專利名稱：組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)、智能天線、毫米波通信、微波導(dǎo)航、制導(dǎo)、遙測遙控、衛(wèi)星通信以及軍事電子對抗等多種領(lǐng)域的電子部件，是一種低插入相移大控制線性范圍的超寬帶數(shù)字/模擬兼容式可調(diào)衰減器集成電路。
背景技術(shù)：
基于GaAs的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器是一種主要用于相控陣?yán)走_(dá)、智能天線、毫米波通信、微波導(dǎo)航、制導(dǎo)、遙測遙控、衛(wèi)星通信以及軍事電子對抗等多種領(lǐng)域的電子部件。在超寬帶微波毫米波頻段的控制電路中，微波毫米波衰減器是主要控制電路之一，可調(diào)衰減器主要被應(yīng)用于1)自動(dòng)損失控制(ALC)組件的寬頻增益控制塊；2)寬頻帶脈沖調(diào)制器；3)寬頻帶無反射單刀單擲(SPST)開關(guān)；4)寬頻矢量調(diào)制器；5)寬頻帶自動(dòng)增益控制(AGC)放大器。MMIC(單片微波集成電路)電壓控制可調(diào)衰減器擁有小型化，輕量級，高成品率，低成本等特點(diǎn)，并且簡單易用，功率耗散低。鑒于上述應(yīng)用，可調(diào)衰減器應(yīng)具有大的動(dòng)態(tài)范圍和低的插入相移，這引起了社會(huì)的廣泛關(guān)注，這種衰減器在工作頻率范圍內(nèi)具有很好的相位平坦度。數(shù)字衰減器線性度好，功率容量大，衰減控制電路簡單精確。目前衰減器的研究主要集中在模擬衰減器和數(shù)字衰減器之間，然而，近年來模擬和數(shù)字兼容式衰減器受到越來越多的關(guān)注。描述模式/數(shù)字兼容式可調(diào)衰減器產(chǎn)品性能的主要技術(shù)指標(biāo)有1)工作頻率帶寬；2)衰減位數(shù)；3)控制線性度；4)衰減精度；5)衰減步進(jìn)；6)最小插入損耗；7)各衰減態(tài)相移；8)各衰減態(tài)輸入和輸出端電壓駐波比；9)各態(tài)轉(zhuǎn)換速度；10)電路尺寸；11)承受功率；12)總衰減量；13)各電路之間電性能的一致性等。由于設(shè)計(jì)采用的電路拓?fù)浜凸に噷?shí)現(xiàn)途徑的缺陷，尤其對頻帶寬、衰減量大的應(yīng)用需求時(shí)，一般衰減器通常電性能指標(biāo)難以滿足要求。主要缺點(diǎn)有1)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)復(fù)雜；
2)控制線性度差；3)偏置電路復(fù)雜；4)工作頻帶窄；5)衰減精度低；6)各衰減態(tài)之間相位差大，即信號(hào)幅度變化時(shí)，伴隨著的信號(hào)相位變化大；7)各衰減態(tài)的輸入和輸出端電壓駐波比差別大；8)受工藝控制參數(shù)影響，電路間電性能一致性較差；9)電路尺寸較大；10)設(shè)計(jì)難度大；11)工藝加工難度大；12)隔離度低，尤其各衰減態(tài)之間的相位差大是諸多同類產(chǎn)品的共同缺點(diǎn)，這限制了該類產(chǎn)品在相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)和許多先進(jìn)的通信系統(tǒng)及武器系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可控連續(xù)或步進(jìn)衰減變化，并且擁有動(dòng)態(tài)范圍大，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單、偏置電路簡潔、控制線性度好、隔離度高、信號(hào)失真小、衰減相移小、衰減精度高、輸入和輸出端口電壓駐波比小、工作頻帶寬、電路尺寸小、兼容模擬式和數(shù)字式、便于采用現(xiàn)在的微波單片集成電路工藝技術(shù)進(jìn)行大批量生產(chǎn)等特點(diǎn)的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器集成電路。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案是一種組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器，如圖1所示，是由控制電路和組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路兩部分結(jié)構(gòu)組成。如圖1所示，整個(gè)電路結(jié)構(gòu)包括控制場效應(yīng)晶體管和衰減PIN二極管，金屬薄膜電阻，植入離子電阻，隔離電容和扼流電感。為了達(dá)到很好的微波性能，使芯片小型化，需要很好地考慮場效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，加工條件，電路布局以及結(jié)構(gòu)排版。連通通道和分流通道有相同的控制信號(hào)，不需要另外的直流相關(guān)電路，所以電路結(jié)構(gòu)得到了簡化。連通衰減和分流衰減的總控制電壓是通過串并聯(lián)電阻分壓來提供的。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點(diǎn)是1、電路拓?fù)浜唵?，衰減量可以通過數(shù)字和模擬電壓進(jìn)行控制改變；2、設(shè)計(jì)簡單，由于電路拓?fù)浜唵危蚨粌H設(shè)計(jì)比同類產(chǎn)品簡單的多，而且產(chǎn)品的綜合電性能指標(biāo)比同類產(chǎn)品更優(yōu)；3、由于電路拓?fù)浜唵问沟秒娐方Y(jié)構(gòu)簡單、緊湊，制造中工藝難度遠(yuǎn)比同類產(chǎn)品要求低；4、電性能改善大，該衰減器各衰減態(tài)插入損耗小，相移小，衰減精度高，輸入和輸出端電壓駐波比小，工作頻帶寬；5、溫度穩(wěn)定性高；6、電路尺寸??；7、控制簡單，使用方便；7、可采用集成電路工藝大批量生產(chǎn)。



