地,所述低通濾波器和非門(mén)鄰近所述多路開(kāi)關(guān),并與所述多路開(kāi)關(guān)封裝在一起。
      [0024]進(jìn)一步地,所述的控制單元由FPGA芯片構(gòu)成。
      [0025]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果在于,利用本發(fā)明的射頻信號(hào)源,可以解決分頻模塊和倍頻模塊由于射頻信號(hào)串入控制電路所帶來(lái)的干擾問(wèn)題。
      【專(zhuān)利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0026]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中:
      [0027]圖1為射頻信號(hào)源基本原理框圖;
      [0028]圖2為現(xiàn)有的倍頻模塊103的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖;[0029]圖3為本發(fā)明實(shí)施例射頻信號(hào)源的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0030]圖4為本發(fā)明實(shí)施例射頻信號(hào)源的控制電路示意圖;
      [0031]圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例射頻信號(hào)源的控制電路示意圖;
      [0032]圖6為本發(fā)明實(shí)施例低通濾波器LPF的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0033]圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例低通濾波器LPF的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0034]圖8現(xiàn)有技術(shù)中控制單元與射頻開(kāi)關(guān)的連接上示意圖;
      [0035]圖9為本發(fā)明實(shí)施例控制電路及封裝設(shè)計(jì)示意圖;
      [0036]圖10為本發(fā)明實(shí)施例射頻開(kāi)關(guān)S1、S2及S4的封裝及射頻開(kāi)關(guān)S3、S5及S6封裝示意圖;
      [0037]圖11為本發(fā)明實(shí)施例倍頻模塊的開(kāi)關(guān)及封裝示意圖;
      [0038]圖12為本發(fā)明另一實(shí)施例倍頻模塊的開(kāi)關(guān)及封裝示意圖;
      [0039]圖13為本發(fā)明另一實(shí)施例倍頻模塊的開(kāi)關(guān)及封裝示意圖;
      [0040]圖14為本發(fā)明實(shí)施例倍頻模塊的二倍頻部分的開(kāi)關(guān)及封裝示意圖;
      [0041]圖15為本發(fā)明實(shí)施例的分頻模塊302的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0042]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。在此,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明,但并不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
      [0043]如圖3所示,本實(shí)施例提供一種射頻信號(hào)源,該射頻信號(hào)源包括依次連接的VCO模塊301,分頻模塊302、倍頻模塊、補(bǔ)償調(diào)制模塊303及一控制單元304。
      [0044]由圖3可以看出,倍頻模塊包括:倍頻器305、多路射頻開(kāi)關(guān)及多個(gè)帶通濾波器306。多路開(kāi)關(guān)包括射頻開(kāi)關(guān)S1-S6,在控制單元304的控制下,選擇連接其中一個(gè)帶通濾波器306,控制單元304可以由FPGA芯片構(gòu)成。
      [0045]在控制單元304與多路開(kāi)關(guān)之間的信號(hào)控制線上設(shè)有濾波單元,多路開(kāi)關(guān)中的每一個(gè)開(kāi)關(guān)分別通過(guò)濾波單元與控制單元304連接。濾波單元包括非門(mén)Ul及低通濾波器LPF。非門(mén)Ul和低通濾波器依次設(shè)置在控制單元304和多路開(kāi)關(guān)之間。
