專利名稱：一種集成有兩個雙向可控硅芯片的光電耦合器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及光電耦合器產(chǎn)品的封裝方法，提供了一種提高單個光電耦合器產(chǎn)品輸出端耐高壓指標的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著各種自動化電器設(shè)備的小型化需求，市場出現(xiàn)需要一個雙向可控硅光電耦合器的耐高壓指標成倍提高的要求，由于市場沒有這樣的輸出芯片，在電路設(shè)計時只能采用兩個相同的雙向可控硅光電耦合器串聯(lián)在具體電路中來達到要求，但是卻增加了空間體積，一些小型化的電路器件不得不重新設(shè)計而往往又增加了空間體積。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型提供一種高性能的提高單個光電耦合器輸出端芯片耐高壓指標的產(chǎn)品。本實用新型的技術(shù)方案是在光電I禹合器的金屬框架輸出端位置上安裝兩個雙向可控娃輸出芯片，芯片和框架之間用絕緣膠固定，兩個雙向可控硅輸出芯片的各自一個主電極分別通過金屬線焊接連接到引腳框架上達到串聯(lián)作用，這兩個雙向可控硅輸出芯片的各自另外一個主電極通過金屬線焊接分別連接到框架的兩個輸出引腳端，同時在這個光電耦合器的金屬框架輸入端位置上安裝一個發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片的兩個電極通過金屬線分別連接到框架的兩個輸入引腳端，然后通過模壓封裝制造成一個含有兩個雙向可控娃輸出芯片的光電I禹合器產(chǎn)品。
本實用新型的有益效果是，在不增加空間體積的情況下為市場提供了一種高性能的提聞單個光電稱合器輸出端芯片耐聞壓指標的廣品。

圖1為一個常規(guī)雙向可控硅光電耦合器的內(nèi)部器件在框架上的電路示意圖。(I)為輸入端，(2)為輸入端，(3)為空端，(4)為輸出端，(5)為空端，(6)為輸出端，(10)為零電壓交匯觸發(fā)電路，圖中箭頭為從發(fā)光二極管照向輸出芯片的光照向。圖2為一個常規(guī)雙向可控娃光電稱合器的產(chǎn)品立體圖。圖3為一個常規(guī)雙向可控娃光電f禹合器的內(nèi)部器件在框架上的不意圖。(I)為輸入端，(2)為輸入端，(3)為空端，(4)為輸出端，(5)為空端，(6)為輸出端，(7)為焊接好的金屬線，(8)為輸入芯片，(9)為輸出芯片。圖4為本實用新型采用兩個輸出芯片的雙向可控硅光電耦合器的內(nèi)部器件在框架上的電路示意圖。(I)為輸入端，(2)為輸入端，(3)為空端，(4)為輸出端，(5)為串聯(lián)端，(6)為輸出端，(10)為零電壓交匯觸發(fā)電路，圖中箭頭為從發(fā)光二極管照向輸出芯片的光照向。[0011]圖5為本實用新型采用兩個輸出芯片的雙向可控硅光電耦合器的內(nèi)部器件在框架上的示意圖。(I)為輸入端，(2)為輸入端，(3)為空端，(4)為輸出端，(5)為串聯(lián)端，(6)為輸出端，(7)為焊接好的金屬線，(8)為輸入芯片，(9)為輸出芯片，有兩個進行串聯(lián)。
具體實施方式
本實用新型所指的框架為金屬框架。圖1、圖2、圖3、圖4、圖5的(I)和(2)為輸入端管腳和紅外發(fā)光二極管芯片相連，(4)和(6)為輸出端管腳和感光雙向可控娃輸出芯片相連。本發(fā)明見圖4、圖5，其中輸出端金屬框架位置(5)上安裝兩個感光雙向可控硅輸出芯片，它們各自的一個主電極和框架輸出端管腳(5)連接達到串聯(lián)作用，它們各自的另外一個主電極分別和框架輸出端管腳(4)和(6)連接,安裝時兩個感光雙向可控娃輸出芯片與輸出端金屬框架位置(5)之間必須用絕緣膠固定，串聯(lián)作用時輸出端管腳(5)為空端，只起到提供串聯(lián)的連接作用，同時在這個光電耦合器的金屬框架輸入端位置上安裝一個發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片的兩個電極通過金屬線分別連接到框架的兩個輸入引腳端，然后通過模壓封裝制造成 一個含有兩個雙向可控硅輸出芯片的光電耦合器產(chǎn)品。當用戶使用輸出端管腳(5)時,輸出端框架上安裝兩個感光雙向可控娃芯片將作為并聯(lián)使用。
權(quán)利要求1.一種集成有兩個雙向可控娃芯片的光電稱合器，其特征在于在光電稱合器的金屬框架輸出端位置上安裝兩個雙向可控硅輸出芯片，芯片和框架之間用絕緣膠固定，兩個雙向可控硅輸出芯片的各自一個主電極分別通過金屬線焊接連接到引腳框架上達到串聯(lián)作用，這兩個雙向可控硅輸出芯片的各自另外一個主電極通過金屬線焊接分別連接到框架的兩個輸出引腳端，同時在這個光電稱合器的金屬框架輸入端位置上安裝一個發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片的兩個電極通過金屬線分別連接到框架的兩個輸入引腳端，然后通過模壓封裝制造成一個含有兩個雙向可控娃輸出芯片的光電I禹合器產(chǎn)品。
專利摘要一種集成有兩個雙向可控硅芯片的光電耦合器，通過在一個原有的雙向可控硅光電耦合器的框架上封裝兩個雙向可控硅光電耦合器的輸出芯片并在這個框架上將它們串聯(lián)起來，制造出一種高性能的提高單個光電耦合器輸出端芯片耐高壓指標的產(chǎn)品。
文檔編號H03K17/78GK202905714SQ201220574048
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者沈震強 申請人:沈震強