圖1是本發(fā)明的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器電路框圖。圖2是本發(fā)明的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明的六位控制電壓超寬帶組合并聯(lián)分壓式數(shù)字/模擬可變衰減器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。結(jié)合圖1，它由一個(gè)單元電路構(gòu)成，該單元電路由組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路和數(shù)字/模擬控制轉(zhuǎn)換電路連接組成，該組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路包括信號(hào)輸入端RFIN、信號(hào)輸出端RFOUT和一個(gè)PIN 二極管衰減網(wǎng)絡(luò)。
所述的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換控制電路由控制信號(hào)輸入端V1、V11、V12........Vln-UVln，分壓
電阻 R10、R11、R12、.......Rln-1、Rln,分壓控制場效應(yīng)晶體管 Fll、F12、....... Fln-U
Fln和分壓控制場效應(yīng)晶體管Fll、F12、.......Fln-1、Fln的偏置電阻R21、R22、.......
R2n-1、R2n構(gòu)成，其中第零分壓電阻RlO和第一分壓電阻Rll的公共連接點(diǎn)P構(gòu)成數(shù)字/
模擬控制轉(zhuǎn)換電路的控制信號(hào)輸出端，所述的分壓電阻R11、R12........Rln-U Rln分別
連接控制場效應(yīng)晶體管Fl1、F12........Fln-1、Fln的源極后整體并聯(lián)再與第零分壓電
阻RlO串聯(lián)構(gòu)成電調(diào)可控的分壓網(wǎng)絡(luò)，該數(shù)字/模擬控制轉(zhuǎn)換電路的控制信號(hào)輸出端與所述的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路的控制信號(hào)輸入端連接。如圖1所
示，引起衰減的PIN 二極管ΡΙΝΙ、PIN2、PIN3、PIN4是由分壓電阻R10、R11、R12、.......
Rln-URln和場效應(yīng)晶體管F11、F12、.......Fln-1、Fln聯(lián)合控制。當(dāng)參考電壓VR—定
時(shí)，控制電壓Vl的作用使PIN 二極管ΡΙΝΙ、PIN2處于低阻狀態(tài)，PIN3、PIN4處于高阻狀
態(tài)時(shí)，而 V11、V12、.......Vln-l、Vln，V2、V41、V42、.......V4n_l、V4n 是控制場效應(yīng)
晶體管Fl1、F12、.......Fln-1、Fln的夾斷電壓時(shí)，衰減器處于最小衰減狀態(tài)，或者說處于
“0N”參考狀態(tài)。當(dāng)參考電壓VR—定時(shí)，控制電壓Vl的作用使PIN 二極管ΡΙΝΙ、PIN2處于低阻狀態(tài)，PIN3、PIN4處于高阻狀態(tài)時(shí)，而VI1、V12、.......Vln_l、Vln，V2、V41、
V42........V4n-1、V4n處于夾斷電壓，此時(shí)衰減器處于最大衰減狀態(tài)，或者說處于“OFF”
狀態(tài)。當(dāng)Vl控制電壓和參考電壓VR分別處于一個(gè)穩(wěn)定電壓值時(shí),其他的控制信號(hào)輸入端
V11、V12、.......Vln-l、Vln，V41、V42、......、V4n_l、V4n 分別或組合加控制場效應(yīng)晶
體管F11、F12........Fln-UFln的導(dǎo)通電壓時(shí)則為不同的數(shù)字衰減態(tài)。電阻R4、R5、R6作為二極管的匹配電阻網(wǎng)絡(luò)，適當(dāng)選擇其參數(shù)，可在大動(dòng)態(tài)的衰減范圍內(nèi)為串聯(lián)和旁路二極管提供正確的偏置與分流，使整個(gè)網(wǎng)絡(luò)獲得較好的阻抗匹配。綜上所述，本發(fā)明組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減的工作過程如下微波輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端RFIN輸入，當(dāng)參考電壓VR —定時(shí)，總控制電壓Vl從使PIN 二極管PIN1、PIN2從低阻狀態(tài)向高阻狀態(tài)連續(xù)變化，同時(shí)使PIN 二極管PIN3、PIN4從高阻狀態(tài)向低阻狀態(tài)連續(xù)變化，或者總控制電壓Vl從使PIN 二極管PIN1、PIN2從高阻狀態(tài)向低阻狀態(tài)連續(xù)變化，同時(shí)使PIN 二極管PIN3、PIN4從低阻狀態(tài)向高阻狀態(tài)連續(xù)變化，此時(shí)各數(shù)字衰