      [0046]圖3中的控制單元304與一條信號(hào)控制線上的非門(mén)Ul、低通濾波器LPF及一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)組成了一個(gè)控制電路如圖4所示。圖4中的濾波單元僅設(shè)計(jì)了一級(jí)非門(mén)U1,可選的,濾波單元的非門(mén)也可以設(shè)置為兩級(jí)非門(mén),包括非門(mén)Ul及非門(mén)U2,如圖5所示。
      [0047]圖4及圖5中的低通濾波器LPF可以有多種形式,可以為圖6所示的形式,包括:電感L1、電容C2及電容C2,電容C2及電容C2分別連接電感LI。由于控制信號(hào)為直流信號(hào),故而濾波器的截止頻率可以偏低,一般選取在幾兆的范圍之內(nèi)。選定截止頻率,則根據(jù)切比雪夫形式的濾波器設(shè)計(jì)可以確定電感LI,電容Cl及C2的值。
      [0048]低通濾波器LPF也可以使用饋通電容型(EMI Suppression Filters)濾波器來(lái)實(shí)現(xiàn),如圖7所示,該濾波器包括電容C3、C4及C5。圖7中的C3的內(nèi)部結(jié)構(gòu)近似為圖6的結(jié)構(gòu)。
      [0049]如圖3所示,多路射頻開(kāi)關(guān)可以分為多個(gè)輸入端開(kāi)關(guān)及多個(gè)輸出端開(kāi)關(guān)兩部分,多個(gè)輸入端開(kāi)關(guān)包括射頻開(kāi)關(guān)S1、S2、S4,設(shè)置在帶通濾波器306輸入側(cè);多個(gè)輸出端開(kāi)關(guān)包括射頻開(kāi)關(guān)S3、S5、S6,設(shè)置在帶通濾波器306輸出側(cè)。
      [0050]射頻開(kāi)關(guān)S1、S2、S4通過(guò)金屬腔307封裝在射頻信號(hào)源的電路板上,射頻開(kāi)關(guān)S3、S5、S6通過(guò)金屬腔308封裝在射頻信號(hào)源的電路板上。
      [0051]低通濾波器和非門(mén)Ul鄰近多路開(kāi)關(guān)設(shè)置,并與多路開(kāi)關(guān)封裝在一起,如圖3所示,分別與射頻開(kāi)關(guān)S1、S2、S4連接的低通濾波器和非門(mén)Ul與射頻開(kāi)關(guān)S1、S2、S4共同封裝在金屬腔307中,分別與射頻開(kāi)關(guān)S3、S5、S6連接的低通濾波器和非門(mén)Ul與射頻開(kāi)關(guān)S3、S5、S6共同封裝在金屬腔308中。
      [0052]當(dāng)射頻信號(hào)由開(kāi)關(guān)串入時(shí),經(jīng)過(guò)LPF信號(hào)功率被大大降低,在通過(guò)非門(mén)Ul時(shí),由于非門(mén)具有反向輸入隔離的性能,其信號(hào)功率將再次被降低,由此串入控制信號(hào)的射頻信號(hào)已經(jīng)基本消除了。同時(shí),上述將開(kāi)關(guān)Sl-Sll進(jìn)行分組封裝,可以避免射頻信號(hào)在串入控制電路的同時(shí)進(jìn)行的空間輻射,可以徹底解決射頻信號(hào)的互相干擾問(wèn)題,下面簡(jiǎn)單介紹為何上述封裝能夠?qū)崿F(xiàn)該效果。
      [0053]如圖8所示,現(xiàn)有技術(shù)中,控制單元(FPGA芯片)通過(guò)兩根傳輸線分別控制兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)Sm,Sn,而Sm的射頻信號(hào)fl串入了控制信號(hào)傳輸線,通過(guò)空間耦合,fl同樣進(jìn)入了射頻開(kāi)關(guān)Sn,從而導(dǎo)致了射頻開(kāi)關(guān)控制的射頻信號(hào)中均攜帶了 fl。
      [0054]為了解決上述串?dāng)_的問(wèn)題,本申請(qǐng)采用如圖10所示的控制電路及封裝設(shè)計(jì),射頻信號(hào)fl串入控制信號(hào)I之后,傳輸線上通過(guò)濾波器的抑制和非門(mén)的反向隔離已經(jīng)很小,即從傳輸線上串?dāng)_已經(jīng)基本沒(méi)有了。而通過(guò)空間的耦合干擾部分,由于采用了接地的金屬腔體單獨(dú)封裝,所以空間耦合也消除了。所以S2中基本上攜帶的fl已經(jīng)可以忽略了。
      [0055]圖9中,m,n為射頻開(kāi)關(guān)Sl-Sll的某一開(kāi)關(guān),通過(guò)上述分析可知,本發(fā)明需要將射頻開(kāi)關(guān)S1、S2及S4封裝在一起,將射頻開(kāi)關(guān)S3、S5及S6封裝在一起,將射頻開(kāi)關(guān)S7及S8封裝在一起,將射頻開(kāi)關(guān)S9單獨(dú)封裝,將射頻開(kāi)關(guān)SlO及Sll封裝在一起。射頻開(kāi)關(guān)S1、S2及S4的封裝及射頻開(kāi)關(guān)S3、S5及S6封裝示意如圖10所示。
