專利名稱：自舉式反相器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種反相電路，特別是一種自舉式反相電路。
技術(shù)背景 反相器是電子電路里常用到的電路，現(xiàn)有技術(shù)的反相器一般是由一直PMOS管和一直NMOS管構(gòu)成的，PMOS管的源極接電壓源，漏極連接NMOS管的漏極，NMOS管的源極接地，NMOS管和PMOS管的柵極作為輸入端，而NMOS管和PMOS管漏極作為輸出端。當(dāng)負(fù)載的電阻越大時，此時該結(jié)構(gòu)的反相的自發(fā)熱越大，使得電路的輸出不穩(wěn)定。

實用新型內(nèi)容本實用新型的發(fā)明目的在于針對上述存在的問題，提供一種自舉式反相放大器。本實用新型采用的技術(shù)方案是這樣的一種自舉式反相器，該自舉式反相器包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一電容、第二電容和反相器。所述第一 PMOS管的源極接第一控制信號輸入端，漏極與第一 NMOS管的漏極、第三PMOS管的源極、第二 PMOS管的柵極和第三NMOS管的漏極連接，柵極與第四PMOS管的源極、第六NMOS管的漏極、第二 PMOS管的漏極、第四NMOS管的漏極連接；第二 PMOS管的源極連接第一控制信號輸入端；反相器的輸入端連接第一控制信號輸入端，負(fù)極端與第三PMOS管的柵極、第四PMOS管的柵極連接；第三PMOS管的漏極與第一 NMOS管的源極、第二 NMOS管的柵極連接；第四PMOS管的漏極與第五NMOS管的柵極、第六NMOS管的源極連接。第一NMOS管的柵極連接第一控制信號輸入端；第二 NMOS管的漏極連接第二控制信號輸入端，源極通過第一電容接地；第三NMOS管的源極接地，柵極連接第一輸入端；第四NMOS管的源極接地，柵極連接第二輸入端；第五NMOS管的漏極連接第二控制信號輸入端，源極通過第二電容接地；第六NMOS管的柵極連接第一控制信號輸入端。在上述的電路中，所述第一 PMOS管與第二 PMOS管為參數(shù)相同的PMOS管。在上述的電路中，所述第三PMOS管與第四PMOS管為參數(shù)相同的PMOS管。在上述的電路中，所述第一 NMOS管與第六NMOS管為參數(shù)相同的NMOS管。在上述的電路中，所述第三NMOS管與第四NMOS管為參數(shù)相同的NMOS管。在上述的電路中，所述第二 NMOS管與第五NMOS管為參數(shù)相同的NMOS管。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是在負(fù)載較大時也能控制該反相器的自發(fā)熱，使得可以輸出穩(wěn)定。

圖I是本實用新型自舉式反相器的電路原理圖。
具體實施方式
[0013]
以下結(jié)合附圖，對本實用新型作詳細(xì)的說明。為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。如圖I所示，是本實用新型自舉式反相器的電路原理圖。本實用新型的一種自舉式反相器，包括第一 PMOS管P1、第二 PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第一 NMOS管NI、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第一電容Cl、第二電容C2和反相器。在本實用新型的技術(shù)方案中，優(yōu)選采用第一 PMOS管Pl與第二 PMOS管P2的參數(shù)相同，第三PMOS管P3與第四PMOS管P4的參數(shù)相同，第一 NMOS管NI與第六NMOS管N6的參數(shù)相同，第三NMOS管N3與第四NMOS管N4的參數(shù)相同，第二 NMOS管N2與第五NMOS管N5的參數(shù)相同。 下面結(jié)合圖I對上述器件間的連接關(guān)系做詳細(xì)說明。