減位的控制信號(hào)VI1、V12、.......Vln-1、Vln均為夾斷電壓，這種狀態(tài)下對應(yīng)為PIN 二極
管衰減器的衰減量發(fā)生連續(xù)變化，這種狀態(tài)為模擬衰減態(tài)。數(shù)字衰減態(tài)時(shí)，當(dāng)Vl控制電壓
和參考電壓VR分別處于一個(gè)穩(wěn)定電壓值時(shí)，控制信號(hào)輸入端VI1、V12、.......Vln-1> Vl
均接場效應(yīng)晶體管夾斷電壓時(shí)設(shè)為參考態(tài)，VI1、V12........Vln-UVln分別或組合加導(dǎo)
通電壓或者夾斷電壓時(shí)，對應(yīng)不同的衰減量控制電壓，則相應(yīng)的對應(yīng)于不同的數(shù)字衰減態(tài)，這樣便可方便的實(shí)現(xiàn)組合并 聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器。實(shí)施例圖2顯示了一款六位控制電壓超寬帶組合并聯(lián)分壓式數(shù)字/模擬可變衰減器集成電路。如圖2所示，所述六位控制電壓超寬帶組合并聯(lián)分壓式數(shù)字/模擬可變衰減器集成電路由微波信號(hào)輸入端RFIN ;微波信號(hào)輸出端RFOUT ;控制信號(hào)輸入端V1、V11、V12、V13、V14、V15、V16 ;分壓電阻RIO、Rll、R12、R13、R14、R15、R16 ;分壓控制金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管 Fll、F12、F13、F14、F15、F16 ;偏置電阻 R21、R22、R23、R24、R25、R26 ;隔離電容 Cl、C2、C3、C4，高頻扼流電感L1、L2、L3，偏置電阻R1、R2、R3，匹配調(diào)整網(wǎng)絡(luò)電阻R4、R5、R6，衰減網(wǎng)絡(luò)PIN 二極管ΡΙΝΙ、ΡΙΝ2、ΡΙΝ3、ΡΙΝ4構(gòu)成。如圖2所示，所述單元電路的合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器電路中，總控電壓Vl接電阻RlO的一端，電阻RlO的另一端接控制信號(hào)輸入端P，控制信號(hào)輸入端P即電阻 Rll、R12、R13、R14、R15、R16 的公共一端，電阻 Rll、R12、R13、R14、R15、R16 的另一端分別接場效應(yīng)管Fll、F12、F13、F14、F15、F16的源極，金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管Fll、F12、F13、F14、F15、F16 的柵極分別接偏置電阻 R21、R22、R23、R24、R25、R26 的一端，偏置電阻 R R21、R22、R23、R24、R25、R26 的另一端分別接電壓控制端 VI1、V12、V13、V14、V15、V16，場效應(yīng)管Fll、F12、F13、F14、F15、F16的漏極分別接地。信號(hào)輸入端口 RFIN連接電容Cl的一端，電容Cl的另一端連接電感L2的一端和PIN 二極管ΡΙΝΙ、PIN3的負(fù)端，PIN二極管PINl的正端連接PIN 二極管PIN2的正端和電感LI的一端，電感LI的另一端連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接控制電壓網(wǎng)絡(luò)電路的輸出端P，PIN 二極管PIN2的負(fù)端連接PIN 二極管PIN4的負(fù)端、電感L3的一端以及電容C2的一端，電容C2的另一端連接信號(hào)輸出端RF0UT，電感L3的另一端連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端接公共地，電感L2的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接公共地，PIN 二極管PIN3的正端連接電容C3的一端和電阻R4的一端，電容C3的另一端連接公共地，電阻R4的另一端接電阻R5的一端和電阻R6的一端，電阻R6的另一端接參考電壓VR，電阻R5的另一端接PIN 二極管PIN4的正端和電容C4的一端，電容C4的另一端接公共地。如圖2所示，引起衰減的PIN二極管ΡΙΝΙ、PIN2、PIN3、PIN4是由分壓電阻R10、Rll、R12、R13、R14、R15、R16 和金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管 Fll、F12、F13、F14、F15、F16 聯(lián)合控制。當(dāng)參考電壓VR—定時(shí)，控制電壓Vl的作用使PIN 二極管ΡΙΝΙ、PIN2處于低阻狀態(tài)，PIN3、PIN4處于高阻狀態(tài)時(shí)，控制電壓V11、V12、V13、V14、V15、V16是控制金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管Fll、F12、F13、F14、F15、F16夾斷電壓-5V，此時(shí)衰減器處于最小衰減狀態(tài)，或者說處于“0N”參考狀態(tài)。