      [0056]在射頻信號(hào)源中,圖1中的VCO (壓控振蕩器)輸出之后分為兩部分,一部分為分頻模塊,頻率范圍為25MHz到1500MHz ;—部分為倍頻模塊,頻率范圍為1500MHz到6000MHz。
      [0057]當(dāng)倍頻模塊PI輸入的射頻信號(hào)頻率為1500ΜΗζ-2000ΜΗζ時(shí),同時(shí)攜帶不需要的分諧波為750MHz-1000MHz,諧波2250MHz-3000MHz,則開(kāi)關(guān)如圖11所示選擇讓1500MHz-2000MHz有效信號(hào)通過(guò),而其余不需要的信號(hào)通過(guò)帶通濾波器濾除。然而開(kāi)關(guān)器件的隔離度有限,例如SI選擇I通道通過(guò),但是射頻信號(hào)同樣會(huì)落入2通道,兩者功率相差一個(gè)開(kāi)關(guān)的隔離度Pis (dB),為了提高隔離度,所以射頻開(kāi)關(guān)如圖11切換。
      [0058]在圖11中,倍頻模塊對(duì)諧波分量的抑制最小可為:開(kāi)關(guān)S2的隔離度+開(kāi)關(guān)S5的隔離度+開(kāi)關(guān)S6的隔離度,即三個(gè)開(kāi)關(guān)的隔離度之和,相比較一個(gè)開(kāi)關(guān)有了很大的提升。
      [0059]當(dāng)Pl輸入2000MHz-2500MHz時(shí),同時(shí)攜帶不需要的分諧波為1000MHz_1250MHz,諧波3000MHz-3750MHz,則開(kāi)關(guān)選擇帶通濾波器2000ΜΗζ_2500ΜΗζ通過(guò),而其余不需要的信號(hào)通過(guò)帶通濾波器濾除,射頻開(kāi)關(guān)選擇如圖12所示的切換方式。
      [0060]在圖12中,倍頻模塊對(duì)諧波分量的抑制最小可為:開(kāi)關(guān)SI的隔離度+開(kāi)關(guān)S4的隔離度+開(kāi)關(guān)S5的隔離度,即三個(gè)開(kāi)關(guān)的隔離度之和,相比較一個(gè)開(kāi)關(guān)有了很大的提升。
      [0061]當(dāng)Pl輸入2500ΜΗζ-3000ΜΗζ時(shí),同時(shí)攜帶不需要的分諧波為1250ΜΗζ_1500ΜΗζ,諧波3750MHz-4500MHz,則開(kāi)關(guān)選擇帶通濾波器2500ΜΗζ_3000ΜΗζ通過(guò),而其余不需要的信號(hào)通過(guò)帶通濾波器濾除,射頻開(kāi)關(guān)選擇如圖13所示的切換方式。
      [0062]在圖13中,倍頻模塊對(duì)諧波分量的抑制最小可為:開(kāi)關(guān)SI的隔離度+帶通濾波器
      2.0GHz-2.5GHz對(duì)信號(hào)的抑制+開(kāi)關(guān)S5的隔離度,相比較一個(gè)開(kāi)關(guān)同樣有了很大的提升。
      [0063]圖11、圖12及圖13的倍頻模塊為圖3中倍頻模塊的左半部分,包括開(kāi)關(guān)S1-S6及多個(gè)帶通濾波器306。通過(guò)圖11、圖12及圖13的倍頻模塊部分之后,P2點(diǎn)的輸出信號(hào)頻率為1500MHz-3000MHz。而當(dāng)要輸出射頻信號(hào)3000MHz-6000MHz,時(shí)還需要再次進(jìn)行2倍頻。所以,在另一實(shí)施例中,倍頻模塊還包括:二次倍頻部分,二次倍頻部分的具體結(jié)構(gòu)詳見(jiàn)圖3及圖14。如圖3所示,二次倍頻部分包括:射頻開(kāi)關(guān)S7-S11帶通濾波器309及倍頻器310組成。射頻開(kāi)關(guān)S7-S11分別與控制單元304通過(guò)不同的控制線相連接,并且控制線上均設(shè)有非門(mén)U3及低通濾波器。射頻開(kāi)關(guān)S7同與其連接的非門(mén)及低通濾波器通過(guò)金屬腔體311封裝在一起,射頻開(kāi)關(guān)S8同與其連接的非門(mén)及低通濾波器通過(guò)金屬腔體312封裝在一起,射頻開(kāi)關(guān)S9同與其連接的非門(mén)及低通濾波器通過(guò)金屬腔體313封裝在一起,射頻開(kāi)關(guān)SlO同與其連接的非門(mén)及低通濾波器通過(guò)金屬腔體314封裝在一起,射頻開(kāi)關(guān)Sll同與其連接的非門(mén)及低通濾波器通過(guò)金屬腔體315封裝在一起。
      [0064]由圖14可以看出,倍頻模塊對(duì)3000MHz的分諧波的隔離度同樣由3個(gè)射頻開(kāi)關(guān)來(lái)完成:開(kāi)關(guān)S7的隔離度+開(kāi)關(guān)S8的隔離度+開(kāi)關(guān)Sll的隔離度。
