專利名稱：高基頻石英晶體諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高基頻石英晶體諧振器。
背景技術(shù)：
石英晶體諧振器是一種高精度和高穩(wěn)定度的頻率器件，被稱為數(shù)字電路的心臟。它的基本構(gòu)成是一塊石英晶片，在晶片中間位置的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂覆金屬膜層作為電極，在每個(gè)電極上通過引帶連接到引線上，再加上封裝外殼組成。石英晶體的主要性能由晶片決定，其頻率由晶片的厚度決定，與晶片厚度成反比 (AT切晶片，頻率=1660/晶片厚度)。傳統(tǒng)的石英晶片為平面結(jié)構(gòu)，主要加工方法為機(jī)械雙面研磨。由于加工工藝和晶片強(qiáng)度的原因，頻率范圍一般在I 40MHz(晶片厚度O. 04mm),最高也只能達(dá)到60MHz (晶片厚度O. 027mm)。隨著電子電路小型化、高頻化，越來越多的場合需要用到60MHz以上的石英晶體，故傳統(tǒng)的晶片無法滿足高基頻產(chǎn)品要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種高基頻石英晶體諧振器，振蕩頻率可以提高至60MHz以上。本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案包括絕緣底座、支架、晶片、外殼，絕緣底座下端固定有與支架電連接的插腳，支架上開有固定晶片的夾持孔，所述晶片呈圓形，其厚度為O. 05 O. 08mm,晶片兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽，使得凹槽底部形成振蕩區(qū)域。上述振蕩區(qū)域可以通過離子刻蝕法形成，用該方法加工可以將振蕩區(qū)域的厚度加工至6 27 μ m，使得振蕩頻率可以提高至60 255MHz。上述振蕩區(qū)域的直徑可以為2.5mm。上述晶片的直徑可以為8. 0mm。本實(shí)用新型通過離子刻蝕法形成可以在晶片中間形成厚度在6 27 μ m的振蕩區(qū)域，使得振蕩頻率可以提高至60 255MHz，可以滿足高基頻石英晶體諧振器的需要，并且還具有等效串聯(lián)阻抗小和Ts值大的優(yōu)點(diǎn)，可以滿足電子電路低消耗功率和可調(diào)性要求。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1中晶片沿A — A線剖視圖。
具體實(shí)施方式
由圖1所示，本實(shí)用新型包括絕緣底座1、支架2、晶片3、外殼5，絕緣底座I下端固定有與支架2電連接的插腳4，支架2上開有固定晶片3的夾持孔21，晶片3呈圓形，直徑為8. 0mm，其厚度為O. 05 O. 08mm，晶片3通過夾持孔21固定在支架2上。圖1中外殼5處于末封裝狀態(tài)。晶片結(jié)構(gòu)如圖2所示，晶片兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽33，使得凹槽底部形成振蕩區(qū)域31。該振蕩區(qū)域31的直徑為2. 5mm，厚度為6 27 μ m。該振蕩區(qū)域通過在晶片兩側(cè)采用離子刻蝕法形成。振蕩區(qū)域31四周為圓環(huán)狀基體32。 晶片3表面通過鍍膜形成的導(dǎo)電層(圖中末畫出)，晶片3由夾持孔21垂直設(shè)置在支架2上并通過點(diǎn)膠方式與支架固連。晶片上的導(dǎo)電層通過點(diǎn)膠與支架2電連接。
權(quán)利要求1.高基頻石英晶體諧振器，包括絕緣底座(I)、支架(2)、晶片(3)、外殼(5)，絕緣底座(I)下端固定有與支架⑵電連接的插腳(4)，支架(2)上開有固定晶片(3)的夾持孔(21)，其特征是所述晶片(3)呈圓形，其厚度為O. 05 O. 08mm,晶片(3)兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽(33)，使得凹槽(33)底部形成振蕩區(qū)域(31)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高基頻石英晶體諧振器，其特征是振蕩區(qū)域(31)的厚度為6 27 μ m0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高基頻石英晶體諧振器，其特征是振蕩區(qū)域(31)的直徑為.2.5mmο
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高基頻石英晶體諧振器，其特征是晶片(3)的直徑為.8. Omm0
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高基頻石英晶體諧振器，包括絕緣底座、支架、晶片、外殼，絕緣底座下端固定有與支架電連接的插腳，支架上開有固定晶片的夾持孔，所述晶片呈圓形，其厚度為0.05 ～0.08mm，晶片兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽， 使得凹槽底部形成振蕩區(qū)域。本實(shí)用新型晶片中間形成厚度在6～27μm的振蕩區(qū)域，使得振蕩頻率可以提高至60～255MHz，可以滿足高基頻石英晶體諧振器的需要，并且還具有等效串聯(lián)阻抗小和Ts值大的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03H9/19GK202841074SQ20122049456
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者唐勁, 張幫嶺 申請(qǐng)人:銅陵晶越電子有限公司