所述第一 PMOS管Pl的源極接第一控制信號輸入端CLKl，漏極與第一 NMOS管NI的漏極、第三PMOS管P3的源極、第二PMOS管P2的柵極和第三NMOS管N3的漏極連接，柵極與第四PMOS管P4的源極、第六NMOS管N6的漏極、第二 PMOS管P2的漏極、第四NMOS管N4的漏極連接；第二 PMOS管P2的源極連接第一控制信號輸入端CLKl ;反相器的輸入端連接第一控制信號輸入端CLK1,負(fù)極端與第三PMOS管P3的柵極、第四PMOS管P4的柵極連接；第三PMOS管P3的漏極與第一 NMOS管NI的源極、第二 NMOS管N2的柵極連接；第四PMOS管P4的漏極與第五NMOS管N5的柵極、第六NMOS管的源極連接；第一 NMOS管的柵極連接第一控制信號輸入端CLKl ;第二 NMOS管N2的漏極連接第二控制信號輸入端CLK2，源極通過第一電容Cl接地；第三NMOS管N3的源極接地，柵極連接第一輸入端INl ;第四NMOS管N4的源極接地，柵極連接第二輸入端IN2 ;第五NMOS管N5的漏極連接第二控制信號輸入端CLK2，源極通過第二電容C2接地；第六NMOS管N6的柵極連接第一控制信號輸入端CLKl。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種自舉式反相器，其特征在于，包括第一 PMOS管(P1)、第二 PMOS管(P2)、第三PMOS 管(P3)、第四 PMOS 管(P4)、第一 NMOS 管(NI)、第二 NMOS 管(N2)、第三 NMOS 管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)、第一電容(Cl)、第二電容(C2)和反相器； 所述第一 PMOS管(Pl)的源極接第一控制信號輸入端(CLK1 )，漏極與第一 NMOS管(NI)的漏極、第三PMOS管(P3)的源極、第二 PMOS管(P2)的柵極和第三NMOS管(N3)的漏極連接，柵極與第四PMOS管(P4)的源極、第六NMOS管(N6)的漏極、第二 PMOS管(P2)的漏極、第四NMOS管(N4)的漏極連接；第二 PMOS管(P2)的源極連接第一控制信號輸入端(CLKl);反相器的輸入端連接第一控制信號輸入端(CLK1 )，負(fù)極端與第三PMOS管(P3)的柵極、第四PMOS管(P4)的柵極連接；第三PMOS管(P3)的漏極與第一 NMOS管(NI)的源極、第二 NMOS管(N2)的柵極連接；第四PMOS管(P4)的漏極與第五NMOS管(N5)的柵極、第六NMOS管的源極連接； 第一 NMOS管的柵極連接第一控制信號輸入端(CLK1);第二 NMOS管(N2)的漏極連接第二控制信號輸入端(CLK2)，源極通過第一電容(Cl)接地；第三NMOS管(N3)的源極接地，柵極連接第一輸入端(INl);第四NMOS管(N4)的源極接地，柵極連接第二輸入端(IN2);第五NMOS管(N5)的漏極連接第二控制信號輸入端(CLK2)，源極通過第二電容(C2)接地；第六NMOS管(N6)的柵極連接第一控制信號輸入端(CLKl)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的自舉式反相器，其特征在于，所述第一PMOS管(Pl)與第二PMOS管(P2 )為參數(shù)相同的PMOS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的自舉式反相器，其特征在于，所述第三PMOS管(P3)與第四PMOS管(P4)為參數(shù)相同的PMOS管。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的自舉式反相器，其特征在于，所述第一NMOS管(NI)與第六NMOS管(N6)為參數(shù)相同的NMOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的自舉式反相器，其特征在于，所述第三NMOS管(N3)與第四NMOS管(N4)為參數(shù)相同的NMOS管。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的自舉式反相器，其特征在于，所述第二NMOS管(N2)與第五NMOS管(N5)為參數(shù)相同的NMOS管。
專利摘要本實用新型公開了一種自舉式反相器。該電路包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)、第一電容(C1)、第二電容(C2)和反相器。本實用新型的有益效果是在負(fù)載較大時也能控制該反相器的自發(fā)熱，使得可以輸出穩(wěn)定。
文檔編號H03K19/094GK202798658SQ20122046579
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月13日
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