      [0065]在另一實(shí)施例中,如圖15所示,分頻模塊302包含:多個(gè)低通濾波器及多個(gè)二極管組,每一所述的低通濾波器通過(guò)一所述的二極管組進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。分頻模塊302中,由于信號(hào)的頻率不高,一般在1500MHz —下,所以采用的是二極管作開(kāi)關(guān)控制,一個(gè)二極管作為開(kāi)關(guān)已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)其功能。然而,一個(gè)二極管的隔離度太小,為了增加開(kāi)關(guān)兩路之間的隔離度,故而在直通的鏈路通道上增加二極管組,由此犧牲一定的插入損耗,來(lái)大大提升兩個(gè)通道之間的隔離度。
      [0066]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果在于,利用本發(fā)明的射頻信號(hào)源,可以解決分頻模塊和倍頻模塊由于射頻信號(hào)串入控制電路以及開(kāi)關(guān)隔離度不夠所帶來(lái)的干擾問(wèn)題。
      [0067]以上所述的具體實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已,并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種射頻信號(hào)源,包括:分頻模塊、倍頻模塊及一控制單元,所述的倍頻模塊包括:倍頻器、多路射頻開(kāi)關(guān)及多個(gè)帶通濾波器,所述多路開(kāi)關(guān)用于在所述控制單元的控制下,選擇連接其中一個(gè)所述帶通濾波器;其特征在于,所述控制單元與所述多路開(kāi)關(guān)之間的信號(hào)控制線上設(shè)有濾波單元。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述的濾波單元包括非門(mén)及低通濾波器。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述的非門(mén)和低通濾波器依次設(shè)置在所述控制單元和多路開(kāi)關(guān)之間。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述的非門(mén)設(shè)置為兩級(jí)非門(mén)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述低通濾波器包括:一電感、第一電容及第二電容,所述第一電容及第二電容分別連接所述的電感。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述的分頻模塊包含:多個(gè)低通濾波器及多個(gè)二極管組,每一所述的低通濾波器通過(guò)一個(gè)所述的二極管組進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述多路射頻開(kāi)關(guān)包括多個(gè)輸入端開(kāi)關(guān)及多個(gè)輸出端開(kāi)關(guān),分設(shè)在所述帶通濾波器的兩側(cè);所述的多個(gè)輸入端開(kāi)關(guān)通過(guò)一金屬腔封裝在所述射頻信號(hào)源的電路板上,所述的多個(gè)輸出端開(kāi)關(guān)通過(guò)另一金屬腔封裝在所述射頻信號(hào)源的電路板上。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述多路開(kāi)關(guān)中的每一個(gè)開(kāi)關(guān)分別通過(guò)所述的濾波單元與所述控制單元連接。
      9.根據(jù)權(quán)利要求2-6中任一項(xiàng)所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述低通濾波器和非門(mén)鄰近所述多路開(kāi)關(guān),并與所述多路開(kāi)關(guān)封裝在一起。
      10.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的射頻信號(hào)源,其特征在于,所述的控制單元由FPGA芯片構(gòu)成。
      【文檔編號(hào)】H03K3/02GK103873020SQ201210540109
      【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月13日
      【發(fā)明者】沈艷梅, 王悅, 王鐵軍, 李維森 申請(qǐng)人:北京普源精電科技有限公司
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