當(dāng)參考電壓VR—定時(shí)，控制電壓Vl的作用使PIN二極管PIN1、PIN2處于高阻狀態(tài)，而PIN3、PIN4處于低阻狀態(tài)時(shí)，控制電壓V11、V12、V13、V14、V15、V16是控制金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管Fll、F12、F13、F14、F15、F16導(dǎo)通電壓0V，此時(shí)衰減器處于最大衰減狀態(tài)，或者說處于“OFF”狀態(tài)。當(dāng)Vl控制電壓和參考電壓VR分別處于一個(gè)穩(wěn)定電壓值時(shí)，其他的控制信號(hào)輸入端VI1、V12、V13、V14、V15、V16分別或組合加控制金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管Fll、F12、F13、F14、F15、F16的導(dǎo)通電壓時(shí)則為不同的數(shù)字衰減態(tài)。微波輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端RFIN輸入，當(dāng)參考電壓VR —定時(shí)，總控制電壓Vl從使PIN二極管ΡΙΝΙ、PIN2從低阻狀態(tài)向高阻狀態(tài)連續(xù)變化，同時(shí)使PIN二極管PIN3、PIN4從高阻狀態(tài)向低阻狀態(tài)連續(xù)變化，或者總控制電壓Vl從使PIN 二極管ΡΙΝΙ、PIN2從高阻狀態(tài)向低阻狀態(tài)連續(xù)變化，同時(shí)使PIN 二極管PIN3、PIN4從低阻狀態(tài)向高阻狀態(tài)連續(xù)變化，此時(shí)各數(shù)字衰減位的控制信號(hào)V11、V12、V13、V14、V15、V16均為夾斷電壓-5V，這種狀態(tài)下對應(yīng)為PIN 二極管衰減器的衰減量發(fā)生連續(xù)變化，這種狀態(tài)為模擬衰減態(tài)。數(shù)字衰減態(tài)時(shí)，當(dāng)Vl控制電壓和參考電壓VR分別處于一個(gè)穩(wěn)定電壓值時(shí)，控制信號(hào)輸入端VI1、V12、V13、V14、V15、V16均接金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管的夾斷電壓-5V時(shí)設(shè)為參考態(tài)，V11、V12、V13、V14、V15>V16分別或組合 加導(dǎo)通電壓OV或者夾斷電壓-5V時(shí)，對應(yīng)不同的衰減量控制電壓，則相應(yīng)的對應(yīng)于不同的數(shù)字衰減態(tài)，這樣便可方便的實(shí)現(xiàn)組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器。
權(quán)利要求
1.一種組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器，其特征在于它由控制電路和衰減網(wǎng)絡(luò)電路兩部分組成，衰減網(wǎng)絡(luò)電路的控制電壓是通過串并聯(lián)電阻分壓來提供的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器，其特征在于提供一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單、偏置電路簡潔、控制線性度好、隔離度高、信號(hào)失真小、衰減相移小、衰減精度高、輸入和輸出端電壓駐波比小、工作頻帶寬、電路尺寸小、便于采用麗IC工藝批量生產(chǎn)的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器集成電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器，其特征在于它由一個(gè)單元電路構(gòu)成，該單元電路由組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路和數(shù)字/模擬控制轉(zhuǎn)換電路連接組成，該組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路包括信號(hào)輸入端RFIN、信號(hào)輸出端RFOUT和一個(gè)由PIN 二極管組成的的衰減網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成； 所述的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換連通控制電路由控制信號(hào)輸入端V1、VI1、V12........Vln-U Vln，分壓電阻RIO、Rll、R12、.......Rln-U Rln,分壓控制場效應(yīng)晶體管F11、F12、.......Fln-1、Fln和分壓控制場效應(yīng)晶體管Fl1、F12、.......Fln-1、Fln的偏置電阻R21、R22、.......R2n-1、R2n構(gòu)成，其中第零分壓電阻RlO和第一分壓電阻Rll的公共連接點(diǎn)P構(gòu)成數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換控制電路的控制電壓信號(hào)輸出端，所述的分壓電阻RH、R12、......、Rln-URln分別連接控制場效應(yīng)晶體管Fll、F12、.......Fln-1、Fln的源極后整體并聯(lián)再與第零分壓電阻RlO串聯(lián)構(gòu)成電調(diào)可控的分壓網(wǎng)絡(luò)，該數(shù)字/模擬控制轉(zhuǎn)換電路的控制信號(hào)輸出端與所述的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路的控制信號(hào)輸入端連接； 所述單元電路的微波毫米波數(shù)字/模擬衰減器電路中，總控電壓Vl接電阻RlO的一端，電阻RlO的另一端接控制信號(hào)輸入端P，控制信號(hào)輸入端P即電阻R11、R12........Rln-1、Rln的公共一端，電阻Rll、R12、.......Rln-1、Rln的另一端分別接場效應(yīng)管Fl1、F12........Fln-UFln的源極，場效應(yīng)晶體管Fll、F12........Fln-1、Fln的柵極分別接偏置電阻 R21、R22、......、R2n-l、R2n 的一端，偏置電阻 R21、R22、......、R2n_l、R2n 的另一端分別接電壓控制端VI1、V12、.......Vln-UVln，場效應(yīng)管Fll、F12、.......Fln-1、Fln的漏極分別接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器，其特征在于它由一個(gè)單元電路構(gòu)成，該單元電路由組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路和數(shù)字/模擬控制轉(zhuǎn)換電路連接組成，該組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路包括信號(hào)輸入端RFIN、信號(hào)輸出端RFOUT和一個(gè)由PIN 二極管組成的衰減網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成； 所述的組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減網(wǎng)絡(luò)電路由信號(hào)輸入端RFIN、信號(hào)輸出端RF0UT，隔離電容Cl、C2、C3、C4，高頻扼流電感L1、L2、L3，偏置電阻R1、R2、R3，匹配調(diào)整網(wǎng)絡(luò)電阻R4、R5、R6，衰減網(wǎng)絡(luò)PIN 二極管PIN1、PIN2、PIN3、PIN4構(gòu)成；信號(hào)輸入端口 RFIN連接電容Cl的一端，電容Cl的另一端連接電感L2的一端和PIN 二極管PIN1、PIN3的負(fù)端，PIN 二極管PINl的正端連接PIN 二極管PIN2的正端和電感LI的一端，電感LI的另一端連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接控制電壓網(wǎng)絡(luò)電路的輸出端P，PIN二極管PIN2的負(fù)端連接PIN 二極管PIN4的負(fù)端、電感L3的一端以及電容C2的一端，電容C2的 另一端連接信號(hào)輸出端RFOUT，電感L3的另一端連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端接公共地，電感L2的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接公共地，PIN 二極管PIN3的正端連接電容C3的一端和電阻R4的一端，電容C3的另一端連接公共地，電阻R4的另一端接電阻R5的一端和電阻R6的一端，電阻R6的另一端接參考電壓VR,電阻R5的另一端接PIN 二極管PIN4的正端和電容C4的一端，電容C4的另一端接公共地。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器。它由控制電路和衰減網(wǎng)絡(luò)電路兩部分組成，衰減網(wǎng)絡(luò)電路的總控制電壓是通過串并聯(lián)電阻分壓來提供的。本電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單、偏置電路簡潔、控制線性度好、隔離度高、信號(hào)失真小、衰減相移小、衰減精度高、輸入和輸出端電壓駐波比小、工作頻帶寬、電路尺寸小、便于采用MMIC工藝批量生產(chǎn)。本發(fā)明緊密結(jié)合微波單片集成電路工藝線提供的有關(guān)參數(shù)規(guī)則進(jìn)行設(shè)計(jì)，組合并聯(lián)分壓式控制數(shù)字/模擬可變衰減器是現(xiàn)代相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)收發(fā)組件的核心組成部分，可見本發(fā)明的重要性。
文檔編號(hào)H03H11/24GK103066946SQ20121058945
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
發(fā)明者戴永勝, 李旭, 韋晨君, 郭風(fēng)英, 陳建鋒, 范小龍, 吳迎春, 吳建星, 馮辰辰, 顧家, 李雁, 方思慧, 鄧良, 施淑媛, 羅鳴, 朱丹, 陳龍 申請人:南京理工大學(xué)